JPH03502025A - 高精度回路パターンを備えた曲線形プラスチツク本体 - Google Patents

高精度回路パターンを備えた曲線形プラスチツク本体

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JPH03502025A JP1511741A JP51174189A JPH03502025A JP H03502025 A JPH03502025 A JP H03502025A JP 1511741 A JP1511741 A JP 1511741A JP 51174189 A JP51174189 A JP 51174189A JP H03502025 A JPH03502025 A JP H03502025A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 高精度回路パターンを備え た曲線形プラスチック本体 発明の背景 不発明は三次元成型物の表面に埋めこんだ電子回路とその製法に関する。特に、 本発明は、三次元の硬質プラスチック物体と隣接密着関係で、例えば電子回路の ような面適合する正確な金属パターンに関する。
例えばマイクロウェブアンテナのような回路部材は、しばしば、回線形三次元プ ラスチック面上に配置するのが望才しいことがある。この目的を充足するために 、回路部材を表面の湾曲に合わせて曲線形にしなければならない。回線形回路の 例としては、ジョンズの米国特許第4051480号と4010470号とに示 されたパッチ、又はスパイラルマイクロウェブアンテナがある。これらの特許は 面適合型アンテナの有用性を立証している。
マイクロウェブアンテナの回路部材はまたその回路が適切に機能するように高精 度(数千分の1の位数)を有していなければならない。しかしながら、平面に同 様の回路を形成するのに比べて曲線面に高度に正確な金属パターン、即ち回路部 材を形成することは難かしく、高価である。この困難性と高価さのために、その 効果に拘らず、曲線形回路部材の使用が制限される。
マイクロウェブ回路部材に使用されるものは、例えば、デジタルや遠距離通信に ますます使用量が増加している高周波アナログ又は短パルス信号のような他の高 速信号通信にももつと広く使用される。これらの場合、マイクロウェブに使用す る場合のように、回路トレースの誘電支持体の電気インピーダンスや導電トレー スの正確な微小寸法に関してその需要が多い。そのような用途に、曲線形三次元 回路を使用することにより、いくつかの効果が生じることもまた1次第に理解さ れつつある。なぜなら、必要空間が少くてすみ、製造費が経済的で信号伝達距離 を短縮できるからである。
近年、曲線形プラスチック表面に導電性パターンを取付ける方法がいくつか新し く考え出されている。一つのアプローチとしては、面適合表面を有するすでに成 型済の部分を支持シートに押圧する方法をとる。その支持シートは、樹脂マ)  +7ツクスにある導電粒子で成る回路パターンをその表面に有する。加熱により 、その樹脂は剛性プラスチック基板に接着し、導電粒子は固まって、導電性が増 強した密度の濃いパック状態となる。この樹脂は典型的には、熱硬化性樹脂であ り、成型物の曲線面に適合する。この樹脂を加熱すると、導電性粒子が基板に固 定し、かくしてパターンの位置を決める。しかしこの方法はマイクロウェブには うまく使用されない。集合した粒子のランダム性により、表面がでこぼこした不 規則な面となり、このために電磁エネルギーが無駄に放散する。また、これらの 導電体はマイクロウェブやその他の高速回路モ使用するには適さないほど高抵抗 を有する。この方法はまた、成型段階の他に、回路を基板上に配設するために位 置づけ段階と加熱段階とを別個に必要とするので、効率が悪く、費用もかかる。
