JPH0364459B2

JPH0364459B2 -

Info

Publication number: JPH0364459B2
Application number: JP58115364A
Authority: JP
Inventors: Haruo Okamoto; Mikio Endo
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1983-06-27
Filing date: 1983-06-27
Publication date: 1991-10-07
Also published as: JPS6011240A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は光フアイバー母材の製造方法、特には
化学気相沈積法でシリカを石英管内に堆積させる
内付け法により、水酸基を含有しない光フアイバ
ー母材の製造する方法に関するものである。

光フアイバー母材の製造方法については各種の
方法が知られているが、これは極めて純度に高い
ものとする必要があるほか、断面方向の屈折率分
布を制御する必要があるということから、化学反
応を利用した化学気相沈積法（以下これをCVD
法と略記する）が汎用されている。そして、この
CVD法はけい素化合物の酸化により得られるシ
リカを石英管内に透明なガラス膜として形成させ
る内付け法（以下MCVD法と略記する）、心材の
外表面にけい素化合物の火災加水分解で作つたシ
リカを堆積させる外付け法、さらには回転しつつ
ある耐火性物質にけい素化合物の火炎加水分解で
作つたシリカを堆積して、これを棒状体とする気
相軸付法（VAD法）などが知られているが、こ
の火炎加水分解法によるものは石英ガラス母材が
水酸基（OH基）を多く含んだものとなること、
またこの外付け法、VAD法ではこの反応が開放
された系で行なわれるためガラス母材の屈折率制
御が難しいという不利があり、この観点から高品
質の光フアイバー母材の製造にはOH基が少な
く、ドープ剤量の制御が容易なMCVD法が好ま
しいものとされている。

しかし、従来公知のMCVD法では石英管の一
端からガラス形成原料としての四塩化けい素
（SiCl₄）とガラスの屈折率を制御するためのドー
プ剤としての四塩化ゲルマニウム（GeCl₄）、オ
キシ塩化リン（POCl₃）、三塩化ホウ素（BCl₃）、
などを酸化用酸素ガスと共に送入し、この石英管
の外側に酸水素炎バーナーあるいは電気抵抗加熱
装置などをガス供給側から排ガス側にくり返し移
動してこれらのガスを加熱し、その気相酸化反応
によつて生成するドープ剤を含むシリカを石英管
内の長さ方向に透明ガラス膜として堆積させ、つ
いでこのガラス膜を有する中空石英管を加熱溶融
して中実化するという方法であるため、この方法
で得られる光フアイバー母材には塩素または塩素
化合物が多く溶存しており、この溶存塩素によつ
てこの光フアイバーはその可視領域の0.6〜1.1μm
の波長帯での吸収損失が大きくなるという不利が
あるほか、この溶存塩素によつてその中実化工程
あるいはその後の紡糸工程において時として発泡
を生じるという問題点があり、さらには放射線に
対する耐性が低下するという欠点がある。

また、このMCVD法では上記したように原料
ガスの気相酸化反応のために必要とされる熱が石
英管の外側から供給され、この加熱によつて石英
管が軟化点付近にまで加熱されるものであること
から、石英管にねじれやたわみが発生し易いとい
う不利があるほか、ガラスの堆積層が厚くなるに
したがつて伝熱がわるくなり、それに応じて外部
からの加熱を増加させる必要があるので、この変
形がさらに助長されるという欠点がある。そし
て、特に外部加熱源が酸水素炎であるときには、
加熱濃度を増すために水素を増加すると火炎の速
度も速くなるので、ますますこの変形が起り易く
なるという傾向があり、この変形はガラス堆積層
の厚さを不均一とするので、目的とする光フアイ
バー母材の屈折率分布が著しく乱れるようになる
という不利を伴なうものであつた。

このため、本発明者らはこれらの不利を解決す
るために、ガラス形成原料、ドープ剤として塩素
原子を含有しない可燃性の物質、例えばSi
（OCH₃）₄、Ge（OC₂H₅）₄、Ｂ（OCH₃）₃などを用い
ることによつて、塩素原子または塩素化合物に起
因する問題がなく、しかもこれらの原料ガスが可
燃性でその種類による反応化率の違いのないもの
を選択すれば屈折率分布の良好な光フアイバー母
材を得ることができることを見出した（特願昭58
−647号参照）が、しかしこれは原料として水素
原子を含む化合物を用いるものであるため、この
方法で得られる光フアイバー母材はガラス中に
OH基が固定され、このOH基によつて吸収損失
の大きいものになつてしまうという大きな欠点を
もつものであつた。

