JPH036203A - プラズマ重合膜の製膜方法 - Google Patents

プラズマ重合膜の製膜方法

Info

Publication number
JPH036203A
JPH036203A JP13975089A JP13975089A JPH036203A JP H036203 A JPH036203 A JP H036203A JP 13975089 A JP13975089 A JP 13975089A JP 13975089 A JP13975089 A JP 13975089A JP H036203 A JPH036203 A JP H036203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
raw material
gas
material gas
polymerized film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13975089A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihito Suzuki
鈴木 悦人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP13975089A priority Critical patent/JPH036203A/ja
Publication of JPH036203A publication Critical patent/JPH036203A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は原材料ガスの骨格が保持されたプラズマ重合膜
を作成する方法に関するものである。
(技術技術) 従来のプラズマ重合膜の製膜方法は、第5図のように真
空チャンバーA内を真空にし、同チャンバーAに放電ガ
ス′rABから放電ガスaを導入し。
その後、R,FWI源りかも放電用誘導コイルEに放電
電圧を印加してプラズマを発生させ、この真空チャンバ
ーA内にモノマー供給源Fから原材料ガスbを導入して
、この原材料ガスbと前記プラズマとをプラズマ放電場
所から離れた場所Gで混合して同原材料ガスを分解させ
、その分解酸生物を真空チャンバーA内の支持台Hの上
に設置され且つヒーターエにより加熱されている基体J
上に堆積させて開基体J上にプラズマ重合膜を生成する
ようにしていた。なおKはヒーター用電源、Lは真空排
気系である。
(発明が解決しようとする課題) 従来のプラズマ重合膜の製膜方法では、原材料ガスをプ
ラズマで分解する際に、プラズマ内の電子のエネルギー
及びプラズマ内の励起種を制御する工夫が不十分である
か、或は全くなされていないため、プラズマによる原材
料ガスの分解制御が不十分であり、原材料ガスの骨格が
プラズマで瀧しく破壊され2従って得られたプラズマ重
合膜は原材料ガスの骨格が破壊されたものとなるという
間Jがあった。
原材料ガスの骨格が破壊されると2例えば、導電膜を作
る場合は、骨格が破壊されている箇所で導電性が途切れ
るので導電膜とならない。
また1例えば、光素子に製膜するばあいは、骨格が破壊
されている箇所で光が敗乱し、光伝送効率が悪くなる。
このため、従来は、プラズマ重合による製膜方法は、原
材料ガスの骨格が破壊されない膜を作る方法としては適
しないとされていた。
(発明の目的) 本発明の目的は、プラズマ重合により、原材11ガスの
骨格が破壊されない膜を作ることができるようにしだ製
膜方法を提供することにある。
(間届点を解決するための手段) 本発明のプラズマ重合膜の製膜方法は、第1図の真空チ
ャンバー1内で放電プラズマを発生させ、該プラズマと
真空チャンバー1内に供給された原材料ガスとを放電場
所から離れた場所で混合して同原材料ガスを分解させ、
その分解生成物を前記真空チャンバー1内に設置された
基体2上に堆積させて同基体2上にプラズマ重合膜を生
成するプラズマ重合膜の製膜方法において、前記真空チ
ャンバー1内に静止電場を作り、前記プラズマが放電場
所から原材料ガスの分解場所へ移動する間に同静止電場
内を通過させて、同プラズマ内に弾圧する原材料ガス分
子の骨格を破壊する高エネルギー励起種及び高エネルギ
ー電子が除去または消滅されたプラズマを生成し、この
プラズマを前記原材料ガスに混合させることにより骨格
が破壊されずに活性化された原材料ガスの活性種を生成
させ、同活性種を真空チャンバー1内に設置された基体
2上に堆積させてプラズマ重合膜を製膜するようにした
ものである。
第1図は本発明のプラズマ重合膜の製膜方法に使用され
る製膜装置の一例である。
同図において1は真空チャンバー、2は基体。
3はRF1iiE!P、、4は放電ガス源、5はモノマ
ー供給源、6は放電用誘導コイル、7は真空排気系、8
は基体支持台、9はRF電場!!蔽叛、10は基体加熱
用ヒーター、11は放電ガス導入管、12.13は二枚
の平板を平行に対向させて一対とした電極、14は直流
電源、15はヒーター用電源である。
前記RF電場遮蔽板9はRF電場が基体2の付近速隔れ
て、基体2の付近でグロー放電等が発生し、基体2付近
で原材料ガス分子の骨格を破壊する高エネルギー励起種
及び高エネルギー電子が新たに生成するのを防ぐための
ものである。
第1図の製膜装置により重合膜を製膜するには、基体2
を真空チャンバー1内の基体支持台8の上に設置し、同
チャンバー1内を真空に引き、ヒーター用電源I5かも
基体加熱用ヒーター10に電源を供給して基体2を加熱
する。基体2の温度は通常室温から400℃の間にする
のが望ましい。
この状態で放電ガス源4から真空チャンバー1内に放電
ガスaを導入し、真空チャンバー1の内圧が1torr
以下になるようにガス流量を調節する。M電ガスaには
Arなどの希ガス、水素、窒素等のそれ自体では膜を形
成出来ない不活性ガスを用いる。
放電ガス導入後、前記RF電源3から放電用誘導コイル
6に放電電圧を印加してプラズマを発生させ−る。
次に電極12.13に直流電圧を印加して両電礪12.
13間に電場を作る。
そして真空チャンバー1内には放電ガスaとは別の原材
料ガスbをモノマー供給源5から導入する。原材料ガス
bは有機物、無機物のいずれでもよい。
第1図の製膜装置では誘導型RFfi電を用いてプラズ
マを発生させているが、プラズマ発生方法はこれに限定
されるものではなく1例えば平行手抜q RF r1!
l”Ifでもよく、またDCからマイクロ波までのどの
周波数で放電させてもよい。
電極12.13間に直流電圧を印加する場合、電極12
.13付近で放電が生じてはならない。
この印加電圧は放電ガスの流量、同f4極12 。
13間の距離、電極12.13の大きさ、形状によって
も異なるが、OVから2500Vの範囲内にあること、
が望ましい。
