JPH0358178B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0358178B2 JPH0358178B2 JP57119761A JP11976182A JPH0358178B2 JP H0358178 B2 JPH0358178 B2 JP H0358178B2 JP 57119761 A JP57119761 A JP 57119761A JP 11976182 A JP11976182 A JP 11976182A JP H0358178 B2 JPH0358178 B2 JP H0358178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- aluminum pattern
- field illumination
- signal
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 46
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 208000019300 CLIPPERS Diseases 0.000 description 3
- 208000021930 chronic lymphocytic inflammation with pontine perivascular enhancement responsive to steroids Diseases 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSIウエハ上のアルミパターン欠陥検
査方法に関するものである。
査方法に関するものである。
LSIウエハなどのパターンを自動的に検査する
には、第１図に於いて、ウエハ１の２つのチツプ
２ａ，２ｂ上の対応ゆる点３ａ，３ｂを対物レン
ズ４ａ，４ｂで拡大し、各々を例えばTVカメラ
５ａ，５ｂで検出して、両者の電気信号を比較し
て、不一致部分を欠陥と判定するのが一般的であ
る。
には、第１図に於いて、ウエハ１の２つのチツプ
２ａ，２ｂ上の対応ゆる点３ａ，３ｂを対物レン
ズ４ａ，４ｂで拡大し、各々を例えばTVカメラ
５ａ，５ｂで検出して、両者の電気信号を比較し
て、不一致部分を欠陥と判定するのが一般的であ
る。
第２図で、TVカメラで検出した画像６ａ，６
ｂ上の走査線７ａ，７bhの電気信号は８ａ，８
ｂのようになる。ここでパターン残り欠陥９の信
号は１０であり、パターン欠け欠陥１１の信号は
１２である。以下に信号１０，１２を検出する一
般的な方法を述べる。
ｂ上の走査線７ａ，７bhの電気信号は８ａ，８
ｂのようになる。ここでパターン残り欠陥９の信
号は１０であり、パターン欠け欠陥１１の信号は
１２である。以下に信号１０，１２を検出する一
般的な方法を述べる。
第１の方法は２値化信号比較法である。第３図
でTVカメラ５ａ，５ｂの信号線１３ａ，１３ｂ
には信号８ａ，８ｂが通つている。これを一定の
電圧１４を用いてコンパレータ２０ａ，２１ｂで
２値化すると信号線１５ａ，１５ｂには２値化信
号１６ａ，１６ｂが生じる。両者の信号の
exclusive−OR（排地的論理和）をとると信号線
１７には信号１８が得られるから、検出器１９で
信号「１」を欠陥と判定すれば、信号２１，２２
を欠陥として検出することが出来る。
でTVカメラ５ａ，５ｂの信号線１３ａ，１３ｂ
には信号８ａ，８ｂが通つている。これを一定の
電圧１４を用いてコンパレータ２０ａ，２１ｂで
２値化すると信号線１５ａ，１５ｂには２値化信
号１６ａ，１６ｂが生じる。両者の信号の
exclusive−OR（排地的論理和）をとると信号線
１７には信号１８が得られるから、検出器１９で
信号「１」を欠陥と判定すれば、信号２１，２２
を欠陥として検出することが出来る。
第２の方法はアナログ信号比較法である。第４
図で信号線１３ａ，１３ｂを差動増幅器２５に導
くと、信号線２６には差分信号２７が得られるの
で、これを一定の電圧２８を用いてコンパレータ
２９で２値化すると、信号線３０には２値化信号
３１が得られる。更に検出器３２で信号「１」を
欠陥と判定すれば、信号２３，２４を欠陥として
検出することが出来る。
図で信号線１３ａ，１３ｂを差動増幅器２５に導
くと、信号線２６には差分信号２７が得られるの
で、これを一定の電圧２８を用いてコンパレータ
