JPH0353502A - 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法Info
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- JPH0353502A JPH0353502A JP18966289A JP18966289A JPH0353502A JP H0353502 A JPH0353502 A JP H0353502A JP 18966289 A JP18966289 A JP 18966289A JP 18966289 A JP18966289 A JP 18966289A JP H0353502 A JPH0353502 A JP H0353502A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化亜鉛形避雷器用素子の表面部を緻密に
して、歩止1りを向上させるための製造方法に関するも
のである。
して、歩止1りを向上させるための製造方法に関するも
のである。
第6図は例えば特開昭61−1152105号公報に示
された従来の避雷器用素子を示す所而図であl. 8. り、図において、、田は酸化亜鉛形の非直線抵抗体、+
21 ij側面抵抗層、+41 n ME極, (5a
)(5b)は1致密な層である。′また、第7図は非直
線抵抗体Ill金製造する工程金示す説明図である。
された従来の避雷器用素子を示す所而図であl. 8. り、図において、、田は酸化亜鉛形の非直線抵抗体、+
21 ij側面抵抗層、+41 n ME極, (5a
)(5b)は1致密な層である。′また、第7図は非直
線抵抗体Ill金製造する工程金示す説明図である。
次に製造方法について説明する。酸化亜鉛金王阪分とし
,副添加物としてそれぞれ0.1〜2. 0モル%の酸
化ビスマス.#1化アンチモン.酸化コバルト.酸化マ
ンガン,酸化クロム.酸化シリコン及び0.001〜0
.1モル%の硝酸アルミニウムを添加し,粉砕.混合.
造粒,成形する。この或形体を過飽和な硼酸( H.
BO.)水溶液に1分間浸漬後950℃で1次焼Fii
.倉行なう。この焼成体に側面高抵抗膚形成用のZnO
−SiO,−Bi@O,sb.o,系混合物を付着し1
190℃で2次焼成体全行なって、研磨.!極付けする
。
,副添加物としてそれぞれ0.1〜2. 0モル%の酸
化ビスマス.#1化アンチモン.酸化コバルト.酸化マ
ンガン,酸化クロム.酸化シリコン及び0.001〜0
.1モル%の硝酸アルミニウムを添加し,粉砕.混合.
造粒,成形する。この或形体を過飽和な硼酸( H.
BO.)水溶液に1分間浸漬後950℃で1次焼Fii
.倉行なう。この焼成体に側面高抵抗膚形成用のZnO
−SiO,−Bi@O,sb.o,系混合物を付着し1
190℃で2次焼成体全行なって、研磨.!極付けする
。
このようにして製造された素子は,素体と側曲高抵抗I
−の間にB,O,とznoが反応して緻密な肋が形成さ
れ、耐環境性に優れる。
−の間にB,O,とznoが反応して緻密な肋が形成さ
れ、耐環境性に優れる。
〔発明が解決しようとする課題]
従来の避雷器用素子は以上のように、改化亜船形避雷器
素子の成形体1k岬j酸を含む溶液に浸漬した後、1次
!!A或するためVC ,水分の蒸発やHsBO.分解
ガスr′Cよって素体に割れが生じて素子の歩止19倉
悪化させるという問題点があった。
素子の成形体1k岬j酸を含む溶液に浸漬した後、1次
!!A或するためVC ,水分の蒸発やHsBO.分解
ガスr′Cよって素体に割れが生じて素子の歩止19倉
悪化させるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、素体の割れを抑制し、高歩止1りの酸化亜鉛
形礎雷器素子の製造方法を提供すること金目的とする。
たもので、素体の割れを抑制し、高歩止1りの酸化亜鉛
形礎雷器素子の製造方法を提供すること金目的とする。
この発明に係る酸化亜鉛形i!N器素子の製造方法は、
酸化亜鉛形避雷器素子の成形体を硼酸金含む溶液に浸漬
した後、所定の温度乾燥してから乾燥温度より高い温度
で仮焼し,仮焼した成形体全1次焼成し,尚抵抗層形或
用材料を側四に被覆して2次・焼成金行なうものである
。
酸化亜鉛形避雷器素子の成形体を硼酸金含む溶液に浸漬
した後、所定の温度乾燥してから乾燥温度より高い温度
で仮焼し,仮焼した成形体全1次焼成し,尚抵抗層形或
用材料を側四に被覆して2次・焼成金行なうものである
。
この発明に釦ける酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法は、
鋤酸を含む浴液に浸漬後,1次焼戚する前に乾燥・仮焼
