JPH034558A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH034558A JPH034558A JP14040089A JP14040089A JPH034558A JP H034558 A JPH034558 A JP H034558A JP 14040089 A JP14040089 A JP 14040089A JP 14040089 A JP14040089 A JP 14040089A JP H034558 A JPH034558 A JP H034558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- insulating film
- layer
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に抵抗素子を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
回路素子として抵抗素子を有する従来の半導体装置の一
例は第３図に示すように、シリコン基板１の表面に設け
た絶縁Ｍ３の上に多結晶シリコン層を堆積してこれを選
択的にエツチングし、バターニングした抵抗層４と、抵
抗層４を含む表面に設けた絶縁膜５と、抵抗層４の両端
部の絶縁膜５を開孔して設けたコンタクトホール６を介
して抵抗層４と接続する配線７を有している。
例は第３図に示すように、シリコン基板１の表面に設け
た絶縁Ｍ３の上に多結晶シリコン層を堆積してこれを選
択的にエツチングし、バターニングした抵抗層４と、抵
抗層４を含む表面に設けた絶縁膜５と、抵抗層４の両端
部の絶縁膜５を開孔して設けたコンタクトホール６を介
して抵抗層４と接続する配線７を有している。
上述した従来の半導体装置は、抵抗層が絶縁膜上に平面
的に形成されているため、高抵抗の抵抗層を形成する場
合には抵抗層の長さを長くする必要があり半導体チップ
上に占める抵抗素子の面積が大きくなり、高集積化を妨
げるという問題点がある。そのため、抵抗素子を多数必
要とする回路では半導体チップ面積が大きくなり、歩留
りも低下するという欠点がある。
的に形成されているため、高抵抗の抵抗層を形成する場
合には抵抗層の長さを長くする必要があり半導体チップ
上に占める抵抗素子の面積が大きくなり、高集積化を妨
げるという問題点がある。そのため、抵抗素子を多数必
要とする回路では半導体チップ面積が大きくなり、歩留
りも低下するという欠点がある。
本発明の目的は、半導体抵抗素子を立体的に構成して高
集積化を実現する半導体装置を提供することにある。
集積化を実現する半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板の一主面に設けた逆
台形状の凹部と、前記凹部を含む表面に設けた第１の絶
縁膜上に前記凹部の対向する２辺間の前記凹部の側面及
び底面に沿って設けた抵抗層と、前記抵抗層を含む表面
に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けたコ
ンタクトホールを介して前記抵抗層に接続する配線とを
備えている。
台形状の凹部と、前記凹部を含む表面に設けた第１の絶
縁膜上に前記凹部の対向する２辺間の前記凹部の側面及
び底面に沿って設けた抵抗層と、前記抵抗層を含む表面
に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けたコ
ンタクトホールを介して前記抵抗層に接続する配線とを
備えている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す半導体
チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン基板１の
表面に逆台形状の凹部２を設け、凹部２を含む表面に酸
化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の絶縁膜３を形成す
る０次に、絶縁膜３の上に多結晶シリコン膜を堆積して
選択的にエツチングし、凹部２の対向する２辺の間の凹
部２の側面及び底面に沿って形成された抵抗層４を設け
る。次に、抵抗層４を含む表面に液状シリカを塗布して
焼成しシリカフィルムを形成するが又は厚い酸化シリコ
ン膜を堆積してエッチバックする等により凹部２の内部
を充填して表面を平坦化した絶縁膜５を形成する。次に
抵抗層４の両端部の絶縁膜５を選択的に開孔してコンタ
クトホール６を設け、コンタクトホール６を含む表面に
アルミニウム層を堆積して選択的にエツチングしコンタ
クトホール６の抵抗層４と接続する配線７を形成する。
表面に逆台形状の凹部２を設け、凹部２を含む表面に酸
化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の絶縁膜３を形成す
る０次に、絶縁膜３の上に多結晶シリコン膜を堆積して
選択的にエツチングし、凹部２の対向する２辺の間の凹
部２の側面及び底面に沿って形成された抵抗層４を設け
る。次に、抵抗層４を含む表面に液状シリカを塗布して
焼成しシリカフィルムを形成するが又は厚い酸化シリコ
ン膜を堆積してエッチバックする等により凹部２の内部
を充填して表面を平坦化した絶縁膜５を形成する。次に
抵抗層４の両端部の絶縁膜５を選択的に開孔してコンタ
クトホール６を設け、コンタクトホール６を含む表面に
アルミニウム層を堆積して選択的にエツチングしコンタ
クトホール６の抵抗層４と接続する配線７を形成する。
以上説明したように本発明は、半導体基板に設けた凹部
の表面に絶縁膜を介して凹部の側面及び底面に沿って抵
抗層を設けることにより半導体基板表面の抵抗素子占有
面積を小さくでき、半導体チップの集積度を向上させる
という効果を有する。
の表面に絶縁膜を介して凹部の側面及び底面に沿って抵
抗層を設けることにより半導体基板表面の抵抗素子占有
面積を小さくでき、半導体チップの集積度を向上させる
という効果を有する。
また、抵抗素子を多数搭載する半導体チップの面積を縮
減でき歩留を向上させるという効果を有する。
減でき歩留を向上させるという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す半導体
チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す半導体チップの
平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・凹部、３・・・絶縁膜
、４・・・抵抗層、５・・・絶縁膜、６・・・コンタク
トホール、７・・・配線。
チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は従来の半導体装置の一例を示す半導体チップの
平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・凹部、３・・・絶縁膜
、４・・・抵抗層、５・・・絶縁膜、６・・・コンタク
トホール、７・・・配線。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に設けた逆台形状の凹部と、前記凹
部を含む表面に設けた第１の絶縁膜上に前記凹部の対向
する２辺間の前記凹部の側面及び底面に沿って設けた抵
抗層と、前記抵抗層を含む表面に設けた第２の絶縁膜と
、前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して
前記抵抗層に接続する配線とを備えたことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040089A JPH034558A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040089A JPH034558A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034558A true JPH034558A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15267901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14040089A Pending JPH034558A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192986A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP14040089A patent/JPH034558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192986A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH034558A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2617955B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03191563A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04139828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0555534A (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
| JPH02134848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05175428A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH04343261A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02143452A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0226039A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0964182A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0434955A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH03163828A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6240757A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0555455A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01298746A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04361566A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH03136351A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS60227459A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS57208160A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6173350A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02196457A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH01268043A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62237746A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0223674A (ja) | 配線の接続方法 |