JPH0354189A - 半導体単結晶引上装置用断熱材 - Google Patents
半導体単結晶引上装置用断熱材Info
- Publication number
- JPH0354189A JPH0354189A JP18830889A JP18830889A JPH0354189A JP H0354189 A JPH0354189 A JP H0354189A JP 18830889 A JP18830889 A JP 18830889A JP 18830889 A JP18830889 A JP 18830889A JP H0354189 A JPH0354189 A JP H0354189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat insulating
- insulating material
- single crystal
- carbon
- semiconductor single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 12
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 6
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 8
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 206010025135 lupus erythematosus Diseases 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体単結晶引上装置に用いられる断熱材に関
する。
する。
シリコン単結晶は通常チョクラルスキー法によって製造
されている。この方法は、チャンバー内にルッポを回転
自在に支持し、このルッポ内に多結晶シリコンを収容し
てヒーターにより溶融し、この融液に種結晶を浸してこ
れを引上げることによりシリコン単結晶インゴットを製
造するものである。
されている。この方法は、チャンバー内にルッポを回転
自在に支持し、このルッポ内に多結晶シリコンを収容し
てヒーターにより溶融し、この融液に種結晶を浸してこ
れを引上げることによりシリコン単結晶インゴットを製
造するものである。
このチョクラルスキー法を適用する引上装置では、カー
ボンヒーターの熱が外周へ放熱されないように保温する
必要がある。このために、従来はカーボン製の保温筒の
外周に保温材としてカーボンフェルトを樹脂でかためた
カーボンフエルト戊形体を設けるか、又はカーボン製の
保温筒の外周に保温材としてカーボンフェルトを巻き付
けてカーボン糸で固定させている。
ボンヒーターの熱が外周へ放熱されないように保温する
必要がある。このために、従来はカーボン製の保温筒の
外周に保温材としてカーボンフェルトを樹脂でかためた
カーボンフエルト戊形体を設けるか、又はカーボン製の
保温筒の外周に保温材としてカーボンフェルトを巻き付
けてカーボン糸で固定させている。
しかし、カーボンフエルトを構或する単繊維は、径が１
即以下と細く、繊維長か短い。このため、高温下での引
き上げ中に微粒子（パーティクル）が発生し、半導体単
結晶インゴットを汚染してしまうおそれがある。また、
カーボンフエルトが柔軟であるため、これを保持するた
めに保温筒を用いる必要があり、高価であった。
即以下と細く、繊維長か短い。このため、高温下での引
き上げ中に微粒子（パーティクル）が発生し、半導体単
結晶インゴットを汚染してしまうおそれがある。また、
カーボンフエルトが柔軟であるため、これを保持するた
めに保温筒を用いる必要があり、高価であった。
本発明は前述した問題点を解決するためになされたもの
であり、引き上げ中の半導体単結晶インゴッドを汚染す
ることがなく、しかも安価な断熱材を提供することを目
的とする。
であり、引き上げ中の半導体単結晶インゴッドを汚染す
ることがなく、しかも安価な断熱材を提供することを目
的とする。
本発明の半導体単結晶引上装置用断熱材は、半導体単結
晶を引上げる装置内でヒーターの周囲に設けられる筒状
の断熱材であって、セルロース質芯材の周囲にセルロー
ス質段ボールを積層して熱硬化性樹脂を含浸させ、非酸
化性雰囲気中で焼威してなることを特徴とするものであ
る。
晶を引上げる装置内でヒーターの周囲に設けられる筒状
の断熱材であって、セルロース質芯材の周囲にセルロー
ス質段ボールを積層して熱硬化性樹脂を含浸させ、非酸
化性雰囲気中で焼威してなることを特徴とするものであ
る。
本発明において、セルロース質芯材とセルロース質段ボ
ールとの積層体の外周に更にセルロース質外芯材を設け
てもよい。
ールとの積層体の外周に更にセルロース質外芯材を設け
てもよい。
セルロース質の芯材としては、紙製の管、又は布を積層
したものが挙げられる。セルロース質の外芯材としても
、これらの材料が用いられる。紙製の管を用いる場合、
紙としてはクラフト紙、リンター紙などが使用できる。
したものが挙げられる。セルロース質の外芯材としても
、これらの材料が用いられる。紙製の管を用いる場合、
紙としてはクラフト紙、リンター紙などが使用できる。
その厚さは０．１Ｗ以上であることが望ましい。これは
芯材の厚さが０．１＋ｏ＋ｅ未満では、断熱材の強度が
弱くなるためである。また、布を積層したものを用いる
場合、その織り方は特に制限されない。
芯材の厚さが０．１＋ｏ＋ｅ未満では、断熱材の強度が
弱くなるためである。また、布を積層したものを用いる
場合、その織り方は特に制限されない。
