JPH0354462B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0354462B2 JPH0354462B2 JP57007782A JP778282A JPH0354462B2 JP H0354462 B2 JPH0354462 B2 JP H0354462B2 JP 57007782 A JP57007782 A JP 57007782A JP 778282 A JP778282 A JP 778282A JP H0354462 B2 JPH0354462 B2 JP H0354462B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask
- active layer
- insulating film
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007782A JPS58124278A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ショットキゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007782A JPS58124278A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ショットキゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124278A JPS58124278A (ja) | 1983-07-23 |
| JPH0354462B2 true JPH0354462B2 (OSRAM) | 1991-08-20 |
Family
ID=11675238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007782A Granted JPS58124278A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | ショットキゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124278A (OSRAM) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123779A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57007782A patent/JPS58124278A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124278A (ja) | 1983-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5153683A (en) | Field effect transistor | |
| JPS60226185A (ja) | 縦型電界効果トランジスタ | |
| JPH0354462B2 (OSRAM) | ||
| JPS58123779A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH02231731A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS616871A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6286870A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6025028B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0434822B2 (OSRAM) | ||
| JP2735216B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60144980A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH032339B2 (OSRAM) | ||
| JP2893776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5879770A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ | |
| JPS6155967A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH032340B2 (OSRAM) | ||
| JPS58123777A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPS6070770A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6329420B2 (OSRAM) | ||
| JPS5880873A (ja) | シヨツトキゲ−ト型電界トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6195571A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0330984B2 (OSRAM) | ||
| JPS58123778A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPH05291576A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0263298B2 (OSRAM) |