JPH03504271A - 光学装置及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光学装置及びその製造法 この発明は光学コンポーネント及びその製造法に関する。

この発明は、Ｘ線リトグラフィーに用いられて放射線の外形及び形状をリトグラ フのマスクの外形及び形状に一致させる俯角入射鏡の製造に特に適している。

強力なＸ線放射源としてシンクロトロンが急速に普及している。シンクロトロン は、サブミクロンの特徴を有するパターンを大規模に生産するためのＸ線リトグ ラフィー用放射源として半導体産業に用いられている。シンクロトロンにより生 成される放射は、水平面（電子の軌道面）上では発散角度が大きく、垂直面上で は発散角度が小さい。典型的な値は、水平方向に２０ｍラジアンで、垂直方向に １ｍラジアンである。これを自然に拡大すると、ビームは１０メートルの距離で ２００ｍｍＸ　１０ｍ＋ｓ台の狭い矩形状の範囲を照明することになる。ところ が、Ｘ線リトグラフィー用の照明範囲は５０關Ｘ５０ｍｍの正方形が理想的であ る。そこで、この理想的な照明範囲を得るために従来から３種類の方法が用いら れている。

第１の方法は、平らな又は円筒状の鏡を接点（有効放射源）から約３ｍの地点に 配置して、鏡を垂直方向に走査するものである。この方法の欠点は、移動部を高 真空領域内に配置しなければならないことと、領域を過剰に走査しなければ均一 に照明できないことである。この過剰走査のためにリトグラフのパターンの露出 に使用できる放射は全体の５０％未満になってしまう。現在使用されている第２ の方法は、シンクロトロン内で電子ビームの軌道を傾斜させるというものである 。

この方法には移動部がないという利点があるが、シンクロトロンの全ビームポー トが影響を受けてしまうという欠点がある。また、安全性にも問題がある。照明 されているシリコンウェハを走査する第３の方法は、マスクとウェハとの整合装 置の大きさのために製造環境の下では実用的でない。

シンクロトロン放射を必要な大きさに整形する俯角入射光学を用いることにより 、従来の方法の問題点を総べて解消できることが発見された。この方法は鏡の製 造に多額の費用がかかるものと思われていたために無視されていたものであるが 、先ず様々な種類のトロイダル鏡により理想的な回転円錐に近付け、次に（大量 に生産されたガラスチューブの一部である）円筒状の鏡を曲げて必要なトロイダ ル面を生成することにより、従来の方法が有する前記問題点を非常に安価に解決 することができる。

この発明により、サドルトロイド形状の反射面を少なくとも１個有し、俯角入射 コリメータとして用いることのできる光学装置が提供される。

また、この発明により、一連のストリップ状の部材に分割された表面層を有する 基板から成るベース部材を形成する工程、及び加熱して表面層を溶融させる工程 を有する光学コンポーネントの製造法も提供される。

