JPH0358050A - 感光性組成物 - Google Patents

感光性組成物

Info

Publication number
JPH0358050A
JPH0358050A JP2160076A JP16007690A JPH0358050A JP H0358050 A JPH0358050 A JP H0358050A JP 2160076 A JP2160076 A JP 2160076A JP 16007690 A JP16007690 A JP 16007690A JP H0358050 A JPH0358050 A JP H0358050A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
composition according
group
photoinitiator
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2160076A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0670712B2 (ja
Inventor
Jeffrey D Gelorme
ジエフリー・ドナルド・ジェローム
Eugene Roman Skarvinko
ユージーン・ローマン・スカルビンコ
David Wei Wang
デイビツド・ウエイ・ワン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH0358050A publication Critical patent/JPH0358050A/ja
Publication of JPH0670712B2 publication Critical patent/JPH0670712B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/126Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors being wholly aromatic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/0622Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C08G73/0638Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with at least three nitrogen atoms in the ring
    • C08G73/065Preparatory processes
    • C08G73/0655Preparatory processes from polycyanurates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/0622Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C08G73/0638Polycondensates containing six-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with at least three nitrogen atoms in the ring
    • C08G73/065Preparatory processes
    • C08G73/0655Preparatory processes from polycyanurates
    • C08G73/0661Preparatory processes from polycyanurates characterised by the catalyst used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0385Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は感光性組成物に関し、特に使用する光開始剤の
タイプに応じて、ポジまたはネガとして作用することの
できる感光性組成物に関するものである。
さらに本発明は熱硬化性である、カチオンで開始される
感光性組成物に関している。
これに加えて、本発明はこの感光性組成物を用いるレジ
スト画像の作戊をも指向するものである。
〔技術の背景〕
集積回路中の印刷配線板の製造に際して、基体上の金属
回路のようなパターンを形或するために、広く用いられ
ている方法の1つは基体のその区域の上に、あるいは金
属の沈着または金属の除去から保護するためメタルコー
トした基体上に、フォトレジスト材料のパターンを画像
状に形戊することである。この7才トレジスト層は、金
属の沈着または金属の除去工程で実質上影響されず、従
ってその下にある区域を保護するような、ポリマ性の、
有機材料から普通作られる。
パターンはリングラ7技術により、ガラスマスクのよう
な写真的画像を通じて、活性光線に対してフォトレジス
ト材料を画像状に露光することにより形或される。使用
する活性光線は通常X一線、UV放射線、または電子ビ
ーム放射線などである。
多数の7才トレジスト材料が知られており、所望のマス
クパターンを形戊することができる。
しかしながら、特に集積回路用の画像またはパターンマ
スクとして好適であると認められる画像特性(解像力と
鮮鋭度)を現わすとともに、ポジまt;はネガレジスト
のいずれかをも注文によって作り得るような組成物を提
供することは全く普通に行なわれることではない。
また永久的な保護被膜を形或できるような組成物を提供
することはさらに極めて困難なものであった。
印刷回路板およびカードの製造において使用される感光
性材料は、フォトレジストのように光分解プロセスによ
ってパターン化され、そしてこれはまた多くのフ才トレ
ジストと異なり、回路板の製造中または製造後も、1つ
またはそれ以上の追加的な機能上の効用を保持できるこ
とが望ましい。
〔発明の要点〕
本発明によれば、シアネートエステルはカチオン性光開
始剤と混合することにより、感光性とすることのできる
のが認められた。また、本発明によればシア不一トエス
テルを含む感光性組成物は、永久的に保持されるエッチ
マスク、ソルダマスク、メッキマスク、誘電性フイルム
および保護被膜のような機能を果たし得ることが認めら
れた。
実際に、本発明の光処理しうる被膜は良好な解像力(例
えば、シャープな鮮鋭度)を示すばかりでなく、優れた
機械的の諸特性と特にソルダマスクとして有用な高温耐
性とを備えていることが認められた。集積回路チップを
/kンダ付けでカードまた板に結合するときに経験する
温度(例えば、約360℃)に耐えることができる。
これに加えて、本発明では選ばれt;光開始剤のタイプ
に応じて、ポジまt;はネガのレジストを提供すること
が可能である。
特に、本発明は硬化可能なシア不一トエステルとカチオ
ン性の光開始剤とを含む感光性組成物に関するものであ
る。
これに加え、本発明は基体上に感光性組成物を備えたも
のを含む1〆ジスト像の作或方法にも関している。この
感光性組成物は硬化可能なシアネートエステルとカチオ
ン性光開始剤とを含んでいる。組成物は活性光線に対し
て所定のパターンで画像状に露光され、レジスト画像と
するために現像される。
〔発明を実行するための最良の方法〕
本発明により用いられるシアネートエステルは2個また
はそれ以上の一〇−CiN基をもち、エチレン性または
アセチレン性の不飽和を含みフリ一ラジカル硬化性の物
質どは対照的に、環状化することにより硬化される。従
って、本発明で用いられるシアネートエステルには、エ
チレン性またはアセチレン性不飽和は存在しない。
シア不一トエステルはモノマまたは好ましくはオリゴマ
を含むボリマとすることができ、以下の式の群を含む材
料と表示することができる: ここでAは独立に、単結合、−S−  −S−S−−S
O−、−SO1、−CO−、一CO,−、一〇−、−C
(CFa)2− ;−CH2−と一〇(CH3)2−の
ような2価のアルキレン基;○、SおよびNのようなヘ
テロ原子で置換された2価のアルキレン基;○、Sおよ
びNのようなヘテロ原子で鎖が中断された2価のアルキ
レン基;2価の環状アルキレン基および2価のアリーレ
ン基を表わす。
各Rは独立に、水素、C.〜,のアルキル、C.〜目の
アリール、C6〜.のアルクアリール、およびハロゲン
からなる群より選ばれたものである。
各nは独立に、0〜4の整数である。
本発明で用いることのできる特定のシアネートエステル
は容易に入手することができ、そして米国特許第4.1
95.132号;同第3,681.292号;同第4,
740,584号;同第4.745,215号;同第4
.477.629号;および同第4.546.131号
;欧州特許出願EP0 147548/82;およびド
イツ国特許公開第2611796号中に論じられたもの
が含まれ周知であり、これら各特許の説明を参考に挙げ
ておく。適当なシアネートエステルの実例は4.4′一
ジシアネートジフェニル、2.2’−ジシアネ−1・ジ
フェニル、3.3’.5.5’−テトラメチルー4,4
′−ジシアネートジフエニル、3.3’ .5.5’テ
トラクロ口−4,4′−ジシアネートジフェニル、3.