本発明はこのような不利を解決したMCVD法
による光フアイバー母材の製造方法に関するもの
であり、これは一般式R_oSiX_4-o（ここにＲは水素
原子またはメチル基、エチル基、プロピル基、ビ
ニル基から選ばれる基、Ｘはハロゲン原子または
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基から選ば
れる基、ｎは０〜４、ただしＸがハロゲン原子の
場合はｎは１〜４）で示されるけい素化合物と、
一般式GeX₄、BX₃、（Ｘは前記に同じ）、POCl₃、
PH₃で示されるドープ剤および一般式C_aH_bF_cY_d
（こゝにＹは塩素原子または臭素原子、2a＋２＝
ｂ＋ｃ＋ｄ、ａ≧１、ｃ≧１、ｂ≧０、ｄ≧０）
で示される含フツ素化合物の0.1〜10％（対けい
素化合物）とを混合し、石英管中で熱酸化または
燃焼させ、これによつて発生するドープ剤を含む
シリカを石英管内に透明なガラス膜として堆積さ
せた後、この石英管を加熱溶融して中実化するこ
とを特徴とするものである。

これを説明すると、本発明者らはけい素化合物
を始発材料とする光フアイバー用石英系母材の製
造方法について種々検討した結果、このけい素化
合物とドープ剤との混合ガスにさらにフツ化炭化
水素を添加し、この混合ガスを石英管内で加熱燃
焼させたところ、こゝに発生するシリカがOH基
を全く含有しないものになるということを見出
し、これについてさらに研究を進め、このけい素
化合物として前記したR_oSiX_4-oで示されるシラ
ン化合物を、またこのドープ剤としてGeX₄、
BX₃、POCl₃、PH₃から選ばれるものを使用する
と共に、このフツ素化合物として特に前記した
C_aH_bF_cY_dで示される含フツ素化合物を使用すれ
ば、このフツ素の電気陰性度が塩素や臭素のそれ
にくらべて大きいので、少量の添加でも高い脱水
能力を発揮すること、またこの少量の添加はシリ
カ質に対する分解作用も問題にならず、さらに光
フアイバー母材中でのフツ素の存在もそれが微量
であれば屈折率の低下もほとんど問題にならない
ということを確認して本発明を完成させた。

本発明の方法で使用される始発材料としてのけ
い素化合物は前記したように一般式R_oSiX_4-oで
示されるものとされ、これにはSiH₄、H₂SiCl₂、
HSiCl₃、SiCl₄、SiF₄、CH₃SiCl₃、（CH₃）₂SiCl₂、
Si（CH₃）₄、Si（OCH₃）₄、CH₃Si（OCH₃）₃、HSi
（OCH₃）₃、Si（OC₂H₅）₄、CH₃Si（OC₂H₅）₃などが
例示される。しかし、これは安価で入手が容易で
あり、危険性も少なく、揮発性に富み、排ガス処
理も容易であるということから、工業的には
CH₃SiCl₃などを選択することがよいが、目的と
する光フアイバー母材を塩素原子を含まないもの
とするということからはCH₃Si（CCH₃）₃、Si
（OCH₃）₄などを選択することがよい。

また、このけい素化合物に混合されるドープ剤
としては前記した一般式GeX₄、BX₃で示される
化合物、またはPOCl₃、PH₃が使用されるが、
GeCl₄、BCl₃、POCl₃のいずれか、またはこれら
の組み合わせとすればよい。しかし、これも目的
とする光フアイバー用母材を塩素原子を含まない
ものとするという場合にはGe（OCH₃）₄、Ge
（OC₂H₅）₄、Ge（OC₃H₇−ｎ）₄、Ｂ（OCH₃）₃、Ｂ
（OC₂H₅）₃、Ｂ（OC₃H₇−ｎ）₃などで例示されるア
ルコキシ化合物とすることがよく、比較的沸点が
低いということからGe（OCH₃）₄、Ge（OC₂H₅）₄、
Ｂ（OCH₃）₃、Ｂ（OC₂H₅）₃とすることがよい。ま
た、塩素を含まないリンの化合物としては高純度
のものが簡単に得られ、きわめて高い燃焼効率を
示すということからPH₃が最適とされる。