２９で２値化すると、信号線３０には２値化信号
３１が得られる。更に検出器３２で信号「１」を
欠陥と判定すれば、信号２３，２４を欠陥として
検出することが出来る。
以上はパターン検出信号が８ａ，８ｂの如く単
純な場合を例にとつて一般的な欠陥検出方法を説
明した。しかし現在生産されているLSIウエハ磁
気バブルメモリウエハなどのパターンの信号は更
に複雑である。これらのパターンの断面を拡大し
たものを第５図に示す。４０はシリコンであり、
４１ａ〜４１ｄはアルミニウムの配線パターンで
ある。アルミニウム配線パターン上には通常４２
の如きヒルロツクと呼ばれる微小突起が不規則に
存在する。このパターンを第１図の装置で検出し
た場合には、４３の如き信号となり、アルミニウ
ム４１の信号は最も高いが、この中にはヒルロツ
ク４２ａ〜４２ｃに対応する信号４４ａ〜４４ｃ
が生じている。しかしヒルロツクは欠陥ではない
から、これを欠陥として検出してはならない。４
１ｂはアルミニウム残り欠陥、４５はアルミニウ
ム欠け欠陥だから、それに対応する信号４６，４
７は検出しなければならない。なお４８は欠陥の
ないパターンの信号であり、４９はこのパターン
上のヒルロツクによる信号である。
純な場合を例にとつて一般的な欠陥検出方法を説
明した。しかし現在生産されているLSIウエハ磁
気バブルメモリウエハなどのパターンの信号は更
に複雑である。これらのパターンの断面を拡大し
たものを第５図に示す。４０はシリコンであり、
４１ａ〜４１ｄはアルミニウムの配線パターンで
ある。アルミニウム配線パターン上には通常４２
の如きヒルロツクと呼ばれる微小突起が不規則に
存在する。このパターンを第１図の装置で検出し
た場合には、４３の如き信号となり、アルミニウ
ム４１の信号は最も高いが、この中にはヒルロツ
ク４２ａ〜４２ｃに対応する信号４４ａ〜４４ｃ
が生じている。しかしヒルロツクは欠陥ではない
から、これを欠陥として検出してはならない。４
１ｂはアルミニウム残り欠陥、４５はアルミニウ
ム欠け欠陥だから、それに対応する信号４６，４
７は検出しなければならない。なお４８は欠陥の
ないパターンの信号であり、４９はこのパターン
上のヒルロツクによる信号である。
このような信号から、従来技術を用いて欠陥信
号４６，４７を検出することは出来ない。以下に
理由を説明する。
号４６，４７を検出することは出来ない。以下に
理由を説明する。
第６図は第５図に示したパターン信号４３，４
８にしきい値５０，５１を設け、従来技術である
２値化信号比較法により信号を２値化した場合で
あるが、４３の信号から５２，４８の信号から５
３が得られ、両者のexclusive−ORをとつたもの
が５４である。５５は欠陥４５に対応している
が、他の信号はすべてヒルロツクであり、欠陥で
はない。また欠陥４１ｂが見逃されている。同様
にしてアナログ信号比較法を用いても、アルミニ
ウム上のヒルロツクをすべて欠陥と判定してしま
うなどの欠点がある。
８にしきい値５０，５１を設け、従来技術である
２値化信号比較法により信号を２値化した場合で
あるが、４３の信号から５２，４８の信号から５
３が得られ、両者のexclusive−ORをとつたもの
が５４である。５５は欠陥４５に対応している
が、他の信号はすべてヒルロツクであり、欠陥で
はない。また欠陥４１ｂが見逃されている。同様
にしてアナログ信号比較法を用いても、アルミニ
ウム上のヒルロツクをすべて欠陥と判定してしま
うなどの欠点がある。
以上のように、アルミニウムの如く表面に不規
則な突起があり、そこで得られる信号にも不規則
な信号が生じる場合には、従来技術では欠陥を検
出することが出来なかつた。
則な突起があり、そこで得られる信号にも不規則
な信号が生じる場合には、従来技術では欠陥を検
出することが出来なかつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、表面に不規則な突起（ヒルロツク）の存在
するアルミパターンでもその上の欠陥やエツチン
グによつて残された欠陥を検出することができる
ようにしたLSIウエハ上のアルミパターン欠陥検
査方法を提供することにある。
くし、表面に不規則な突起（ヒルロツク）の存在
するアルミパターンでもその上の欠陥やエツチン
グによつて残された欠陥を検出することができる
ようにしたLSIウエハ上のアルミパターン欠陥検
