JPH02196457A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02196457A JPH02196457A JP1670289A JP1670289A JPH02196457A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A
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- Japan
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に温度センサを有す
る半導体集積回路に関する。
る半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路は、半導体基板上に形成したダイ
オードの温度−電流特性を利用するものであった。
オードの温度−電流特性を利用するものであった。
上述した従来の半導体集積回路は、ダイオードの電気特
性を利用して温度を測定するため、電気信号を半導体集
積回路の外部へ取り出すための回路と、専用のポンディ
ングパッドを要し、さらには、パッケージにの外部リー
ドの内の複数のリードを前記回路の接続のために占有し
てしまい外部リードの利用率が悪くなるという欠点があ
る。
性を利用して温度を測定するため、電気信号を半導体集
積回路の外部へ取り出すための回路と、専用のポンディ
ングパッドを要し、さらには、パッケージにの外部リー
ドの内の複数のリードを前記回路の接続のために占有し
てしまい外部リードの利用率が悪くなるという欠点があ
る。
本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に順次積層し
て設けた第１及び第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁股上
の一部に順次積層して設けた互に熱膨張率の異なる２層
の金属層と、前記金属層の下面の一部の前記第２の絶縁
膜を除去して前記金属層の一部を可動にする空隙部とを
有する。
て設けた第１及び第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁股上
の一部に順次積層して設けた互に熱膨張率の異なる２層
の金属層と、前記金属層の下面の一部の前記第２の絶縁
膜を除去して前記金属層の一部を可動にする空隙部とを
有する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の製遣方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の上に
酸化シリコン膜２及び窒化シリコン膜３を順次堆積して
設け、窒化シリコン膜３の上に熱１μｍのクロム層５を
順次積層して設ける。
酸化シリコン膜２及び窒化シリコン膜３を順次堆積して
設け、窒化シリコン膜３の上に熱１μｍのクロム層５を
順次積層して設ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように、クロム層５及びアル
ミニウム層４を選択的に順次エツチングしてバイメタル
層６を形成する。
ミニウム層４を選択的に順次エツチングしてバイメタル
層６を形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、バイメタル層６を含
む表面にホトレジスト膜７を形成してパターニングし、
バイメタル層６の１辺の周縁段差部近傍を開孔する。
む表面にホトレジスト膜７を形成してパターニングし、
バイメタル層６の１辺の周縁段差部近傍を開孔する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ホトレジスト膜７を
マスクとして等方性エツチング法により窒化シリコン膜
３をエツチング除去し、バイメタル層６の下面の約半分
をえぐり取った空隙部８を形成して２０μｍ×５０μｍ
程度の面積のバイメタル層６の可動部分を設ける。この
とき、酸化シリコン膜２はエツチングストッパとして働
く。
マスクとして等方性エツチング法により窒化シリコン膜
３をエツチング除去し、バイメタル層６の下面の約半分
をえぐり取った空隙部８を形成して２０μｍ×５０μｍ
程度の面積のバイメタル層６の可動部分を設ける。この
とき、酸化シリコン膜２はエツチングストッパとして働
く。
次に、第１図（ｅ）に示すように、ホトレジスト膜７を
除去して半導体集積回路を構成する。
除去して半導体集積回路を構成する。
第２図は本発明の一実施例の構造を説明するための半導
体チップの斜視図である。
体チップの斜視図である。
図に示すように、素子領域を形成した半導体チップ９の
上に設けたバイメタル層６と、バイメタル層の一部の下
面に設けた空隙部８を有している。
上に設けたバイメタル層６と、バイメタル層の一部の下
面に設けた空隙部８を有している。
第３図は本発明の半導体集積回路の動作を説明するため
の半導体チップの断面図である。
の半導体チップの断面図である。
図に示すように、アルミニウム層４とクロム層５の熱膨
張率が異なるため温度変化によりバイメタル層６の可動
部分の角度θが変化する。バイメタル層６の上面に光を
当て入射光１０と反射光１１の角度θを測定することに
より、半導体集積回路の温度変化を知ることができる。
張率が異なるため温度変化によりバイメタル層６の可動
部分の角度θが変化する。バイメタル層６の上面に光を
当て入射光１０と反射光１１の角度θを測定することに
より、半導体集積回路の温度変化を知ることができる。
即ち、あらかじめ既知の温度変化に対する角度θの変化
の関係を受光器への反射光の位置により測定しておき、
実効時の半導体集積回路の温度変化を知ることができる
。
の関係を受光器への反射光の位置により測定しておき、
実効時の半導体集積回路の温度変化を知ることができる
。
以上説明したように本発明は、半導体チップ上に可動部
分を有するバイメタル層を形成することにより、非電気
的な温度モニタが可能により、センサ領域として必要な
面積が縮小されるため、微小な部分の局所的温度や複数
のセンサによる温度分布のモニタを可能にするという効
果がある。
分を有するバイメタル層を形成することにより、非電気
的な温度モニタが可能により、センサ領域として必要な
面積が縮小されるため、微小な部分の局所的温度や複数
のセンサによる温度分布のモニタを可能にするという効
果がある。
・・・空隙部、９・・・半導体チップ、１０・・・入射
光、１】−・・・反射光。
光、１】−・・・反射光。
Claims (1)
- 半導体基板上に順次積層して設けた第１及び第２の絶縁
膜と、前記第２の絶縁膜上の一部に順次積層して設けた
互に熱膨張率の異なる２層の金属層と、前記金属層の下
面の一部の前記第２の絶縁膜を除去して前記金属層の一
部を可動にする空隙部とを有することを特徴とする半導
体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1670289A JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1670289A JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196457A true JPH02196457A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11923617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1670289A Pending JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02196457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6828557B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Radiation-detection devices |
| US6835932B2 (en) | 2000-09-05 | 2004-12-28 | Nikon Corporation | Thermal displacement element and radiation detector using the element |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1670289A patent/JPH02196457A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6828557B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Radiation-detection devices |
| US6835932B2 (en) | 2000-09-05 | 2004-12-28 | Nikon Corporation | Thermal displacement element and radiation detector using the element |
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