JPH0359002B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0359002B2
JPH0359002B2 JP59161525A JP16152584A JPH0359002B2 JP H0359002 B2 JPH0359002 B2 JP H0359002B2 JP 59161525 A JP59161525 A JP 59161525A JP 16152584 A JP16152584 A JP 16152584A JP H0359002 B2 JPH0359002 B2 JP H0359002B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
boron nitride
sample
weight
amorphous
moisture resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59161525A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60155508A (ja
Inventor
Hiroyuki Nakae
Toshiaki Matsuda
Naoki Uno
Yukio Matsunami
Takeshi Masumoto
Toshio Hirai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP16152584A priority Critical patent/JPS60155508A/ja
Publication of JPS60155508A publication Critical patent/JPS60155508A/ja
Publication of JPH0359002B2 publication Critical patent/JPH0359002B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、非晶質窒化ホウ素であつて、耐熱
性、耐蝕性、熱衝撃抵抗性などの特徴を生かし
て、溶融塩や腐食性ガスに対する保護膜あるいは
高温用覗き窓、高温腐食性雰囲気で使用するルツ
ボ、ノズルなどの理化学器具、高温電気絶縁材料
や半導体関連材料として電気、電子工学用途、
板、管、フエルト状やフアイバー状として高温断
熱材用途、さらに光学材料にコーテイングするこ
とによつて屈折率を変化させたり、反射を抑えた
りすることや、透明性を生かしてX線リソグラフ
イー用マスク支持材料として用いられる。 従来の技術 窒化ホウ素は、耐熱性、化学的安定性、耐熱衝
撃性、電気絶縁性などに極めて優れているため、
電気絶縁材、固体潤滑材、ルツボ等の工業材料用
に多用されている。特に化学気相析出法により製
造された窒化ホウ素は高品質のため非常に高価で
あるにもかかわらず、化学実験用ルツボや半導体
もしくは特殊合金製造用ルツボとしての用途が拡
大している。 一般に市販されている常圧合成により得る窒化
ホウ素は白色不透明である。気相析出法により得
る窒化ホウ素も、比較的高温で合成されるものは
白色不透明であるが、比較的低温で得るものは透
明性を有し、X線回折的には非晶質である。この
透明で非晶質の窒化ホウ素が、その応用面で将来
大いに期待されている。 発明が解決しようとする問題点 上記透明で非晶質の窒化ホウ素は耐湿性に欠
け、例えば大気中もしくは水中に放置すると白濁
して透明性を失い、さらにはクラツクが発生して
小片に崩壊するという欠点を有している。 問題点を解決するための手段 本発明は、気相析出法で合成した非晶質の窒化
ホウ素が本来有する透明性を損うことなく、安定
性の悪さを改善することを目的としてなされたも
ので、気相析出法によつて合成された気相析出法
によつて合成された窒化ホウ素組成物であつて、
非晶質の窒化ホウ素を0.05重量%以上10重量%未
満の割合で含有することを特徴とする耐湿性にす
ぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物を要旨とす
るものである。 本発明の窒化ホウ素組成物の性質を列記すると
下記のとおりである。 安定性にすぐれている。例えば蒸留水中で1
時間煮沸処理をした後にも5%以下しか重量減
少しないようなすぐれた耐湿性を有する。 すぐれた透明性を有する。例えば厚み約0.7
mmの試料を文字の上に置いたとき、その文字が
はつきりと読みとれる程のすぐれた透明性を有
する。 本発明の窒化ホウ素組成物中のBNとSi3N4
は共に非晶質である。すなわち、本発明の材料
のX線回折(XRD)パターンにはBNおよび
Si3N4のいずれの結晶ピークも認められない。
(図のXRDパターン(A)参照) 密度は1.50〜2.10g/cm3の範囲にある。 本発明材料中のBNの硬度が低いためにすぐ
れた加工性を有する。 本発明において、窒化ケイ素の量が10重量%以
上であると、窒化ホウ素が本来持つている加工性
の良さを損なうため不適当である。当然のことだ
が、加工性の良さの点からは、窒化ケイ素の量は
少ない程良いことはいうまでもない。また、窒化
ケイ素の量が0.05重量%未満であると所期の目的
を達成することができない。通常、窒化ケイ素の
好ましい含有量は5重量%以上10重量%未満であ
る。 つぎに本発明の窒化ホウ素組成物の製造法の一
例について述べる。 合成原料としては、例えば、次の如きものを用
いる。ホウ素源化合物としてはBCl3などのハロ
ゲン化物、B2H6などの水素化合物、B3N3H6(ボ
ラジン)やB3N3H3Cl3(B−trichloroborazole)
などの含窒素ホウ素化合物が、窒素源化合物とし
ては、N2、NH3などを用いる。また、ケイ素源
化合物としては、SiCl4、SiH4などを用いる。液
体原料の場合にはH2などのキヤリアガスによる
バブリング方式で気化させる。 反応はキヤリアガスとしてH2、Arなどを流
し、通常減圧炉中で行なう。また、温度は1000〜
