JPH0347965A - 高融点金属膜の形成方法 - Google Patents
高融点金属膜の形成方法Info
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は、高融点金属膜の形成方法に関し、更に詳しく
は、例えばタングステン膜をＥＣＲプラズマＣＶＤによ
り形成する方法に関する。
は、例えばタングステン膜をＥＣＲプラズマＣＶＤによ
り形成する方法に関する。
［発明の概要］
この発明は、高融点金属膜の形成方法において、基体上
にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金属膜を形成す
るに際し、はじめにシラン系ガスを用いてＣＶＤを行な
い、次いで水素ガスを用いてＣＶＤを行なうことにより
、 高融点金属膜と下地層との密着性を改善し、しかも、膜
質を改善させたものである。
にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金属膜を形成す
るに際し、はじめにシラン系ガスを用いてＣＶＤを行な
い、次いで水素ガスを用いてＣＶＤを行なうことにより
、 高融点金属膜と下地層との密着性を改善し、しかも、膜
質を改善させたものである。
また、基体上にＦＯＲプラズマＣＶＤ法により高融点金
属膜を形成するに際し、反応ガスにハロゲン化シランを
用いることにより、 気相反応を抑えて、ステップカバレッジの良い膜を形成
し得るようにしたものである。
属膜を形成するに際し、反応ガスにハロゲン化シランを
用いることにより、 気相反応を抑えて、ステップカバレッジの良い膜を形成
し得るようにしたものである。
［従来の技術］
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、デバイスの高集積化が進む
なかで、層間膜の平坦化の需要に応え得る技術として注
目されている。
なかで、層間膜の平坦化の需要に応え得る技術として注
目されている。
即ち、ＥＣＲプラズマＣＶｒ）法は、低圧で高密度プラ
ズマを形成出来るため、高速で膜成長可能であり、しか
もウェハにＲＥバイアスを印加することにより、同一の
装置内で、余分な膜をエッヂング除去することが可能で
ある。しかも、低温プラズマを用いるため、低温成長が
可能である。
ズマを形成出来るため、高速で膜成長可能であり、しか
もウェハにＲＥバイアスを印加することにより、同一の
装置内で、余分な膜をエッヂング除去することが可能で
ある。しかも、低温プラズマを用いるため、低温成長が
可能である。
従来、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金属膜を形
成する方法として、タングステン膜の形成方法が知られ
ている。この形成方法は、反応ガスとして、六フッ化タ
ングステン（Ｗ Ｆ ｅ ）ガスと水素（Ｈ２）ガスを
用いてタングステン膜を成長させるものであるが、形成
されたタングステン膜とＳｉｎ、、との密着性が悪くな
るため、反応ガスにシラン（ＳｉＴ−Ｔ４）を添加した
技術が知られている（゛８９春応物第７２１頁、３ｐ−
７，Ｆｌ）。
成する方法として、タングステン膜の形成方法が知られ
ている。この形成方法は、反応ガスとして、六フッ化タ
ングステン（Ｗ Ｆ ｅ ）ガスと水素（Ｈ２）ガスを
用いてタングステン膜を成長させるものであるが、形成
されたタングステン膜とＳｉｎ、、との密着性が悪くな
るため、反応ガスにシラン（ＳｉＴ−Ｔ４）を添加した
技術が知られている（゛８９春応物第７２１頁、３ｐ−
７，Ｆｌ）。
また、特開昭５９−４７７２８号公報には、イオン源を
ＥＣＲ放電にしたという技術が開示されている。
ＥＣＲ放電にしたという技術が開示されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の方法にあっては、Ｓｉ
Ｈ４を添加することに起因して純粋なタングステンの膜
にならずにタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）の膜が
形成されてしまい、抵抗値が高くなるという問題点があ
った。また、ＳｉＨ４が分解し易いため、形成された膜
中に水素（Ｉ］）の含有量が多くなるという問題点や、
気相での反応が起り易く、ステップカバレッジが悪くな
る問題点があった。
Ｈ４を添加することに起因して純粋なタングステンの膜
にならずにタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）の膜が
形成されてしまい、抵抗値が高くなるという問題点があ
った。また、ＳｉＨ４が分解し易いため、形成された膜
中に水素（Ｉ］）の含有量が多くなるという問題点や、
気相での反応が起り易く、ステップカバレッジが悪くな
る問題点があった。
また、イオン源をＥＣＲプラズマ放電にした従来技術に
あっては、Ｓ】０２との密着性は改善されるものの、ス