査方法を提供することにある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、
LSIウエハの面に対して垂直な光軸を中心に配置
された明視野照明手段と暗視野照明手段と上記
LSIウエハからの反射光像を結像する対物レンズ
と該対物レンズによつて結像された光像を撮像し
て映像信号に変換する撮像装置とを備えた顕微鏡
を本来同一である比較すべきアルミパターン部を
有するチツプの間隔に応じて一対離間させて配置
し、上記各々の顕微鏡の明視野照明手段により
各々チツプ内のアルミパターンの平坦部を光させ
ると共に上記各々の顕微鏡の暗視野照明手段によ
り各々チツプ内のアルミパターンに存在するヒル
ロツクや段差部を光らせて各撮像装置により各ア
ルミパターンを明部で、他を暗部でもつて映像信
号に変換し、第１の比較手段によりこれら映像信
号の各々を所定の闘値で２値化信号に変換して比
較して不一致を検出して一方のアルミパターンの
平坦部に存在するアルミ欠如欠陥を検出し、第２
の比較手段によりアルミパターンの平坦部から得
られる映像信号の領域部分を不感帯にして上記映
像信号同士を比較して不一致を検出して一方のア
ルミパターンについてアルミパターンの平坦部か
ら孤立した欠陥を検出し、一方のアルミパターン
に欠陥が存在するか否かを検査することを特徴と
するLSウエハ上のアルミパターン欠陥検査方法
である。
LSIウエハの面に対して垂直な光軸を中心に配置
された明視野照明手段と暗視野照明手段と上記
LSIウエハからの反射光像を結像する対物レンズ
と該対物レンズによつて結像された光像を撮像し
て映像信号に変換する撮像装置とを備えた顕微鏡
を本来同一である比較すべきアルミパターン部を
有するチツプの間隔に応じて一対離間させて配置
し、上記各々の顕微鏡の明視野照明手段により
各々チツプ内のアルミパターンの平坦部を光させ
ると共に上記各々の顕微鏡の暗視野照明手段によ
り各々チツプ内のアルミパターンに存在するヒル
ロツクや段差部を光らせて各撮像装置により各ア
ルミパターンを明部で、他を暗部でもつて映像信
号に変換し、第１の比較手段によりこれら映像信
号の各々を所定の闘値で２値化信号に変換して比
較して不一致を検出して一方のアルミパターンの
平坦部に存在するアルミ欠如欠陥を検出し、第２
の比較手段によりアルミパターンの平坦部から得
られる映像信号の領域部分を不感帯にして上記映
像信号同士を比較して不一致を検出して一方のア
ルミパターンについてアルミパターンの平坦部か
ら孤立した欠陥を検出し、一方のアルミパターン
に欠陥が存在するか否かを検査することを特徴と
するLSウエハ上のアルミパターン欠陥検査方法
である。
以下発明の一実施例を説明する。第７図で、明
視野照明手段による上方からの照明（明視野照
明）６０ａ，６０ｂの他に、暗視野照明手段によ
る周囲から一様に二つの斜方照明（暗視野照明）
６１ａ，６１ｂを加えると、第８図でこの光はヒ
ルロツク４２ａ，４２ｂ，４２ｃで散乱して、上
方に向う光６２が生じる。この時のパターンで得
られる電気信号を第９図６３，６４に示す。６３
は第５図の４３に相当し、６４は４８に相当する
ものであるが、ヒルロツクによる電気信号４４
ａ，４４ｂ，４４ｃ，４９は６５ａ，６５ｂ，６
５ｃ，６６の如く他のアルミニウム部分の電気信
号より高くなるのが特徴である。これに対いてア
ルミニウム欠損部分の電気信号４７は第５図と同
じく他のアルミニウム部分より低くなつている。
視野照明手段による上方からの照明（明視野照
明）６０ａ，６０ｂの他に、暗視野照明手段によ
る周囲から一様に二つの斜方照明（暗視野照明）
６１ａ，６１ｂを加えると、第８図でこの光はヒ
ルロツク４２ａ，４２ｂ，４２ｃで散乱して、上
方に向う光６２が生じる。この時のパターンで得
られる電気信号を第９図６３，６４に示す。６３
は第５図の４３に相当し、６４は４８に相当する
ものであるが、ヒルロツクによる電気信号４４
ａ，４４ｂ，４４ｃ，４９は６５ａ，６５ｂ，６
５ｃ，６６の如く他のアルミニウム部分の電気信
号より高くなるのが特徴である。これに対いてア
ルミニウム欠損部分の電気信号４７は第５図と同
じく他のアルミニウム部分より低くなつている。
次に信号６３，６４からアルミニウム欠損型欠
陥と残り型欠陥を検出する装置を第１０図を用い
て説明する。信号６３，６４と一定の電圧７０と