以下、添付図面を参照してこの発明の詳細な説明する。

第１図はサドルトロイド鏡を示す。

第２図は両端に加えられた偶力により曲げられたチューブの断面を示す。

第３図は放射の形状を示す。

第４図は鏡を１枚だけ用いたこの発明の実施例の概略正面図を示す。

第５図はこの実施例の概略平面図を示す。

第６図は鏡を２枚用いた実施例の概略側面図を示す。

第７図は鏡の概略端面図を示す。

第８図は鏡の概略平面図を示す。

第９図は鏡を２枚用いた別の実施例の概略側面図を示す。

第１０図は鏡の概略端面図を示す。

第１１図は鏡の概略平面図を示す。

第１２図は加熱前の一連のマイクロトロイド配列の断面図を示す。

第１３図は加熱前の一連のマイクロトロイド配列の断面図を示す。

第１４図はシンクロトロン出力の拡大に用いられる１個のサドルトロイドの断面 図を示す。

第１５図はサドルトロイドを１個使用した場合の平面図を示す。

第１６図はシンクロトロン出力の拡大及び均質化に用いられる一連のマイクロト ロイド配列の断面図を示す。

第１７図は一連のマイクロトロイド配列を使用した場合の平面図を示す。

第１８図は２個の要素システムの断面図を示す。

第１９図は２個の要素システムの平面図を示す。

第２０図は２枚の鏡から成る調節可能なシステムを示す。

第２１ａ−ｅ図はマイクロトロイダル光学コンポーネントの別の製造法を示す。

第２２図は光線追跡測定法の一連の結果を示す。

この発明の最も簡単な態様は、サドルトロイドを１個だけ用いて、ビームを水平 面上で平行にし、垂直面上で拡大させることである。第１図に示すようにサドル トロイドは（矢印のように入射してくる放射に対して）凹面を形成する短い半径 ｒ及び凸面を形成する長い半径Ｒを有している。短い半径は、ρを短い半径、Ｕ を点源から鏡までの距離、θを鏡に入射する俯角とするとき、水平放射が平行に なるように次式を用いて選択される。

ρ−２ｕｓｉｎθ　　　　　　　　　　　・・・　（１）長い半径は、Ｕ及びＶ を共役、Ｒを長い半径、θを俯角とするとき、ビームの垂直発散を増大させて露 出場所の必要領域を十分に照明できるように次式を用いて選択される。

１／ｕ＋１／ｖ−２／　（Ｒｓ　ｉ　ｎθ）　　　　−−、−（２）更に、共役 は次のように置き換えることができる。

ｕ／ｖ−（必要な出口発散）／（入射発散）・・・（３） このようにしてできたサドルトロイド鏡は、従来のような研磨による製造が困難 であり、しかも費用のかかる光学である。しかしながら、大きさが等しく反対方 向に作用する偶力をプリズムに加えると、偶力の加えられた画点間が円形に曲が るという事実を応用することにより、半径が十分に大きくて曲げ応力がガラスの 弾性限界内にあることを条件として、必要な短い半径の円筒状ガラスの一部を必 要な長い半径を有するように曲げることができる。第２図にチューブ５の一部が 固定支持体６及び調節可能な支持体７を介して両端に加えられた偶力により曲げ られているところを示す。調節可能な支持体７は矢印によって示した方向に移動 する。

曲げにより長い半径が形成されるので、曲げの程度を変えて長い半径を変更すれ ば、ビームラインを変更することなく出口発散を変更することができる。これに より、その時点での製造上の必要性に応じて異なる大きさの領域を照明すること ができる。

しかしながら、このような光学にはそれでもまだ３つの欠点がある。

ａ、照明領域Ｉは第３図に示すように矩形というよりもむしろ三日月形をしてい る。

ｂ、水平ビームは平行になるが、垂直ビームは発散するので、描くことのできる 最も細い線の幅が制限されてしまい、マスクと記録媒体との分離に厳しい制約が 生じる。理想的なリトグラフ用ビームは垂直水平の両ビームが共に平行になって いるものである。

仁出力ビームは水平に対して角度を有しているので、露出ステーションの設計が 複雑になる。

以上の３つの欠点は、２重トロイドの構成にするにより除去することができる。

２重トロイドの構成には２種類ある。

一方を収束型構成と呼び、他方を薄弱型構成と呼ぶ。その理由は以下の説明によ り明らかとなる。

最初の実施例では、第１の鏡は（ビームから見ると）短い半径の凹面と長い半径 の凸面とを有するサドルトロイドである。第２の鏡は短い半径の凸面と長い半径 の凹面とを有するサドルトロイドである。

両鏡の短い半径は照明領域の三日月形の歪みを除去して第１の近似を実施するよ うに選択される。いまρ、を第１の鏡の短い半径、ρ２を第の２鏡の短い半径、 ｄを両鏡間の垂直方向の離隔距離、Ｕを点源から第１の鏡までの距離、θを主要 光線の両鏡に対する俯角入力の角度とするとき、両生径に関する次の式を導き出 すことができる。

ρ１−ρ２　（１＋４ｄ／ρ２　＋４　（ｄ／ρ２）２）・争・　（４） 及び Ｒ２””４／）＋　　（（ｕｓ　　ｉｎθ）／２ｕｓｉｎθ−ρ、）２・　・　 ・　（５） 従って、θ、ｕＳｄが与えられれば等式４及び５から、ビームを水平方向に平行 にして、はぼ矩形状の照明領域を提供する短い半径の値が得られる。

必要な照明領域Ｌ２を得るのに必要な鏡の長さから長い半径を計算で出すことが できる。ｈを照明される必要な通路の高さ、θを入射の俯角とするとき、第２の 鏡の長さは次の通りである。