1700℃好ましくは1300〜1500℃であり、基板板を
この温度に加熱する。圧力は5〜200Torr、好ま
しくは20〜60Torrである。 基板としては、グラフアイト、石英、シリコ
ン、ニツケル、モリブデンなどが用いられる。 本発明においては、上記のような化学気相析出
法が最も好ましい製造法であるが、各種の気相析
出法は全て適用可能である。スパツターやイオン
プレーテイング法を含むいわゆる物理的気相析出
法、プラズマ等を応用した各種化学気相析出法な
ど気相系から固体を製造する方法は適宜選定し使
用できる。 本発明の窒化ホウ素組成物はその用途に応じて
種々の形態を適宜にとり得る。すなわち、膜状、
板状、成形物、粉体、超微粉などいずれも可能で
ある。例えば、ルツボ等の成形物を直接析出法で
作ることも可能であるし、金属、ガラス、セラミ
ツクスの表面に保護膜としてコーテイングするこ
ともできる。また、粉体を合成し、これを焼結し
て成形体とすることも可能である。 実施例 つぎに実施例並びに比較例について述べる。 なお、これらの実施例並びに比較例において得
られた材料は、いずれも前記本発明の窒化ホウ素
組成物の性質に相当する透明性の材料であつ
た。 実施例 1 BCl3、NH3およびSiCl4を原料とし、H2をキヤ
リアガスとして充分清浄な化学気相析出用減圧炉
に導入した。それぞれのガス流量は次のとおりで
あつた。 BCl3 105ml/min NH3 90ml/min SiCl4 35ml/min H2 675ml/min なおSiCl4はキヤリアガスをバブリングする方
法で気化させた。これらのガスを減圧炉内中央部
に設けた、1400℃に加熱した黒鉛基板面に吹きつ
けた。真空排気系の圧力調整コツクの開閉を調節
して炉内圧力を約30Torrに保持した。 以上の条件で約3時間析出さてた後、ガス導入
と基板加熱をやめ、炉内を真空排気、冷却した。 冷却完了後表面に析出物が付着している黒鉛基
板を取り出し、析出物を基板からはがし、切断研
磨して8mm×20mm×0.7mmの板状試料(A)を得た。
この試料は8重量%のSi3N4を含む窒化ホウ素組
成物であつた。 比較例 1 SiCl4を全く添加しなかつた以外は上記実施例
1と同一の条件で、窒化ホウ素板状試料(C)を析出
させた。 上記実施例1によつて得た試料(A)と比較例1に
よつて得た試料(C)について、密度、Si3N4含有
量、X線回折、耐湿性について測定した結果を第
1表に示す。ただし耐湿性は、上記板状試料を蒸
留水中に投入し、1時間煮沸し、そしてその前後
の重量変化を測定することによつて判断した。第
1表から明らかなように実施例1のサンプルより
も、比較例1のサンプルは著しく大きな重量減少
を示した。図のAおよびCは、上記試料(A)および
(C)を粉砕した粉末のXRDパターンである。六方
晶窒化ホウ素、α−Si3N4、β−Si3N4のいずれ
のピークも認められず非晶質であることがわか
る。 また、上記耐湿性試験において、(A)は形はくず
れないが、(C)は著しく水と反応し、形がくずれて
多数の小片に崩壊してしまつた。これらのことか
ら、少量の非晶質Si3N4を含む非晶質BNは耐湿
性が著しく向上していることが判る。 実施例 2 原料ガス流量 BCl3 110ml/min NH3 90ml/min SiCl4 30ml/min H2 675ml/min とした以外は、実施例1と同様な条件で約3時間
試料を析出させた後、ガスを止め、H2ガスだけ
流して、3時間、1200℃で加熱を続けた。その
後、炉内を真空排気、冷却した。そして、実施例
1と同様にして板状試料(B)を得た。この試料(B)は
6重量%のSi3N4を含む窒化ホウ素組成物であつ
た。この試料(B)についての密度、Si3N4含有量、
X線回折、耐湿性について得た結果を第1表に示
した。実施例と同じ程度のSi3N4含有量を有して
いるにもかかわらず、試料析出直後の熱処理によ
つて実施例1よりも安定性が増していることがわ
かる。 発明の効果 上記各実施例並びに比較例における試験結果を
第1表に示す。
【表】 本発明材料は、非晶質窒化ホウ素のもつ本来の
耐熱性、化学的安定性、耐熱衝撃性、電気絶縁性
などの特性は何等損なうことなく、上記試験結果
が示すように耐湿性においてすぐれた材料であ
り、安定性のすぐれたものである。
【図面の簡単な説明】
図は実施例1の試料(A)と比較例1の試料(C)の粉
末X線回折図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 気相析出法によつて合成された窒化ホウ素組
    成物であつて、非晶質の窒化ケイ素を0.05重量%
    以上10重量%未満の割合で含有することを特徴と
    する耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組
    成物。
JP16152584A 1984-08-02 1984-08-02 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物 Granted JPS60155508A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16152584A JPS60155508A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16152584A JPS60155508A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58080061A Division JPS59207811A (ja) 1983-05-10 1983-05-10 層はく離性の改善された窒化ホウ素組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60155508A JPS60155508A (ja) 1985-08-15