セルロース質段ボールに関しては、その波形は特に制限
されない。
されない。
熱硬化性樹脂としては、フラン樹脂、フェノール樹脂な
どが挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、芯材と段ボ
ールとの積層体へ含浸させる際に適当な粘度を持つよう
に調整される。熱硬化性樹脂の含浸は、芯材及び段ボー
ルの厚さに応じて、繰り返し行ってもよい。
どが挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、芯材と段ボ
ールとの積層体へ含浸させる際に適当な粘度を持つよう
に調整される。熱硬化性樹脂の含浸は、芯材及び段ボー
ルの厚さに応じて、繰り返し行ってもよい。
本発明において、芯材と段ボールとの積層体に熱硬化性
樹脂を含浸させて焼成し、更にＳｉＣ又はＳｉ３Ｎ４を
コーティングしてもよい。
樹脂を含浸させて焼成し、更にＳｉＣ又はＳｉ３Ｎ４を
コーティングしてもよい。
本発明の断熱材は、単独で十分な断貼作用を示す。そし
て、この断熱材はセルロース質芯材とセルロース質段ボ
ールとの積層体に熱硬化性樹脂を含浸させて焼威したも
のであり、促来のように繊維長さの短いカーボンフエル
トを使用していないため、高温下で使用しても微粒子（
パーティクル）か発生せず、半導体単結晶インゴットを
汚染することかない。また、断熱村の原料が紙又は布で
あり、しかも一体的に構成されているため、従来と比較
して安価となる。更に、Ｓ ｉ Ｃｐｓ ｉ， Ｎ４を
コーティングした断熱材は、強度が向上し、酸化性雰囲
気下での使用も可能となる。
て、この断熱材はセルロース質芯材とセルロース質段ボ
ールとの積層体に熱硬化性樹脂を含浸させて焼威したも
のであり、促来のように繊維長さの短いカーボンフエル
トを使用していないため、高温下で使用しても微粒子（
パーティクル）か発生せず、半導体単結晶インゴットを
汚染することかない。また、断熱村の原料が紙又は布で
あり、しかも一体的に構成されているため、従来と比較
して安価となる。更に、Ｓ ｉ Ｃｐｓ ｉ， Ｎ４を
コーティングした断熱材は、強度が向上し、酸化性雰囲
気下での使用も可能となる。
以下、本発明の実施例を説明する。
５ ｍｍ厚の紙管の外周に、若干量の塩酸を加えたフェ
ノール樹脂を接着剤として、片側波形の段ボールを接合
して所定の厚さまで巻き、更にその外周に５問厚さの紙
管を接合した。これを昇温速度ｌＯ℃／時間以下で２０
０℃まで加熱して、フェノール樹脂を重合させた。これ
をｐ−トルエンスルホン酸を若千量加えて重合させたフ
ルフリルアルコール溶戒中に浸漬し、３０分で３０Ｔｏ
ｒｒ以下まで減圧し、フルフリルアルコールを含浸させ
た。これを昇温速度ｌＯ℃／時間以下で２００℃まで加
熱した後、窒素雰囲気中で昇温速度ＩＯ゜Ｃ／特間以下
で｛０００℃まで昇温しで焼成した。これを塩素雰囲気
中で２０００゜Ｃまで昇温しで焼成し、純化処理を行い
、本発明に係る断熱材を得た。
ノール樹脂を接着剤として、片側波形の段ボールを接合
して所定の厚さまで巻き、更にその外周に５問厚さの紙
管を接合した。これを昇温速度ｌＯ℃／時間以下で２０
０℃まで加熱して、フェノール樹脂を重合させた。これ
をｐ−トルエンスルホン酸を若千量加えて重合させたフ
ルフリルアルコール溶戒中に浸漬し、３０分で３０Ｔｏ
ｒｒ以下まで減圧し、フルフリルアルコールを含浸させ
た。これを昇温速度ｌＯ℃／時間以下で２００℃まで加
熱した後、窒素雰囲気中で昇温速度ＩＯ゜Ｃ／特間以下
で｛０００℃まで昇温しで焼成した。これを塩素雰囲気
中で２０００゜Ｃまで昇温しで焼成し、純化処理を行い
、本発明に係る断熱材を得た。
本発明及び従来の断熱材について、引き上げ中のカーボ
ンの発生状況を調べた。この場合、各断熱材を用いて実
際に引き上げられたシリコンインゴット中のカーボン量
を定量することが考えられるが、このような方法では断
熱材以外の他の部材を起源とするカーボンをも定量する
ことになる。
ンの発生状況を調べた。この場合、各断熱材を用いて実
際に引き上げられたシリコンインゴット中のカーボン量
を定量することが考えられるが、このような方法では断
熱材以外の他の部材を起源とするカーボンをも定量する
ことになる。
このため、第１図に示すように実際の引上装置とほほ同
様な構成の実験装置を用い、以下のような方広で実験を
行った。
様な構成の実験装置を用い、以下のような方広で実験を
行った。
第１図において、チャンバー１の上部にはプルチャンバ
ー２が設けられている。チャンバー１の底部からは回転
可能なシャフト３が挿入され、その上端にカーボンルツ
ボ４が設けられ、その内部に石英ルツボ５が収容されて
いる。石英ルツボ５の外周には円商状のカーボンヒータ
６が設けられ、更にその外周に円筒状の断熱材７が設け
られている。そして、石英ルッポ５の底部にシャーレ８
を接着テープにより取り付けた。なお、実際の引上げ操
作では、石英ルツボ５内に多結晶シリコンか収容され、
プルチャンバー２の上部からチェーンが吊り下げられ、
その下端にシードチャックが取り付けられて、シリコン
単結晶インゴットの引き上げが行われる（図示せず）。
ー２が設けられている。チャンバー１の底部からは回転
可能なシャフト３が挿入され、その上端にカーボンルツ
ボ４が設けられ、その内部に石英ルツボ５が収容されて
いる。石英ルツボ５の外周には円商状のカーボンヒータ
６が設けられ、更にその外周に円筒状の断熱材７が設け
られている。そして、石英ルッポ５の底部にシャーレ８
を接着テープにより取り付けた。なお、実際の引上げ操
作では、石英ルツボ５内に多結晶シリコンか収容され、
プルチャンバー２の上部からチェーンが吊り下げられ、