プラスチック基板に三次元金属パターンを形成するもうひとつのアプローチは、 パターン化したモールド空所を使用する。この方法では、回路パターンはモール ドの導電区域として存在し、そのモールドの残り部分は非導電性である。導電区 域には、金属鋼がめつきされる。その銅はモールドの導電部分に接着するが、モ ールドの他の部分には接着しない。過剰の銅は除去し、プラスチックをモールド 内に押入する。スチールや同様の金属はモールド材として使用するのが好ましく 、従って、銅は成型段階中にプラスチックに接着する。これは鋼モールドを取出 すとき、パターンを金属からプラスチックへ移動させる。しかしながら、この従 来の方法はまた、成る従来から知られた問題をも有する。例えば、このアプロー チは本質的に非常に高価である。さらにその方法は成型段階と次の成型段階との 間でモールドに銅パターンをつけ直す必要があり、これは大変時間のかかる作業 である。またつけ直したモールド挿入体を使うこともできるが、これは必要な高 精度を出すためには。
各挿入体を高い費用をかけて機械加工する必要がある。また、多くの所望の成型 化合物は摩耗性フィラーを含むので、これは結局、パターンの限定作用に悪影響 を与え1品質が悪くなり、結局、モールド、又は挿入体を取りかえねばならない 。才だ、F!A確な回路パターンを使用すると、新しい挿入体や新しいモールド を必要とし、従って費用がさらにかさむ。
さらにもうひとつの従来のアプローチは、電気めっきの容易な調合プラスチック を使って所望の回路パターンを隆起したIJ IJ−フに成型する必要がある。
それから、成型の第2段階でオリジナル成型面の凹部分に、非めっき用プラスチ ックが成型される。しかしながらこの方法は、特別に調合したプラスチックを必 要とし、その場合のフィラーはマイクロウェブや他の高速回路基板にとって必要 な特性としての低分散係数やう才く制御した誘電定数の要求に合わない。さらに 細い導電線や材料(あとで導電性となるようにめっきされる)の成型に依存する ことは、臨界状に制御された狭いインピーダンス線上に厳密なトレランスを保持 するには確実な方法ではない。
従来の方法の前述の問題やその他の問題は本発明の寸法の正確な回路パターンを もつ曲線形成型本体により克服できる。
本発明によれば、可撓性回路基板上に正確に形成された回路は以下の方法で、曲 線形三次元プラスチック本体へ移送される。即ち、プラスチックを可撓性回路に 対して所定の形に成型し、それから成型組立体をモールドから取出したのち、可 撓性基板を除去する。か(して金属パターンは硬質プラスチック成型本体の曲線 形部適合表面に接着し。
そこに正確に配設される。
可撓性基板に着脱自在に積層した滑らかな銅箔で連続調トレース、又は他の金属 トレースを生じさせるために標準の写真石版法を使って正確な回路がつくられる 。この可撓性基板はプラスチックの高い成型温度に耐えることができなければな らない。銅を基板に接着させるために使用する接着剤もまた、高成型温度及び高 成型圧に耐えることができなければならない。この写真石版法は多くの回路パタ ーンを同時に一枚の材料シート上に生じさせることができる。
これらの回路はそこで成型工程で使用する材料に適した寸法に自動的に切断され る。可撓性回路(これも成る寸法に切断される)がそれから、モールド内に挿入 される。可撓性基板に取付られた銅又はその他の金属の露出面は、銅と成型化合 物との間の接着剤による接合を強化するために適切に処理される。回路を形成す る銅の露出側、即ち処理側はモールド空所の内側を向いている。可撓性回路は真 空。
ピン、又は他の何らかの適切な手段により適所に保持される。これらの保持手段 は、可撓性回路のすべりを防ぎ、仕上げ成型製品に必要な正確な位置づけを生じ させる。
可撓性回路が適所に配置されると、プラスチック成型材料が空所へ押しこまれ、 銅の露出面に押圧される。圧力を十分にかけてプラスチックと銅との間の接触を 確実にし、成型化合物をパックして欠陥のない成型部分に形成する。
この成型部分は、成型化合物が固形となったのち、モールドから取出される。可 撓性基板と接着剤は成型化合物、接着剤及び可撓性基板に適した特殊な処理を用 いることによって成型部分から除去される。そのあとに残ったものは。