をコンパレータ７１ａ，７１ｂに導いて２値化し
た後、exclusive−OR７２で両者の信号の不一致
部分を検出すればこれによりアルミニウム欠損型
欠陥の信号が得られる。これらコンパレータ７１
ａ，７１ｂ、及びexclusive−OR７２は第１の比
較手段を構成する。
陥と残り型欠陥を検出する装置を第１０図を用い
て説明する。信号６３，６４と一定の電圧７０と
をコンパレータ７１ａ，７１ｂに導いて２値化し
た後、exclusive−OR７２で両者の信号の不一致
部分を検出すればこれによりアルミニウム欠損型
欠陥の信号が得られる。これらコンパレータ７１
ａ，７１ｂ、及びexclusive−OR７２は第１の比
較手段を構成する。
この間の様子を第９図で説明する。信号７３
ａ，７３ｂは電圧７０で２値化した結果であり、
信号７４は両者のexclusive−ORをとつた結果で
ある。これによりアルミニウム欠損型欠陥信号４
７が検出されて７５になつていることがわかる。
ａ，７３ｂは電圧７０で２値化した結果であり、
信号７４は両者のexclusive−ORをとつた結果で
ある。これによりアルミニウム欠損型欠陥信号４
７が検出されて７５になつていることがわかる。
更に第１０図でアルミニウム残り型欠陥の検出
回路を説明する。一定電圧以上の出力を遮断し一
定電圧に保持する素子（例えばツエナーダイオー
ドなど）７６ａ，７６ｂと増幅器７７ａ，７７ｂ
から成るクリツプを通つた信号を差動増幅器７９
に導き一定の電圧８１とコンパレータ８２で更に
２値化すると、ここからアルミニウム残り型欠陥
の信号が得られる。これら素子７６ａ，７６ｂ、
増幅器７７ａ，７７ｂ、差動増幅器７９、及びコ
ンパレータ８２が第２の比較手段を構成する。こ
の間の様子を再び第９図で説明する。クリツパ電
圧を７０のレベルとすると、回路７８ａ，７８ｂ
には信号８４ａ，８４ｂが得られ、回路８０には
信号８５が得られ、回路８３には信号８６が得ら
れる。これによりアルミニウム残り型欠陥の信号
４６が検出されて８７になつていることがわか
る。
回路を説明する。一定電圧以上の出力を遮断し一
定電圧に保持する素子（例えばツエナーダイオー
ドなど）７６ａ，７６ｂと増幅器７７ａ，７７ｂ
から成るクリツプを通つた信号を差動増幅器７９
に導き一定の電圧８１とコンパレータ８２で更に
２値化すると、ここからアルミニウム残り型欠陥
の信号が得られる。これら素子７６ａ，７６ｂ、
増幅器７７ａ，７７ｂ、差動増幅器７９、及びコ
ンパレータ８２が第２の比較手段を構成する。こ
の間の様子を再び第９図で説明する。クリツパ電
圧を７０のレベルとすると、回路７８ａ，７８ｂ
には信号８４ａ，８４ｂが得られ、回路８０には
信号８５が得られ、回路８３には信号８６が得ら
れる。これによりアルミニウム残り型欠陥の信号
４６が検出されて８７になつていることがわか
る。
以上説明したように、LSIなどのように複雑な
パターンの上に形成されているアルミニウムのパ
ターンなどの欠陥を検出する際、２値化信号比較
法とアナログ信号比較法を上記の如く組み合せた
回路構成をとることにより、極めて効果的な装置
を作ることが出来る。
パターンの上に形成されているアルミニウムのパ
ターンなどの欠陥を検出する際、２値化信号比較
法とアナログ信号比較法を上記の如く組み合せた
回路構成をとることにより、極めて効果的な装置
を作ることが出来る。
上記の例ではアナログ信号比較回路にクリツパ
を使用したが、第１１図の如く、クリツパを用い
ない方法も本発明の応用に含まれる。即ち差動増
幅器７９で差分信号９３を作り、これにしきい値
８１をかけてコンパレータ８２で２値化すると、
回路８３には信号９４が得られる。一方第１０図
に示すクリツプした範囲に相当する信号を、第１
１図に示すようコンパレータ７１ａ，７１ｂから
得られる２値化信号７３ａ，７３ｂについてOR
（論理和）回路９０によつてOR（論理和）をとる
ことによつて信号９５として形成する。更に
AND（論理積）回路９１で上記信号９４と信号９
５のAND（論理積）をとり、信号９５の“１”レ
ベルによりアルミパターンの平坦部から得られる
映像信号の領域部分を不感帯にして孤立欠陥のみ
が検出された信号９６が得られる。これにはアル
ミニウム残り型欠陥の信号４６が８７として得ら
れている。これら差動増幅器７９、コンパレータ
８２、OR回路、及びAND回路９１等は第２の比
較手段を構成する。