その下端にシードチャックが取り付けられて、シリコン
単結晶インゴットの引き上げが行われる（図示せず）。
断熱材７として、前記実施例のもの、カーボン製の保温
筒の外周に保温材としてカーボンフエルトを樹脂でかた
めたカーボンフェルト成形体を設けたもの（比較例１）
、又はカーボン製の保温筒の外周に保温材としてカーボ
ンフエルトを巻き付けてカーボン糸で固定したもの（比
較例２）を用い、常温で実際の引上げ条件と同一の１０
Ｔｏｒｒまで減圧し、この状態で１時間保持した後、１
０Ｔｏｒｒの減圧下でアルゴンガスを成しながら１０時
間保持した。そして、シャーレ８内に付着したカーボン
をＪｌｌ＋定した。これらの結果を第１表に示す。なお
、第１表には示さないが、比較例１、２に関しては、ブ
ランク実験としてカーボンフエルト戊形体やカーボン糸
で巻き付けたカーボンフェルトを設けることなく保温筒
のみを使用し、前記と同一の条件で実験を行ったが、ル
ツボ内へのカーボンの付着は生じなかった。
筒の外周に保温材としてカーボンフエルトを樹脂でかた
めたカーボンフェルト成形体を設けたもの（比較例１）
、又はカーボン製の保温筒の外周に保温材としてカーボ
ンフエルトを巻き付けてカーボン糸で固定したもの（比
較例２）を用い、常温で実際の引上げ条件と同一の１０
Ｔｏｒｒまで減圧し、この状態で１時間保持した後、１
０Ｔｏｒｒの減圧下でアルゴンガスを成しながら１０時
間保持した。そして、シャーレ８内に付着したカーボン
をＪｌｌ＋定した。これらの結果を第１表に示す。なお
、第１表には示さないが、比較例１、２に関しては、ブ
ランク実験としてカーボンフエルト戊形体やカーボン糸
で巻き付けたカーボンフェルトを設けることなく保温筒
のみを使用し、前記と同一の条件で実験を行ったが、ル
ツボ内へのカーボンの付着は生じなかった。
郎
１
表
第１表から、従来の断熱材を用いた場合（比較例１、２
）には、減圧下で多くのカーボンが飛散し、これがシリ
コン単結晶インゴットに取り込まれていると考えられる
。これに対して、本発明に係る断熱材を用いた場合には
、カーボンの飛散を低減することができ、引き上げ中の
単結晶インゴットを汚染することがな《、高品質の単結
晶インゴットを製造することができる。
）には、減圧下で多くのカーボンが飛散し、これがシリ
コン単結晶インゴットに取り込まれていると考えられる
。これに対して、本発明に係る断熱材を用いた場合には
、カーボンの飛散を低減することができ、引き上げ中の
単結晶インゴットを汚染することがな《、高品質の単結
晶インゴットを製造することができる。
以上詳述したように、本発明の断熱材はセルロース質芯
材とセルロース質段ボールとの積層体に熱硬化性樹脂を
含浸させて焼成したものであり、従来のように繊維長さ
の短いカーボンフェルトを使用していないため、引き上
げ時にカーボンの微粒子（パーティクル）が発生せず、
半導体単結晶インゴットを〆ダ染することがない。また
、断熱材の原料が紙又は布であり、しかも一体的に構成
されているため、従来と比較して安価となる。更に、Ｓ
ｉＣ又はＳｉ．Ｎ４をコーティングすれば、強度を向上
させることができ、酸化性雰囲気下での使用も可能とな
る。
材とセルロース質段ボールとの積層体に熱硬化性樹脂を
含浸させて焼成したものであり、従来のように繊維長さ
の短いカーボンフェルトを使用していないため、引き上
げ時にカーボンの微粒子（パーティクル）が発生せず、
半導体単結晶インゴットを〆ダ染することがない。また
、断熱材の原料が紙又は布であり、しかも一体的に構成
されているため、従来と比較して安価となる。更に、Ｓ
ｉＣ又はＳｉ．Ｎ４をコーティングすれば、強度を向上
させることができ、酸化性雰囲気下での使用も可能とな
る。
第１図は本発明に係る断熱材から飛散するカーボンを測
定するための実験装置を示す断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・プルチャンバー ３・・
・シャフト、４・・・カーボンルツボ、５・・・石英ル
ツボ、６・・・カーボンヒーター ７・・・断熱材、８
・・・シャーレ。
定するための実験装置を示す断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・プルチャンバー ３・・
・シャフト、４・・・カーボンルツボ、５・・・石英ル
ツボ、６・・・カーボンヒーター ７・・・断熱材、８
・・・シャーレ。
Claims (1)
- 半導体単結晶を引上げる装置内でヒーターの周囲に設
けられる筒状の断熱材であって、セルロース質芯材の周
囲にセルロース質段ボールを積層して熱硬化性樹脂を含
浸させ、非酸化性雰囲気中で焼成してなることを特徴と
する半導体単結晶引上装置用断熱材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18830889A JPH0822796B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体単結晶引上装置用断熱材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18830889A JPH0822796B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体単結晶引上装置用断熱材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354189A true JPH0354189A (ja) | 1991-03-08 |