曲線形プラスチック本体にある非常に正確な回路である。
成型化合物が熱可塑性材である場合、接着剤は特殊溶媒又は化学的に作用する溶 媒により、接着剤は溶解するが、熱可塑性材は溶解しないように選択される。熱 可塑性成型化合物は有効な成型段階では接着剤の軟化温度以下で軟化しなければ ならないので、接着剤を軟化させるために熱だけを使用することはできない。例 えば、成型化合物としてアイソタクチックポリプロピレンを使用する場合、LA RごTPIを使用し、その接着剤を溶解するために、アルコール性水酸化カリウ ム溶液を使用する。
成型化合物が適切な熱硬化性材であれば、接着剤を腐食するが成型化合物は腐食 させないような溶液で接着剤を溶解するか又は、硬化した熱硬化性接着剤を熱で 軟化させることもできる。いずれの場合も成型段階中、又は次の硬化後の操作中 、硬化が十分に行われる。
回路は可撓性基板上に写真石版作用が行われるので、モールドを変えることなし に多くの回路パターンを利用することができる。また高価な工具も必要とせず、 パターンの摩耗も生じることなく、−回の成型操作で十分である。これらの効果 により従来の先行技術に比べて、融通性も品質も改善され、効率も上り、コスト も軽減している。
本発明の前述の特徴及び効果やその他の特徴及び効果は次の詳細な説明と図面か ら明らかとなるであろう。
図面の簡単な説明 企図を通して同一部材には同一符号を付す。
第1図は本発明に従ってその表面に非常に正確な回路パターンを埋め込んだ三次 元物体の前面斜視図である。
第2図は可撓性基板上にある非常に正確な回路の平面図であり、 第3図は第2図の3−3線に沿ってとった横断面図であり、 第4図は、三次元モールドの横断面図であって、モールド空所内に配置された可 撓性基板上に回路を有する三次元モールドの横断面図である。
第5図は本発明のプロセスフローチャートである。
第1〜5図を同時に参照すれば、その表面に非常に正確な金属パターンを埋めこ んだ曲線状プラスチック三次元本体を符号10で示す。この曲線状本体/金属パ ターン10は、好ましい実施例では円錐形、円筒形又はその他の形の面に適合す る表面(1面に適合するlという用語は、しわやカールやストレッチングにより その柔軟面を歪才せることなしにその柔軟面を適合させることのできる表面を意 味する)の形をした三次元プラスチック本体12と、好ましい実施例では、非常 に正確な銅回路である高度に正確な金属パターン14とで成る。
この曲線状本体/金属パターン10は第5図に概略図で示す方法で製造する。第 1段階は適切な接着剤を使って銅と可撓性基板との積層体をつくることである。
積層にしたのち、処理側が露出するように処理鋼を使用するのが好ましい。これ は成型化合物に対する銅の接着を最大限にするためである。可撓性回路に対する 銅の接着は成型段階を切り抜けることができる程度で十分であり、接着剤に面す る銅は処理しても処理しなくてもよい。銅処理は、プリント回路板をつくる時に よく使われるものが適切であり、例えば電着銅タイプであって、ポリマーと積層 をなすとき機械インターロックを行う樹木構造を処理側に生じる。また使用する 成型化合物に適した接着増強剤で露出する銅を処理することも望ましい。プロセ スの第2段階は、可撓性回路18をつくるために可撓性基板16上に非常に正確 な金属パターン14を形成することである。第3段階は、所望の三次元プラスチ ック本体12の前もって選択した形に合った寸法のモールド20内に可撓性回路 18を配置することである。プロセスの第4段階は、モールド20内に成型化合 物22を入れてモールド20を充填することであり、化合物22はそれから硬化 して成型物24を形成する。プロセスの第5段階は成型物24を取り出すことで あり、その成型物は、可撓性基板16を取付けた曲線本体/金属パターン10を 構成する。成凰物24はそれから熱硬化物の硬度を上げるためにまた熱硬化物と 熱可塑物の両方の内部応力を除去するために事後加熱を行う。プロセスの第6段 階は成型物24をリンスして可撓性基板を除去することであり、ここで仕上げ製 品となる。即ち、その表面に非常に正確な金属パターンを埋めこんだ三次元プラ スチック曲線本体となる。