他方、本発明の方法において使用される含フツ
素化合物は前記したC_aH_bF_cY_dで示される化合物
とされるが、これについては常温常圧下で安定で
あり、高温下では脱水能力をもつ活性種を生じる
ものであること、また沸点が比較的低く取扱いが
容易でかつ入手も容易であるということから、
CF₄〔沸点（以下同じ）−128℃〕、CHF₃〔−82.0
℃〕、CF₃Cl〔−81.4℃〕、CF₃Br〔−57.8℃〕、
CFCl₃〔23.8℃〕、CF₂Cl₂〔−29.8℃〕、CHF₂Cl〔−
40.8℃〕、C₂F₆〔−78.2℃〕、C₂F₅Cl〔−38.7℃〕、
CFCl₂−CF₂Cl〔47.6℃〕、CF₂Cl−CF₂Cl〔3.6℃〕、
C₃F₈〔−36.7℃〕などとすればよく、これらの中
では１分子中におけるフツ素原子の含有率の高い
ものとすることがよいので、CF₄、CHF₃、
CF₃Cl、CF₃Br、C₂F₆、C₂F₅Cl、C₃F₈などが好
ましいものとされる。また、このフツ素化剤の添
加量はこれを添加しないときに得られるガラス体
に含有されるOH基を完全に脱離できる最低量と
することがよく、したがつてこれは前記したけい
素化合物に対し0.01〜10％となる範囲とすればよ
いが、これはこゝに使用するけい素化合物、ドー
プ剤の種類、量、フツ素化合物の種類さらにはこ
の反応条件などによつて適宜に定めればよい。な
お、このフツ素化剤については、上記のほかフツ
素ガス、フツ化水素などの使用も考えられるけれ
ども、これらはその反応性や毒性が強く、かつは
それらが石英管などを侵蝕するという不利がある
ので、好ましいものではない。

なお、本発明においては、上記したガラス形成
原料としてのけい素化合物とドープ剤のほとんど
が可燃性物質であり、そのためにこれらのガスの
種類による反応化率の違いがなくなることから、
石英管を外部から加熱するための熱量が少なくて
すみ、例えば外部加熱源として酸水素炎を使用す
る場合にはその水素量を従来の1/5〜1/2とするこ
とができ、その結果火炎を弱くすことができるの
で石英管の変形が防止され、屈接率分布の良好な
比屈接率差の大きい光フアイバー母材を得ること
ができるほか、ガラス形成原料、ドープ剤および
含フツ素化合物として塩素原子を含まないものを
選択すれば塩素または塩素化合物およびOH基を
全く含まない、したがつてこれらの原子または基
の存在に起因する種々の欠点を伴なわない高品質
の光フアイバー母材を容易に得ることができると
いう有用性が与えられる。

本発明の方法は、このけい素化合物、ドープ剤
および含フツ素化合物との混合ガスを必要に応じ
キヤリヤーガスで搬送して酸化剤としての酸素ガ
スと共に石英管内に送入し、この石英管中で酸化
反応を行なわせ、これによつて発生したドープ剤
を含むシリカを石英管の内壁に堆積させることに
よつて行なわれる。キヤリヤーガスとしては、こ
の化合物が不燃性物質であるときは酸素ガスを、
それが可燃性物質であればアルゴンなどの不活性
ガスを使用すればよい。この加熱方法は、従来法
にしたがつて酸水素炎バーナーを石英管に沿つて
順次移動させ、これを往復運動させるという方法
としてもよいが、本発明の方法ではけい素化合物
とドープ剤が不燃性、可燃性あるいはこれらの混
合物であるため、酸水素炎バーナーを固定してお
いて石英管自体を移動させ、これを往復運動させ
るようにしてこの反応がフイードノズル先端部で
行なわせるようにすることがよい。また、この方
法においてこれらの原料ガスが可燃性であるか可
燃性と不燃性の混合物である場合には、その原料
ガスの石英管への送入速度を小さくすると逆火現
象が起きるおそれがあるので、これは十分な流速
で石英管内に噴射することがよく、これには燃焼
速度の低下を防ぎ、完全燃焼を達成させるために
フイードノズルの直前で酸素を混入することが好
ましいものとされる。

この石英管内に堆積されたシリカは含フツ素化
合物の存在下で作られたものであるということか
らOH基を全く含まないものとされ、これは原料
ガスの燃焼熱と外部からの酸水素炎バーナーによ
る熱あるいは電気加熱によつて溶融して石英管の
内壁にOH基を含まない透明なガラス膜として被
着されるが、このガラス膜はドープ剤を含んでお
り、このドープ剤量によつて異なる屈折率を示す
ので、この実施に当つては石英管内の内径方向に
順次所定の屈折率をもつガラス膜が積層されるよ
うに、原料混合ガス中のドープ剤濃度を順次変え
るようにすることがよい。

