JPH0354194A - 半導体気相成長装置の制御方式 - Google Patents
半導体気相成長装置の制御方式Info
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- JPH0354194A JPH0354194A JP18909589A JP18909589A JPH0354194A JP H0354194 A JPH0354194 A JP H0354194A JP 18909589 A JP18909589 A JP 18909589A JP 18909589 A JP18909589 A JP 18909589A JP H0354194 A JPH0354194 A JP H0354194A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体気相戊長装置の制御方式に関し、特に１
つの気相成長を完遂するプロセスの実行シーケンスの作
或およびシーケンスの実行方式に関する。
つの気相成長を完遂するプロセスの実行シーケンスの作
或およびシーケンスの実行方式に関する。
従来の半導体気相或長装置におけるプロセス制御方式と
しては、例えば特公昭６３−２８４９５号公報に示され
ているように各シーケンスプロセスに対応してプロセス
制御情報（たとえばシーケンス実行時間，バルブの開閉
状態，ガスの流量，炉内温度や圧力等）を各シーケンス
のプロセス制御情報として実行順に並べて１つのプロセ
スプログラム群（本発明ではレシビプログラムと記して
いる）を作或し、実行時には前記プロセスプログラム群
を読み出してシーケンス命令にデコードして成長プロセ
スを実行していた。
しては、例えば特公昭６３−２８４９５号公報に示され
ているように各シーケンスプロセスに対応してプロセス
制御情報（たとえばシーケンス実行時間，バルブの開閉
状態，ガスの流量，炉内温度や圧力等）を各シーケンス
のプロセス制御情報として実行順に並べて１つのプロセ
スプログラム群（本発明ではレシビプログラムと記して
いる）を作或し、実行時には前記プロセスプログラム群
を読み出してシーケンス命令にデコードして成長プロセ
スを実行していた。
上述した従来のｔ導体気相成長装置のプロセス制御方式
は、成長プロセスに係るレシピプログラムの｛’１４と
レシピプログラムの実行を同一のコンピュータ内で処理
していたため、レシビプログラムの実行中にレシビブロ
ダラムの作成ができない上、プログラムの作或が効率よ
く行えないという欠点があった。
は、成長プロセスに係るレシピプログラムの｛’１４と
レシピプログラムの実行を同一のコンピュータ内で処理
していたため、レシビプログラムの実行中にレシビブロ
ダラムの作成ができない上、プログラムの作或が効率よ
く行えないという欠点があった。
本発明の半導体気相或長装置の制御方式は、半導体気相
成長に係るプロセスを構成する各シーケンスの実行時間
と各シーケンスにおける複数のガスの流れを制御し反応
炉に導く管路網上に設けたバルブ群の開閉状態および流
量設定器群の流量値と、前記反応炉内に流出入する複数
のガスの圧力を制御する圧力設定器群の圧力設定値と前
記反応炉内の温度を制御するヒータの温度値とを各シー
ケンスのプロセス制御情報として第一ノ） ７ビュータ
部に登録し、前記各シーケンスのプロセス制御情報と前
記圧力設定器群のオン・オフ状態と前記ヒータのオン・
オフ状態と各シーケンスの流れを制御するシーケンス制
御情報とをレシピプｐグラムとして実行順に並べる手段
と、前記レシビプログラムを第１のコンピュータ部およ
び第２のコンピュータ部に接続された双方向メモリに格
納する手段と、第２のコンピュータ部が双方向メモリ部
に格納されたレシピプログラムを読み出して半導体気相
成長に係るプロセスな実行する手段とを含んで構成され
る。
成長に係るプロセスを構成する各シーケンスの実行時間
と各シーケンスにおける複数のガスの流れを制御し反応
炉に導く管路網上に設けたバルブ群の開閉状態および流
量設定器群の流量値と、前記反応炉内に流出入する複数
のガスの圧力を制御する圧力設定器群の圧力設定値と前
記反応炉内の温度を制御するヒータの温度値とを各シー
ケンスのプロセス制御情報として第一ノ） ７ビュータ
部に登録し、前記各シーケンスのプロセス制御情報と前
記圧力設定器群のオン・オフ状態と前記ヒータのオン・
オフ状態と各シーケンスの流れを制御するシーケンス制
御情報とをレシピプｐグラムとして実行順に並べる手段
と、前記レシビプログラムを第１のコンピュータ部およ
び第２のコンピュータ部に接続された双方向メモリに格
納する手段と、第２のコンピュータ部が双方向メモリ部
に格納されたレシピプログラムを読み出して半導体気相
成長に係るプロセスな実行する手段とを含んで構成され
る。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