パッタ膜がアルゴン（Ａｒ）を吸蔵したり、抵抗値の上
昇を来す問題点があった。
あっては、Ｓ】０２との密着性は改善されるものの、ス
パッタ膜がアルゴン（Ａｒ）を吸蔵したり、抵抗値の上
昇を来す問題点があった。
このため、斯る不都合を解消するためにＥＣＲプラズマ
ＣＶＴ）法でも、ウェハを加熱して、成膜することが提
案されているが、筒便なシステムで済むランプ加熱を行
なった場合、ウェハにタングステンなどの高融点金属膜
が成長するにつれて、該膜が付いたウェハとウェハ周囲
のサセプタからの熱輻射が異なり、周辺とウェハ上では
温度が異なるため、ガスの熱分解反応に分布が生じ、ひ
いては膜質、膜厚にバラツキが生じる問題点があった。
ＣＶＴ）法でも、ウェハを加熱して、成膜することが提
案されているが、筒便なシステムで済むランプ加熱を行
なった場合、ウェハにタングステンなどの高融点金属膜
が成長するにつれて、該膜が付いたウェハとウェハ周囲
のサセプタからの熱輻射が異なり、周辺とウェハ上では
温度が異なるため、ガスの熱分解反応に分布が生じ、ひ
いては膜質、膜厚にバラツキが生じる問題点があった。
ことに、この問題はＳ ＋ Ｈ４を添加したプロセスで
顕著である。
顕著である。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、下地が５ｉＯ１膜であっても密着性が
高く、膜質の良好な高融点金属膜の形成方法を得んとす
るものである。
たものであって、下地が５ｉＯ１膜であっても密着性が
高く、膜質の良好な高融点金属膜の形成方法を得んとす
るものである。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明は、基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より高融点金属膜を形成するに際し、はじめにシラン系
ガスを用いてＣＶＤを行ない、次いで水素ガスを用いて
ＣＶＤを行なうことを、その第１の解決手段としている
。
より高融点金属膜を形成するに際し、はじめにシラン系
ガスを用いてＣＶＤを行ない、次いで水素ガスを用いて
ＣＶＤを行なうことを、その第１の解決手段としている
。
また、基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金
属膜を形成するに際し、反応ガスにハロゲン化シランを
用いることを、その第２の解決手段としている。
属膜を形成するに際し、反応ガスにハロゲン化シランを
用いることを、その第２の解決手段としている。
［作用」
第１請求項記載の発明は、シラン系ガスを用いて形成さ
れた薄膜が、下地（基体側）との密着を確保し、このシ
ラン系ガスによった薄膜の上に形成された薄膜は、水素
ガスを用いたことにより、純粋な高融点金属膜となり、
抵抗値の小さいものとなる。
れた薄膜が、下地（基体側）との密着を確保し、このシ
ラン系ガスによった薄膜の上に形成された薄膜は、水素
ガスを用いたことにより、純粋な高融点金属膜となり、
抵抗値の小さいものとなる。
第２請求項記載の発明は、反応ガスとして用いるハロゲ
ン化シランを用いることにより、形成された高融点金属
膜中の水素含有量が減少する。
ン化シランを用いることにより、形成された高融点金属
膜中の水素含有量が減少する。
［実施例］
以下、本発明に係る高融点金属膜の形成方法の詳細を図
面に示す実施例に基づいて説明する。
面に示す実施例に基づいて説明する。
先ず、実施例においては、第２図に示すようなバイアス
ＥＣＲプラズマＣＶｒ）装置を用いる。
ＥＣＲプラズマＣＶｒ）装置を用いる。
このバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ装置は、ウェハ１を
保持するサセプタ２が内部に配設された反応室３と、こ
の反応室３の上部に設けられたプラズマ生成室４と、こ
のプラズマ生成室４の回りに設けられた磁気コイル５と
から大略構成されている。同図中、６は石英ガラス板で
形成されたマイクロ波導入窓であり、このマイクロ波導
入窓６を介して矩形導波管７よりプラズマ生成室４ヘマ
イクロ波を導いている。なお、マイクロ波のマイクロ波
源（図示省略）としては、例えば、周波数２．４．５Ｇ
Ｈ１のマグネトロンを用いることができる。
保持するサセプタ２が内部に配設された反応室３と、こ
の反応室３の上部に設けられたプラズマ生成室４と、こ
のプラズマ生成室４の回りに設けられた磁気コイル５と
から大略構成されている。同図中、６は石英ガラス板で
形成されたマイクロ波導入窓であり、このマイクロ波導
入窓６を介して矩形導波管７よりプラズマ生成室４ヘマ
イクロ波を導いている。なお、マイクロ波のマイクロ波
源（図示省略）としては、例えば、周波数２．４．５Ｇ
Ｈ１のマグネトロンを用いることができる。
また、プラズマ生成室４において、マイクロ波導入窓６
