JPH0359023A - 液晶ポリマーの製造方法 - Google Patents
液晶ポリマーの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、容易に且つ低コストで得ることができ、しか
も塗料等の汎用用途に利用可能な高い溶解性及び低い液
晶転移温度等を有する液晶ポリマーの製造方法に関する
。
も塗料等の汎用用途に利用可能な高い溶解性及び低い液
晶転移温度等を有する液晶ポリマーの製造方法に関する
。
〈従来の技術〉
近年、液晶ポリマーは、高弾性、高強度等の性質を有す
ることから、繊維、エンジニアリングプラスチック等の
分野で数多く使用されており、具体的には例えば商品名
「ザイラーJ (Dartco社製)、商品名「ベクト
ラJ (Hoechst−Celanese社製)等
の完全芳香族ポリエステル系、商品名rX7G」(イー
ストマンケミカル社製)等の剛直なメソゲンとフレキシ
ブル鎖とを共重合して得られるポリエステル系等の液晶
ポリマーが知られている。
ることから、繊維、エンジニアリングプラスチック等の
分野で数多く使用されており、具体的には例えば商品名
「ザイラーJ (Dartco社製)、商品名「ベクト
ラJ (Hoechst−Celanese社製)等
の完全芳香族ポリエステル系、商品名rX7G」(イー
ストマンケミカル社製)等の剛直なメソゲンとフレキシ
ブル鎖とを共重合して得られるポリエステル系等の液晶
ポリマーが知られている。
しかしながら、従来の液晶ポリマーは、結晶−液晶転移
温度が200〜300℃と高く、且つ汎用の有機溶剤に
対して難溶であるので取扱いが困難であり、塗料等には
利用できないのが現状である。
温度が200〜300℃と高く、且つ汎用の有機溶剤に
対して難溶であるので取扱いが困難であり、塗料等には
利用できないのが現状である。
一方従来液晶転移温度を下げ、且つ有機溶剤への溶解性
を高める方法としては、例えばEm。
を高める方法としては、例えばEm。
Chiell、ini (Macromolecule
s 198518,1652−1658)に示される液
晶ポリマーの製造方法が知られている。該方法は、液晶
性を示す構造単位 −カルボキシフェニル)テレフタレート]と、液晶性を
示さない構造単位 カルボキシフェニル) フタレート] 及び/又は 一カルボキシフェニル)イソフタレート]を共重合させ
液晶化転移温度を下げ、且つ汎用の有機溶剤に体する溶
解性を引き上げる方法である。また、これと類似の構造
を有する液晶ポリマーとしては、例えばR,W、Len
zのPo1yver Journal ] vo1.1
4 Na1p、9−171982.R,W、Lenz、
Emo ChielliniのNakroa+olch
em 183,2693−2703(I982)等が公
知となっている。
s 198518,1652−1658)に示される液
晶ポリマーの製造方法が知られている。該方法は、液晶
性を示す構造単位 −カルボキシフェニル)テレフタレート]と、液晶性を
示さない構造単位 カルボキシフェニル) フタレート] 及び/又は 一カルボキシフェニル)イソフタレート]を共重合させ
液晶化転移温度を下げ、且つ汎用の有機溶剤に体する溶
解性を引き上げる方法である。また、これと類似の構造
を有する液晶ポリマーとしては、例えばR,W、Len
zのPo1yver Journal ] vo1.1
4 Na1p、9−171982.R,W、Lenz、
Emo ChielliniのNakroa+olch
em 183,2693−2703(I982)等が公
知となっている。
しかしながら前記従来の液晶ポリマーの製造方法では1
反応が複雑であり、しかもコストが高いという欠点があ
る。具体的には例えばp−ヒドロキシ安息香酸のカルボ
キシ基を、ベンジルクロライドでブロック化した後、テ
レフタロイルクロライドと反応させ、次いで、該ブロッ
ク化したベンジルクロライドを除去し、カルボキシル基
を酸クロライド化した後、ジオールを反応させている。
反応が複雑であり、しかもコストが高いという欠点があ
る。具体的には例えばp−ヒドロキシ安息香酸のカルボ
キシ基を、ベンジルクロライドでブロック化した後、テ
レフタロイルクロライドと反応させ、次いで、該ブロッ
ク化したベンジルクロライドを除去し、カルボキシル基