Ｒ２−ｈ／（ｓｉｎθ）　　　　　　　　　　−−−（６）Ｒ２を第２の鏡の共 役軸、ｄを両鏡間の最小距離とするとき、第１の鏡及び第２の鏡の長さＬｌ及び Ｒ２はそれぞれを次式により置き換えることができる。

Ｌｌ／Ｌ２＝　（Ｒ２−ｄ／ｓ　ｉ　ｎθ）／ｕ２・・・　（７） Ｌｌ−ｕｌ（ビームの発散）　／　ｓ　ｉ　ｎθ・・・　（８） ｕ１θ、ｄは既に分かっているものと想定されているので、Ｌｌ及びＲ２を計算 により出すことができる。従って、Ｒ２及びＲ２も計算により出すことかできる 。

Ｕが分かっていて、ｖ−Ｒ２−ｄ／ｓｉｎθ及びｆ−Ｒ１ｓｉｎθ／２なので、 Ｒ１は次式から計算することができる。

１／ｕ＋１／Ｖ〜１／ｆ　　　　　　　・・・（９）θ、ｄ、ｈ、ｕが与えられ ているときＲ１、Ｒ２、Ｒ１、Ｒ２の初期値は、最初の水準へと補正される最初 の近似値である。この近似値は適切なソフトウェアパッケージによる最適化光線 追跡法により正確にすることができる。

この構成は、鏡１枚の水平コリメータよりも細い水平ビームを形成することがで きるという補足的な利点を有しているので収束型構成と呼ばれる。

２枚の鏡を用いてビームを平行にして照明領域を矩形状にする別の構成は、トロ イドを２個用いるが、第１のトロイドにより増大する水平方向の発散を第２のト ロイドで補正している。入射ビームに対して、第１の鏡は凸面の長短両半径を、 第２の鏡は凹面の長短両半径を有している。リトグラフの観点からすると、この 構成には平行にされた水平ビームが鏡１枚のコリメータにより生成されるビーム よりも幅が広く、しかも強度が小さくなるという僅かな欠点がある。

半径及び共役は収束型と同じような方法で計算することができる。但し、等式４ は次のようになる。

ρ、−ρ２（１−４ｄ／ρ２＋４（ｄ／ρ２）２）・・・　（１０） これ以外の式５〜９はそのまま使用することができる。

第４図及び第５図では鏡は等式１を満たす内部の半径ρのガラスの円筒１０の一 部から成る。円筒の内面は１．５°で俯角入射した１、ＯｎｍのＸ線を最適に反 射するように金で被覆されている。固定支持体２０及び調節可能な支持体３０に より円筒の両端に加えられる大きさが等しくて反対方向に作用する偶力により円 筒１０のこの部分が曲げられて半径Ｒのサドルトロイドが形成される。偶力は調 節可能な支持体３０を所望の半径になるまで矢印の方向に移動することにより生 じる。半径Ｒの値は先に示した等式２及び３を用いて計算することができる。点 源４０から照射されるビームの発散はシンクロトロンの性質に依存している。鏡 から反射されるビームの必要な発散を計算するには露出ステーション５０までの 距離及び露出領域の必要なサイズが必要である。

第６図ないし第８図に関して、両鏡はそれぞれが内部半径ρ１及び外部半径ρ２ のガラスの円筒の一部１５及び２５から成る。両半径は先に示した等式４及び５ を満たすように選択される。円筒１５の内面及び円筒２５の外面は、通常は１゜ ５°の適切な俯角入射角で通常は１．Ｏｎｍのリトグラフィー用Ｘ線の反射率を 最適化するように金又は他の適切な材料で被覆されている。鏡を１枚使用した例 と同じように大きさが等しく反対方向に作用する偶力を鏡１５の両端に加えて第 １の鏡を曲げることにより、第１の鏡の長い半径Ｒ２が形成される。シンクロト ロンの点源５５及び露出ステーション６５の特定の要件に応じて、長い半径は先 に示した等式６〜９を満たすように選択される。