JPH0359002B2 true JPH0359002B2 (ja) 1991-09-09

Family

ID=15736740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16152584A Granted JPS60155508A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60155508A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61117107A (ja) * 1984-11-14 1986-06-04 Toshiba Tungaloy Co Ltd 非晶質窒化ホウ素粉末およびその製造方法
JPS6283306A (ja) * 1985-10-04 1987-04-16 Res Dev Corp Of Japan 透明なbn系セラミックス材料
JP2536492B2 (ja) * 1986-09-04 1996-09-18 日新電機株式会社 工具材料
FR2620443B1 (fr) * 1987-09-11 1989-12-22 Rhone Poulenc Chimie Nouveaux composes a base de nitrure de bore
US4990365A (en) * 1988-08-17 1991-02-05 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing silicon boronitride layers
DE3830840C1 (ja) * 1988-09-10 1989-11-16 Wildenburg, Joerg

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5880061A (ja) * 1981-11-02 1983-05-14 石崎産業株式会社 型枠用被覆材およびそれを使用した型枠工法
JPS58145665A (ja) * 1982-02-24 1983-08-30 平井 敏雄 透光性Si―N―B系非晶質材料およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5880061A (ja) * 1981-11-02 1983-05-14 石崎産業株式会社 型枠用被覆材およびそれを使用した型枠工法
JPS58145665A (ja) * 1982-02-24 1983-08-30 平井 敏雄 透光性Si―N―B系非晶質材料およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60155508A (ja) 1985-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chu et al. The preparation and properties of amorphous silicon nitride films
US4099924A (en) Apparatus improvements for growing single crystalline silicon sheets
US4225355A (en) Amorphous boron-carbon alloy in bulk form and methods of making the same
JPS643948B2 (ja)
Chopra et al. Synthesis of cubic boron nitride films by activated reactive evaporation of H3BO3
JPH0359002B2 (ja)
US4772304A (en) Transparent BN-type ceramic material and method of producing the same
JPH0333005A (ja) カラム状結晶形態を有する熱分解窒化硼素
JPH04299515A (ja) X線リソグラフィ−マスク用x線透過膜およびその製造方法
US5234609A (en) X-ray permeable membrane for X-ray lithographic mask
US6808743B2 (en) Growth of ZnO film using single source CVD
Makarova et al. Oriented growth of oxygen-free C 60 crystallites on silicon substrates
JPH0310562B2 (ja)
JPH02262324A (ja) X線透過膜およびその製造方法
Mark Single Crystal Silicon Overgrowths
JPS58145665A (ja) 透光性Si―N―B系非晶質材料およびその製造方法
JP2799849B2 (ja) 化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法
JPS6355197A (ja) 高純度ダイヤモンドの製造方法
JPS6316464B2 (ja)
Goela et al. Postdeposition Process for Improving Optical Properties of Chemical‐Vapor‐Deposited Silicon
JPS6386872A (ja) 窒化けい素の製造法
JPH0448722B2 (ja)
Kovda et al. Growth of monocrystalline CdS films on mica surfaces through amorphous interfacial layers of silicon monoxide and carbon by chemical transport reactions
JPS61177372A (ja) 窒化ホウ素膜の製造方法
JPS6350320B2 (ja)