前述のように、可撓性回路18はモールド20内にあるモールド空所28に配置 される。空所壁32にセットされたリリーフ30は可撓性回路18を保持する大 きさに形成される。リリーフ30に位置する真空部分34は、リリーフ30内へ 可撓性回路18を引きこみ、成型(第4段階)工程時、その可撓性回路を適所に 保持する。可撓性回路18を適所に保持するために、引抜き可能なピンを使用す ることもできる。
成型化合物22はモールド空所28へ押入され、金属パターン14に対して押圧 され、空所28に化合物22が充填される。十分な充填圧を用いて、欠陥のない 成型部品を構成する。
前述のように、金属パターン18と共に成型物24が取り出され、可撓性基板1 6が除去されたのち、成型物24は適切に事後加熱が行われ、成型化合物22の 硬化を仕上げ、よく知られている成型時応力を除去する。この段階の後、プラス チックから金属パターン14を外すことなしに。
また成型物24を傷つけないように、成型物24から基板16と接着剤26を除 去する操作を行う。その場合、溶剤でのリンスが好ましい。この溶剤、即ち溶液 は接着剤26を溶解、即ち分解するが、その時仕上げ製品10を構成する硬化プ ラスチック、又は金属パターンに影響を与えることはない。接着剤26と可撓性 基板16を除去するために熱(熱硬化性成型化合物を使用するとき)やその他の 手段を使用することもできる。
可撓性基板16に接着した非常に正確な金属パターン14を有する可撓性回路1 8は、よく知られた写真石版法を使って、銅被覆フィルム上に形成するのが好ま しい。銅被覆フィルムは接着剤26により可撓性フィルム、即ち基板16に接着 された固形鋼層である。
フィルム16と接着剤26とは、成型熱に耐え成型後成型物から除去することの できる材料である。この好ましいフィルムはよく知られたKAPTONフィルム のようなポリイミドフィルムである。そのポリイミドフィルムは適切な接着剤と 共に使用したとき、成型温度以上の温度で寸法が安定しており、これらのフィル ムは成型化合物から除去し易い。
その他、寸法が大変安定しているフィルムを使用することもできる。
接着剤はLARC熱可塑性ポリイミド、その他のポリイミド、エポキシ、フェノ ール、その他の熱硬化性樹脂であって、あとで化学作用剤溶剤又は高温により成 型プラスチックから除去しうるものである。溶剤、化学作用剤又は温度は接着剤 やフィルムを除去するとき、成型材を傷つけないように成型材と矛盾しないもの でなければならない。
成型化合物はマイクロウェーブやその他の高速信号伝達装置に適した誘電特性を 有していなければならない。マイクロウェブ周波数で適切な低分散係数を有する ことの他にこの成型材料はマイクロウェブやその他の高速信号伝達部材の設計に ふされしい誘電定数を有していなければならない。その成型材料は高温に耐え、 またはんだ接続を有するプリント配線板の処理上の厳しさにも耐えることができ なければならない。それらの材料は温度変化や湿度にさらされる場合にも安定し た誘電定数と分散係数を表わさなければならない。その結果、インピーダンスや 同調周波数の微調整、その他の許容性に関する特性が保持される。それらの材料 は寸法が安定していなければならない。さらにそれらの材料は、投射体に使用す るとき、例えば高度の加速のような最後の機械的負荷に耐えるほど十分な強度を 有していなければならない。最後に、それらの材料は好ましくは安価な量産法に より成型できなければならない。