なお、このようにして得られたドープ剤を含む
ガラス膜をその内壁に積層した石英管についでこ
れを加速溶融し中実化して光フアイバー用石英ガ
ラス母材とするのであるが、これには従来公知の
コラブス工程を適用すればよく、このためにはこ
の石英管を例えば2000℃程度で加熱溶融させ、溶
融したガラスの粘性、ガラスの表面張力を利用し
て、その内側に空気が残らないようにしてこれを
中実につぶすという方法を採ればよい。

つぎに本発明の方法を添付の図面にもとづいて
説明する。第１図は本発明の方法を実施するため
の装置の縦断面要図、第２図はその石英管の移動
を示す縦断面要図を示したものであり、これぞれ
の容器に収容されたけい素化合物、ドープ剤およ
び含フツ素化合物はけい素化合物用導管１、ゲル
マニウム化合物用導管２、ホウ素化合物用導管
３、リン化合物用導管４、含フツ素化合物用導管
５からキヤリヤーガスに般送され、酸素ガス導管
６からの酸素ガスと混合器７で混合され、石英管
８の中に送入される。このガス送入はフイードノ
ズル９から石英管８の中に噴射されるが、この石
英管８がその外部から酸水素炎バーナー１０で加
熱されているので、こゝに送入されたガスはフイ
ードノズル９の先端で反応し、この酸化反応によ
つてドープ剤を含むシリカとなり、回転している
石英管内壁に堆積される。このシリカはこの石英
管が静止しているバーナーに対し端部から他端に
まで順次移動されるので、石英管の内壁に均一に
堆積されるが、こゝに堆積されたシリカは原料ガ
スの燃焼熱とバーナーからの加熱で溶融し、ガラ
ス層として石英管壁に堆積され、このガラス化さ
れなかつたシリカおよび排ガスは石英管の他端か
ら外部に排出される。第２図はこの石英管の移動
を示したものであり、これには固定されているバ
ーナー１０に対し、石英管８がａ図からｂ図のよ
うに移動され、ｂ図のように末端まで移動した後
は直ちにａ図の状態に復帰させるという手段で順
次ガラス膜を形成していくということが示されて
いる。この場合、けい素化合物に対するドープ剤
の添加量は前記したようにこの石英管に堆積され
るガラス膜が予かじめ定められた屈折率を示すよ
うに、時間の経過と共に増加または減少するよう
に調整されるが、このガラス膜の堆積はそれが所
定の厚みとなつたときに原料ガスの供給を止める
ことによつて終了させ、ついでこゝに得られた中
空の石英管を前記したコラプス工程で処理して中
実化すれば目的とする光フアイバー母材を得るこ
とができる。

本発明の方法はけい素化合物とドープ剤とから
なる原料ガスからMCVD法で光フアイバー母材
を作る方法において、含フツ素化合物を添加する
ことによつて原料ガスとして水素原子を含有する
化合物を使用してもOH基を全く含まない母材を
作るというものであり、これについてはまたけい
素化合物、ドープ剤および含フツ素化合物として
特に塩素原子を含まないものとすれば、OH基と
共に塩素原子を含まない高品質の光フアイバー母
材を容易に得ることができるという有利性を与え
るものである。

つぎに本発明の実施例をあげる。

実施例１第１図に示したような装置に外径、30mm、内径
26mm、長さ1000mmの合成石英管を設置し、こゝに
原料ガスとしてのCH₃SiCl₃をアルゴンガスで、
ドープ剤としてのGeCl₄、GOCl₃を酸素ガスで搬
送し、これらを含フツ素化合物としてのCF₃Clお
よび酸素ガスと混合してフイードノズルから石英
管内に噴射するようにした。

そして、この石英管を酸水素炎バーナーで加熱
することとし、このバーナーを固定して石英管を
150mm／分の速度で移動させることとし、この移
動加熱を100回行なう間にCH₃SiCl₃100C.C.（毎分
値、以下同じ）、POCl₃10C.C.、CF₃Cl5C.C.をそ
の量が０〜50C.C.に変化するようにしたGeCl₄お
よびその量が250〜310C.C.に変化するにした酸素
ガスと共に石英管内に噴射して反応させ、この石
英管の内壁にSiO₂−P₂O₅−GeO₂の組成をもつガ
ラス膜を100層形成させた。