3’.5.5’−テトラク口ロー2.2′−ジシアネー
トジフェニル、2.2’.6.6’−テトラクロロ− 
4.4’−ジシアネートジフェニル、4.4′−ビスー
〔(3−シアネート)−7ェノキシ〕−ジ7工二ル、4
.4′−ビスー〔(4−シアネート)−7ェノキシ〕−
ジフェニル、2.2’−ジシアネート−1.1’−ビナ
フチル; 4,4’−ジシアネートジ7エニルエーテル
、3.3’,5.5’−テトラメチル−4.4’−ジシ
アネートエーテル、3.3’.5.5’テトラク口ロー
4.4’−ジシアネートジフェニルエーテル、4,4′
−ビスー〔p−シアネー1・7エノキシ〕−シフェニル
エーテル、4.4’−ビスー(p−シア不一トフェニル
イソプロビル〕−ジフェニルエーテル、4,4′−ヒス
ー(p−シアネートフェノキシ〕−ベンゼン、4,4′
−ビスー〔mーシアネートフェノキシ〕−ジフェニルエ
ーテル、4.4′−ビスー(4−(4−シア不−トフェ
ノキシ)一フェニルスルホン〕−ジフ・二二ルエーテル
; 4.4’−ジシアネートジフェニルスルホン、3.
3’ .5.5’−テトラメチル−4.4′−ジシアネ
ートジフェニルスルホン、3.3’,5.5’−テトラ
クロ口−4.4′−シシアネートジフエニルスルホン、
4,4′−ビスー〔p−シアネートフエニルイソプ口ピ
ル〕−ジ7エニルスルホン、4.4’−ビスー((4−
シアネート)−7エノキシ〕−ジ7二ニノレスノレホン
、4.4’− 1:’スー((3−シアネート)一フェ
ノキシ〕−ジフエニルスルホン、4.4′−ビスー(4
−(4−シアネートフエニルイソブロビル)一フエノキ
シ〕−ジフエニルスルホン、4.4′−ビスー〔4−シ
アネートフエニルスルホン)一フエノキシ〕−ジフエニ
ルスルホン、4.4′−ビスー(4−(4−シアネート
)ージフェノキシ〕−シフエニルスルホン, 4.4’
一ジシアネートジフエニルサルファイド, 4.4’一
ジシアネートジ7エニルメタン、4.4’−ビス(p−
シアネート7エニル〕−ジフエニルメタン、2.2−ビ
スー(p−シアネートフ二ニノレ)ープロパン、2,2
−ビス−(3.5−ジメチル−4一ンアネートフェニル
)一ブロバン、2.2−ヒス(3.5−ジクロロー4−
シアネートフ二ニノレ)一プロパン、1.1−ビスー〔
p−シアネート7エニル〕−シクロヘキサン、ビスー〔
2−シアネート−l−ナフチル〕−メタン、1,2−ビ
スー〔p−シアネートフェニル) −1.1,2.2−
テトラメチルエタン、4.4’−ジシアネートベンゾフ
ェノン、4.4′−ビス−(4−シアネート)−7エノ
キシベンゾフェノン、1.4−ビスー(p−シアネート
7エニルイングロピル〕−ベンゼン、2.2’.5.5
’−テトラシアネートジフェニルスルホンi 2,2’
−ビス(p−シアネート7エニル)へキサフルオ口プロ
パン:3〜5個のOCN基をもつノボラック(酸性液中
でホルムアルデヒドとフェノールまたはアルキルーもし
くはハロゲンー置換したフェノールとの反応生或物)の
ポリシアン酸エステルなどである。好ましく、シアネー
トエステルとして、オリゴマを含むプレポリマが使用さ
れる。芳香環の間に環状脂肪族の橋かけ基を含んだ、ポ
リ芳香系シアネートエステルの好適なもののl例は、ダ
ウケミカル社から「ダウXU−71787 001 シ
アネート」の名称の下に入手することができる。このよ
うな論説はBogan氏他の「低誘電性印刷回路板用の
新規なポリ芳香系シアネートエステル」、Sam e 
JournalVol. 24. No. 6. 19
88中テ見6 コトカテtk 6。
本発明の組成物はまた光開始剤、特にカチオン性開始剤
を含んでいる。ポジ作動型のホトレジスト組成物が必要
とされるとき、用いられる光開始剤は、活性光線に対す
る露光でブレンステッド酸を発生するようなものである
。このような光開始剤の実例は良く知られており、オニ
ウム塩特にピリジニウム、セレノニウム、スルホニウム
、およびヨードニウム塩のような、第VIA族および第
VIIA族塩などが含まれる。
多数の好適な光開始剤が米国特許第4,161,478
号;同第4.442,197号;同第4.139,65
5号:同第4.400,541号;同第4.197,1
74号;同第4.173.476号;および同第4.2
99.938号;および欧州特許出願第44/0094
914号と第84/0126712号などに述べられて
おり、これらの記載をここに参考に挙げておく。
まt;、Watt氏他の「カチオン重合の新規な光開始
剤:ビス(4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル〕−
サルファイドービスーへキサフルオロホス7エートの作
戊と特性J 、Journal ofPolymer 
Science : Polymer Chemist
ry Edition,Vol. 22, p. 17
89. 1980を見られt二い。
スルホニウムおよびヨードニウム塩に関するこの他の論
説は、例えばCrivello氏他の「トリアリールス
ルホニウムコンプレックス塩光開始剤.■.新規トリア
リールスルホニウムコンブレックス塩の調製と、光開始
されるカチオンVol.18, pp. 2697−2
714. 1980; Pappas氏他の「カチオン
重合の光開始.■.ジフェニルヨードニウムとトリフェ
ニルスルホニウム塩の光増感J 、Journal o
f Polymer Science : Polym
erChemistry Edition, Vol−
22. pp.77〜84,1984;Crivell
o氏他の「トリアリールスルホニウム塩により光開始さ
れるカチオン重合J、Journalof PolyI
ller Scisnce: Polymer Che
mistry Edi−tion, Vol.l7, 
pp.977〜999, 1979; Crivell
o氏他の「]・リアリールスルホニウムコンプレックス
塩光開始剤.■.新規のトリアリールスルホニウムコン
プレックス塩の確認、特性と合成J 、Journal
 of Polymer Science: Poly
merChemistry  Edition,Vo1
.18.pp.2677〜2695.1980 ;およ
びCrivello氏の「カチオン重合一ヨードニウム
とスルホニウム光開始剤J、Advancesin P
olymer Science,  #62.  p1
).1〜48.1984などに見ることができる。
スルホニウム塩の例は以下の式により表わされるアリー
ルアシルジアルキルおよびヒドロキシアリールジアルキ
ルスルホニウム塩である:○ 置 [RCC(R’)zS(R”)*)”lJQa−   
  (1)ここでRはC.〜.のl価芳香族有機基また