第９図ないし第１１図では、両鏡はそれぞれが内部半径ρ、及び外部半径ρ２の ガラスの円筒の一部１２及び２２から成る。両半径は先に示した等式５及び１０ を満たすように選択される。俯角入射角が通常は１．５度で通常は１．　　Ｏｎ ｍであるリトグラフィー用Ｘ線の反射率を最適化するように円筒１２の内面及び 円筒２２の外面は金又は他の適切な材料で被覆されている。第１の鏡１２の長い 半径Ｒ１は、鏡を１枚使用した例と同じように第１の鏡の両端に大きさが等しく 反対方向に作用する偶力を加えて第１の鏡を曲げることにより形成される。第２ の鏡２２の長い半径も同じようにして形成される。長い半径はシンクロトロンの 点源５２及び露出ステーション６２の特定の要件に応じて、先に示した等式６〜 ９を満たすように選択される。

この発明の鏡は通常の研磨でも形成することができるが、新しい技術でも形成す ることができる。例えば、ガラスやセラミック部をトロイド形状に曲げて適切な トロイドを形成するか、エポキシのような適切な材料で形を鋳造してから表面処 理を施して必要な反射率を得るなどしてこの発明の鏡を形成することができる。

鏡の形状は、大きさが等しく反対方向に働く偶力の作用で曲げることにより形成 される対称トロイドか、大きさが等しくない偶力で曲げることにより形成される 軸のずれた回転円錐のいずれかである。実際には軸のずれた回転円錐が理想的で あるが、対称トロイドは回転円錐に非常に近いので鏡のはとんどの実用的用途に は対称トロイドで十分である。

この発明の更に別の実施例は、放射ビームの拡大及び均質化の両者を行う１枚の 鏡から成る。サドルトロイドを使用するか、円筒とサドルトロイドとの組み合わ せを使用することにより、水平方向に平行で垂直方向に広がるビームを提供でき ることを先に示した。しかしながら、これらの鏡で均一な出力ビームを生成する には、均一な入力ビームが必要である。

ガウスの輪郭を有するシンクロトロンビームを用いると、垂直方向にガウスの輪 郭を有する照明領域が形成される。１枚ではなく多数枚（５０〜１０００）のマ イクロサドルトロイドを有する鏡を作ることにより、垂直面上で拡大し、水平面 上で平行である均一な出力ビームを形成することができる。

一連のマイクロサドルトロイドの各素子は、入力ビームの小さな一部を広げてそ の一部で出力領域全体を照明する。小さな部分の広がりの総体が均一に照明され た領域であり、その領域の形状は同一の短い半径を有する１枚のサドルトロイド により形成される照明領域に関連しているが、長い半径はマイクロトロイドの数 に比例して長くなる。この一連のマイクロトロイドは、規定されたペデスタル上 の正確な体積のポリマー又は他の適切な材料の溶融工程を有する処理により直ぐ に形成することができる。表面張力の作用により、丸いペデスタルの場合には球 の一部が形成され、線形ペデスタルの場合には円筒が形成され、凹んだ円筒面上 の線形ペデスタルの場合にはサドルトロイドが形成される。

次に第１２図ないし第１７図について説明する。例えば、厚さ１μｍのポリマ一 層１２０と２μｍのノバラクレジスト（ｎｏｖａｌａｋ　ｒｅｓｉｓｔ）層１３ ０とから成る２層の適切なポリマーを載置することにより、ガラス又は他の適切 な円筒状基板１１０の上に一連のマイクロトロイドが製造される。両ポリマーは 、標準リトグラフ技術又はエフシマレーザーを用いたＵＶフォトアブレーション により、円筒状基板１１０の軸に対して垂直に走るストリップ状に仕上げられる 。エフシマレーザーによりリトグラフィーよりも厚いレジストを使用することが でき、仕上げの深さの制御が容易になる。ノバラクレジスト１３０は溶融するが 、ペデスタル１２０は溶融しない温度まで一連のマイクロトロイド全体がオーブ ンで加熱される。レジスト１３０が流れてペデスタル１２０全体を覆う。

このときレジスト１３０の頂部表面が表面張力により円筒状になる。冷却及びポ ストベーキング後に頂部が金又は他の適切なＸ線反射材料で被覆される。

第１４図は、半径の短い凹面及び半径の長い凸面を有し、シンクロトロンの源１ ３５からの出力を垂直方向に広げ、水平方向に平行にして必要な照明領域１２５ を形成する１枚のサドルトロイド１１５を示す。領域１２５の形状は使用可能で あるが、ビーム１３５と同じガウスの輪郭を垂直方向に有しているのでビームは 垂直方向に広がる。リトグラフィーに使用するには源１３５からの放射のかなり の部分を捨てなければならない。