| JPH0822796B2 JPH0822796B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16221337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18830889A Expired - Lifetime JPH0822796B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体単結晶引上装置用断熱材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822796B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071323A (en) * | 1997-03-07 | 2000-06-06 | Tdkcorporation | Alloy target, its fabrication, and regeneration processes |
| WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18830889A patent/JPH0822796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071323A (en) * | 1997-03-07 | 2000-06-06 | Tdkcorporation | Alloy target, its fabrication, and regeneration processes |
| WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0822796B2 (ja) | 1996-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59182249A (ja) | 炭化ケイ素繊維強化ガラス‐セラミック複合材料の製造方法 | |
| US4410635A (en) | Discontinuous silicon carbide fiber reinforced ceramic composites | |
| EP0147651A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure composite renforcée en matière céramique | |
| WO2018117645A2 (ko) | 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장 방법 | |
| FR2647777A1 (ja) | ||
| JP2007035636A (ja) | 回転陽極及び回転陽極の冷却体の製造方法 | |
| US3978183A (en) | Method of filter molding and electrical heating unit made thereby | |
| JPH0354189A (ja) | 半導体単結晶引上装置用断熱材 | |
| EP0179908B1 (en) | Method for forming fiber reinforced composite articles | |
| KR101538556B1 (ko) | 물리적 체결을 이용한 대구경 단결정 성장장치 및 방법 | |
| JP2011006302A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS63166790A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JP3680531B2 (ja) | 種結晶固定剤及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
| JP2787164B2 (ja) | 高耐酸化性炭素質断熱材 | |
| FR2526785A1 (fr) | Nouveaux materiaux composites alumine-alumine a rupture fortement dissipative et leur preparation | |
| JP4864934B2 (ja) | 炭素質基材の表面に熱分解炭素を被覆した高温部材、その高温部材を配備してなる単結晶引上げ装置及びその高温部材の製造方法 | |
| JP2010208939A (ja) | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ | |
| JPH06507878A (ja) | セラミック−セラミック複合体フィルタ | |
| JPH1072291A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ | |
| JPH0534308B2 (ja) | ||
| JP4198806B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 | |
| JP2660516B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用黒鉛ルツボ | |
| JPH01122989A (ja) | チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材 | |
| JP2000143393A (ja) | ルツボ受け皿 | |
| JPH0751475B2 (ja) | シリコン単結晶引上装置 |