を使用したが、第１１図の如く、クリツパを用い
ない方法も本発明の応用に含まれる。即ち差動増
幅器７９で差分信号９３を作り、これにしきい値
８１をかけてコンパレータ８２で２値化すると、
回路８３には信号９４が得られる。一方第１０図
に示すクリツプした範囲に相当する信号を、第１
１図に示すようコンパレータ７１ａ，７１ｂから
得られる２値化信号７３ａ，７３ｂについてOR
（論理和）回路９０によつてOR（論理和）をとる
ことによつて信号９５として形成する。更に
AND（論理積）回路９１で上記信号９４と信号９
５のAND（論理積）をとり、信号９５の“１”レ
ベルによりアルミパターンの平坦部から得られる
映像信号の領域部分を不感帯にして孤立欠陥のみ
が検出された信号９６が得られる。これにはアル
ミニウム残り型欠陥の信号４６が８７として得ら
れている。これら差動増幅器７９、コンパレータ
８２、OR回路、及びAND回路９１等は第２の比
較手段を構成する。
以上の例はしきい値以下の信号をアナログ信号
のまま比較検査する装置を説明したが、同様の考
えにより、しきい値以上の信号をアナログ信号の
まま比較検査する装置も、本発明の応用に含まれ
る。
のまま比較検査する装置を説明したが、同様の考
えにより、しきい値以上の信号をアナログ信号の
まま比較検査する装置も、本発明の応用に含まれ
る。
ホトマスクなどのように明暗のはつきりしたパ
ターンの欠陥検査には、従来技術で説明した２値
化信号比較法や、アナログ信号比較法だけで十分
であるが、LSIウエハ上のアルミニウムパターン
のように複雑な回路パターン上に形成されたパタ
ーンの検査は、従来技術では不可能とされてい
た。本発明によりこれが可能となり、今後LSIパ
ターンが益々微細化しても、すべて自動的に検査
出来るようになる。これにより、検査信頼性が格
段に向上し、不良品を市場に出すことがなくな
る。本発明は複雑なパターンを有する上の特定の
パターンの検査に有効であり、磁気バブルウエハ
パターン、厚膜、薄膜回路パターンなどにも適用
可能である。
ターンの欠陥検査には、従来技術で説明した２値
化信号比較法や、アナログ信号比較法だけで十分
であるが、LSIウエハ上のアルミニウムパターン
のように複雑な回路パターン上に形成されたパタ
ーンの検査は、従来技術では不可能とされてい
た。本発明によりこれが可能となり、今後LSIパ
ターンが益々微細化しても、すべて自動的に検査
出来るようになる。これにより、検査信頼性が格
段に向上し、不良品を市場に出すことがなくな
る。本発明は複雑なパターンを有する上の特定の
パターンの検査に有効であり、磁気バブルウエハ
パターン、厚膜、薄膜回路パターンなどにも適用
可能である。
第１図は一般的な欠陥検出装置の構成図、第２
図〜第４図は従来技術による欠陥検出法の説明図
第５図は検査対象品の構造図、第６図は従来技術
による検出結果の説明図、第７図〜第１０図は本
発明の一実施例、第１１図は本発明の他の実施
例。 １……LSIウエハ、２……検査中のチツプ、３
……検出点、５……TVカメラ、９……パターン
残り、１１……パターン欠損、４０……シリコ
ン、４１……アルミニウムパターン、４２……ヒ
ルロツク、４４……ヒルロツクの信号、４６……
アルミ残り、４７……アルミ欠損、４３，４８…
…検出信号、５２，５３……２値化信号、６１…
…斜方照明光、６２…ヒルロツク散乱光。
図〜第４図は従来技術による欠陥検出法の説明図
第５図は検査対象品の構造図、第６図は従来技術
による検出結果の説明図、第７図〜第１０図は本
発明の一実施例、第１１図は本発明の他の実施
例。 １……LSIウエハ、２……検査中のチツプ、３
……検出点、５……TVカメラ、９……パターン
残り、１１……パターン欠損、４０……シリコ
ン、４１……アルミニウムパターン、４２……ヒ
ルロツク、４４……ヒルロツクの信号、４６……
アルミ残り、４７……アルミ欠損、４３，４８…
…検出信号、５２，５３……２値化信号、６１…
…斜方照明光、６２…ヒルロツク散乱光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ LSIウエハの面に対して垂直な光軸を中心に
配置された明視野照明手段と暗視野照明手段と上
記LSIウエハからの反射光像を結像する対物レン
ズと該対物レンズによつて結像された光像を撮像
して映像信号に変換する撮像装置とを備えた顕微