第１６図に断面を、第１７図に平面をそれぞれ示したように、一連のマイクロト ロイド１４０を用いることにより、シンクロトロンビーム１３５は拡張して必要 な領域１２５を満たすことができるだけでなく、シンクロトロンからの放射を全 部用いて同領域を均一に照明することができる。実際上、走査鏡の時平均が一連 の反射鏡を用いた空間平均に置き換えられる。一連の反射鏡の各々はシンクロト ロンビームの対応する一部を広げて当該部で照射面全体を照明する。

基板１１０は短い半径がビームを水平方向に平行にするように選択されている円 筒の一部である。マイクロトロイドの長い半径は、放射が照射面の全体に亘って 広がるように選択される。

１枚のサドルトロイド又は一連のマイクロサドルトロイドにより生成される照明 領域は、特徴的な三日月形をしている。

このことは、実際には、シンクロトロン放射の３０〜５０％が使用されずに矩形 から食み出してしまうことを意味している。凸面円筒及びサドルトロイドから成 る鏡を２枚用いたシステムは、先に述べたように、矩形状の照明領域の形成に用 いることができる。第２の素子として一連のサドルトロイドを用いることにより 、システムへの入力が不均一であっても矩形状の出力領域を均一に照明できるよ うになる。

第１８図ないし第２０図に関して、ρ１を第１素子１６０の短い半径、ρ２を第 ２素子１４０の短い半径、ｎを両半径の比率、Ｕを源から第１素子までの距離、 αを主要光線の両面に対する俯角入射の角度、ｄを軸に対して垂直方向に測定し た画素子の垂直方向の離隔距離とするとき、画素子１６０及び１４０の短い半径 は公式から得られる次の両等式により表すことができる。

ρ２−ｎρ２　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・　（１１）ρ１−　（ ｕ　（ｎ＋１）ｓ　ｉｎａ十ｄ十ｓ　ｑ　ｒ　ｔ　　（（ｕ　　（ｕ＋１）　　 ｓ　ｉ　ｎα＋ｄ）　”２−４ｎｄｕｓ　１ｎａ））／ｎ ・・・　（１２） 短い両半径の比率であるｎを変更し、コンピュータ光線追跡法プログラムを用い ることにより、矩形状照明領域を形成するｎの値を得ることができる。

第２素子の長い半径は、コンピュータ光線追跡法プログラムにより選択すること もできる。

第２素子１４０は先に述べたように構成され、単一の素子として設計されている ので、均一の照明領域１２５が得られる。しかも、領域の形状は矩形状であり、 シンクロトロンの放射を１００％使用することができるので、第２の鏡の反射率 が７０％以上である限り、画素子システムはより効率的である。

第２０図は、凸面円筒１６０及び一連のマイクロサドルトロイド１４０の両者の 角度を変更し、円筒を元のシンクロトロンビームに沿って移動させることにより 、凸面円筒１６０と一連のマイクロサドルトロイド１４０との間の距離が変化す る２素子システムの断面を示す。離隔距離（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）を短くし、 短い半径を変えずに角度を変更することにより、矩形状を余り変更せずに照明領 域の幅を２０％だけ変更することができる。このシステムには、支柱を中心にし て一連のマイクロサドルトロイド１４０を回転させる簡単な動きにより、入力及 び出力の両ビームを一定の角度に維持することができるという補助的な長所があ る。

一連のマイクロサドルトロイドの別の製造法を第２１ａ図ないし第２１ｅ図に示 す。

先ず円筒の一部である基板２００を曲げて、第２１ｂ図に示すようなサドルトロ イドを形成する。次に、曲げられた基板にポリマーの薄膜２０１を塗布し、基板 がまだ曲がっている間に薄膜を切断して基板の長い軸に対して直角に延びる一連 のストリップ２０２を形成する。このパターン形成はリトグラフィー、ｕＶアブ レーション、又は材料に薄いストリップを形成するための他の適切な切断方法（ コーティングの性質に従ってスパーク腐食など）により生成される。パターンの 形成後に、基板を曲げていた偶力を解放して、基板を円筒の一部としての形状に 戻す。このようにすることにより、基板を曲げると頂層に力が作用して複数個の マイクロサドルトロイドが形成される。構成全体を金の層２０３で被覆する。