を酸クロライド化した後、ジオールを反応させている。
従って、得られる液晶ポリマーは、高強度、高弾性等の
優れた特徴を有しているにもかかわらず、反応が複雑で
あり、且つコストが高いという欠点が生じるため、塗料
等の汎用用途への実用化がなされていないのが実状であ
る。
優れた特徴を有しているにもかかわらず、反応が複雑で
あり、且つコストが高いという欠点が生じるため、塗料
等の汎用用途への実用化がなされていないのが実状であ
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は、液晶性を示す構造単位を含む共重合系
液晶ポリマーを、容易に且つ低コストで製造する方法を
提供することにある。
液晶ポリマーを、容易に且つ低コストで製造する方法を
提供することにある。
<muを解決するための手段〉
本発明によれば。
下記一般式(I)で表わされる構造単位Aを必須の成分
として含み、必要に応じて下記一般式(■)。
として含み、必要に応じて下記一般式(■)。
(II[) 、 (IV) 、 (V)及び(VI)で
表わされる構造単位B、C,D、E、F及びこれらの混
合単位から戊る群より選択される構造単位を含む液晶ポ
リマーの製造方法であって、 [式中Rユ乃至R6は、夫々間−又は異なる基であって
、炭素数2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)
を示す。またaは10〜100モル%を含む)を示す。
表わされる構造単位B、C,D、E、F及びこれらの混
合単位から戊る群より選択される構造単位を含む液晶ポ
リマーの製造方法であって、 [式中Rユ乃至R6は、夫々間−又は異なる基であって
、炭素数2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)
を示す。またaは10〜100モル%を含む)を示す。
またaは10〜90モル%を示す。]]P−ヒドロキシ
安息香酸びジオールを熱縮合させて得られる下記−数式
(■) [式中R7は、炭素数2〜12のジオール残基(光学異
性体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオール0
10〜100モル%及び下記−数式(VII) [式中R8は炭素数2〜12のジオール残基(光学異性
体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオールHO
〜90モル%と、テレフタロイルハライドと、イソフタ
ロイルハライド及び/又はフタロイルハライドとを反応
させることを特徴とする液晶ポリマーの製造方法が提供
される。
安息香酸びジオールを熱縮合させて得られる下記−数式
(■) [式中R7は、炭素数2〜12のジオール残基(光学異
性体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオール0
10〜100モル%及び下記−数式(VII) [式中R8は炭素数2〜12のジオール残基(光学異性
体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオールHO
〜90モル%と、テレフタロイルハライドと、イソフタ
ロイルハライド及び/又はフタロイルハライドとを反応
させることを特徴とする液晶ポリマーの製造方法が提供
される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明の製造方法では、特定のオリゴジオールと、テレ
フタロイルハライドと、インフタロイルハライド及び/
又はフタロイルハライドとを反応させることを特徴とす
る。
フタロイルハライドと、インフタロイルハライド及び/
又はフタロイルハライドとを反応させることを特徴とす
る。
本発明の製造方法では、まずP−ヒドロキシ安息香酸及
びジオールを熱縮合させて、下記−数式(VII)を、
また必要に応じて下記−数式(VII)で表わされるオ
リゴジオールG及びHを調製する。
びジオールを熱縮合させて、下記−数式(VII)を、
また必要に応じて下記−数式(VII)で表わされるオ
リゴジオールG及びHを調製する。
式中R7及びR1は同−又は異なる基であって、炭素数
2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)を示す、