と対向する他端にはプラズマ引出し窓８を設け、この窓
８を介して生成されたプラズマからプラズマ流９を引出
して、ウェハ１を載置したザセプタ２」−に導く。
と対向する他端にはプラズマ引出し窓８を設け、この窓
８を介して生成されたプラズマからプラズマ流９を引出
して、ウェハ１を載置したザセプタ２」−に導く。
反応室３は、排気系に接続されており、排気系としては
、例えば図示しない排気容重調整バルブポンプ等により
構成されている。また、プラズマ生成室４は、マイクロ
波の電界強度を高め、マイクロ波放電の効率を高めるよ
うに、マイクロ波空胴共振器の条件となっている。なお
、図中、１０１１ａ、１２はガス供給管を、Ｉｌｂはガ
ス排出管を示している。
、例えば図示しない排気容重調整バルブポンプ等により
構成されている。また、プラズマ生成室４は、マイクロ
波の電界強度を高め、マイクロ波放電の効率を高めるよ
うに、マイクロ波空胴共振器の条件となっている。なお
、図中、１０１１ａ、１２はガス供給管を、Ｉｌｂはガ
ス排出管を示している。
（第１実施例）
第１図Ａ及び第１図Ｂは、本発明の第１実施例を示して
いる。
いる。
先ず、本実施例は、基体としてのシリコン基板１３の表
面に第１次タングステン薄膜１４を膜厚５００人程度に
形成する。この第１次タングステン薄膜Ｉ４の成膜条件
は、反応ガスとして六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ ｅ
）を２０８ＣＣＭＩ シラン（Ｓ＋Ｈ４）を３０５Ｃ
ＣＭ＋水素（Ｈ７）をＩ ＯＯ５ｃｃｕアルゴン（Ａｒ
）を５０８ｏＣやの流量比で用い、マイクロ波出力を８
００Ｗ、圧力を５Ｘ］０−３Ｔ。
面に第１次タングステン薄膜１４を膜厚５００人程度に
形成する。この第１次タングステン薄膜Ｉ４の成膜条件
は、反応ガスとして六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ ｅ
）を２０８ＣＣＭＩ シラン（Ｓ＋Ｈ４）を３０５Ｃ
ＣＭ＋水素（Ｈ７）をＩ ＯＯ５ｃｃｕアルゴン（Ａｒ
）を５０８ｏＣやの流量比で用い、マイクロ波出力を８
００Ｗ、圧力を５Ｘ］０−３Ｔ。
ｏｒに設定した。この場合、プラズマ生成室４側へは、
アルゴンのみを、他のガスは反応室３側へ流ずようにす
る。
アルゴンのみを、他のガスは反応室３側へ流ずようにす
る。
斯る第１次タングステン薄膜１４の形成においては、シ
ラン（Ｓｉｌ＋４）を添加して用いるため、六フッ化タ
ングステン（Ｗ Ｆ ｅ ）とシラン（ＳｉＨ４）の解
離が進んで、実際にはタングステンというより、ＷｘＳ
ｉｙのシリサイド化合物として成長する。このように、
薄膜中に８１が入ってシリサイド化するため、タングス
テンのみからなる薄膜に比べ下地に対しての密着性がよ
く成長する。
ラン（Ｓｉｌ＋４）を添加して用いるため、六フッ化タ
ングステン（Ｗ Ｆ ｅ ）とシラン（ＳｉＨ４）の解
離が進んで、実際にはタングステンというより、ＷｘＳ
ｉｙのシリサイド化合物として成長する。このように、
薄膜中に８１が入ってシリサイド化するため、タングス
テンのみからなる薄膜に比べ下地に対しての密着性がよ
く成長する。
即ち、第１次タングステン薄膜１４は、後記する第２タ
ングステン薄膜Ｉ５とシリコン基板１３との間に介在し
て接着層として働く。
ングステン薄膜Ｉ５とシリコン基板１３との間に介在し
て接着層として働く。
次に、ガス条件を六フフ化タングステン（ＷＦｌ＋）を
２０８ＣＣＭ、水素（ｒ（、）を３０ ｓｃｃＭ、アル
ゴン（ハｒ）を５０８Ｃユとなし、マイクロ波出力を８
００Ｗ１圧力を５Ｘ］０−３Ｔｏｒｒに設定して、上記
第１次タングステン薄膜１４上に第２次タングステン薄
膜Ｉ５を例えば膜厚２５００人で形成する。この第２次
タングステン薄膜１５の形成では、反応ガスにＳ＋Ｈ＜
を用いず、水素（ｒイ、）を用いたため、薄膜はタング
ステンのみから形成され、抵抗値が」―がることばない
。
２０８ＣＣＭ、水素（ｒ（、）を３０ ｓｃｃＭ、アル
ゴン（ハｒ）を５０８Ｃユとなし、マイクロ波出力を８
００Ｗ１圧力を５Ｘ］０−３Ｔｏｒｒに設定して、上記
第１次タングステン薄膜１４上に第２次タングステン薄
膜Ｉ５を例えば膜厚２５００人で形成する。この第２次
タングステン薄膜１５の形成では、反応ガスにＳ＋Ｈ＜
を用いず、水素（ｒイ、）を用いたため、薄膜はタング
ステンのみから形成され、抵抗値が」―がることばない
。
本実施例によれば、２段階の成膜１゛程を備えることに
より、薄膜の密着性と低抵抗性の両方を満たすことがで
きる。
より、薄膜の密着性と低抵抗性の両方を満たすことがで
きる。
なお、本実施例に用いたシラン系ガスとしては、シラン
の他各種変更してもよい。
の他各種変更してもよい。
（第２実施例）
本実施例は、シリコン基板上にタングステン膜を形成す
るに際し、その成膜条件を下記の通りとした。
るに際し、その成膜条件を下記の通りとした。