この構成体は溶融により形成したマイクロ配列と同じように使用される。

光線追跡法を用いて短い半径の様々な組み合わせを試みて出力ビームを最適にす る。

第２２図に、リトグラフのマスクの平面上の各スポット図形の大きさ及びビーム の形状を示す典型的な結果を示す。

図示した結果を得るための光線追跡装置は、全方向に均一に放射する点源を有し ている。水平方向に±７．４ｍｍの測定値の開口が１メートルの離隔距離にある 。このスリットが均一に満たされて、シンクロトロン放射の第１次類似を形成す る（同じスリット開口が先に説明したように単一の円筒及び単一のトロイド光線 追跡に用いられる）。第１のトロイドの中心はスリットの１．７ｍ下流側に配置 される。第２のトロイドの位置は垂直方向の離隔距離ｄにより決まる。これは３ ０ｍｍに選択される。従って、入ってくるビームと出ていくビームとの間の離隔 距離は６０ｍｍである。これにより法定されている鉛又はウラニウムの安全ビー ムストップの位置付けが可能になる。入射の俯角は２０ｍＲ（１，５°）であっ た。

これは第２９鏡の中心が第１の鏡から１１４５．６關離れていることを意味して いる。リトグラフィーステーションは更に７ｍ下流に配置される。

第２２図に示したスポット図のパラメータを表１（次ページ）に示す。

これらの例で、第１素子は円筒状の鏡であり、第２素子は長い半径が８０，００ ０ｍｍのサドルトロイド状に曲げられている。

リトグラフィーマスク照明領域の形状は三日月からほぼ矩形に変化する。最適値 では照明の８６％が使用可能な矩形内に入る。

表１１円筒トロイドのパラメータ 数　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｒ　　（＋ｎｍ）　　　　ｒ　−（ｍ ｍ）１（頂部）−０，４４１３１６５ ２−０，６２５１１５０ ３−０，６６２２２１４６ ４−０，６８２１３１４５ ５−０，７０２０５１４４ ６−０，８０１７２１３８ ７−１，００１２７１２７ ８（底部）−１，２０９８１１８ この構成では、第１の鏡がビームを広げ、第２の鏡がビームを再び収束させてい るので、ビームが薄弱化する。即ち、水平方向のビームは同一の扇形シンクロト ロン放射が１枚の鏡により反射したときよりも最終強度が僅かに小さくなる。

接点から１０ｍ離れた最終点へ向かって自然に拡張するビームに比べて、トロイ ド又は円筒を１個使用すると照明が係数３．７だけ収束するが、鏡を２枚使用し たシステムでは照明が係数２．２だけ収束する。これと面が１枚の場合は７５％ である全反射率に比べて全反射率が５６％であるこのシステムのより大きい反射 損失とが組み合わさると、光の使用可能な部分全体がサドルトロイドを１枚有す るシステムに比べて約２１％だけ減少することになる。

トロイドである第２の鏡をサドルトロイド鏡に置き換えて照明を均一にすること ができるが、一連のサドルトロイドの素子で基板を完全に覆うことはできないの で、スループットが僅かに悪化する。即ち、一連のサドルトロイドの設計に応じ て１％ないし４％だけ更に損失することになる。

円筒部を曲面として用いる替わりに、別の円錐部を用いても良い。特に、回転楕 円体を短い半径の曲面に用いると有利な特性が得られる。

フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　）又はガラスコーティングを用いて 一連の多重トロイドを形成する替りに、高融点基板に低融点金属を被覆した金属 −金属配列を用いることもできる。被覆後に低融点金属を長手方向に切断し、溶 融してトロイダル面を形成する。

傾斜層を堆積して各サドル素子の半径を変化させ、その後スリットを形成して融 解する方法を用いても良い。

金のような反射金属の替りに多重層被覆を用いても良い。

Ｆｊｇ・５ 暢 勺／７ 句・〃 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）平成２年９月ツノ日 特許庁長官　植　松　　　敏　殿 １、国際出願番号 ＰＣＴ／ＧＢ８９１００２５６ ２、発明の名称 光学装置及びその製造法 ３、特許出願人 住所　イギリス国　ロンドン、ダブユ６．フィー・ダブユ。