この際R7及び/又はR,の炭素数が12を超える場合
には、得られる液晶ポリマーの液晶安定性及び塗料とし
た際の塗膜強度が低下する恐れがある。
2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)を示す、
この際R7及び/又はR,の炭素数が12を超える場合
には、得られる液晶ポリマーの液晶安定性及び塗料とし
た際の塗膜強度が低下する恐れがある。
原料成分である前記ジオールとしては、例えば炭素数2
〜12のアルカンジオール、[0(CI、CH20)n
Hで示される化合物(光学異性体を含む)を挙げること
ができ、具体的には例えば1.4−ブタンジオール、1
,5−ベンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、
1,7−へブタンジオール、1゜8−オクタンジオール
、1,9−ノナンジオール、1.3−ブタンジオール、
1,10−デカンジオール、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエ
チレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレ
ングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロ
ピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,2
−エタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、(2S
、4S)−(+)−ベンタンジオール、(2R,3S)
−(−)−2,3−ブタンジオール、(R) −(−)
−1,3−ブタンジオール、(2S、3S)−(−)−
2,3−ブタンジオール、(S)−(+)−1,2−プ
ロパンジオール等を好ましく挙げることができる。
〜12のアルカンジオール、[0(CI、CH20)n
Hで示される化合物(光学異性体を含む)を挙げること
ができ、具体的には例えば1.4−ブタンジオール、1
,5−ベンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、
1,7−へブタンジオール、1゜8−オクタンジオール
、1,9−ノナンジオール、1.3−ブタンジオール、
1,10−デカンジオール、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエ
チレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレ
ングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロ
ピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,2
−エタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、(2S
、4S)−(+)−ベンタンジオール、(2R,3S)
−(−)−2,3−ブタンジオール、(R) −(−)
−1,3−ブタンジオール、(2S、3S)−(−)−
2,3−ブタンジオール、(S)−(+)−1,2−プ
ロパンジオール等を好ましく挙げることができる。
本発明に用いるオリゴジオールにおいて、前記−数式(
VII)で表わされるオリゴジオールGと、前記−数式
(VII)で表わされるオリゴジオールHとの配合割合
は、オリゴジオールGが10〜100モル%、オリゴジ
オールHが0〜90モル%の範囲である。該オリゴジオ
ールHの配合割合が90モル%を超える場合、即ちオリ
ゴジオールGが10モル%未満の場合には、最終生成物
である液晶ポリマーの液晶転移温度が高くなり、しかも
汎用の有機溶剤に対する溶解性が低下するので前記範囲
とする必要がある。
VII)で表わされるオリゴジオールGと、前記−数式
(VII)で表わされるオリゴジオールHとの配合割合
は、オリゴジオールGが10〜100モル%、オリゴジ
オールHが0〜90モル%の範囲である。該オリゴジオ
ールHの配合割合が90モル%を超える場合、即ちオリ
ゴジオールGが10モル%未満の場合には、最終生成物
である液晶ポリマーの液晶転移温度が高くなり、しかも