ついで、この原料ガスの供給を停止し、外部加
熱系の温度をあげて石英管を中実化したところ、
透明な石英ガラス母材が得られ、この断面につい
ての屈折率分布を測定したところ、これは第３図
Ｃに示したようなグレーデツド・インデツクス型
であり、これに含まれている塩素原子量はＸ線マ
イクロアナライザー測定値として100〜200ppmで
あり、OH基は赤外分光光度計では検知されなか
つた。

実施例２第１図に示したような装置に外径30mm、内径26
mm、長さ1000mmの合成石英管を設置し、原料ガス
としてのCH₃Si（OCH₃）₃、ドープ剤としてのGe
（OC₂H₅）₄PH₃、および含フツ素化合物としての
CF₄をそれぞれアルゴンガスで搬送し、これらを
酸素ガスと混合して石英管内に供給するようにし
た。

そして、実施例１と同様の方法で、こゝに
CH₃Si（OCH₃）₃100C.C.、PH₃10C.C.、CF₄4C.C.、
Ge（OC₂H₅）₄0〜50C.C.、酸素ガス800〜1500C.C.
をこの石英管内に噴射して反応させ、石英管の内
壁にSiO₂−P₂O₅−GeO₂の組成をもつガラス膜を
100層形成させ、その後原料ガスの供給を停止し、
外部加熱源の温度をあげてこの石英管を溶融して
中実化し、ロツド状の石英ガラス母材とした。

つぎに、こゝに得た石英ガラス母材の断面の屈
折率分布を測定したところ、これは第３図ｄに示
したようなグレーデツド・インデツクス型であ
り、この塩素量をＸ線マイクロアナライザーで、
またOH基量を赤外分光々度計でしらべたとこ
ろ、これらはいずれも検出されなかつた。なお、
この母材は延伸しても発泡現象が起らず、延伸さ
れたフアイバーには塩素原子の存在に起因する吸
収損失も全くなかつた。

実施例３第１図に示した装置に、外径30mm、内径26mm、
長さ1000mmの合成石英管を設置し、これに原料ガ
スとしてのCH₃SiCl₃100C.C.をアルゴンガスで、
ドープ剤としてのBCl₃200C.C.を酸素ガスで搬送
し、これに含フツ素化合物としてのC₂F₅Cl3C.C.
と酸素ガス400C.C.を混合したものをフイードノ
ズルから噴射し、実施例１と同じ方法でSiO₂−
B₂O₃の組成をもつガラス膜を石英管壁にクラツ
ド層として30層形成させた。

つぎにこゝに原料ガスとしてCH₃SiCl₃100C.C.
をアルゴンガスで、ドープ剤としてのPOCl₃10C.
C.とGeCl₄30C.C.とを酸素ガスで搬送し、これに
含フツ素化合物としてのC₂F₅Cl3C.C.と酸素ガス
270C.C.とを混合したものをフイードノズルから
噴射し、同様に処理してSiO₂−P₂O₅−GeO₂の組
成をもつガラス層をコア層として70層形成させ
た。

その後、原料ガスの送入を停止し、外部加熱源
の温度をあげてこの石英管を溶融し、中実化して
ロツド状の透明な石英ガラス母材とし、この断面
の屈折率分布を測定したところ、これは第４図ｅ
に示したようなステツプ・インデツクス型であ
り、これをＸ線マイクロアナライザーで分析した
ところ、塩素原子は100〜200ppmであつたが、赤
外線分光々度計によるOH基の定量ではOH基は
検知されなかつた。

実施例４第１図に示した装置に、外径30mm、内径26mm、
長さ1000mmの合成石英管を設置し、こゝに原料ガ
スとしてのCH₃Si（OCH₃）₃100C.C.とドープ剤と
してのＢ（OCH₃）₃200C.C.をアルゴンで搬送し、
これに含フツ素ガスとしてのCHF₃5C.C.と酸素ガ
ス1850C.C.を混合したものをフイードノズルから
噴射し、実施例１と同じ方法でこの石英管内壁に
SiO₂−B₂O₃の組成をもつガラス膜をクラツド層
として30層形成させた。