上記要件を満足させる好ましい成型化合物は、1987年5月14日付出願の米 国特許出願第050243号(その譲受人に譲渡されている)に開示された高度 の交叉結合したビニールブタジェンである。米国特許出願第050243号の材 料は商標TVMの名でロジャース社から市販されている。その他の成型化合物は 例え1ず、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド、ポリエステル、アルキ ドのような適切に調合した熱硬化性プラスチック化合物や、シリコンがあり、さ らにフェノール系、尿素系及びメラミン系も使用されることがある。また未調合 高温熱可塑性物やそれらの調合化合物も時々使用され、それにはPEEK、 P PS、PEI、ポリスルフォンポリエステル、ポリアクリレート及びポリアミド イミド結晶ポリオレフィンが含まれる。この熱硬化性及び熱可塑性材のこのリス トは一例にすぎない。
プラスチック成型化合物に使用されるフィラーは、特定の誘電定数、低熱膨張係 数、強度、モジュール(どれもマイクロウェブ基板の要求に矛盾しない)を達成 するために付加されるものを含む。好ましいフィラーとしては、シリカ、二酸化 チタン、種々の金属チタン酸塩、アルミナ、マグネシア、窒化硼素、シリコンカ ーバイド、酸化アルミニウム、グランド石英、マイクログラス、ケブラー、その 他マイクロウェブ用途に矛盾しない繊維がある。
本発明の重要な特徴は、基板(1)と5可撓性キヤリヤ(II)と、前記可撓性 キャリヤとうすい金属回路トレースとの間の接着剤(2)として使用されるポリ マー材の関係から生じる。ロジャース社のTMM成型材料である好ましい基板に よって、■と■の選択の幅が広がる。
ここで使用する接着剤は、微小な金属トレースを移動させてしまうので成型温度 で軟化してはならないが、成型後基板ポリマーを傷つけることなしに除去される ことができなければならない。例えば■を除去するときの1の損傷は■の除去の ためにIの溶融温度、又は軟化(例えばガラス変移)温度をこえる温度を必要と する場合に生じる。また■を除去するために化学化層剤を使用する場合には、前 記化学作用剤は■を腐食するものであってはならない。
好ましい実施例において、熱硬化性TMM成型化合物■が使用され、これは約3 40下で硬化する。接着剤■はLARC熱可塑性ポリイミドであって、これはそ の温度より高いガラス変移温度を有するので、成型圧のもとでは曲らない。
それから成型された部品は事後加熱され、それによって熱硬化性樹脂は非常に高 度の交叉結合状態まで硬化される。
次に、熱い濃縮アルカリ(苛性)溶液を使用してLARC接着剤を化学的に腐食 させるが高度に交叉結合した炭化水素熱硬化材■を腐食してはならない。しかし ながら好ましいTVM熱硬化性化合物は通常のプラスチック材ではない。交叉結 合したエポキシ又は交叉結合したポリイミドや殆どの高温熱可塑性樹脂は、熱い 苛性溶液に耐えないようである。
好ましいシステムでは、LARCガラス変移温度以上に加熱し、剥離することに よって可撓性基板を実際に除去することができる。しかし殆どの熱硬化性プラス チック成型材料はこれが不可能である。
第1図に示す曲線状三次元物の他に1本発明は事実上もつと複雑な形を製造する こともできる。例えば次の成型段階で前もって製造した回路挿入体を使って、多 層曲線状回路をつくることができる。この方法で回路を構造体内に包囲した一体 的円錐形アンテナレーダドームを容易に形成することができる。この実施例では 、その回路を包囲し、保護カバーを備えるために成型化合物の少くとも1層を付 加する付加法を利用する(第5図の7と8段階)。前もって成型した回路に付加 回路を符合させることもできる。
本発明lこ従った曲線状プラスチック本体に非常に正確な可撓性回路を形成する 方法は製造業者や次の使用者にとって多くの効果を提供する。可撓性回路挿入体 を使用することにより、多くの回路パターンを単一モールドで使用することがで きる。この方法によれば殆ど摩耗が生じることがなく、高級製品ができしかも安 価でできる。その回路を限定するために使用される写真石版法も、非常に正確で ありこれはマイクロウェブに使用するために要求される高分解能回路を形成する 。このプロセスのもうひとつの効果は一段階式成型であり、これによって製造速 度と効率を上げることができる。この回路挿入体は1個のモールドで多くの回路 パターンの使用を可能にする。曲線状本体に非常に正確な回路を形成するこの方 法は安価で高品質の、しかも効率的な製造法である。
