JPH035445A - 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法 - Google Patents

新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法

Info

Publication number
JPH035445A
JPH035445A JP14010789A JP14010789A JPH035445A JP H035445 A JPH035445 A JP H035445A JP 14010789 A JP14010789 A JP 14010789A JP 14010789 A JP14010789 A JP 14010789A JP H035445 A JPH035445 A JP H035445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
compound
compound represented
charge
diamino
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14010789A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Shimada
知幸 島田
Masaomi Sasaki
正臣 佐々木
Tamotsu Ariga
保 有賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP14010789A priority Critical patent/JPH035445A/ja
Priority to US07/530,166 priority patent/US5047590A/en
Publication of JPH035445A publication Critical patent/JPH035445A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並び
にそれらの!!を進方法に関し、詳しくは有機光導電体
を製造するための中間原料として有用なジニトロ化合物
及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
電子写真感光体の一つの形態である積層感光体は、周知
のように導電性支持体上に、光によって電荷担体を発生
する能力を有する電荷発生顔料を主成分とする電荷発生
層と、その上に電荷発生層で発生した電荷担体を効率よ
く注入し、更にこれを搬送する能力を有する電荷搬送物
質を主成分とする電荷搬送層とを設けた感光体である。
従来、このような感光体に使用される電荷発生顔料とし
て、種々のアゾ化合物が有用であることが知られている
。例えば、特開昭47−37543号公報、同52−5
5643号公報等に記載されているベンジジン系ビスア
ゾ化合物や特開昭52−8832号公報に記載されてい
るスチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭58−222+
52号公報に記載されているジフェニルヘキサトリエン
系ビスアゾ化合物、特開昭58−222153号公報に
記載されているジフェニルブタジェン系ビスアゾ化合物
等が知られている。
また、電荷搬送1−に用いられる電荷搬送物質としては
、例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール、トリフェニ
ルアミン化合物(米国特許第3,180,730号明細
書)、ベンジジン化合物(米国特許第3,265゜49
6号明細書、特公昭39−11546号公報、特開昭5
3−27033号公報)等のような数多くの提案がなさ
れている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、これらの有機光導電体は優れた特性を有して
おり、実用的にも価値が高いと思われるものであるが、
電子写真法における感光体に対するいろいろな要求を考
慮すると、これらの要求を充分に満足するものはなかな
か得られ難く、活発な研究が行なわれているのが現状で
ある。
従って1本発明の目的は、基本的な電子写真特性を満足
する電子写真感光体、特に積層型感光体に用いられる電
荷発生顔料若しくは電荷搬送物質を製造するための中間
原料として有用な、ジニトロ化合物及びジアミノ化合物
並びにそれらの製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、下記一般式(I) 一般式(It ) (式中、I<は水素原子又はメチル基を表わす、)で示
されるジアミノ化合物が提供される。
更に、本発明によれば、下記一般式(Ill)xくトロ
鳴 (Il[) (式中、Xはハロゲンクズ子を表わす、)で示される4
′−ハロゲノ−4−二j−口(1,1’−ビフェニル)
と下記一般式(IV) R+12 (IV) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
れるアミノ化合物を反応させることを特徴とする下記一
般式(1) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
れるジニトロ化合物が提供され、また下記l( (式中、Rは前記と同じ、) で示されるジニトロ化合物の製造方法が提供され、また
、下記−数式(1) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
れるジニトロ化合物を還元することを特徴とする下記−
数式(II) (式中、Rは前記と同じ、) で示されるジアミノ化合物の製造方法が提供される。
本発明における前記−数式(+)で示されるジニトロ化
合物及び前記−数式(■)で示されるジアミノ化合物は
何れも新規物質であって、前者は前記−数式(III)
で示される4′−ハロゲノ−4−二トロ (1゜1′−
ビフェニル)と前記−数式(IV)で示されるアミノ化
合物とを反応させることによって得られ、また後者は前
記−数式(りで示されるジニトロ化合物を還元すること
によって得られる。
詳しく説明すると、前記−数式(りで示されるジニトロ
化合物は、前記−数式(m)で示される4′−ハロゲノ
−4−二トロ(1,1’−ビフェニル)と前記−数式(