汎用の有機溶剤に対する溶解性が低下するので前記範囲
とする必要がある。
前記オリゴジオールGと、オリゴジオールHの配合割合
を調整するには、P−ヒドロキシ安息香酸と、ジオール
との配合比を選択することにより任意に変えることがで
きる。例えば、 Ho−■−8.−R,−Hと、 =50にする場合には、p−ヒドロキシ安息香酸とジオ
ールとの配合比を3:2で合成すれば良い。
を調整するには、P−ヒドロキシ安息香酸と、ジオール
との配合比を選択することにより任意に変えることがで
きる。例えば、 Ho−■−8.−R,−Hと、 =50にする場合には、p−ヒドロキシ安息香酸とジオ
ールとの配合比を3:2で合成すれば良い。
前記ジオールと、p−ヒドロキシ安息香酸との熱縮合反
応は、通常ポリエステルの重合等に用いる例えばジブチ
ル酸化スズ等のジアルキル酸化スズ、チタンアルコキシ
ド類、カルボン酸類のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属塩類、ジアリール酸化スズ等のエステル化触媒の存在
下、溶融重合法等により行うことができ、この際最終反
応温度は、200〜250℃の範囲とするのが好ましい
。
応は、通常ポリエステルの重合等に用いる例えばジブチ
ル酸化スズ等のジアルキル酸化スズ、チタンアルコキシ
ド類、カルボン酸類のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属塩類、ジアリール酸化スズ等のエステル化触媒の存在
下、溶融重合法等により行うことができ、この際最終反
応温度は、200〜250℃の範囲とするのが好ましい
。
反応温度が200℃未満の場合には、反応時間が長時間
となり経済的でなく、一方250℃を超える場合には、
生成するオリゴジオールが分解する恐れがあり、p−ヒ
ドロキシ安息香酸が自己縮合するので好ましくない。
となり経済的でなく、一方250℃を超える場合には、
生成するオリゴジオールが分解する恐れがあり、p−ヒ
ドロキシ安息香酸が自己縮合するので好ましくない。
また前記熱縮合反応において、ジオールを過剰に使用し
た場合には、反応終了後、減圧によって過剰のジオール
を除去することにより、目的のオリゴジオールを得るこ
とができる。
た場合には、反応終了後、減圧によって過剰のジオール
を除去することにより、目的のオリゴジオールを得るこ
とができる。
次に本発明の製造方法では、前記得られたオリゴジオー
ルと、テレフタロイルハライドと、インフタロイルハラ
イド及び/又はフタロイルハライドとを反応させる。こ
の際ハライドとしては、クロライド、プロライド等を挙
げることができるが、特にクロライドであるのが好まし
い、前記反応は、通常酸ハライドとアルコール類との反
応に用いられる方法により容易に行うことができ、特に
低コストで、且つ容易に製造するには、溶融重合法が最
も好ましい。具体的には例えば、前記オリゴジオールと
、テレフタロイルハライドと、インフタロイルハライド
及び/又はフタロイルハライドとの混合物を、窒素等の
不活性ガス雰囲気下、加温し、生成する塩化水素を系外
に除去しながら縮重合反応させる方法等により得ること
ができる。この際反応温度は、250℃以下であるのが
好ましい。反応温度が250℃を超える場合には、生成
する液晶ポリマーの1部が分解するので好ましくない。
ルと、テレフタロイルハライドと、インフタロイルハラ
イド及び/又はフタロイルハライドとを反応させる。こ
の際ハライドとしては、クロライド、プロライド等を挙
げることができるが、特にクロライドであるのが好まし
い、前記反応は、通常酸ハライドとアルコール類との反
応に用いられる方法により容易に行うことができ、特に
低コストで、且つ容易に製造するには、溶融重合法が最
も好ましい。具体的には例えば、前記オリゴジオールと
、テレフタロイルハライドと、インフタロイルハライド
及び/又はフタロイルハライドとの混合物を、窒素等の
不活性ガス雰囲気下、加温し、生成する塩化水素を系外
に除去しながら縮重合反応させる方法等により得ること
ができる。この際反応温度は、250℃以下であるのが
好ましい。反応温度が250℃を超える場合には、生成
する液晶ポリマーの1部が分解するので好ましくない。
また1本発明の製造方法では前記溶融重合法の他に1例
えば1.2−ジクロロエタン、クロロホルム、1,1,