六フッ化タングステン（ｗＦ６） ： ２０ＳＣＣＭ塩
化シラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｇ＋２２） ＊ ３０ ＳＣＣ
Ｍ水素（Ｈ２） ： ｌ ００５ＣＣＭ アルゴン（Ａ ｒ ） ： ５０ＳＣＣＭマイクロ波出
力 ８００Ｗ 圧力 ５ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ また、成膜に際してシリコン基板は、３００°Ｃに加熱
を行なった。なお、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を行なうに
際し、上記第１実施例と同様の装置を用いる。
化シラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｇ＋２２） ＊ ３０ ＳＣＣ
Ｍ水素（Ｈ２） ： ｌ ００５ＣＣＭ アルゴン（Ａ ｒ ） ： ５０ＳＣＣＭマイクロ波出
力 ８００Ｗ 圧力 ５ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ また、成膜に際してシリコン基板は、３００°Ｃに加熱
を行なった。なお、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を行なうに
際し、上記第１実施例と同様の装置を用いる。
本実施例によれば、反応ガスとしてシラン（Ｓ１ｒｒ４
）を用いて形成した膜に比較して水素（Ｈ２）含有量は
少なく、良好なステ・ツブカバレンジを得ることができ
る。
）を用いて形成した膜に比較して水素（Ｈ２）含有量は
少なく、良好なステ・ツブカバレンジを得ることができ
る。
また、本実施例においては、塩化シラン（Ｓ＋Ｔ−１２
Ｃ（！２ ）を反応ガスに用いたが、フッ化シラン（Ｓ
ｉ Ｈ２Ｆ ２）等の他のハロゲン化シランを用いて
もよい。
Ｃ（！２ ）を反応ガスに用いたが、フッ化シラン（Ｓ
ｉ Ｈ２Ｆ ２）等の他のハロゲン化シランを用いて
もよい。
以上、実施例について説明したが、この他に高融点金属
膜がシリコン基板に対して密着性を有するようにする手
段として、高融点金属膜を堆積させる前に、基体表面に
ＲＦバイアスを印加し、アルゴン（Ａｒ）などの希ガス
を用いて該基体表面のプリエッチを行なってもよい。こ
のブリエッチにより、表面積が大きくなり、又核成長サ
イトが増えるため、高融点金属膜の密着性が向上する。
膜がシリコン基板に対して密着性を有するようにする手
段として、高融点金属膜を堆積させる前に、基体表面に
ＲＦバイアスを印加し、アルゴン（Ａｒ）などの希ガス
を用いて該基体表面のプリエッチを行なってもよい。こ
のブリエッチにより、表面積が大きくなり、又核成長サ
イトが増えるため、高融点金属膜の密着性が向上する。
斯るブリエッチは、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を用いて行なわれ、その条件としては、例えば、アルゴ
ンガスを５０８ＣＣＭの流量、マイクロ波出力を８００
Ｗ、ＲＦバイアスを３００Ｗ。
を用いて行なわれ、その条件としては、例えば、アルゴ
ンガスを５０８ＣＣＭの流量、マイクロ波出力を８００
Ｗ、ＲＦバイアスを３００Ｗ。
圧力を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒに設定して、１〜３分間程
度のエツチングを行なえばよい。次に、六フッ化タング
ステン（ＷＰｅ）をＩＯ８ＣＣＭ、水素（Ｈ７）を４０
ｓｃｃｘ、アルゴン（Ａｒ）を３０８ＣＣＭ、マイクロ
波出力を８００Ｗ、ＲＦバイアスをＯＷ１圧力を５ＸＩ
Ｏ−３Ｔｏｒｒの成膜条件でタングステン膜を、前工程
でプリエッチを行なった基体表面上に成膜すればよい。
度のエツチングを行なえばよい。次に、六フッ化タング
ステン（ＷＰｅ）をＩＯ８ＣＣＭ、水素（Ｈ７）を４０
ｓｃｃｘ、アルゴン（Ａｒ）を３０８ＣＣＭ、マイクロ
波出力を８００Ｗ、ＲＦバイアスをＯＷ１圧力を５ＸＩ
Ｏ−３Ｔｏｒｒの成膜条件でタングステン膜を、前工程
でプリエッチを行なった基体表面上に成膜すればよい。
なお本例においては、ＲＦバイアスを印加してブリエッ
チしたが、発散磁界のみを用いてのプリエッチも可能で
ある。
チしたが、発散磁界のみを用いてのプリエッチも可能で
ある。
また、上記した第２実施例においては、成膜に際してシ
リコン基板の加熱を行なっているが、通常用いられるラ
ンプ加熱に代えて第３図に示すような加熱手段を用いる
ことにより高融点金属膜の膜質、膜厚のバラツキを防止
することが可能となる。
リコン基板の加熱を行なっているが、通常用いられるラ
ンプ加熱に代えて第３図に示すような加熱手段を用いる
ことにより高融点金属膜の膜質、膜厚のバラツキを防止
することが可能となる。
即ち、第３図に示す加熱手段は、サセプタ２のウェハ１
を載置するウェハ載置面２２Ｌの下方のサセプタ２内に