マスクＣＰＵ部１０には、コマンドやデータを入力する
キーボード２１．データの表示やプログラム表示等を行
うＣＲＴ２２、レシピプログラムやシステムを制御する
フログラムを格納する外部メモリ２３、スレーブＣＰＵ
４０とデータの交換を行う双方向メモリ３０とが接続さ
れている。スレーブＣＰＵ４ ０にはシーケンスの実行
制御やプロクラムの状態表示を行うコンソール５１、サ
セプタの供給・取出しを行うロード・ロック部５２、反
応炉８０に導く複数のガスの流れを制御するガスミキサ
部６０、反応炉８０内の温度を制御するヒータ７０が接
続されている。マスタＣＰＵＩＯダラム作或部１２、レ
シピプログラムの実行を制御スるオンライン実行部１３
０制御プログラムが実行される。スレーブＣＰＵ部４０
ではスレーブＣＰＵ全体の動作モードを制御するモード
プログラム４１、レシビプログラムを双方向メモリより
読み出して実行するレシピ実行処理部４２、バルブの状
態やガスの流量表示を行うプロセス状態表示部４３が実
行される。
キーボード２１．データの表示やプログラム表示等を行
うＣＲＴ２２、レシピプログラムやシステムを制御する
フログラムを格納する外部メモリ２３、スレーブＣＰＵ
４０とデータの交換を行う双方向メモリ３０とが接続さ
れている。スレーブＣＰＵ４ ０にはシーケンスの実行
制御やプロクラムの状態表示を行うコンソール５１、サ
セプタの供給・取出しを行うロード・ロック部５２、反
応炉８０に導く複数のガスの流れを制御するガスミキサ
部６０、反応炉８０内の温度を制御するヒータ７０が接
続されている。マスタＣＰＵＩＯダラム作或部１２、レ
シピプログラムの実行を制御スるオンライン実行部１３
０制御プログラムが実行される。スレーブＣＰＵ部４０
ではスレーブＣＰＵ全体の動作モードを制御するモード
プログラム４１、レシビプログラムを双方向メモリより
読み出して実行するレシピ実行処理部４２、バルブの状
態やガスの流量表示を行うプロセス状態表示部４３が実
行される。
第２図は双方向メモリ３０の内容について示したもので
ある。第２図（ａ）は全体の構成を示し、相互通信エリ
ア３１、プロセス状態テーブル３２、レシピプログラム
エリア３３で構威される。第２図（ｂ）はレシビプログ
ラムの構成を示し、各シーケンスプロセス３４の実行内
容が、シーケンスの順に並べられている。第２図（Ｃ）
は各シーケンスプロセス３４の詳細な実行内容を示し、
シーケンスｌの実行時間３５、バルブ群の開閉パターン
３６、流量設定器群の流量設定情報３７、圧力設定器群
の圧力設定情報３８、ヒータの温度設定情報３９が格納
されている。
ある。第２図（ａ）は全体の構成を示し、相互通信エリ
ア３１、プロセス状態テーブル３２、レシピプログラム
エリア３３で構威される。第２図（ｂ）はレシビプログ
ラムの構成を示し、各シーケンスプロセス３４の実行内
容が、シーケンスの順に並べられている。第２図（Ｃ）
は各シーケンスプロセス３４の詳細な実行内容を示し、
シーケンスｌの実行時間３５、バルブ群の開閉パターン
３６、流量設定器群の流量設定情報３７、圧力設定器群
の圧力設定情報３８、ヒータの温度設定情報３９が格納
されている。
次に、本実施例の動作について第１図および第２図を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
まず、マスタＣＰＵＩＯにおいてメインプログラム１１
を起動し、キーボード２１によりレシピプログラム作戊
部１２に制御を移す。本レシビプログラム作戒部１２で
各シーケンス毎にバルブ群の開閉パターン、流量設定器
群の流量設定値、圧力設定器群の圧力設定値、ヒータの
温度設定値およびシーケンスの実行時間の設定を行う。
を起動し、キーボード２１によりレシピプログラム作戊
部１２に制御を移す。本レシビプログラム作戒部１２で
各シーケンス毎にバルブ群の開閉パターン、流量設定器
群の流量設定値、圧力設定器群の圧力設定値、ヒータの
温度設定値およびシーケンスの実行時間の設定を行う。
次に作戊した各シーケンスを或長プロセスに対して実行
順序に並べ、圧力設定器群のオン・オフ状態とヒータの
オン・オフ状態も同時に設定してレシビフロダラムを作
或する。さらに作或したレシビプログラムを外部メモリ
２３に保存し、メインプログラム１１に戻る。
順序に並べ、圧力設定器群のオン・オフ状態とヒータの
オン・オフ状態も同時に設定してレシビフロダラムを作
或する。さらに作或したレシビプログラムを外部メモリ
２３に保存し、メインプログラム１１に戻る。
次に、オンライン実行部ｌ３に制御を移す。実際のレシ
ビプログラムの実行動作について説明する。オンライン
実行部１３はサセプタの導入，取り出しとレシビブｐグ
ラムの実行を行う。まずサセブタの導入指令を与えると
、第２図（ａ）に示す双方向メモリ３０の相互通信エリ