はC,〜口の置換された1価芳香族有機基,Rlは水素
、01〜.のアルキルおよびこれらの混合から選ばれた
l価の基;R2はC,〜1,のi価有機基;R3はC,
〜,のアルキル、ヒドロキシ、Cl〜,のアルコキシ、
ハロゲンおよびニトロから選ばれた1価基,R4はCl
〜,のアルキル基;Mは金属またはメタロイド;Qはハ
ロゲン;そしてdは4〜6の数である。
ア リールアシルジアルキルスルホニウム塩の例は: 0 である。
ヒ ドロキシアリ 一ルジアルキルスルホニウム 塩の例は: OH OH である。
この他の好適な光開始剤は: および などである。
ネガ作動のフォトレジストが必要のとき使用される光開
始剤は、活性光線に対する露光でノレイス酸を発生する
ようなものである。このような光開始剤の実例は良く知
られ、鉄アレン(iron arenes)が含まれる
。好適な光開始剤LこついてはMeier氏他の「鉄ア
レンコンプレックスによるエボキサイドの光開始カチオ
ン重合」、Journal  of Radiatio
n Curing,  10月号,  1986,pp
−26〜32 ; Meier氏他の「鉄アレン光開始
剤によるイメージングJ 、Journal  of 
 IroagingScience, Vol.30,
 No− 4. pp.174〜177. 1986;
Zweife1氏他の「カチオン性有機金属光開始剤に
よるイメージング) 、Polmer Preprin
t, Vol.26(2).  pp.347 〜34
8,  1985;およびMeier氏の「エボキサイ
ドの光重合一カチオン性の鉄アレンコンプレックスをベ
ースにした新しい光開始剤J 、Society of
 Manufacturing Engineers,
Technical Paper FC−85−417
.  1985などに論じられており、これらの記載を
ここに参考に挙げておく。鉄アレン光開始剤は次の式に
より表される: ここでLはフェニル、ナフチル、およびアンスラシルの
ようなアリール基であり、モしてXはSbFa−、PF
a−、AsFa−、BF4−、CF,$03\まt;は
C(204−のような非求核性のアニオンである。この
ような鉄アレンは、チバーガイギ社のCC,−061と
RD−356を含め、市場で入手することができる。
使用する光開始剤はそのタイプに応じてシアネートエス
テルの重合を、開始させるかまたは抑制するかのいずれ
かに充分な分量で存在させる。普通光開始剤の量は、固
体樹脂の重量を基準に約0.5〜約lO重量%、好まし
く約3〜約5重量%である。
所望されるならば、組成物は光開始の速さを増加させる
ために、過酸化クミルを含む過酸化物のような、フリー
ラジカル開始剤を含有させることができる。フリーラジ
カルは酸を発生する鉄アレンの分解を促進するものと考
えられる。
使用する場合は普通樹脂の重量を基準に約5重量%まで
の量、好ましく約0.005〜約3重量%の量で存在さ
せる。
ネガ型ホトレジストの場合、必要なればシアネー1・エ
ステルの重合を促進させるため、組成物に触媒を含有さ
せることができる。このような触媒には塩化アルミニウ
ム、3フッ化ホウ素、塩化第2鉄、塩化チタニウム、お
よび塩化亜鉛のようなルイス酸;酢酸ナトリウム、シア
ン化ナトリウム、シアン酸ナトリウム、チオシアン酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム、およびホウ酸ナトリウム
のような弱酸の塩類などが含まれる。好ましい触媒はコ
バルト、鉄、亜鉛、および銅のアセ1・酢酸塩またはオ
クタン酸塩またはナフテン酸塩のような、金属のカルボ
ン酸塩および金属キレートである。使用する触媒の量は
変えることができ、普通は全固体樹脂量を基準にo.o
os〜5重量%、好まし< 0.05〜0.5重量%で
ある。
さらに必要ならば、組成物は1種または数種の光増感剤
を含有することができる。適当な光増感剤にはベリレン
(ペリージナフタレン)、アンスラセン誘導体(例えば
、9−メチルアンスラセン)、色素lx(例えば、アク
リジンオレンジ、アクリジンイエロ、べ冫ゾフラビン)
、および2酸化チタニウムなどが含まれる。光増感剤を
使用するとき、普通は組成物の全固体重量を基準に約3
重量%までの量、好ましく約0.1〜約1.5重量%の
量に存在させる。
この他、シアネートエステルは有機モノマまたはオリゴ
マを含むボリマと混合することかできる。このボリマは
熱可塑性まt;は熱硬化性であることができる。有機変
性剤の例はエボキシ類、アリルエステル類、アセチレン
端末w脂類、多官能マレイミド樹脂類、フェノール類、
単官能または多官能ボリオール類、ポリエーテルイミド
類、ポリイミド類、シロキサンポリイミド類、フッ素含
有ポリイミド類、ポリエステル類、ポリアクリレート類
、ボリスルホン類、ポリエーテルスルホン類、ポリカー
ボネート類、およびアクリロニトリルーブタジエンース
チレンボリマ類などがある。
使用できるオキシラン環を含む適当なエポキサイド類は
良く知られており、そしてE.  III.Flick
氏の著書「エボキシ樹脂、硬化性剤、化合物、および変
性剤」、ノイス出版、1987 ; Lee氏とNev
 i l 1氏の共著「エボキシ樹脂」、マグロウヒル
社、1967 .および米国特許第4,680.341
号などに述べられている。
エポキシボリマの代表的な例には、エボキシ化されたノ
ポラックボリマと、エビクロヒドリンのようなハローエ
ボキシアルカンとビスフェノールーAのような多核2価
フェノールとからのボリエポキサイドが含まれる。混合
エポキサイド類も必要なときは用いることができる。
エポキシ化されたノポラックボリマは市場で入手するこ
とができ、またハローエボキシアルカンと7ェノールの
未架橋フェノール性アルデヒドとの反応による周知の方
法で作ることができる。フェノールは単核または多核フ
ェノールを用いることができる。単核フェノールは次の
式を有している: K5 ここでX,YおよびR,は約12よりも多くない炭素厚
子を含む炭化水素基である。
エボキシノポラックを作るのに適当なポリマを与えるア
ルデヒド縮合用の、フェノール性のヒドロキシ基に対し
てオルソまたはバラの2つの有効な位置をもつ炭化水素
置換フェノール(こは0−およびp−クレゾール、0−
およびp−エチルフェノール、0−およびp−イソブロ
ビルフェノール、0−およびp−t−ブ−+−ル7エノ
ール、0−およびp−sec−ブチルフェノール、0−
およびp−アミルフェノール、0−およびp−オクチル
フェノール、0−およびp−ノニル7エノール、2.5
−キシレノール、3.4一キシレノール、2.5−ジエ
チルフェノール、3.4−ジエチルキシレノール、2.