することにより,この何j酸及び水分を予め分解した後
,昇温して焼成でるので、硼酸と戒形体がゆっくり反心
し、灰形体の表面tm密化することになる。
鋤酸を含む浴液に浸漬後,1次焼戚する前に乾燥・仮焼
することにより,この何j酸及び水分を予め分解した後
,昇温して焼成でるので、硼酸と戒形体がゆっくり反心
し、灰形体の表面tm密化することになる。
以下この発明の一実施例について説明する。
第l図Kも・いて,酸化亜鉛金主収分とし、添加物とし
てそれぞれ0.1〜2.0モル%のd化ビスマス.酸化
アンテモン.酸化コパル}.rf化マンガン.酸化クロ
ム.酸化シリコン及び0.001〜0.1モル%の硝酸
アルミニウム金添加して,粉砕,混合,造粒かよび或形
した。これ金過飽和な硼酸(HsBO●)水溶液に1分
間浸漬し100゜Cで2時間乾燥し,800’Cで2時
間仮焼後, 1010゜Cで1次焼成倉行なった。次
に側面高抵抗層形成用のZnO−Si○,−Bi.O,
−81),O,系混合物tPi覆し,1190℃で2次
焼戚を行ない、研時,電極付け金して実験品金得た。
てそれぞれ0.1〜2.0モル%のd化ビスマス.酸化
アンテモン.酸化コパル}.rf化マンガン.酸化クロ
ム.酸化シリコン及び0.001〜0.1モル%の硝酸
アルミニウム金添加して,粉砕,混合,造粒かよび或形
した。これ金過飽和な硼酸(HsBO●)水溶液に1分
間浸漬し100゜Cで2時間乾燥し,800’Cで2時
間仮焼後, 1010゜Cで1次焼成倉行なった。次
に側面高抵抗層形成用のZnO−Si○,−Bi.O,
−81),O,系混合物tPi覆し,1190℃で2次
焼戚を行ない、研時,電極付け金して実験品金得た。
筐た、成形体を硼酸水溶戒に己漬し,95G”Cで1次
焼1戊し,池の工8は上記実験品と1『j1様にして対
照品金作製した。
焼1戊し,池の工8は上記実験品と1『j1様にして対
照品金作製した。
これら実験品と対照品を92多相対湿度中に放置して耐
湿試験七行なった。
湿試験七行なった。
1次焼成後の実験品と対照品の側面のひび割れ発生率乞
第2図に示丁。素子にlmAを流すのVC必要な厄圧を
Vl mAとして.VIOIAの放置時間による変化率
金第3図に示す〇 第3園から夷験品及び1次焼成後ひび割れのなカ・つた
肘照品AのVII!IA Fi、92優相対湿度中に7
00Hr 放置しても低下しない。一方、1次・蝿威
鏝ひび副れのあった対照品BのVILIIAは700H
r後,約25俤も低下している。これは、1次・r#戊
によってひび割れた素体部で、B10,とZnOの反L
I5が不均一かつ不十分であったため、緻密な通が形成
されず、ここが劣化したためと推測釦I賃金27D熱す
ると、H,BO,−一→HBOm −−→酸化硼素は酸
化亜鉛.#l化ピスマスと共晶反心倉し%酸化ビスマス
の活動倉活発化し液相成長を促進させ、酸化亜鉛とも反
心し酸化亜鉛の粒或長を促進する。
第2図に示丁。素子にlmAを流すのVC必要な厄圧を
Vl mAとして.VIOIAの放置時間による変化率
金第3図に示す〇 第3園から夷験品及び1次焼成後ひび割れのなカ・つた
肘照品AのVII!IA Fi、92優相対湿度中に7
00Hr 放置しても低下しない。一方、1次・蝿威
鏝ひび副れのあった対照品BのVILIIAは700H
r後,約25俤も低下している。これは、1次・r#戊
によってひび割れた素体部で、B10,とZnOの反L
I5が不均一かつ不十分であったため、緻密な通が形成
されず、ここが劣化したためと推測釦I賃金27D熱す
ると、H,BO,−一→HBOm −−→酸化硼素は酸
化亜鉛.#l化ピスマスと共晶反心倉し%酸化ビスマス
の活動倉活発化し液相成長を促進させ、酸化亜鉛とも反
心し酸化亜鉛の粒或長を促進する。
第4図(Yu.S.L80nOV.Zhur.N80r
y.3@1246(1958)) K酸化硼素と酸化亜
鉛の状悟図,第5図(LM Levin and +/
yde Mc Danish, .T−Am.(era
m.soo,45(B).!356( 19621)に
酸化硼素と酸化ピスマスの状g図金示す。
y.3@1246(1958)) K酸化硼素と酸化亜
鉛の状悟図,第5図(LM Levin and +/
yde Mc Danish, .T−Am.(era
m.soo,45(B).!356( 19621)に
酸化硼素と酸化ピスマスの状g図金示す。
よって,硼酸溶液に1!!漬した後、l00’cで乾慄
し800℃の温度で仮焼することによって予め硼醜を分
解した後昇渥すれば、B!03と素体との焼結反応がよ
り一層進み、緻密な層が形成されるので水分によるV一
工持性劣化は生じない。
し800℃の温度で仮焼することによって予め硼醜を分