つぎに原料ガスとしてのCH₃Si（OCH₃）₃100C.
C.と、ドープ剤としてのPH₃10C.C.およびGe
（OC₂H₅）30C.C.をアルゴンガスで搬送し、これ
に含フツ素ガスとしてのCHF₃5C.C.と酸素ガス
1250C.C.とを混合したガスをフイードノズルから
この石英管内に噴射させ、同様の方法でこゝに
SiO₂−P₂O₅−GeO₂の組成をもつガラス膜をコア
層として70層形成させた。

その後、原料ガスの供給を停止し、外部加熱源
の温度を上げて石英管を溶融し、中実化して透明
な石英ガラス母材を作り、この断面の屈折率分布
を測定したところ、これは第４図ｆに示したよう
なステツプ・インデツクス型であり、これをＸ線
アナライザーで分析したところ塩素原子は全く検
出されず、赤外分光々度計によるOH基の定量で
はOH基も全く検知されなかつた。なお、この母
材は延伸しても発泡現象は起らず、こゝに得られ
たフアイバーには塩素原子の存在に起因する吸収
損失は全くなかつた。

実施例５第１図に示した装置に、外径30mm、内径26mm、
長さ1000mmの合成石英管を設置し、こゝにアルゴ
ンガスで搬送した原料ガスとしてのSi
（OCH₃）₄100C.C.とドープ剤としてのＢ
（OC₂H₅）₃200C.C.に含フツ素化合物としての
C₂F₆3C.C.と酸素ガス2900C.C.を混合したガスを
フイードノズルから噴射し、実施例１と同じ方法
でこの石英管内壁にSiO₂−B₂O₃の組成をもつガ
ラス膜をクラツド層として50層形成させた。

つぎに、原料ガスとしてのSi（OCH₃）₄100C.C.
とドープ剤としてのPH₃10C.C.およびGe
（OCH₃）₄35C.C.をアルゴンガスで搬送し、これに
含フツ素化合物としてのC₂F₆3C.C.と酸素ガス
1000C.C.を混合したガスを、この石英管に送入
し、同じの方法でこの石英管内壁にSiO₂−P₂O₅
−GeO₂の組成をもつガラス膜をコア層として50
層形成させた。

その後、原料ガスの供給を停止し、外部加熱源
の温度をあげてこの石英管を溶融し、中実化して
ロツド状の透明な石英ガラス母材とし、この断面
の屈折率分布を測定したところ、これは第４図ｇ
に示したようなステツプ・インデツクス型であ
り、これをＸ線アナライザーで分析したところ塩
素原子は全く検出されず、また赤外分光々度計に
よるOH基の定量ではOH基も検知されなかつた。
なお、この母材は延伸しても発泡現象は起らず、
こゝに得られたフアイバーには塩素原子の存在に
起因する吸収損失は全くなかつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を実施するための装置の縦
断面要図、第２図はその石英管の移動を示す縦断
面要図、第３図、第４図は本発明の実施例で得ら
れた光フアイバー母材の屈折率分布図を示したも
のであり、第３図におけるｃ，ｄは実施例１、２
の、第４図におけるｅ，ｆ，ｇはそれぞれ実施例
３、４、５の結果を示したものである。１……けい素化合物導管、２……ゲルマニウム
化合物用導管、３……ホウ素化合物用導管、４…
…リン化合物用導管、５……含フツ素化合物用導
管、６……酸素用導管、７……混合器、８……石
英管、９……フイードノズル、１０……酸水素炎
バーナー。

Claims

【特許請求の範囲】

１一般式R_oSiX_4-o（ここにＲは水素原子または
メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基から
選ばれる基、Ｘはハロゲン原子またはメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基から選ばれる基、
ｎは０〜４、ただしＸがハロゲン原子の場合はｎ
は１〜４）で示されるけい素化合物と、一般式
GeX₄、BX₃（Ｘは前記に同じ）、POCl₃、PH₃で
示されるドープ剤および一般式C_aH_bF_cY_d（ここ
にＹは塩素原子または臭素原子、2a＋２＝ｂ＋
ｃ＋ｄ、ａ≧１、ｃ≧１、ｂ≧０、ｄ≧０）で示
される含フツ素化合物を該けい素化合物に対して
0.01〜10％混合し、石英管中で熱酸化または燃焼
させ、これによつて発生するドープ剤を含むシリ
カを石英管内壁に透明なガラス膜として堆積させ
た後、この石英管を加熱溶融して中実化すること
を特徴とする水酸基を含有しない光フアイバー母
材の製造方法。