5−シイソブ口ビルフェノール、4−メチルレゾルシノ
ール、4ーエチルレゾルシノール、4−イソプロビルレ
ゾルシノール、4−t−プチルレゾルシノール、0−お
よびp−ペンジルフェノール、0−およU p − 7
エネチルフェノール、Q一およびp−フェニルフェノー
ル、0−およびp−トリルフェノール、0−8よびp−
キシリルフェノール、0−およびp−シクロヘキシルフ
ェノール、Q−およびp−シクロベンチルフェノール、
4一フェネチルレゾルシノール、4−トリルレゾルシノ
ール、および4−シクロレゾルシノールなどが含まれる
エボキシノボラックを作るのに適当な、フふノールアル
デヒド樹脂を調製するために使用できる各種のクロロ置
換フェノール類には。−およびp−クロロフェノール、
2.5−ジクロローフェノール、2.3−ジクロローフ
ェノール、3,4一シクロローフェノール、21ロロー
3−メチル−フェノール、2−クロロー5−メチルー7
ェノール、3−クロロー2−メチルーフェノール、5−
クロロ−2a−メチルーフェノール、3−クロロー4−
メチル−7ェノール、4−クロロー3−メチルーフェノ
ール、4−クロロー3−エチルーフェノール、4−クロ
ロ−3−イソ20ビル−7ェノール、3−1ロロー4−
フェニル−7ェノール、3−クロロー4−1口ロフェニ
ル−7ェノール、3.5−ジクロロー4一メチルーフェ
ノール、3.5−ジクロロ−5−メチルーフェノール、
3.5−ジクロロ−2−メチルーフェノール、2.3−
ジクロロ−5−メチルーフェノール、2.5−ジクロロ
ー3−メチルーフェノール、3−クロロ−4.5−ジメ
チル−フェノール、4−クロロー3.4−シメチルーフ
ェノール、2−クロロー3.5−ジメチル−フェノール
、5−クロロ−2.3−ジメチル−7エノール、5−ク
ロロー3 + 5−ジメチルーフェノール、2,3.5
− トリクロローフェノール、3.4.5− トリクロ
ロー7エノール、4−クロローレゾルシノール、4.5
−ジクロローレゾルシノール、4一クロロ−5−メチル
ーレゾルシノール、および5−クロロ−4−メチルーレ
ゾルシノールなどが含まれる。
アルデヒド縮合に有効な、フェノール性のヒドロキシ基
に対してオルソまたはパラの2つ以上の場所をもつ、代
表的なフェノール類で制御されI;アルデヒド縮合に使
用できるものは、フェノール、m−クレゾール、3.5
−キシレノール、m一エチルとm−イソプロビルフェノ
ール、m,m −シエチルトシイソプロビルフェノール
、m−プチルーフェノール、m−アミルフェノール、m
−オクチルフェノール、m−ノニルフェノール、レゾル
シノール、5−メチルーレゾルシノール、5−エチルレ
ゾルシノールなどである。
多核ジハイドリッタフェノールは次の式を有している。
: ここでArはナフチレンのような2価の芳香族炭化水素
で、好ましくフェニレンであリ;AトAIとは同一また
は異なることのできる、好ましく1〜4の炭素原子をも
つアルキル基、ハロゲンすなわちフッ素、塩素、臭素、
およびヨウ素、または好ましく1〜4の炭素原子をもつ
アルコキシ基であり;XとYとは0から最高芳香族基(
Ar)上の置換基により置換できる水素原子の数に相当
する値をもつ数であり、モしてR6はジヒドロキシジフ
二ニルにおけるように隣接する炭素原子間の結合である
か、または以下のものを含む2価の基で、例えば: −C−、−0−、−S−、一SO−、−SO,−、およ
び−S−S−■ 0 そしてアルキレン、アルキリデンのような2価の炭化水
素基、シクロ脂肪族、例えばシクロアルキレン、シクロ
アルキリデン基、ハロゲン化されt;、アルコキシまた
はアリールオキシで置換されたアルキレン、アルキリデ
ンおよびシクロ脂肪族基、同様にアルクアリーレンとハ
ロゲン化された、アルキル、アルコキシまたはアリール
オキシで置換された芳香族基を含む芳香族基およびAr
基と結合した環状のもの;またR′はポリアルコキシ、
またはポリシロキシ、または芳香族環、第3級アミノ基
、エーテル結合、カルボニル基まt;はスルホオキサイ
ドのようなイオウ含有基、その他により分離されている
2個またはそれ以上のアルキレン基とすることができる
多核2価フェノールの実例は、とくに2,2′ビスー(
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.4’−シヒド
ロキシジフェニルメタン、ビス−(2−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、ビスー(4一ヒドロキシフェニル)メタ
ン、ビス(4−ヒドロキシ−2.6−ジメチル−3−メ
トキシフェニル)メタン、1.1’−ビスー(4−ヒド
ロキシフェニノレ)エタン、1.2’− ヒス−(4−
ヒドロキシフェニル)エタン、1.1’−ビス−(4−
ヒドロキシ−2−クロロフェニル)エタン、1.1’一
ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、
l,3′−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2.2’− ヒスL ( 3ー7ェニル
−4−ヒドロキシ7エニル)プロパン、2,2′−ビス
−(3−イソプロビル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、2.2’− ヒス− (2−インプロビル−4−
ヒドロキシ7エニル)ベンタン、2.2’−ビスー(4
−ヒドロキシフェニル)ヘブタン、ビス−(4−ヒドロ
キシフエニル)7エニルメタン、ビスー(4−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキシルメタン、1.2’−ビス−
(4−ヒドロキシフエニル)−1.2’−ビス(フェニ
ル)プロパン、および2.2’−ビス−(4一ヒドロキ
シフエニル)−1−7エニループロパンのようなビス−
(ヒドロキシフエニル)アルカン類;ビスー(4−ヒド
ロキシフエニル)スルホン、2.4’−ジヒドロキシジ
フエニルスルホン、5′−クロロー2.4′−シヒドロ
キシジフエニルスルホン、および5′−クロロー4.4
’−ジヒドロキシジ7エニルスルホンのようなジ(ヒド
ロキシ7エニル)スルホン類;ヒスー(4−ヒドロキシ
フエニル)エーテル、4.4’−、4.2’ −2.2
t−、2,3′− ジヒドロキシジフエニルエーテル類
、4.4’−ジヒドロキシ−2,6−ジメチルージフエ
ニルエーテル、ヒス−(4−ヒドロキシ−3−インブチ
ルフエニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−イ
ンブロビルフエニル)エーテル、ビスー(4−ヒドロキ
シ−3一クロロフェニル)エーテル、ビス−(4−ヒド
ロキシ−3−フルオロフエニル)エーテル、ビス−(4
−ヒドロ千シ−3−プロモフエニル)エーテル、ビス−
(4−ヒドロキシナフチル)工一テル、ビスー(4−ヒ
ドロキシ−3−クロロナフチル)エーテル、ビス−(2
−ヒドロキシジフエニル)エーテル、4.4’−ジヒド
ロキシー2,6−ジメチルジフェニルエーテルおよび4
,4′ージヒドロキシ−2,5−ジエトキシジフェニル
工−テルのようなジ(ヒドロキシフエニル)工−テル類
などが含まれる。
好ましい多核2価フェノール類は次の式で表わされる: 二二でAとA1とは前に定義した通りであり、Xとyと
はOから4を含む数であり、モしてR.は脂肪族飽和炭
化水素基、特に1〜3個の炭素原子ヲモつアルキレンと
アルキリデン基、および10までの炭素原子をもつシク
ロアルキレン基である。もっとも好ましい2価フェノー
ルはビスフェノールA、つまり2.2’−ビス(p−ヒ
ドロキシフェニル)プロパンである。
縮合剤としては、使用される特定のフェノールと縮合す
るアルデヒドは何でも用いることができ、これらにはホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロビオンアルデ
ヒド、ブチルアルデヒド、ヘブタアルデヒド、シクロヘ
キサノン、メチルシクロヘキサノン、ベンズアルデヒド
、およびトルイルアルデヒドのように核にアルキル置換
したベンズアルデヒド、ナックルアルデヒド、フル7ラ
ルアルデヒド、グリオキザール、アクロレイン、ま1;
はパラアルデヒドやヘキサメチレンテトラミンのように
アルデヒドを放出しうる化合物などが含まれる。アルデ
ヒドは市販のホルマリンのような水溶液の形で使用する
こともできる。好ましいアルデヒドはホルムアルデヒド
である。
ハローエボキシアルカンは次の式で表わすことができる
: ここで又はハロゲン原子(例えば塩素、臭素およびその
他)であり、pは1〜8の整数、各R2は個々に水素ま
たは7個までの炭素原子のアルキル基であり;ここでエ
ポキシのアルキル基の炭素原子数は合計で10個を超え
ないものである。
エビクロヒドリンから導かれたような、グリシルエーテ
ル類は本発明の実施に際して特に好ましいものであるが
、もっと大きな炭素原子数のエポキシーアルコキシ基を
含むエポキシボリマも好適である。これらはl−クロロ
−2.3−エボキシブタン、1−クロ口−3.4−エボ
キシブタン、2−クロロ−3.4−エポキシブタン、l
−クロロ−2−メチル−2.3−エポキシプロパン、l