ガスを通す中空部２ｂが形成されて成るものであり、こ
の中空部２ｂに供給されるガスは、別途ヒータ等により
予め一定温度に加熱されるようになっている。なお、中
空部２ｂはウェハｌ全面を略均−に加熱し得るように複
数又は連続的に配設されている。
を載置するウェハ載置面２２Ｌの下方のサセプタ２内に
ガスを通す中空部２ｂが形成されて成るものであり、こ
の中空部２ｂに供給されるガスは、別途ヒータ等により
予め一定温度に加熱されるようになっている。なお、中
空部２ｂはウェハｌ全面を略均−に加熱し得るように複
数又は連続的に配設されている。
このように、サセプタ２を一定温度に加熱させたことに
より、ウェハ１への熱供給はサセプタからの熱輻射のみ
となりウェハｌ」−では温度が均一となる。このため、
ウェハ】表面での反応ガスの熱分解反応の分布が均一と
なり、膜質、膜厚の均一化を図ることが可能である。
より、ウェハ１への熱供給はサセプタからの熱輻射のみ
となりウェハｌ」−では温度が均一となる。このため、
ウェハ】表面での反応ガスの熱分解反応の分布が均一と
なり、膜質、膜厚の均一化を図ることが可能である。
また、第４図及び第５図は、他の加熱手段を示す断面図
である。
である。
この加熱手段は、半円筒形状の遮光板２Ｉ内に加熱用ラ
ンプ２０を配設し、この遮光板２１を回転させることに
より、下方に設けた螺線状のガス管加熱部２２ａとウェ
ハ１裏面との加熱に切り換えられるようになっている。
ンプ２０を配設し、この遮光板２１を回転させることに
より、下方に設けた螺線状のガス管加熱部２２ａとウェ
ハ１裏面との加熱に切り換えられるようになっている。
図中２２は、ガス供給管であり、サセプタ２で保持され
たウェハｌの裏面下方に管末端側が配位され、ウェハ１
に臨むように開孔２２ｂ〜２２ｂが開設されている。第
４図は、加熱用ランプ２０がガス管加熱部２２ａに対向
した状態を示しており、高融点金属膜を堆積させるとき
の状態である。この状態においては、開孔２２ｂから吐
出されるガスはウェハ１を均一に加熱するため、堆積膜
の膜質、膜厚を均一にすることができる。
たウェハｌの裏面下方に管末端側が配位され、ウェハ１
に臨むように開孔２２ｂ〜２２ｂが開設されている。第
４図は、加熱用ランプ２０がガス管加熱部２２ａに対向
した状態を示しており、高融点金属膜を堆積させるとき
の状態である。この状態においては、開孔２２ｂから吐
出されるガスはウェハ１を均一に加熱するため、堆積膜
の膜質、膜厚を均一にすることができる。
また、第５図は、加熱用ランプ２０がウェハ１裏面に対
向した状態を示しており、アニール処理が可能である。
向した状態を示しており、アニール処理が可能である。
なお、ウェハを均一に加熱する手段としては、この他に
各種の設計変更が可能である。
各種の設計変更が可能である。
さらに、上記した実施例においては、高融点金属として
タングステンに適用して説明したが、他の高融点金属を
適用しても勿論よい。
タングステンに適用して説明したが、他の高融点金属を
適用しても勿論よい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係る高融点金
属膜の形成方法によれば、高融点金属膜の下地層への密
着性が向上し、また、膜厚のバラツキを抑制し、抵抗値
の上昇を防止できる効果がある。
属膜の形成方法によれば、高融点金属膜の下地層への密
着性が向上し、また、膜厚のバラツキを抑制し、抵抗値
の上昇を防止できる効果がある。
また、反応ガスにハロゲン化シランを用いれば、気相反
応が抑えられ段差被覆性の良い高融点金属膜を形成でき
る効果がある。
応が抑えられ段差被覆性の良い高融点金属膜を形成でき
る効果がある。
第１図Ａ及び第１図Ｂは本発明に係る高融点金属膜の形
成方法の第１実施例を示す断面図、第２図はＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置の断面図、第３図はザセプタの断面図、
第４図及び第５図は加熱手段を示す断面図である。 １３・シリコン基板、１４・−第１次タングステン薄Ｍ
、１５ ・第２次タングステン薄膜。 ５ ＥＣＲプラスマＣＶＤ葛置装７）眸面図第２図 特開平 ４７９６５ （６） 加熱子役をホＴＭ面図（膜壇損時） 第４図
成方法の第１実施例を示す断面図、第２図はＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置の断面図、第３図はザセプタの断面図、
第４図及び第５図は加熱手段を示す断面図である。 １３・シリコン基板、１４・−第１次タングステン薄Ｍ
、１５ ・第２次タングステン薄膜。 ５ ＥＣＲプラスマＣＶＤ葛置装７）眸面図第２図 特開平 ４７９６５ （６） 加熱子役をホＴＭ面図（膜壇損時） 第４図
Claims (2)
- （１）基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金