解した後昇渥すれば、B!03と素体との焼結反応がよ
り一層進み、緻密な層が形成されるので水分によるV一
工持性劣化は生じない。
なか、上記実凡列では,硼酸溶液を水を用いて作製した
場合について示したが、アルコール金用いて作製しても
よい。
場合について示したが、アルコール金用いて作製しても
よい。
以上のように,この発明によれば僕化亜鉛形・畔J!器
素子の成形体を岬1酸溶液に浸漬し,乾燥仮焼した後,
1次焼成し,高抵抗層形戚用材料金側而に被覆して2次
焼成したので,高歩止まりで緻密な層が形成され,耐環
境性が向上するという効果がある。
素子の成形体を岬1酸溶液に浸漬し,乾燥仮焼した後,
1次焼成し,高抵抗層形戚用材料金側而に被覆して2次
焼成したので,高歩止まりで緻密な層が形成され,耐環
境性が向上するという効果がある。
第1図にこの発明の一実施例による酸化亜鉛形避雷器素
子の製造方法を示す工程図,第2図#′11次暁成後の
側面のひび割れ発生率を示す説明図、第3図は耐湿性試
験結果を示す説明図、第4図Lri ZnO B,0,
系の状態図、第5図はBi,Or13tos系の状態図
,第6図は従来素子の断面図,第7図は従来の酸化亜鉛
形避雷器素子の製造方法倉示す工程図である。 図において,…は酸化亜鉛形の非直線抵抗体%ltl[
側面高低抗層、+41Iri電極、(lsa)(5b)
は緻密な層である。
子の製造方法を示す工程図,第2図#′11次暁成後の
側面のひび割れ発生率を示す説明図、第3図は耐湿性試
験結果を示す説明図、第4図Lri ZnO B,0,
系の状態図、第5図はBi,Or13tos系の状態図
,第6図は従来素子の断面図,第7図は従来の酸化亜鉛
形避雷器素子の製造方法倉示す工程図である。 図において,…は酸化亜鉛形の非直線抵抗体%ltl[
側面高低抗層、+41Iri電極、(lsa)(5b)
は緻密な層である。
Claims (1)
- 酸化亜鉛を主体とする成形体を硼酸を含む溶液に浸した
後、所定温度で1次焼成し、さらに高抵抗層形成材料を
側面に被覆して2次焼成を行う酸化亜鉛形避雷器素子の
製造方法において、上記成形体を上記溶液に浸した後、
所定の温度で乾燥してから乾燥温度より高い温度で仮焼
し、仮焼した成形体を上記1次焼成することを特徴とす
る酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18966289A JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18966289A JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0353502A true JPH0353502A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16245076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18966289A Pending JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0353502A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105810378A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-27 | 安徽大山电气有限公司 | 一种避雷器及其制造方法 |
TWI585793B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Prosperity Dielectrics Co Ltd | 低溫共燒陶瓷微波介電陶瓷及其製造方法 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18966289A patent/JPH0353502A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI585793B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Prosperity Dielectrics Co Ltd | 低溫共燒陶瓷微波介電陶瓷及其製造方法 |
CN105810378A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-27 | 安徽大山电气有限公司 | 一种避雷器及其制造方法 |
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