IV)で示されるアミノ化合物に、銅粉あるいはハロゲ
ン化銅などとアルカリ塩(縮合反応中に生じるハロゲン
化水素を中和するのに充分な址)とを加え、溶媒中又は
無溶媒で窒素雰囲気下、加熱する所謂ウルマン反応によ
り製造することができる。
この場合、アルカリ塩としては、苛性ソーダ、苛性カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げること
ができる。また1反応溶媒としては、ニトロベンセン、
ジクロルベンゼン、キノリン、N、N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン
、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンなどを挙げ
ることができる。
また、このようにして得られた前記−数式(りで示され
るジニトロ化合物から前記−数式(n)で示されるジア
ミノ化合物を得るための還元反応としては、例えば水素
添加法を挙げることができる。
この反応においては、均一系触媒を使用する系と不均一
系触媒を使用する系がある。均一系触媒としては、ロジ
ウム、ルテニウム、イリジウム、コバルトなどの■属金
属元素の錯化合物が、不均一系触媒としては、白金化合
物、ラネーニッケル。
あるいは活性炭、アルミナ若しくは硫酸バリウムなどに
担持された白金、パラジウム、ロジウム若しくはルテニ
ウムなどが使用される。この場合。
後処理が簡単な不均一系触媒を用いるのが好ましい。
不均一系触媒を用いる系では、反応系を密閉系とし、気
相部を1気圧の水素ガスで置換して激しく撹拌する事に
より反応させる。吸収された量に応じて水素ガスが供給
される減圧弁を介して、水素ガスを供給する。理論量の
水素ガスを吸収した時点で吸収が停止するので、反応終
了とする。この場合、反応温度は室温で良いが、水素ガ
スの吸収が遅い場合は加温しても良い、また反応溶媒に
は、メタノール、エタノール、プロパツール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、酢酸エチルなどを使用するこ
とができる。
また、他の還元反応としては、鉄−塩酸、塩化第−錫一
塩酸等を還元剤として、有機溶媒中、加熱する方法を挙
げることができる。この場合、反応温度としては70〜
120℃が好ましく、反応は約0゜5〜3時間で完結す
る。なお、鉄−塩酸還元剤を用いた場合は、N、N−ジ
メチルホルムアミド中で行なうことが好ましい。
本発明に係る前記−数式(■)で示されるジアミノ化合
物からは、電子写真感光体、特に積層型感光体に用いら
れる有機光導電体、例えば電荷発生顔料として有用なビ
スアゾ化合物や電荷搬送物質として有用なトリアミン化
合物が容易に得られる。
〔発明の効果〕
請求項(1)の前記−数式(1)で示される新規なジニ
トロ化合物及び請求項(2)の前記−数式(■)で示さ
れる新規なジアミノ化合物は、電子写真感光体、特に積
層型感光体に用いられる電荷発生顔料ないし電荷搬送物
質を製造するための中間77に料、即ち前1!iμ物質
として非常に有用なものである。
また、請求項(3)の前記一般式([)で示されるジニ
トロ化合物の製造方法は、ウルマン反応を利用する縮合
反応であり、更にXt’J求項(4)の前記−般式(■
)で示されるジアミノ化合物の製造方法は、通常の還元
反応であるので、工業的に極めて有利な製造方法という
ことができる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例によりシを細に説明する。
実施例1 41−ヨード−4−二トロ(1,1’−ビフェニル)2
6.01g(O,Oaモル)、p−トルイジン4.29
g(0,04モル)、銅粉0.25g及び炭酸カリウム
16.59gにニトロベンゼン150−を加え、窒素気
流下、エステル管で共沸脱水しながら、 211”Cで
18時間撹拌した。室温まで放冷した後、セライトを用
いて濾過し、濾液から減圧下でニトロベンゼンを留去し
た後、残渣をクロロホルムで抽出、水洗し、次いで硫酸
マグネシウムで1:吃なし、更に減圧濃縮して、暗褐色
の固体を得た。これをシリカゲルカラム処理〔溶離液;
トルエン〕し、エタノール/トルエン混合溶媒から再結
晶して、下記で示される赤色針状結晶のN、N−ビス(
4′−二1−口(1,1’−ビフェニル)−4−イル)
−p−hルイジン10,07g(収$50.2%)を得
た。
し111 得られた化合物の融点は221.5〜222.5℃であ
り、またその元素分析値はC3□11□3N、04とし
て下記の通りであった。
6%   N%   N% 実測値   74.18  4,63  8.23計算
値   ?4.24  4.62  8.38この化合
物の赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示
す。第1図から判るように、1510,1340(!m
−’にニトロ基の伸縮振動に基く吸収が認められた。
実施例2 N、N−ビス(4′−ニトロ(1,1’−ビフェニル)
−4−イル)−P−トルイジン7.09gをテトラヒド
ロフラン140−に溶かし、これに錦パラジウムー炭素
0.71gを加えて、18℃、水素圧1気圧で振とう大
水素化装置にて水素化した。水素化終了後セライトを用
いて濾過し、濾液を減圧濃縮して薄桃色の粉末を得た。
これをメタノール、次いで水と共に還流撹拌して。
下式で示される薄桃色粉末のN、N−ビス(4′−アミ
ノ(1,1’−ビフェニル)−4−イル)−p−トルイ
ジン5.11g(収率81.9%)を得た。
℃(ピーク)→126℃にブロードな吸熱ピークを示し
、またその元素分析値はC,、l(2□N3として下記
の通りであった。
6%   N%   N% 実測値   84.5g   6.35  9.48計
算値   84,32  6,16  9.52この化
合物の赤外吸収スペクトル(KBrBr法)を第2図に
示す。第2図から判るように、 3460.33801
″1に第1級アミンの伸縮振動に基く吸収が認められた
実施例3 実施例1におけるp−トルイジンの代わりにアニリンを
用いた以外は、実施例1と同様に操作して、下式で示さ
れる赤色針状結晶のN、N−ビス(4′−二トロ(1,
1’−ビフェニル)−4−イル)アニリンを得た。
し− 得られた化合物は、DSC8111定において108℃