ハンマースミス・グローブ２３８ 氏名　ロッサー・ロイ、ジョナサン 国籍イギリス国 ４、代理人 東京都千代田区「が関３丁目７番２号 （５８４７）　　弁理士　　鈴　　江　　武　　彦（ほか３名） ５、補正書の提出年月日 １９２０年女月２日 ６、添付書類の目録 （１）補正書の翻訳文　　　　１通 補正後の 請求の範囲 １、　　サドルトロイド形状の反射面を少なくとも１枚有していることを特徴と し、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

２、一対の反射コンポーネントから成り、各コンポーネントがサドルトロイド形 状の反射面を少なくとも１枚有していることを特徴とする請求項１で請求した、 俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

３、一対の反射コンポーネントの内の第１の反射コンポーネントは凹面を形成す る短い半径と凸面を形成する長い半径とを有する反射面を具備しており、一対の 反射コンポーネントの内の第２の反射コンポーネントは凸面を形成する短い半径 と凹面を形成する長い半径とを有する反射面を具備していることを特徴とする請 求項２で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

４、一対の反射コンポーネントの内の第１の反射コンポーネントの反射面の長い 半径及び短い半径は共に凸面を形成し、一対の反射コンポーネントの内の第２の 反射コンポーネントの反射面の長い半径及び短い半径は共に凹面を形成すること を特徴とする請求項２で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装 置。

５、一対の反射コンポーネントの内の第２の反射コンポーネントは一連のマイク ロトロイドの配列から成ることを特徴とする請求項２で請求した、俯角入射コリ メータとして使用可能な光学装置。

６、一連の配列はマイクロトロイドを少なくとも５０個有していることを特徴と する請求項５で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

７、一連の配列はマイクロトロイドを５０個ないし１０００個有していることを 特徴とする請求項６で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置 。

８、一連の配列は異なる長さの短い半径を有する一連のマイクロトロイドを具備 でいることを特徴とする請求項５で請求した、俯角入射コリメータとして使用可 能な光学装置。

９、一対の反射コンポーネントの第１及び第２の反射コンポーネントの相対的距 離及び向きを同時に変更する手段を有していることを特徴とする請求項２ないし ８のいずれか１項で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

１０、　　少なくとも１個の反射コンポーネントの曲率を変更する手段を有する ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項で請求した、俯角入射コリメ ータとして使用可能な光学装置。

１１、　　曲率を変更する手段は、反射面を有するコンポーネントの対向端に反 対の符号の偶力を加える手段を具備していることを特徴とする請求項１０で請求 した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。

１２、　一連のストリップ形状の部材に分割された表面層を有する基板から成る ベース部材を形成する工程と、加熱して表面層を溶融する工程とを有する、光学 コンポーネントの製造法。

１３、　　比較的高融点の材料から成る基板は比較的低融点の祠料の表面層によ り被覆され、表面層は一連のストリップ状部材に分離され、基板及び表面層は相 対的な高融点と相対的な低融点との間の温度まで加熱されることを特徴とする請 求項１２で請求した、光学コンポーネントの製造法。