鏡を本来同一である比較すべきアルミパターン部
を有するチツプの間隔に応じて一対離間させて設
置し、上記各々の顕微鏡の明視野照明手段により
各々チツプ内のアルミパターンの平坦部を光らせ
ると共に上記各々の顕微鏡の暗視野照明手段によ
り各々チツプ内のアルミパターンに存在するヒル
ロツクや段差部を光らせて各撮像装置により各ア
ルミパターンを明部で、他を暗部でもつて映像信
号に変換し、第１の比較手段によりこれら映像信
号の各々を所定の閾値で２値化信号に変換して比
較して不一致を検出して一方のアルミパターンの
平坦部に存在するアルミ欠如欠陥を検出し、更に
第２の比較手段により上記映像信号の各々につい
ての所定レベル以上の部分の論理和を求め、この
出力に基いてアルミパターンの平坦部から得られ
る映像信号の領域部分を不感帯にして上記映像信
号同士を比較して不一致を検出して一方のアルミ
パターンについてアルミパターンの平坦部から孤
立した欠陥を検出し、一方のアルミパターンに欠
陥が存在するか否かを検査することを特徴とする
LSIウエハ上のアルミパターン欠陥検査方法。 ２ LSIウエハの面に対して垂直な光軸を中心に
配置された明視野照明手段と暗視野照明手段と上
記LSIウエハからの反射光像を結像する対物レン
ズと該対物レンズによつて結像された光像を撮像
して映像信号に変換する撮像装置とを備えた顕微
鏡を本来同一である比較すべきアルミパターン部
を有するチツプの間隔に応じて一対離間させて設
置し、上記各々の顕微鏡の明視野照明手段により
各々チツプ内のアルミパターンの平坦部を光らせ
ると共に上記各々の顕微鏡の暗視野照明手段によ
り各々チツプ内のアルミパターンに存在するヒル
ロツクや段差部を光らせて各撮像装置により各ア
ルミパターンを明部で、他を暗部でもつて映像信
号に変換し、第１の比較手段によりこれら映像信
号の各々を所定の閾値で２値化信号に変換して比
較して不一致を検出して一方のアルミパターンの
平坦部に存在するアルミ欠如欠陥を検出し、更に
第２の比較手段により上記映像信号の各々につい
ての所定レベル以上をクリツプした信号を比較し
てその差信号を所定の閾値で２値化し、該閾値を
越えたか否かによりアルミパターンの平坦部から
得られる映像信号の領域部分を不感帯にして該領
域部分以外の不一致を検出して一方のアルミパタ
ーンについてアルミパターンの平坦部から孤立し
た欠陥を検出し、一方のアルミパターンに欠陥が
存在するか否かを検査することを特徴とするLSI
ウエハ上のアルミパターン欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976182A JPS5911638A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976182A JPS5911638A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911638A JPS5911638A (ja) | 1984-01-21 |
| JPH0358178B2 true JPH0358178B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=14769516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11976182A Granted JPS5911638A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911638A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147635A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
| JPH0615277B2 (ja) * | 1985-08-30 | 1994-03-02 | ぺんてる株式会社 | 水性ボ−ルペン用インキ逆流防止体組成物 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131469A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS50143590A (ja) * | 1974-05-08 | 1975-11-19 | ||