→115得られた化合物の融点は276.0〜277.
0℃であり、またその元素分析値はC1゜11□、N、
 0.として下記の通りであった。
0%  N%  N% 実測値   74,06  4.16  8.54計算
値   73,91  4.34  8.62この化合
物の赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第3図に示
す。
実施例4 実施例2におけるN、N−ビス(4′−二トロ(1,1
’−ビフェニル)−4−イル)−p−)ルイジンの代わ
りに、N。
N−ビス(4′−二トロ(1,1’−ビフェニル)−4
−イル)アニリンを用いた以外は、実施例2と同様に操
作して、下式で示される薄灰色粉末のN、N〜ビス(4
′−アミノ(1,1’−ビフェニル)−4−イル)アニ
リンを得た。
またその元素分析値はC1゜Hl S N3として下記
の通りであった。
0%   N%   N% 実1111値   84,45  5.84  9.9
7計算値   84,28  5,89  9.83こ
の化合物の赤外吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第4
図に示す。
応用例1 実施例2で製造したN、N−ビス(4′−アミノ(1,
1’−ビフェニル)−4−イル)−p−トルイジンをジ
アゾ化して得られた下記式(V) Uち で示されるテトラゾニウム塩化合物と、下記式(VI)
得られた化合物の融点は230.5〜231.5℃であ
り、で示されるカップラーとをカップリング反応させて
、下記式(■) で示されるビスアゾ化合物を合成した。
次に、このビスアゾ化合物(電荷発生物質として)7.
5部及びポリエステル樹脂〔■東洋紡績製バイロン20
0〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボー
ルミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗
布し、自然乾燥して約1μl厚の電荷発生層を形成した
0次に、電荷搬送物質として、1−フェニル−3−(4
−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン2部をポリカーボネート樹脂〔
■音大製パンライトに一1300〕の10%テトラヒド
ロフラン溶液に溶解し、この溶液を前記電荷発生層上に
ドクターブレードで塗布し、80℃で2分間、次いで1
20℃で5分間乾燥して厚さ約20−の電荷輸送層を形
成した。
次に、こうして得られた積層型電子写真感光体の可視域
での感度を調べるため、この感光体について静電複写紙
試験装置〔■川口電機製作所製5P428型〕を用いて
暗所で一6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電せ
しめた後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位v
0(ボルト)を測定し、次いで感光体表面の照度が4 
、512uxになるようにタングステンランプ光を照射
してその表面電位がvoの1/2になるまでの時間(秒
)を求め、可視域での感度として半減露光量E1/2を
求めた。
コノ結果、V、=−991ボルト、El/2=1.41
ルックX−秒であった・ 応用例2 実施例2で製造したN、N−ビス(4′−アミノ(1,
1’−ビフェニル)−4−イル)−p−トルイジンに4
−ヨードベンゼン、銅粉及び炭酸カリウムを加え、加熱
還流させて下記式(■) で示されるトリアミン化合物(電荷搬送物質)を製造し
た。
次に、電荷発生物質として下記式(IX)で示されるビ
スアゾ化合物7.5部及びポリエステル樹脂〔■東洋紡
績製バイロン200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶
液500部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散
液をアルミニウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクタ
ーブレードで塗布し、自然乾燥して約1戸厚の電荷発生
層を形成した。次に、ポリカーボネート樹脂〔■音大製
パンライトに−1300)1部とテトラヒドロフラン8
部の樹脂溶液に、電荷搬送物質として前記式(■)で示
されるトリアミン化合物1部を溶解し、この溶液を前記
電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、80℃で2
分間、次いで120℃で5分間乾燥して厚さ約20−の
電荷輸送層を形成して感光体を作成した。
次に、こうして得られたvc層層重電子写真感光体特性
を、応用例1と同様に測定したところ、■。
は−674ボルト、El/2は0.62ルツクス・秒で
あった。
以上の結果から、本発明のジニトロ化合物及びジアミノ
化合物は、電子写真感光体、特に積JIJ型感光体に用
いられる有機光導電体を製造するための中間体として、
極めて有用であることが判る。
【図面の簡単な説明】
第1〜4図は、夫々実施例1,2.3及び4で得られた
化合物の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)であ
る。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
    れるジニトロ化合物。
  2. (2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
    れるジアミノ化合物。
  3. (3)一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Xはハロゲン原子を表わす、) で示される4′−ハロゲノ−4−ニトロ(1、1′−ビ
    フェニル)と下記一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
    れるアミノ化合物を反応させることを特徴とする下記一
    般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは前記と同じ、) で示されるジニトロ化合物の製造方法。