ア３１にサセプタ導入コマンドを設定し、スレーブＣＰ
Ｕ４０のモードプログラム４１を起動し、レシピ実行処
理部４２に制御を渡す。レシピ実行処理部４２はロード
ロック部５２を制御して反応炉８０ヘサセブタの導入を
行う。次に、サセプタ導入が完了するとモードプログラ
ム４１に制御を移し、双方向メモリ３０の相互通信エリ
ア３１に完了フラグをセットし、サセブタ導入動作を完
了する。さらにオンライン実行部１３はレシピを実行す
るために外部メモリ２３より指定されたレシピプログラ
ム相互通信エリア３１にセットして、スレーブＣＰＵ４
０のモードプログラム４１を起動し、レシビ実行処理部
４２およびプロセス状態表示部４３に制御を渡す。レシ
ピ実行処理部４２は双方向メモリ３０のレシピプログラ
ムエリア３３より、第２図（ｂ）に示すようにシーケン
ス順に実行内容を読み出し、各シーケンス３４の実行時
間に従ってガスミキサ部６０のバルブ群の開閉、流量設
定器の流量設定、圧力設定器のオン・オフと圧力設定ヒ
ータのオン・オフと温度設定を実行する。この動作を各
シーケンス毎に実行し一連の或長プロセスを完遂させる
。レシビの実行が完了するとモードプログラム４ｌに移
りレシピ実行完了のフラグを相互通信エリア３１にセッ
トし、完了をオンライン実行部１３に知らせる。さらに
このレシビ実行中に、プロセス状態表示部４３はバルブ
の開閉状態，ガスの流量を計測し、コンソールにプロセ
ス状態を表示するとともに双方向メモリ３０のプロセス
状態テーブル３２にもプロセス状態を書き込みメインＣ
ＰＵＩＯ側でプロセスの状態が監視できるようにする。
ビプログラムの実行動作について説明する。オンライン
実行部１３はサセプタの導入，取り出しとレシビブｐグ
ラムの実行を行う。まずサセブタの導入指令を与えると
、第２図（ａ）に示す双方向メモリ３０の相互通信エリ
ア３１にサセプタ導入コマンドを設定し、スレーブＣＰ
Ｕ４０のモードプログラム４１を起動し、レシピ実行処
理部４２に制御を渡す。レシピ実行処理部４２はロード
ロック部５２を制御して反応炉８０ヘサセブタの導入を
行う。次に、サセプタ導入が完了するとモードプログラ
ム４１に制御を移し、双方向メモリ３０の相互通信エリ
ア３１に完了フラグをセットし、サセブタ導入動作を完
了する。さらにオンライン実行部１３はレシピを実行す
るために外部メモリ２３より指定されたレシピプログラ
ム相互通信エリア３１にセットして、スレーブＣＰＵ４
０のモードプログラム４１を起動し、レシビ実行処理部
４２およびプロセス状態表示部４３に制御を渡す。レシ
ピ実行処理部４２は双方向メモリ３０のレシピプログラ
ムエリア３３より、第２図（ｂ）に示すようにシーケン
ス順に実行内容を読み出し、各シーケンス３４の実行時
間に従ってガスミキサ部６０のバルブ群の開閉、流量設
定器の流量設定、圧力設定器のオン・オフと圧力設定ヒ
ータのオン・オフと温度設定を実行する。この動作を各
シーケンス毎に実行し一連の或長プロセスを完遂させる
。レシビの実行が完了するとモードプログラム４ｌに移
りレシピ実行完了のフラグを相互通信エリア３１にセッ
トし、完了をオンライン実行部１３に知らせる。さらに
このレシビ実行中に、プロセス状態表示部４３はバルブ
の開閉状態，ガスの流量を計測し、コンソールにプロセ
ス状態を表示するとともに双方向メモリ３０のプロセス
状態テーブル３２にもプロセス状態を書き込みメインＣ
ＰＵＩＯ側でプロセスの状態が監視できるようにする。
次にオンライン実行部１３はサセプタの取出し動作に移
る。サセブタ導入の動作と同じように取出しコマンドを
双方向メモリ３０の相互通信エリア３０にセットし、ス
レーブＣＰＵ４０のモードフロダラム４１を呼び出し、
レシピ実行処理部４２に制御を渡す。レシビ実行処理部
４２はロードロック部５２を制御して反応炉８０からサ
セプタを取り出す。
る。サセブタ導入の動作と同じように取出しコマンドを
双方向メモリ３０の相互通信エリア３０にセットし、ス
レーブＣＰＵ４０のモードフロダラム４１を呼び出し、
レシピ実行処理部４２に制御を渡す。レシビ実行処理部
４２はロードロック部５２を制御して反応炉８０からサ
セプタを取り出す。
これによりスレーブＣＰＵ４０がレシビ実行中でも、メ
インＣＰＵ１０はオンライン実行部１３でプロセスの状
態を監視するだけでよく、実際のレシピ実行動作には直
接的に関係しないので、レシピプログラム作戒部１２を
起動し、レシビプログラムの作或を並列して実行するこ
とが容易にできる。
インＣＰＵ１０はオンライン実行部１３でプロセスの状
態を監視するだけでよく、実際のレシピ実行動作には直
接的に関係しないので、レシピプログラム作戒部１２を
起動し、レシビプログラムの作或を並列して実行するこ
とが容易にできる。
本発明の半導体気相或長装置の制御方式は、マスタＣＰ
Ｕでレシピプログラムを作或し、双方向メモリを介して