| JPS5266380A (en) * | 1975-11-28 | 1977-06-01 | Fujitsu Ltd | Inspection of patterns |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP11976182A patent/JPS5911638A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131469A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS50143590A (ja) * | 1974-05-08 | 1975-11-19 | ||
| JPS5266380A (en) * | 1975-11-28 | 1977-06-01 | Fujitsu Ltd | Inspection of patterns |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5911638A (ja) | 1984-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8126259B2 (en) | Method and apparatus for visual inspection | |
| JP3566589B2 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
| US5659172A (en) | Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images | |
| US4681442A (en) | Method for surface testing | |
| KR100389524B1 (ko) | 결함 검사 방법 및 그 장치 | |
| JP2822937B2 (ja) | 半導体装置の製造システム及び欠陥検査方法 | |
| JPH0358178B2 (ja) | ||
| JP3047881B2 (ja) | 半導体装置の製造システム及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS61189406A (ja) | パタ−ン２値化方法とその装置 | |
| JP2002303587A (ja) | 外観検査方法及び装置 | |
| Dom | Machine vision techniques for integrated circuit inspection | |
| JPH0587781B2 (ja) | ||
| JPH08233747A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP3271622B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH11352073A (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| JP2004151622A (ja) | マスク欠陥検査装置及びマスク欠陥検査方法 | |
| JP3201396B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH05142161A (ja) | 外観検査方法およびその装置、磁気ヘツド検査方法およびその装置並びに磁気ヘツド製造設備 | |
| JPH07159333A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
| JPS6150383B2 (ja) | ||
| JP3421522B2 (ja) | パターン検査装置並びに電子線によるパターン検査装置及びその方法 | |
| JPH03165534A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPS6061604A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| KR100564871B1 (ko) | 초소형반복패턴의검사방법및장치 | |
| JPH0690143B2 (ja) | 透明薄膜中における塊状粒子検出方法 |