−ブロモ−2.3−エボキシペンクン、2−クロロメチ
ル−1.2−エボキシブタン、1一ブロモ−4−メチル
−3,4−エボキシペンタン、1−ブロモ−4−エチル
−2.3−エボキシペンタン、4−クロロー2−メチル
−2.3一二ポキシペンタン、1−クロ口−2.3−エ
ポキシオクタン、1−クロロー2−メチル−2.3−エ
ボキシオクタン、またはl−クロロー2.3−エポキシ
デカンのような、対応するモノヒド口キシエポキシアル
カンの塩化物または臭化物でエビクロヒドリンを置き換
えることにより作られる。
前述のものよりもさらに大きな炭素原子数をもつハロエ
ポキシアルカン類を使用することもできるが、全体で1
0個より多い炭素原子をもつものを用いても普通利点は
ない。
市場で入手できるエポキシ樹脂にはダウタクティクス7
42、シェルRSL−1107、エポン828、エボン
1031, ハイテクボリ?Epi−RezのSU−8
とSU−6、チバーガイギアラルダイl−(7)LT 
8011,LT 8052、LT 8049、LT 8
047、Cy 8043およびCY  179などが含
まれる。Epi−RezのSU−8は以下の式により表
わされる: ダウタクティクス742は次の式で表わされる:シェル
エボン1031は次の式で表わされる:トリアジンを含
む基をもつエボキシポリマは米国特許第4,489.2
02号中で述べられており、この記述を参考に挙げてお
く。
このほか前記のハロエボキシアルヵンと前記の多核2価
フェノールとのボリエポキサイドも使用することができ
る。この型の好ましいボリエボキサイドは、ビスフェノ
ールA(すなわち、2.2−ヒス(p−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン)とエビクロヒドリンとのボリエボキサ
イドである。
代表的のマレイミド類は市場で入手でき、また以下の構
造式で表わすことができる:O         O l11] 1{11 0        0 ここでRは−fcHzfのような2官能アルキレン基お
よび/または以下の式のような2価アリ−レン基である
、 しh3 いh 使用する好ましいビスマ1/イミ ドはメチレンジ アニリンビスマレイミドであり、 次式で表わさ れる: マレイミド樹脂を用いるときは、硬化を促進するために
熱感応性のフリーラジカル開始剤を使用するのが望まし
い。適当なフリーラジカル開始剤には過酸化ジクミルお
よび過酸化過安息香酸t−ブチルのような過酸化物類;
アゾビスイソブチロニトリルなどが含まれる。フリーラ
ジカル開始剤を使用するときは、組成物中のマレイミド
樹脂の量を基準に約0.5重量%までの量、好ましく約
o.oos〜約0.2重量%の量で存在させる。
市販のビスシアネート/ビスマレイミド混合物はBT*
脂として知られている。これは日本のミッピシガス化学
社から入手することができる。
有機変性剤を使用するときは組成物の全固体含有量を基
準に約80重量%まで、好ましく約60重量%までの量
で存在させることができる。
本発明の組成物はまたフユームシリ力、石英未、ガラス
、セラミック、ベーターオイクリプタイト、ベータース
ボデュメン、ゾルーゲルセラミックおよびマイクローバ
ルーンのような無機充填材を含ませることができる。無
機充填材は組成物の全固体含有量を基準に約75重量%
まで、好ましく約20〜約60重量%の量で存在させる
ことができる。
このほか、組成物は必要なときには塗布作業を容易とす
るために、非反応性の有機希釈剤を含ませることができ
る。適当な溶剤の例にはメチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトンおよびメチルアミルケトンのようなケト
ン類、およびメチレンクロライドが含まれる。希釈剤を
用いるときは塗布用の組成物とするのに充分な量で存在
させる。
組成物は、その上に写真処理される塗膜が普通利用され
る、エボキシ、シア不−トエステル、およびポリイミド
ベースのラミネートのような複合材、金属、セラミック
、およびガラスまたはその他の材料のような基体上に塗
布することができる。組成物はスピン法、スプレ法、デ
ィップ法、フイルムラミネートまたは組成物の浴中に基
体を通過させる、などの各種周知の方法で塗布すること
ができる。
組成物は基体上に塗布し、揮発性の溶剤が存在するとき
はこれを除いた後、この塗膜は活性光線好ましく紫外光
放射線に対し、0.1〜5ジュールのエネルギの範囲で
、所定のパターンに画像状露光をされる。この露光は所
定パターンの画像を担持する原板を通じて行われる。
シアネートエステルの組成物はついで約45℃〜約15
0℃、好ましく約70℃〜約1 2 0 ’Oの高めら
れた温度で処理される。この加熱は普通約5〜60分、
好ましく約lO〜約45分間行われる。
ネガ型の感光性組成物(ルイス酸を生ずるカチオン性開
始剤を含むもの)として作動する組成物の場合、露光と
その後の加熱は活性光線が当った区域の組成物の重合を
生ずる。一方ポジ型の感光性組成物(ブレンステッド酸
を生ずるカチオン性開始剤を含むもの)として作動する
組成物の場合、活性光線が当った区域はその後の加熱に
際して重合が抑制される。
活性光線に対する露光とその後の加熱の後で、塗膜はネ
ガ型レジストの場合活性光線の当らなかった区域を除く
ことにより、またポジ型1/ジストの場合活性光線の当
った区域を除くことにより現像をされる。これはフィル
ムを適当な溶剤に漬けるかまたはスブレすることにより
行われる。適当な溶剤にはメチルエチルヶトンとメチル
イソブチルケトンのようなケトン類;メチルカービトー
ル、プチルカービトール、メチルクロロホルム、α−プ
チロラクトンおよびメチルアミルケトンなどが含まれる
。溶剤は硬化した組成物はどの程度にもおかすことなく
、未硬化のシアネートエステル組成物を溶解するものが
選ばれる。適当な溶剤は、当業者には余分な実験をしな
くても、この明細書を見れば容易に決めることができる
さらに必要などきフィルムは約85″〜約360’C,
好ましく約1500〜約300℃の高められた温度で、
約20〜約180分間処理することにより後硬化される
ネガ型の感光性組成物はソルダマスク、永久レジスト、
および多層回路構造体に用いるための画像化しうる誘電
性材料どしても用いることができる。
以下の非限定的の実施例は本発明の好ましい具体例を示
すt;めのものであり、ここに記載された事項に限定さ
れるものではない。
実施例 l ハイーテクボリマ社からアロCy B−405の商品名
で入手することのできる、メチルエチルヶトン中の2.
2−ビス(p−シアネートフェニル)一プロパンブレポ
リマの固体分75%溶液の約1oo重量部と、メチルエ
チルヶトン約33重量部と、そしてムーネイケミカル社
からHex−Cemの商品名の下に入手することのでき
る、ミネラルスピリット中のオクタン酸亜鉛溶液(亜鉛
分8%)の約0.2重量部とを混合することにより、シ
アネートエステル組成物のスI・ツク液を作った。
上記のシアネートエステル組成物のストック液の約10
重量部に対して、チバーガイギ社の光開始剤RD−35
6の約0.3gを添加した。
この溶液をエボキシーガラスファイバラミネートクーボ
ン上に20号ワイヤロッドにより塗布し、ついで強制気
流オーブン中100゜0で5分間乾燥して、乾燥膜厚l
4ミクロンのフィルムを作った。このレジストフィルム
は、ついでガラスマスクの下に約1.5ジュールのU.
V.光線に露光し、つぎに約100℃で約10分間加熱
した。メチルイソブチルケトンを入れたビーカ中で現像
した後、クーポンはさらに硬化させるために約177゜
Cで約30分間加熱した。この処方はネガ作動型のレジ
ストを与える。
実施例 2 ハイーテクボリマ社からアロCy B−405の商品名
で入手することのできる、メチルエチルヶトン中の2.
2− ヒス(p−シアネートフェニル)一ブロバンの固
体分75%溶液の約40重量部と、ムーネイケミカル社
からHex−Cemの商品名の下に入手することのでき
る、ミ不ラルスピリット中のオクタン酸亜鉛溶液(亜鉛
分8%)の約0.6重量部と、そしてチバーガイギ社の
光開始剤RD−356の約1.5重量部とを混合するこ
とにより、シアネートエステル感光性組成物を作った。
混合後上記の溶液は厚み10ミル(0.25mm)の銅
片上にワイヤロッドにより塗布し、強制気流オーブン中
約60゜Cで約工5分間乾燥させた。乾燥しt;フィル
ムの厚みは約1ミル(0.025mm)であった。試料
はライン解像カパターンとスタウファグラフィックアー
ツウエッジとを通じて、954mJのU.V.光線に対
し露光した。ついで試料は約100゜Cのオーブン中で
約30分間加熱し、つぎにプチルカービトール/MIB
K(75%/25%)の液中で約2分間現像しI;。試
料はさらに硬化させるt;めに約250゜Cで30分間
加熱した。得られたレリーフ像はlミル( 0.025
mm)の線と1ミルのスペースとをもつ非常に良好な解
像力と、5段のステップとを保持していた。この処方は
ネガ作動型レジス]・を与える。
実施例 3 メチルエチルケトン約50部と、ミツビシ社からBT−
2170の商品名で入手できるビスマレイミド/トリア
ジン/シアン酸エステルの約20部と、チバーガイギ社