属膜を形成するに際し、はじめにシラン系ガスを用いて
ＣＶＤを行ない、次いで水素ガスを用いてＣＶＤを行な
うことを特徴とする高融点金属の形成方法。 - （２）基体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により高融点金
属膜を形成するに際し、反応ガスにハロゲン化シランを
用いることを特徴とする高融点金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141489A JP2844693B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 高融点金属膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141489A JP2844693B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 高融点金属膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0347965A true JPH0347965A (ja) | 1991-02-28 |
| JP2844693B2 JP2844693B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16100348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18141489A Expired - Lifetime JP2844693B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 高融点金属膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844693B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224190A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-08-12 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | タングステンプラグの製造方法 |
| WO2000042232A1 (fr) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation de couche de tungstene et structure laminee a couche de tungstene |
| JP2003520445A (ja) * | 2000-01-21 | 2003-07-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | タングステンゲート電極の方法および素子 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP18141489A patent/JP2844693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224190A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-08-12 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | タングステンプラグの製造方法 |
| WO2000042232A1 (fr) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation de couche de tungstene et structure laminee a couche de tungstene |
| US6387445B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-05-14 | Tokyo Electron Limited | Tungsten layer forming method and laminate structure of tungsten layer |
| JP2003520445A (ja) * | 2000-01-21 | 2003-07-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | タングステンゲート電極の方法および素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2844693B2 (ja) | 1999-01-06 |
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