これまで好ましい実施例について図示かつ説明してきたけれども、本発明の本旨 と範囲から逸脱することなしに、種々の変形や置換が可能である。従ってこれま で説明してきた本発明はその例示であって、これに制限されるものではないこと は理解されるべきである。
FIo、  1 国際調査報告

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.可撓性回路を形成するため可撓性基板上に金属回路パターンを形成し、 前記回路パターンをモールド空所の内部へ向けた状態で前記可撓性回路をモール ド空所に前置し、前記モールド空所へ成型化合物を注入し、その時、前記成型化 合物は前記可撓性回路に対して押圧され、前記成型化合物は前記モールド空所の 空隙を全て充填する事と、三次元物体を形成するため前記成型化合物を硬化させ 、前記可撓性回路が前記成型物に埋めこまれた状態で前記成型物をモールドの側 部空所から取出し、三次元成型物の表面に前記回路パターンを埋めこんだままで 前記成型物から前記可撓性基板を除去する段階で成り、回路パターンをその表面 に埋めこんだ三次元物体の製法。
  2. 2.前記可撓性回路は、前記可撓性基板を前記回路パターンに接着させる接着剤 を有することを特徴とする請求の範囲第1項記載の製法。
  3. 3.前記回路パターンは銅で成ることを特徴とする請求の範囲第1項記載の製法 。
  4. 4.前記銅は成型化合物に面する表面が接着力を増すように処理されていること を特徴とする請求の範囲第3項記載の製法。
  5. 5.前記可撓性回路を受入れ、位置づけるために前記モールド空所にリリーフ手 段を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求の範囲第1項記載の製法 。
  6. 6.前記リリーフ手段は前記可撓性回路の寸法に等しい深さと寸法を有すること を特徴とする請求の範囲第5項記載の製法。
  7. 7.前記可撓性回路を前もつて選択した位置に保持できるように前記モールド空 所を通つて真空を引きこむ段階をさらに有することを特徴とする請求の範囲第1 項記載の製法。
  8. 8.前記リリーフ手段に開口を形成し、前記可撓性回路を前記リリーフ手段に保 持するため前記開口から真空を引きこむ段階をさらに有することを特徴とする請 求の範囲第5項記載の製法。
  9. 9.前記可撓性基板を除去する前記段階は、前記可撓性基板を前記成型物から除 去するため前記可撓性基板を化学的にリンスすることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の製法。
  10. 10.前記成型化合物はエポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド、熱硬化性 ポリエステル、ビニールエステル、アルキド、シリコン、フェノール系、尿素系 、メラミン系、ポリスルホンポリエステル、ポリアクリレート、ポリアミドイミ ド、PEEK、PPS、結晶性ポリオレフイン、PEIで成るグループから選択 されることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の製法。
  11. 11.前記接着化合物はポリイミド、エポキシ及びフェノール樹脂で成るグルー プから選択されることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の製法。
  12. 12.前記成型化合物はフィラー化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第1 項記載の製法。
  13. 13.前記フィラー化合物はシリカ、二酸化チタン、種々の金属チタン化物、ア ルミナ、マグネシヤ、窒化硼素、シリコンカーバイド、窒化アルミニウム、グラ ンド石英、マイクロガラス、ポリアラミドで成るグループから選択されることを 特徴とする請求の範囲第12項に記載の製法。
