JPH02196457A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH02196457A
JPH02196457A JP1670289A JP1670289A JPH02196457A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A
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JP
Japan
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layer
bimetal
film
successively
integrated circuit
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Application number
JP1670289A
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English (en)
Inventor
Atsuya Ooishi
大石 篤哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に温度センサを有す
る半導体集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路は、半導体基板上に形成したダイ
オードの温度−電流特性を利用するものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積回路は、ダイオードの電気特
性を利用して温度を測定するため、電気信号を半導体集
積回路の外部へ取り出すための回路と、専用のポンディ
ングパッドを要し、さらには、パッケージにの外部リー
ドの内の複数のリードを前記回路の接続のために占有し
てしまい外部リードの利用率が悪くなるという欠点があ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に順次積層し
て設けた第1及び第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁股上
の一部に順次積層して設けた互に熱膨張率の異なる2層
の金属層と、前記金属層の下面の一部の前記第2の絶縁
膜を除去して前記金属層の一部を可動にする空隙部とを
有する。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例の製遣方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
まず、第1図(a)に示すように、半導体基板1の上に
酸化シリコン膜2及び窒化シリコン膜3を順次堆積して
設け、窒化シリコン膜3の上に熱1μmのクロム層5を
順次積層して設ける。
次に、第1図(b)に示すように、クロム層5及びアル
ミニウム層4を選択的に順次エツチングしてバイメタル
層6を形成する。
次に、第1図(c)に示すように、バイメタル層6を含
む表面にホトレジスト膜7を形成してパターニングし、
バイメタル層6の1辺の周縁段差部近傍を開孔する。
次に、第1図(d)に示すように、ホトレジスト膜7を
マスクとして等方性エツチング法により窒化シリコン膜
3をエツチング除去し、バイメタル層6の下面の約半分
をえぐり取った空隙部8を形成して20μm×50μm
程度の面積のバイメタル層6の可動部分を設ける。この
とき、酸化シリコン膜2はエツチングストッパとして働
く。
次に、第1図(e)に示すように、ホトレジスト膜7を
除去して半導体集積回路を構成する。
第2図は本発明の一実施例の構造を説明するための半導
体チップの斜視図である。
図に示すように、素子領域を形成した半導体チップ9の
上に設けたバイメタル層6と、バイメタル層の一部の下
面に設けた空隙部8を有している。
第3図は本発明の半導体集積回路の動作を説明するため
の半導体チップの断面図である。
図に示すように、アルミニウム層4とクロム層5の熱膨
張率が異なるため温度変化によりバイメタル層6の可動
部分の角度θが変化する。バイメタル層6の上面に光を
当て入射光10と反射光11の角度θを測定することに
より、半導体集積回路の温度変化を知ることができる。
即ち、あらかじめ既知の温度変化に対する角度θの変化
の関係を受光器への反射光の位置により測定しておき、
実効時の半導体集積回路の温度変化を知ることができる
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体チップ上に可動部
分を有するバイメタル層を形成することにより、非電気
的な温度モニタが可能により、センサ領域として必要な
面積が縮小されるため、微小な部分の局所的温度や複数
のセンサによる温度分布のモニタを可能にするという効
果がある。
・・・空隙部、9・・・半導体チップ、10・・・入射
光、1】−・・・反射光。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に順次積層して設けた第1及び第2の絶縁
    膜と、前記第2の絶縁膜上の一部に順次積層して設けた
    互に熱膨張率の異なる2層の金属層と、前記金属層の下
    面の一部の前記第2の絶縁膜を除去して前記金属層の一
    部を可動にする空隙部とを有することを特徴とする半導
    体集積回路。
JP1670289A 1989-01-25 1989-01-25 半導体集積回路 Pending JPH02196457A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828557B2 (en) 2000-06-08 2004-12-07 Nikon Corporation Radiation-detection devices
US6835932B2 (en) 2000-09-05 2004-12-28 Nikon Corporation Thermal displacement element and radiation detector using the element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828557B2 (en) 2000-06-08 2004-12-07 Nikon Corporation Radiation-detection devices
US6835932B2 (en) 2000-09-05 2004-12-28 Nikon Corporation Thermal displacement element and radiation detector using the element

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