電極J2.13の形状は第1図の構造のものに限られる
ものではなく5例えば同心状電極対でも良い3また、第
2図のようにグリッド電極21゜23をプラズマの流れ
を遮ぎるように配置してもよい。
(作用) 本発明のプラズマ重合膜の製膜方法は、プラズマを静止
電場内を通過させるので、プラズマ内に存在する高エネ
ルギーのうち、原材料ガス分子の骨格を破壊する高エネ
ルギー励起種が静止電場の摂動を受けて除去または消滅
され、プラズマのエネルギーが緩和される。しかも、こ
のエネルギー緩和されたプラズマが原材料ガスに混合さ
れるので、原材料ガス分子の骨tδが破壊されないプラ
ズマ重合膜が生成される。
(実施例1) 原材料ガスにトルエンを、放電ガスにアルゴンを用いて
第1図の製膜装置によりプラズマ重合膜を製作した。こ
の場合の放電電力は30W、放電ガス流量は3005C
CM、真空チャンバーlの内圧は30mtorr、電極
12.13間の間隔1cm、Ti極12.13間に印加
した電圧は100Vである。基体2としてスライドガラ
ス表面に金を蒸着したものを用いた。
この実施例により得られた重合膜の赤外吸収スペクトル
を測定した結果、第3図のスペクトルが得られた。この
スペクトルはポリスチレンのものとよく一致している。
このことから、トルエンのメチル基が部分的かつ選択的
に分解され重合していること、及びそれによってトルエ
ンの骨格がプラズマ重合膜中でも保持されていることが
わかる。
(比較例]) 実施例1で、電極12.13に電圧を印加しないで製膜
を行なった。この比較例で得られたプラズマ重合膜の赤
外吸収スペクトルを測定した結果第4図のスペクトルが
得られた。このスペクトルはポリスチレンのものと大き
く異なり、原材料ガスの骨格がプラズマ重合膜中で保持
されていない(破壊されている)ことがわかる。
(実施例2) 実施例1で、原材料ガスにアニリンを用いてプラズマ重
合膜を製膜した。この実施例で得られた重合膜の赤外吸
収スペクトルをin++定した結果1重合膜の中にアニ
リン骨格の部分が多(存在し、原材料ガスの骨格がプラ
ズマ重合膜中でも保持されていることがわかった。
(実施例3) 実施例1で、原材料ガスにPNA (パラニトロアニリ
ン)を用いてプラズマ重合膜を製膜した。
この実施例で得られた重合膜の赤外吸収スペクトルを測
定した結果、プラズマ東金+1Qの中にPNA骨格の部
分が多く存在し、原材料ガスの骨格がプラズマ重合膜中
でも保持されていることがわかった。
(実施例4) 実施例1で、原材料ガスにエチルアミンを用いてプラズ
マ重合膜を製膜した。この実施例で得られた重合膜の赤
外吸収スペクトルを測定した結果、膜にはC−H,C−
N、N−H結合は多く存在するが、C=C,C=N、C
EN結合は殆ど存在せず、エチルアミンのプラズマによ
る破壊が非常に少ないことがわかった。
(実施例5) 実施例1で、原材料ガスにヘキサメチルジシロキサン、
S i  (CH]3−0−5 i  (C[−131
3を用いてプラズマ重合膜を製膜した。得られたプラズ
マ重合膜の赤外吸収スペクトルを測定した結果、膜には
5i−0−5i、5i−C,5i−CF13結合が多く
存在することがわかり、プラズマによるヘキサメチルジ
シロキサンの破壊が非常に少ないことがわかった。
(実施例6) 実施例1において、電極12.13の代りに第2図に示
すようにグリッド電極22.23を配置してプラズマ1
合膜の製膜を行なった。このとき同電極22.23間に
印加した電圧は100Vである。この実施例により得ら
れたプラズマ重合膜の赤外吸収スペクトルは実施例1で
得られたプラズマ重合膜のスペクトルと完全に一致した
(比較例2) 実施例6でグリッド電極22.23に電圧を印加しない
でプラズマ重合膜の製膜を行なった。得られたプラズマ
重合膜の赤外吸収スペクトルは比較例1で得られた膿の
又ベクトルと完全に一致した。
(発明の効果) 本発明のプラズマ重合膜の製膜方法によれば次のような
効果がある。
■、これまでのプラズマ重合では困難とされていた、原
材料ガスの骨格が保持された膜を作ることができる。
■、原材料ガスの骨格が破壊されないので1例えば導電
性の良い導電膜とか、伝送効率のよい光素子用膜等を作
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明のプラズマ重合膜の製膜方法に
使用さ丸る製膜装置の異なる例を示す説明図、第3図は
実施例1により得られた重合膜の赤外吸収スペクトル図
、第4図は比較例1で?1られたプラズマ重合膜の赤外
吸収スペクトル図、第5図は従来のプラズマ重合膜の製
膜方法に使用される製膜装置の説明図である。 1は真空チャンバー 2は基体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  真空チャンバー1内で放電プラズマを発生させ、該プ
    ラズマと真空チャンバー1内に供給された原材料ガスと
    を放電場所から離れた場所で混合して同原材料ガスを分
    解させ、その分解生成物を前記真空チャンバー1内に設
    置された基体2上に堆積させて同基体2上にプラズマ重
    合膜を生成するプラズマ重合膜の製膜方法において、前
    記真空チャンバー1内に静止電場を作り、前記プラズマ
    が放電場所から原材料ガスの分解場所へ移動する間に同
    静止電場内を通過させて、同プラズマ内に存在する原材
    料ガス分子の骨格を破壊する高エネルギー励起種及び高
    エネルギー電子が除去または消滅されたプラズマを生成
    し、このプラズマを前記原材料ガスに混合させることに
    より骨格が破壊されずに活性化された原材料ガスの活性
    種を生成させ、同活性種を真空チャンバー1内に設置さ
    れた基体2上に堆積させてプラズマ重合膜を製膜するこ
    とを特徴とするプラズマ重合膜の製膜方法。
JP13975089A 1989-06-01 1989-06-01 プラズマ重合膜の製膜方法 Pending JPH036203A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13975089A JPH036203A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 プラズマ重合膜の製膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13975089A JPH036203A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 プラズマ重合膜の製膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH036203A true JPH036203A (ja) 1991-01-11