１４、　表面層は断面が傾斜していることを特徴とする請求項１３で請求した、 光学コンポーネントの製造法。

１５、　　表面層が金属であることを特徴とする請求項１３又は１４で請求した 、光学コンポーネントの製造法。

１６、　　表面層か重合体材料であることを特徴とする請求項１３又は１４で請 求した、光学コンポーネントの製造法。

１７、　表面層かノボラフレジスト（ｎｏｖｏｌａｋ　ｒｅｓｉｓｔ）であるこ とを特徴とする請求項１６で請求した、光学フンボーネントの製造法。

１８、　　　その後、表面層か反射コーティングにより被覆されることを特徴と する請求項１６又は１７で請求した、光学コンポーネントの製造法。

１つ、　　その後、表面層が多重反射コーティングにより被覆されることを特徴 とする請求項１８で請求した、光学コンポーネントの製造法。

２０、　　その後、表面層が金で被覆されることを特徴とする請求項１８で請求 した、光学コンポーネントの製造法。

より製造された光学装置。

２２、　　請求項１ないし１０又は請求項２１のいずれか１項に従って光学コン ポーネントが組み込まれている放射線源。

２３、　　請求項１ないし１０又は請求項２１のいずれか１項に従って光学コン ポーネントが組み込まれているシンクロトロン。

国際調査報告 国際調査報告

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. １．サドルトロイド形状の反射面を少なくとも１枚有していることを特徴とし、 俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
2. ２．一対の反射コンポーネントから成り、各コンポーネントがサドルトロイド形 状の反射面を少なくとも１枚有していることを特徴とし、請求項１で請求した、 俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
3. ３．一対の反射コンポーネントの内の第１の反射コンポーネントは凹面を形成す る短い半径と凸面を形成する長い半径とを有する反射面を具備しており、一対の 反射コンポーネントの内の第２の反射コンポーネントは凸面を形成する短い半径 と凹面を形成する長い半径とを有する反射面を具備していることを特徴とし、請 求項２で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
4. ４．一対の反射コンポーネントの内の第１の反射コンポーネントの反射面の長い 半径及び短い半径は共に凸面を形成し、一対の反射コンポーネントの内の第２の 反射コンポーネントの反射面の長い半径及び短い半径は共に凹面を形成すること を特徴とし、請求項２で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装 置。
5. ５．一対の反射コンポーネントの内の第２の反射コンポーネントは一連のマイク ロトロイドの配列から成ることを特徴とし、請求項２で請求した、俯角入射コリ メータとして使用可能な光学装置。
6. ６．一連の配列はマイクロトロイドを少なくとも５０個有していることを特徴と し、請求項５で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
7. ７．一連の配列はマイクロトロイドを５０個ないし１０００個有していることを 特徴とし、請求項６で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置 。
8. ８．一連の配列は異なる長さの短い半径を有する一連のマイクロトロイドを具備 ていることを特徴とし、請求項５で請求した、俯角入射コリメータとして使用可 能な光学装置。
9. ９．一対の反射コンポーネントの第１及び第２の反射コンポーネントの相対的距 離及び向きを同時に変更する手段を有していることを特徴とし、請求項２ないし ８のいずれか１項で請求した、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
10. １０．少なくとも１個の反射コンポーネントの曲率を変更する手段を有すること を特徴とし、請求項１ないし９のいずれか１項で請求した、俯角入射コリメータ として使用可能な光学装置。
11. １１．曲率を変更する手段は、反射面を有するコンポーネントの対向端に反対の 符号の偶力を加える手段を具備していることを特徴とし、請求項１０で請求した 、俯角入射コリメータとして使用可能な光学装置。
12. １２．一連のストリップ形状の部材に分割された表面層を有する基板から成るベ ース部材を形成する工程と、加熱して表面層を溶融する工程とを有する、光学コ ンポーネントの製造法。
13. １３．比較的高融点の材料から成る基板は比較的低融点の材料の表面層により被 覆され、表面層は一連のストリップ状部材に分離され、基板及び表面層は相対的 な高融点と相対的な低融点との間の温度まで加熱されることを特徴とし、請求項 １２で請求した、光学コンポーネントの製造法。
14. １４．表面層は断面が傾斜していることを特徴とし、請求項１３で請求した、光 学コンポーネントの製造法。
15. １５．表面層が金属であることを特徴とし、請求項１３又は１４で請求した、光 学コンポーネントの製造法。
16. １６．表面層が重合体材料であることを特徴とし、請求項１３又は１４で請求し た、光学コンポーネントの製造法。
17. １７．表面層がノポラクレジスト（ｎｏｖｏｌａｋｒｅｓｉｓｔ）であることを 特徴とし、請求項１６で請求した、光学コンポーネントの製造法。
18. １８．その後、表面層が反射コーティングにより被覆されることを特徴とし、請 求項１６又は１７で請求した、光学コンポーネントの製造法。
19. １９．その後、表面層が多重反射コーティングにより被覆されることを特徴とし 、請求項１８で請求した、光学コンポーネントの製造法。
20. ２０．その後、表面層が金で被覆されることを特徴とし、請求項１８で請求した 、光学コンポーネントの製造法。
21. ２１．請求項１１ないし２０のいずれか１項の製造法により製造された光学装置 。
22. ２２．請求項１ないし１０又は請求項２１のいずれか１項に従って光学コンポー ネントが組み込まれている放射線源。
23. ２３．請求項１ないし１０又は請求項２１のいずれか１項に従って光学コンポー ネントが組み込まれているシンクロトロン。