から入手できるアラルダイ1・LT−8011エボキシ
の約15部と、CY−179エボキシノ約lS部ト、ソ
シテ光開始剤GEUVE−1014Mf71約5部を混
合することにより感光性組成物を作った。組成物はエボ
キシーガラスラミネート上に塗布し、メチルエチルケト
ンを除くために乾燥された。試料はついでガラスマスク
の下に置き2ジュールのU.V.光線に露光した。露光
後、試料は約130’〜155℃で約l1分間強制空気
オーブン中で加熱しt;。組成物をメチルエチルケトン
中で現像することにより得られた画像は露光された区域
が洗い去られている。試料は塗膜の硬化を完或させるた
めに300°F(148.9℃)で約30分間加熱され
る。
実施例 4 アラルダイトLT  8011の約3重量部と、BT−
217CI)約7重量部と、モしテGEUVE−101
4Mノ約5重量部を含む組、戊物とした以外は実施例3
がくり返された。この組成物はポジ型レジストとして作
用する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)硬化可能なシアネートエステルまたはそのプレポリ
    マとカチオン性の光開始剤とを含む感光性組成物。 2)光開始剤は活性光線に対する露光に際してブレンス
    テッド酸を発生するカチオン性開始剤であり、そして該
    組成物はポジ型感光性組成物である、請求項1に記載の
    組成物。 3)光開始剤は第VIA族または第VIIA族元素のオニウ
    ム塩である、請求項2に記載の組成 物。 4)光開始剤はスルホニウム塩である、請求項2に記載
    の組成物。 5)光開始剤は活性光線に対する露光に際してルイス酸
    を発生するカチオン性開始剤であり、そして該組成物は
    ネガ型感光性組成物である、請求項1に記載の組成物。 6)光開始剤は鉄アレン化合物である、請求項5に記載
    の組成物。 7)鉄アレン化合物は次の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでLはアリール基であり、Xは非求核性アニオン
    である)により表わされるものである、請求項6に記載
    の組成物。 8)光開始剤は固体樹脂の重量を基準に約0.5〜約1
    0重量%の量に存在するものである、請求項1に記載の
    組成物。 9)光開始剤は使用された固体樹脂を基準に約3〜約5
    重量%の量に存在するものである、請求項1に記載の組
    成物。 10)シアネートエステルは次の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでAは独立して単結合、S、S−S、SO、SO
    _2、CO、CO_2、O、C(CF_3)_2、2価
    のアルキレン基、ヘテロ原子で置換された2価のアルキ
    レン基、アルキレン鎖中においてヘテロ原子で中断され
    ている2価のアルキレン基、2価の環状アルキレン基、
    および2価のアリーレン基を表わし、各Rは独立して水
    素、C_1_〜_6のアルキル、C_6_〜_1_4の
    アリール、C_6_〜_1_4のアルクアリール、およ
    びハロゲンから選ばれた基であり、そして各nは独立し
    て0〜4の整数である)の群を含む材料により表わされ
    るものである請求項1に記載の組成物。 11)固体樹脂の重量を基準に、約5重量%までのフリ
    ーラジカル開始剤をさらに含むものである、請求項1に
    記載の組成物。 12)シアネートエステルはプレポリマである、請求項
    1に記載の組成物。 13)組成物の全固体を基準に、約0.005〜約5重
    量%の触媒をさらに含むものである、請求項1に記載の
    組成物。 14)触媒は弱酸の塩である、請求項13に記載の組成
    物。 15)触媒はオクタン酸亜鉛である、請求項13に記載
    の組成物。 16)光増感剤をさらに含むものである、請求項1に記
    載の組成物。 17)有機モノマもしくは有機ポリマ、またはこの両者
    をさらに含むものである、請求項1に記載の組成物。 18)有機ポリマはエポキシポリマである、請求項17
    に記載の組成物。 19)有機モノマはマレイミドである、請求項17に記
    載の組成物。 20)マレイミドは次の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでRは2価のアルキレン基または2価のアリーレ
    ン基である)により表わされるものである請求項19に
    記載の組成物。 21)マレイミドはメチレンジアニリンビスマレイミド
    である、請求項20に記載の組成物。 22)フリーラジカル開始剤をさらに含むものである、
    請求項20に記載の組成物。 23)無機充填材をさらに含むものである、請求項1に
    記載の組成物。 24)シアネートエステルは2、2−ビス(p−シアネ
    ートフェニル)プロパン、2、2−ビス(p−シアネー
    トフェニル)ヘキサフルオロプロパン、およびそれらの
    プレポリマの群から選ばれたものである、請求項1に記
    載の組成物。 25)シアネートエステルは芳香族環の間に環状脂肪族
    の橋かけ基を含むポリ芳香族シアネートエステルである
    、請求項1に記載の組成 物。 26)基体上にカチオン硬化しうるシアネートエステル
    と光開始剤とを含む感光性組成物を準備し; 活性光線に対し所定のパターンで該組成物 を画像状に露光し;そして レジスト画像とするために現像する、 ことからなる、レジスト画像の作成方法。 27)画像状露光の後であって現像の前に組成物を約4
    5℃〜約150℃の温度とすることをさらに含むもので
    ある、請求項26に記載の方法。 28)現像の後に組成物を約85℃〜約360℃の温度
    とすることをさらに含むものである、請求項27に記載
    の方法。 29)活性光線は紫外線である、請求項26に記載の方
    法。 30)レジスト画像はソルダマスクである、請求項26
    に記載の方法。 31)レジスト画像は永久的のレジスト像である、請求
    項26に記載の方法。 32)レジスト画像は多層回路構造体中に誘電性材料を
    提供するものである、請求項26に記載の方法。
JP2160076A 1989-07-20 1990-06-20 感光性組成物 Expired - Lifetime JPH0670712B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38231189A 1989-07-20 1989-07-20
US382,311 1989-07-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0358050A true JPH0358050A (ja) 1991-03-13
JPH0670712B2 JPH0670712B2 (ja) 1994-09-07

Family

ID=23508410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2160076A Expired - Lifetime JPH0670712B2 (ja) 1989-07-20 1990-06-20 感光性組成物

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5464726A (ja)
EP (1) EP0413087A1 (ja)
JP (1) JPH0670712B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011215360A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toyobo Co Ltd 感光性樹脂組成物

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215860A (en) * 1988-08-19 1993-06-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-curable cyanate compositions
GB9121795D0 (en) * 1991-10-14 1991-11-27 Minnesota Mining & Mfg Positive-acting photothermographic materials
US5206383A (en) * 1992-01-28 1993-04-27 Allied-Signal Inc. o,o'-bismaleimide resin systems
DE69324942T2 (de) * 1992-02-14 1999-10-07 Shipley Co Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren
US5262280A (en) * 1992-04-02 1993-11-16 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions
GB9318872D0 (en) * 1993-09-11 1993-10-27 Unisersity Fo Leeds The Polymer resin
US5741879A (en) * 1995-03-03 1998-04-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-polymerizable compositions comprising a cyanate ester monomer or oligomer and a polyol
EP0759329B1 (en) * 1995-07-26 2006-03-08 Hughes Electronics Corporation Cyanate ester films that promote plating adhesion to cyanate ester graphite composites
DE19533607A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
KR100294715B1 (ko) * 1995-09-14 2001-09-17 포만 제프리 엘 경화된 감광성 폴리시아누레이트 레지스트,그로부터 제조된 구조체 및 그의 제조방법
US6790473B2 (en) * 1995-10-26 2004-09-14 International Business Machines Corporation Lead protective coating composition, process and structure thereof
KR20000064468A (ko) * 1995-12-21 2000-11-06 그래햄 이. 테일러 땜납마스크조성물
US5903046A (en) 1996-02-20 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device having cyanate ester buffer coat
US6187504B1 (en) 1996-12-19 2001-02-13 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
US5885745A (en) * 1997-04-28 1999-03-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photoimageable compositions comprising polyquinoline polymer and photogenerable acid precursor
DE59802943D1 (de) * 1997-06-30 2002-03-14 Siemens Ag Reaktionsharzmischungen und deren Verwendung
US6156870A (en) * 1997-07-31 2000-12-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Resin composition which can be cured by application of heat or irradiation of light, film, laminate and production of multilayer wiring board
US20010020071A1 (en) 1997-10-10 2001-09-06 Capote Miguel Albert High performance cyanate-bismaleimide-epoxy resin compositions for printed circuits and encapsulants
EP1119015A4 (en) * 1998-09-29 2007-08-22 Hitachi Hppl METHOD FOR MANUFACTURING A PLASMA SCREEN AND SUBSTRATE STRUCTURE
JP2000256437A (ja) * 1999-03-09 2000-09-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感光性樹脂および組成物
US6436605B1 (en) * 1999-07-12 2002-08-20 International Business Machines Corporation Plasma resistant composition and use thereof
JP2001048982A (ja) * 1999-08-09 2001-02-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感光性樹脂。
US8318292B2 (en) * 2008-03-26 2012-11-27 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin sheet with copper foil, multilayer printed wiring board, method for manufacturing multilayer printed wiring board and semiconductor device
WO2016021511A1 (ja) * 2014-08-08 2016-02-11 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
US9281212B1 (en) 2014-10-17 2016-03-08 International Business Machines Corporation Dielectric tone inversion materials
GB201517273D0 (en) * 2015-09-30 2015-11-11 Univ Manchester Resist composition
KR102561006B1 (ko) * 2017-05-15 2023-07-28 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5036210A (ja) * 1973-06-20 1975-04-05
JPS5546746A (en) * 1978-09-06 1980-04-02 Minnesota Mining & Mfg Positive type photosensitive composition and product thereof
JPS58160950A (ja) * 1982-02-22 1983-09-24 ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− ポジ的に作用する感光性組成物
JPS6290648A (ja) * 1985-09-23 1987-04-25 チバ−ガイギ− アクチエンゲゼル シヤフト 光重合性組成物、その光重合方法及び写真レリ−フ画像の形成方法
JPS643648A (en) * 1987-06-12 1989-01-09 Ciba Geigy Ag Photoresist composition

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL280959A (ja) * 1961-07-28
DE1190184B (de) * 1963-06-25 1965-04-01 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von hochmolekularen Polytriazinen
US3694410A (en) * 1969-03-05 1972-09-26 Minnesota Mining & Mfg Use of chelates in preparing polycyanurates
US3808006A (en) * 1971-12-06 1974-04-30 Minnesota Mining & Mfg Photosensitive material containing a diaryliodium compound, a sensitizer and a color former
US3741769A (en) * 1972-10-24 1973-06-26 Minnesota Mining & Mfg Novel photosensitive polymerizable systems and their use
US4110364A (en) * 1974-03-19 1978-08-29 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curable resin compositions of cyanate esters
US4136102A (en) * 1974-05-02 1979-01-23 General Electric Company Photoinitiators