  14. 14.前記成型化合物はビニールブタジエンで成り、前記金属回路は銅で成り、 前記可撓性基板はポリイミドで成り、 前記接着剤はLARCポリイミド接着剤で成ることを特徴とする請求の範囲第2 項に記載の製法。
  15. 15.熱いアルカリ溶液で前記LARCポリイミド接着剤を化学的に腐食させる ことによつて前記可撓性基板を除去することを特徴とする請求の範囲第14項記 載の製法。
  16. 16.可撓性回路上に回路パターンを形成し、前記回路パターンをモールド空所 の内部へ向けた状態で前記可撓性回路をモールド空所に配置し、成型化合物を前 記モールド空所へ注入し、その時、前記成型化合物は前記可撓性回路に対して押 圧され、前記成型化合物は前記モールド空所の空隙の全てを充填することと、三 次元物体を形成するため前記成型化合物を硬化させ、前記可撓性回路を前記成型 物に埋めこんだ状態で側部モールド空所から前記成型物を取出し、 前記回路パターンを三次元成型物の表面に埋めこんだ状態で前記成型物から前記 可撓性基板を除去する段階で製造し、回路パターンをその表面に埋めこんだ三次 元物体。
  17. 17.前記回路はマイクロウエブマイクロストリッブアンテナを構成することを 特徴とする請求の範囲第15項記載の三次元物体。
  18. 18.外側成型カバーを形成するため前記三次元物体にかぶるように成型された 少くとも一つの付加成型化合物をさらに有することを特徴とする請求の範囲第1 5項記載の三次元物体。
  19. 19.前記外側成型カバーに形成された少くとも1個の付加回路をさらに有する ことを特徴とする請求の範囲第18項記載の三次元物体。
  20. 20.一体化したマイクロウエブアンテナと保護用レーダドームを更に有するこ とを特徴とする請求の範囲第19項記載の三次元物体。
  21. 21.円錐形の一体化したマイクロウエブアンテナ及び保護用レーダドームをさ らに有することを特徴とする請求の範囲第20項記載の三次元物体。
  22. 22.前記三次元物体をつつむように成型される成型化合物の複数の付加層をさ らに有することを特徴とする請求の範囲第15項記載の三次元物体。
  23. 23.前記付加層は、エポキシ、ジアリルフタレート、ビニールブタジエンポリ イミド、熱硬化性ポリエステル、ビニールエステル、アルキド、シリコン、フェ ノール系、尿素系、メラミン系、ポリスルホン、ポリエステル、ポリアクリレー ト、ポリアミド、イミド、PEEK、PPS、結晶性ポリオレフイン、PEIで 成るグループから選択した材料で構成されることを特徴とする請求の範囲第22 項記載の三次元物体。
  24. 24.前記付加ポリマー層は各々異なるポリマーで成ることを特徴とする請求の 範囲第22項記載の三次元物体。
  25. 25.前記外側カバーは、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド、熱硬化 性ポリエステル、ビニールエステル、アルキド、シリコン、フエノール系、尿素 系、メラミン系、ビニールブタジエンポリスルフオン、ポリエステル、ポリアク リレート、ポリアミドイミド、PEEK、PPS、結晶性ポリオレフイン、PE Iで成るグループから選択した材料で構成されることを特徴とする請求の範囲第 17項記載の三次元物体。
  26. 26.前記可撓性回路は、前記可撓性基板を前記回路パターンに接着する接着剤 で成ることを特徴とする請求の範囲第16項記載の三次元物体。
  27. 27.前記成型化合物はビニールブタジエンで成り、前記金属回路は銅で成り、 前記可撓性基板はポリイミドで成り、 前記接着剤はLARCポリイミド接着剤で成ることを特徴とする請求の範囲第2 3項記載の製法。
  28. 28.熱いアルカリ溶液で前記LARCポリイミド接着剤を化学的に腐食させる ことによつて前記可撓性基板を除去することを特徴とする請求の範囲第24項に 記載の製法。
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