  4. (4)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは水素原子又はメチル基を表わす、)で示さ
    れるジニトロ化合物を還元することを特徴とする下記一
    般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Rは前記と同じ、) で示されるジアミノ化合物の製造方法。
JP14010789A 1989-05-31 1989-05-31 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法 Pending JPH035445A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14010789A JPH035445A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法
US07/530,166 US5047590A (en) 1989-05-31 1990-05-29 Dinitro compounds, diamino compounds and triamine compounds and preparation methods thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14010789A JPH035445A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH035445A true JPH035445A (ja) 1991-01-11

Family

ID=15261097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14010789A Pending JPH035445A (ja) 1989-05-31 1989-05-31 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH035445A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010855A1 (en) 1991-12-06 1993-06-10 Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. Low-frequency therapeutic device having plaster shape

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010855A1 (en) 1991-12-06 1993-06-10 Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. Low-frequency therapeutic device having plaster shape
US5578065A (en) * 1991-12-06 1996-11-26 Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. Low-frequency therapeutic device having a flexible adhesive sheet electrode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5317093A (en) Bisazo compounds useful as organic photoconductive materials
JPH0748324A (ja) ターフェニル誘導体及びそれを用いた電子写真感光体
US5047590A (en) Dinitro compounds, diamino compounds and triamine compounds and preparation methods thereof
EP2008995B1 (en) Azo compound and method of preparing the azo compound
JPH035445A (ja) 新規なジニトロ化合物及びジアミノ化合物並びにそれらの製造方法
JP2000256276A (ja) トリアリールアミンダイマーの製造方法
JPH01146844A (ja) スクアリリウム化合物の製造方法
JPH03285960A (ja) 縮合多環基を有する第三級アミン化合物
JPH0753829B2 (ja) 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法
JP2761830B2 (ja) 新規な9,10−ビス(n,n−ジアリールアミノ)フェナントレン誘導体およびその製造方法
JPS5936654A (ja) 新規なジアミノ化合物、新規なジスアゾ化合物およびその製造方法
JP2504989B2 (ja) 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法
JP3540015B2 (ja) ピレニルアミン化合物及びその製造方法
JPH0819340B2 (ja) フエナジン誘導体及びその製造方法
JP2504972B2 (ja) 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法
JPS62267364A (ja) フエナジン誘導体及びその製造方法
JP3053269B2 (ja) N−フェニル−n−(3−アミノフェニル)−1−ピレニルアミン誘導体及びn−フェニル−n−(3−ニトロフェニル)−1−ピレニルアミン誘導体、並びにそれらの製造方法
JP2883934B2 (ja) 〔2,2〕パラシクロファン化合物及びその製造法
JPH09216855A (ja) アセナフテン化合物
JPH0236156A (ja) アミノビフェニル化合物
JPH0784565B2 (ja) ジスアゾ化合物
JP2004300422A (ja) アゾ化合物及びその製造方法、並びに、感光層用材料
JPS60141764A (ja) ジスアゾ化合物およびその製造方法
JPH03127765A (ja) トリフェニルアミン化合物
JPH061922A (ja) ビスアゾ化合物