2.2−テトラクロロエタン等の溶媒と、ハロゲン化水
素のアクセプターであるピリジン等との混合溶媒に、前
記オリゴジオールを溶解し、次いで、得られた混合溶液
に、テレフタロイルハライドと、インフタルロイルハラ
イド及び/又はフタルロイルハライドとを、好ましくは
、20〜60℃で滴下等により添加した後、60〜10
0℃で、5〜20時間撹拌する溶液重合法等により反応
させることができる6次に得られた反応生成物を、例え
ば水又はアルカリ水溶液等で洗浄することにより所望の
液晶ポリマーを得ることができ、このような方法は、例
えばポリオキシエチレンあるいはポリオキシプロピレン
鎖のような塩化水素に対して活性な構造単位を含むポリ
マーの合成に有用である。
えば1.2−ジクロロエタン、クロロホルム、1,1,
2.2−テトラクロロエタン等の溶媒と、ハロゲン化水
素のアクセプターであるピリジン等との混合溶媒に、前
記オリゴジオールを溶解し、次いで、得られた混合溶液
に、テレフタロイルハライドと、インフタルロイルハラ
イド及び/又はフタルロイルハライドとを、好ましくは
、20〜60℃で滴下等により添加した後、60〜10
0℃で、5〜20時間撹拌する溶液重合法等により反応
させることができる6次に得られた反応生成物を、例え
ば水又はアルカリ水溶液等で洗浄することにより所望の
液晶ポリマーを得ることができ、このような方法は、例
えばポリオキシエチレンあるいはポリオキシプロピレン
鎖のような塩化水素に対して活性な構造単位を含むポリ
マーの合成に有用である。
本発明の製造方法により得られる液晶ポリマーは、液晶
性を示す下記一般式(I)で表わされる構造単位Aを含
み、必要に応じて液晶性を示す下記一般式(IV)で表
わされる構造単位D、液晶性を示さない下記一般式(n
)、(m)、(V)及び(VI)で表わされる構造単位
B、C,E、F及びこれらの混合単位から成る群より選
択される構造単位を含む液晶ポリマーである。
性を示す下記一般式(I)で表わされる構造単位Aを含
み、必要に応じて液晶性を示す下記一般式(IV)で表
わされる構造単位D、液晶性を示さない下記一般式(n
)、(m)、(V)及び(VI)で表わされる構造単位
B、C,E、F及びこれらの混合単位から成る群より選
択される構造単位を含む液晶ポリマーである。
式中R□乃至R6は、夫々間−又は異なる基であって、
炭素数2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)を
示す、またaは10−100モル%を含む)を示す。ま
たaは夫々O〜90モル%を示す、前記a、b、Q、d
、e及びf各々の配合比は、得られる液晶ポリマーに要
求される硬さ5強度、靭性等の機械的強度及び有機溶剤
に対する溶解性、耐酸性、耐アルカリ性等の耐薬品性等
により、前記範囲内で種々選択することができる。この
際前記aが10モル%未満の場合には、得られる液晶ポ
リマーの液晶転移温度が高くなり、更には溶剤に対する
溶解性も劣るので前記範囲内とする必要がある。また構
造単位AとDとを必須の成分として含む場合には、a+
dは20〜100モル%の範囲であるのが好ましい。a
+dが20モル%未満、即ち(b+c+s+f)の合計
量が80モル%を超える場合には、得られるポリマーが
液晶性を示さなくなる恐れがあり、また、液晶相を形成
する温度範囲が狭くなる恐れがあるので好ましくない。
炭素数2〜12のジオール残基(光学異性体を含む)を
示す、またaは10−100モル%を含む)を示す。ま
たaは夫々O〜90モル%を示す、前記a、b、Q、d
、e及びf各々の配合比は、得られる液晶ポリマーに要
求される硬さ5強度、靭性等の機械的強度及び有機溶剤
に対する溶解性、耐酸性、耐アルカリ性等の耐薬品性等
により、前記範囲内で種々選択することができる。この
際前記aが10モル%未満の場合には、得られる液晶ポ
リマーの液晶転移温度が高くなり、更には溶剤に対する
溶解性も劣るので前記範囲内とする必要がある。また構
造単位AとDとを必須の成分として含む場合には、a+
dは20〜100モル%の範囲であるのが好ましい。a
+dが20モル%未満、即ち(b+c+s+f)の合計
量が80モル%を超える場合には、得られるポリマーが
液晶性を示さなくなる恐れがあり、また、液晶相を形成
する温度範囲が狭くなる恐れがあるので好ましくない。