Family

ID=15252516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13975089A Pending JPH036203A (ja) 1989-06-01 1989-06-01 プラズマ重合膜の製膜方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH036203A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166824B2 (en) 2002-03-12 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency heating apparatus and control method thereof
JP2009290025A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Tohoku Univ 中性粒子照射型cvd装置
US8056256B2 (en) * 2008-09-17 2011-11-15 Slack Associates, Inc. Method for reconditioning FCR APG-68 tactical radar units

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166824B2 (en) 2002-03-12 2007-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency heating apparatus and control method thereof
JP2009290025A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Tohoku Univ 中性粒子照射型cvd装置
US8056256B2 (en) * 2008-09-17 2011-11-15 Slack Associates, Inc. Method for reconditioning FCR APG-68 tactical radar units

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4382100A (en) Application of a layer of carbonaceous material to a surface
Caillard et al. Deposition and diffusion of platinum nanoparticles in porous carbon assisted by plasma sputtering
JPH10121254A (ja) 三次元物品にバリヤーフィルムを付着させる方法
JPH10121255A (ja) 3次元物品に遮断被膜を蒸着するための装置
JPH036203A (ja) プラズマ重合膜の製膜方法
Primc et al. Neutral reactive gaseous species in reactors suitable for plasma surface engineering
JPH02101160A (ja) イオンプレーティング方法
JPH03241739A (ja) 大気圧プラズマ反応方法
JPH036204A (ja) プラズマ重合膜の製膜方法
JPS61238962A (ja) 膜形成装置
Koide et al. A novel low temperature plasma generator with alumina coated electrode for open air material processing
JPS6350463A (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
JPS5874701A (ja) 高分子薄膜の形成方法
JPS61288069A (ja) ダイヤモンド様カ−ボン成膜装置
JP2003137521A (ja) 成膜方法
JPH0273963A (ja) 低温基体への薄膜形成方法
JPS63109162A (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
TW200834671A (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition device
JPS60238304A (ja) 薄膜形成方法
JPS62185879A (ja) アモルフアスカ−ボン膜の成膜方法
Comyn et al. Inelastic electron tunnelling spectra of some plasma polymers on aluminium oxide
JP4284438B2 (ja) 成膜方法
JPH01313810A (ja) Ito透明導電性フィルムの高速製造方法
JPS63475A (ja) ハイブリツドイオンプレ−テイング装置
Buck et al. VUV-light-induced deposited silica films