スレーブＣＰＵに送り、スレーブＣＰＵ側で７シビプロ
グラムを読み出し、マスクＣＰＵと独立してレシビプロ
グラムを実行できるため、レシビプログラムの作戒と実
行が同時にできる上、プログラムの作成が効率よく行え
るという効果がある。
Ｕでレシピプログラムを作或し、双方向メモリを介して
スレーブＣＰＵに送り、スレーブＣＰＵ側で７シビプロ
グラムを読み出し、マスクＣＰＵと独立してレシビプロ
グラムを実行できるため、レシビプログラムの作戒と実
行が同時にできる上、プログラムの作成が効率よく行え
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
第２図は第１図に示す双方向メモリ３０の構成を示すブ
ロック図である。 １０・・・・・・マスタＣＰＵ，１１・・・・・・メイ
ンプログラム、１２・・・・・・レシビプログラム作成
部、１３・・・・・・オンライン実行部、２１・・・・
・・キーボード、２２・・・・・・ＣＲＴ，２３・・・
・・・外部メモリ、３０・・・・・・双方向メモリ、４
０・・・・・・スレーブＣＰＵ，４１・・・・・・モー
ドプログラム、４２・・・・・・レシビ実行処理部、５
１・・・・・コンソール、５２・・・・・・ロードロッ
ク、６０・・・・・・ガスミキサ、７０・・・・・・ヒ
ータ、８０・・・・・・反応炉。
ロック図である。 １０・・・・・・マスタＣＰＵ，１１・・・・・・メイ
ンプログラム、１２・・・・・・レシビプログラム作成
部、１３・・・・・・オンライン実行部、２１・・・・
・・キーボード、２２・・・・・・ＣＲＴ，２３・・・
・・・外部メモリ、３０・・・・・・双方向メモリ、４
０・・・・・・スレーブＣＰＵ，４１・・・・・・モー
ドプログラム、４２・・・・・・レシビ実行処理部、５
１・・・・・コンソール、５２・・・・・・ロードロッ
ク、６０・・・・・・ガスミキサ、７０・・・・・・ヒ
ータ、８０・・・・・・反応炉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体気相成長に係るプロセスを構成する各シーケン
スのプロセス制御情報を設定し、前記各プログラムを実
行順に並べたレシピプログラムを第１のコンピュータ部
に格納する手段と、 前記レシピプログラムを前記第１のコンピュータ部から
読み出して前記第１のコン ピュータ部および第２のコンピュータ部に接続された双
方向メモリに格納する手段と、前記第２のコンピュータ
部が前記双方向メモリ部に格納されたレシピプログラム
を読み出して半導体気相成長に係るプロセスを実行する
手段とを含むことを特徴とする半導体気相成長装置の制
御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909589A JPH0354194A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体気相成長装置の制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909589A JPH0354194A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体気相成長装置の制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354194A true JPH0354194A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16235259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18909589A Pending JPH0354194A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体気相成長装置の制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5207080A (en) * | 1992-02-19 | 1993-05-04 | Kay Chemical Company | Automatic dispensing apparatus |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18909589A patent/JPH0354194A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5207080A (en) * | 1992-02-19 | 1993-05-04 | Kay Chemical Company | Automatic dispensing apparatus |
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