〈発明の効果〉
本発明の製造方法によれば、塗料等の汎用用途に利用可
能な高い溶解性及び低い液晶化転移温度等を有する液晶
ポリマーを1例えばRJ、Lenz又はEmo Chi
allini等の従来の製造方法に比して、容易に、且
つ低コストで得ることができるので工業的にも極めて有
用な方法である。
能な高い溶解性及び低い液晶化転移温度等を有する液晶
ポリマーを1例えばRJ、Lenz又はEmo Chi
allini等の従来の製造方法に比して、容易に、且
つ低コストで得ることができるので工業的にも極めて有
用な方法である。
〈実施例〉
次に、合成例及び実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
尚、実施例中の固有粘度の測定は、該液晶ポリマーをフ
ェノール/テトラクロロエタン(重量比60/40)に
溶解し、濃度を0.5g/dQに調製して、ウベローデ
型粘度計により測定した。また例中の液晶ポリマーの製
造に用いた溶剤は、全て蒸留し、脱水処理を行ったもの
である。
ェノール/テトラクロロエタン(重量比60/40)に
溶解し、濃度を0.5g/dQに調製して、ウベローデ
型粘度計により測定した。また例中の液晶ポリマーの製
造に用いた溶剤は、全て蒸留し、脱水処理を行ったもの
である。
金遣」1− オ「ゴジオールのA
還流冷却器、温度計および撹拌装置を備えたフラスコに
、p−ヒドロキシ安息香酸63.69g、1.6−ヘキ
サンジオール36.31gを仕込み、窒素雰囲気下18
5℃まで昇温した。反応系内を185℃とした時点で触
媒(商品名rFascat # 4100J工ムアンド
ケミカル入社製)0.5gを仕込み2時間撹拌した。次
いで、200℃に昇温し、2時間、220℃で3時間夫
々撹拌し、脱水熱縮合させ、オリゴジオール89.9g
を得た。
、p−ヒドロキシ安息香酸63.69g、1.6−ヘキ
サンジオール36.31gを仕込み、窒素雰囲気下18
5℃まで昇温した。反応系内を185℃とした時点で触
媒(商品名rFascat # 4100J工ムアンド
ケミカル入社製)0.5gを仕込み2時間撹拌した。次
いで、200℃に昇温し、2時間、220℃で3時間夫
々撹拌し、脱水熱縮合させ、オリゴジオール89.9g
を得た。
得られたオリゴジオールの原料1分子量、収率等を表1
に示す。
に示す。
企撲量主二1
表1に示す原料及び触媒を用いた以外は、合成例1と同
様な方法でオリゴジオールをrA製した。
様な方法でオリゴジオールをrA製した。
得られたオリゴジオールの分子量、収率等を表1に示す
。
。
矢L04E
還流冷却器、温度計及び撹拌装置を備えたフラスコに、
窒素雰囲気下、合成例1で得られたオリゴジオール58
.45g、テレフタロイルクロライド29.08g、イ
ソフタロイルクロライド12.46gを仕込み、撹拌下
100℃に昇温した。系の粘度の増加を観察しながら徐
々に昇温し、3時間で200℃まで昇温した。次に反応
系を1時間200℃に維持し、液晶ポリマー84.2g
を得た。
窒素雰囲気下、合成例1で得られたオリゴジオール58
.45g、テレフタロイルクロライド29.08g、イ
ソフタロイルクロライド12.46gを仕込み、撹拌下
100℃に昇温した。系の粘度の増加を観察しながら徐
々に昇温し、3時間で200℃まで昇温した。次に反応
系を1時間200℃に維持し、液晶ポリマー84.2g
を得た。
得られた液晶ポリマーの固有粘度を測定したところ0.
28d12/gであり、液晶化転移温度の範囲は107
℃〜189℃であった。液晶ポリマーの原料の配合割合
、収率、固有粘度及び液晶化転移温度を表2に示す。
28d12/gであり、液晶化転移温度の範囲は107
℃〜189℃であった。液晶ポリマーの原料の配合割合
、収率、固有粘度及び液晶化転移温度を表2に示す。
老迩恩主二主
表2に示す配合割合とした以外は、実施例(と同様に反
応させて液晶ポリマーを得、固有粘度及び液晶化転移温
度を測定した。原料の配合割合、収率、固有粘度及び液
晶化転移温度の測定結果を夷2に示す。
応させて液晶ポリマーを得、固有粘度及び液晶化転移温
度を測定した。原料の配合割合、収率、固有粘度及び液
晶化転移温度の測定結果を夷2に示す。
失産舊主
還流冷却器、温度計、撹拌装置および滴下ロートを備え
たフラスコに合成例5で調製したオリゴジオール58.