US4028393A (en) * 1975-02-22 1977-06-07 Bayer Aktiengesellschaft Process for the production of polyfunctional cyanic acid esters
US4245029A (en) * 1979-08-20 1981-01-13 General Electric Company Photocurable compositions using triarylsulfonium salts
JPS56141321A (en) * 1980-04-08 1981-11-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Photosetting resin composition
US4429112A (en) * 1981-06-02 1984-01-31 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Process of delaying cure of curable resin composition containing cyanate ester compound with benzene sulfonic acid compound
US4442197A (en) * 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
US4528366A (en) * 1982-09-28 1985-07-09 The Dow Chemical Company Production of polytriazines from aromatic polycyanates with cobalt salt of a carboxylic acid as catalyst
US5089536A (en) * 1982-11-22 1992-02-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy polmerizable compositions containing organometallic initiators
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
US4751138A (en) * 1986-08-11 1988-06-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive having radiation curable binder
ES2021391B3 (es) * 1986-09-19 1991-11-01 Ciba-Geigy Ag Procedimiento para endurecer recubrimientos de poliisocianato.
US4876153A (en) * 1987-04-09 1989-10-24 Basf Corporation Process for the preparation of cyanate resin-based prepregs and films which maintain their tack
US5215860A (en) * 1988-08-19 1993-06-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-curable cyanate compositions

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5036210A (ja) * 1973-06-20 1975-04-05
JPS5546746A (en) * 1978-09-06 1980-04-02 Minnesota Mining & Mfg Positive type photosensitive composition and product thereof
JPS58160950A (ja) * 1982-02-22 1983-09-24 ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− ポジ的に作用する感光性組成物
JPS6290648A (ja) * 1985-09-23 1987-04-25 チバ−ガイギ− アクチエンゲゼル シヤフト 光重合性組成物、その光重合方法及び写真レリ−フ画像の形成方法
JPS643648A (en) * 1987-06-12 1989-01-09 Ciba Geigy Ag Photoresist composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011215360A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toyobo Co Ltd 感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0413087A1 (en) 1991-02-20
JPH0670712B2 (ja) 1994-09-07
US5605781A (en) 1997-02-25
US5464726A (en) 1995-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0358050A (ja) 感光性組成物
US4940651A (en) Method for patterning cationic curable photoresist
US5059512A (en) Ultraviolet light sensitive photoinitiator compositions, use thereof and radiation sensitive compositions
US4624912A (en) Thermally transferable layers of radiation sensitive epoxy resins used to prepare protective coatings and relief images
EP0249139B1 (en) Resist compositions and use
CA1183038A (en) Process for the formation of images using a composition including an epoxide resin, a benzenoid polyamine and an aromatic acid progenitor
JPS60158441A (ja) 画像形成方法
JPH0641398A (ja) 輻射線感受性組成物
EP1698936A2 (en) Negative-type photosensitive resin compositions
JP2008026660A (ja) 感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP2003195518A (ja) フォトレジスト用現像液
JPS6213657B2 (ja)
JP2648807B2 (ja) 乾式現像可能なホトレジスト組成物および画像形成方法
WO2008010521A1 (fr) Composition de résine photosensible
US5362607A (en) Method for making a patterned resist substrate composite
US5919596A (en) Toughened photosensitive polycyanurate resist, and structure made therefrom and process of making
KR101013187B1 (ko) 페놀-비페닐렌 수지를 함유하는 네거티브형 감광성 수지조성물
JP2597886B2 (ja) ホトレジスト組成物
US20020076650A1 (en) I-line photoresist compositions
TWI425311B (zh) 感光性樹脂組成物、其層合物、其硬化物及使用該組成物之圖型的形成方法(3)
JP2002503829A (ja) ポジ作用光誘電性組成物
JP4789727B2 (ja) 感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方法
US5098816A (en) Method for forming a pattern of a photoresist
US5110711A (en) Method for forming a pattern
WO2008007762A1 (fr) Composition de résine photosensible, produit stratifié de celle-ci, objet durci obtenu à partir de celle-ci, et procédé de formation d'un motif à partir de la composition (2)