38g、ピリジン150mQ、1゜2−ジクロロエタン
150mQを仕込み、窒素雰囲気下、60℃まで昇温し
、オリゴジオールを完全に溶解させた。次いで、テレフ
タロイルクロライドを41.62gを含む1,2−ジク
ロロエタン溶液150mQを滴下ロートより30分かけ
て滴下した。滴下終了後、60℃で6時間ホールドした
後、濾過し、1N−HCA、5重量%重炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水で夫々洗浄し、液晶ポリマー76.
5gを得た。得られたポリマーの収率、液晶化転移温度
及び固有粘度を表2に示す。
たフラスコに合成例5で調製したオリゴジオール58.
38g、ピリジン150mQ、1゜2−ジクロロエタン
150mQを仕込み、窒素雰囲気下、60℃まで昇温し
、オリゴジオールを完全に溶解させた。次いで、テレフ
タロイルクロライドを41.62gを含む1,2−ジク
ロロエタン溶液150mQを滴下ロートより30分かけ
て滴下した。滴下終了後、60℃で6時間ホールドした
後、濾過し、1N−HCA、5重量%重炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水で夫々洗浄し、液晶ポリマー76.
5gを得た。得られたポリマーの収率、液晶化転移温度
及び固有粘度を表2に示す。
失迩旌上仝
表2に示す配合割合とした以外は、実施例8と同様に反
応させて液晶ポリマーを得、固有粘度及び液晶化転移温
度を測定した。原料の配合割合、収率、固有粘度及び液
晶化転移温度の測定結果を表2に示す。
応させて液晶ポリマーを得、固有粘度及び液晶化転移温
度を測定した。原料の配合割合、収率、固有粘度及び液
晶化転移温度の測定結果を表2に示す。
手続補正書1、。
平成 年2.1月9 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式( I )で表わされる構造単位Aを必須の成
分として含み、必要に応じて下記一般式(II)、(III
)、(IV)、(V)及び(VI)で表わされる構造単位B
、C、D、E、F及びこれらの混合単位から成る群より
選択される構造単位を含む液晶ポリマーの製造方法であ
って、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(V) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(VI) [式中R_1乃至R_6は、夫々同一又は異なる基であ
って、炭素数2〜12のジオール残基(光学異性体を含
む)を示す。またaは10〜100モル%を示し、b乃
至fは夫々0〜90モル%を示す。]p−ヒドロキシ安
息香酸及びジオールを熱縮合させて得られる下記一般式
(VII) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(VII) [式中R_7は、炭素数2〜12のジオール残基(光学
異性体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオール
G10〜100モル%及び下記一般式(VIII) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(VIII) [式中R_8は炭素数2〜12のジオール残基(光学異
性体を含む)を示す。]で表わされるオリゴジオールH
0〜90モル%と、テレフタロイルハライドと、イソフ
タロイルハライド及び/又はフタロイルハライドとを反
応させることを特徴とする液晶ポリマーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19271289A JPH0359023A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 液晶ポリマーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19271289A JPH0359023A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 液晶ポリマーの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0359023A true JPH0359023A (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16295805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19271289A Pending JPH0359023A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 液晶ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0359023A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007029934A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ishii Iron Works Co Ltd | 乾式脱硫器及びその脱硫剤の交換方法 |
JP2008277300A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 燃料電池用脱硫装置および燃料電池システム |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19271289A patent/JPH0359023A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007029934A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ishii Iron Works Co Ltd | 乾式脱硫器及びその脱硫剤の交換方法 |
JP2008277300A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 燃料電池用脱硫装置および燃料電池システム |
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