JPH02196457A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02196457A JPH02196457A JP1670289A JP1670289A JPH02196457A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP 1670289 A JP1670289 A JP 1670289A JP H02196457 A JPH02196457 A JP H02196457A
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- Japan
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- successively
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に温度センサを有す
る半導体集積回路に関する。
る半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路は、半導体基板上に形成したダイ
オードの温度−電流特性を利用するものであった。
オードの温度−電流特性を利用するものであった。
上述した従来の半導体集積回路は、ダイオードの電気特
性を利用して温度を測定するため、電気信号を半導体集
積回路の外部へ取り出すための回路と、専用のポンディ
ングパッドを要し、さらには、パッケージにの外部リー
ドの内の複数のリードを前記回路の接続のために占有し
てしまい外部リードの利用率が悪くなるという欠点があ
る。
性を利用して温度を測定するため、電気信号を半導体集
積回路の外部へ取り出すための回路と、専用のポンディ
ングパッドを要し、さらには、パッケージにの外部リー
ドの内の複数のリードを前記回路の接続のために占有し
てしまい外部リードの利用率が悪くなるという欠点があ
る。
本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に順次積層し
て設けた第1及び第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁股上
の一部に順次積層して設けた互に熱膨張率の異なる2層
の金属層と、前記金属層の下面の一部の前記第2の絶縁
膜を除去して前記金属層の一部を可動にする空隙部とを
有する。
て設けた第1及び第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁股上
の一部に順次積層して設けた互に熱膨張率の異なる2層
の金属層と、前記金属層の下面の一部の前記第2の絶縁
膜を除去して前記金属層の一部を可動にする空隙部とを
有する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例の製遣方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
まず、第1図(a)に示すように、半導体基板1の上に
酸化シリコン膜2及び窒化シリコン膜3を順次堆積して
設け、窒化シリコン膜3の上に熱1μmのクロム層5を
順次積層して設ける。
酸化シリコン膜2及び窒化シリコン膜3を順次堆積して
設け、窒化シリコン膜3の上に熱1μmのクロム層5を
順次積層して設ける。
次に、第1図(b)に示すように、クロム層5及びアル
ミニウム層4を選択的に順次エツチングしてバイメタル
層6を形成する。
ミニウム層4を選択的に順次エツチングしてバイメタル
層6を形成する。
次に、第1図(c)に示すように、バイメタル層6を含
む表面にホトレジスト膜7を形成してパターニングし、
バイメタル層6の1辺の周縁段差部近傍を開孔する。
む表面にホトレジスト膜7を形成してパターニングし、
バイメタル層6の1辺の周縁段差部近傍を開孔する。
次に、第1図(d)に示すように、ホトレジスト膜7を
マスクとして等方性エツチング法により窒化シリコン膜
3をエツチング除去し、バイメタル層6の下面の約半分
をえぐり取った空隙部8を形成して20μm×50μm
程度の面積のバイメタル層6の可動部分を設ける。この
とき、酸化シリコン膜2はエツチングストッパとして働
く。
マスクとして等方性エツチング法により窒化シリコン膜
3をエツチング除去し、バイメタル層6の下面の約半分
をえぐり取った空隙部8を形成して20μm×50μm
程度の面積のバイメタル層6の可動部分を設ける。この
とき、酸化シリコン膜2はエツチングストッパとして働
く。
次に、第1図(e)に示すように、ホトレジスト膜7を
除去して半導体集積回路を構成する。
除去して半導体集積回路を構成する。
第2図は本発明の一実施例の構造を説明するための半導
体チップの斜視図である。
体チップの斜視図である。
図に示すように、素子領域を形成した半導体チップ9の
上に設けたバイメタル層6と、バイメタル層の一部の下
面に設けた空隙部8を有している。
上に設けたバイメタル層6と、バイメタル層の一部の下
面に設けた空隙部8を有している。
第3図は本発明の半導体集積回路の動作を説明するため
の半導体チップの断面図である。
の半導体チップの断面図である。
図に示すように、アルミニウム層4とクロム層5の熱膨
張率が異なるため温度変化によりバイメタル層6の可動
部分の角度θが変化する。バイメタル層6の上面に光を
当て入射光10と反射光11の角度θを測定することに
より、半導体集積回路の温度変化を知ることができる。
張率が異なるため温度変化によりバイメタル層6の可動
部分の角度θが変化する。バイメタル層6の上面に光を
当て入射光10と反射光11の角度θを測定することに
より、半導体集積回路の温度変化を知ることができる。
即ち、あらかじめ既知の温度変化に対する角度θの変化
の関係を受光器への反射光の位置により測定しておき、
実効時の半導体集積回路の温度変化を知ることができる
。
の関係を受光器への反射光の位置により測定しておき、
実効時の半導体集積回路の温度変化を知ることができる
。
以上説明したように本発明は、半導体チップ上に可動部
分を有するバイメタル層を形成することにより、非電気
的な温度モニタが可能により、センサ領域として必要な
面積が縮小されるため、微小な部分の局所的温度や複数
のセンサによる温度分布のモニタを可能にするという効
果がある。
分を有するバイメタル層を形成することにより、非電気
的な温度モニタが可能により、センサ領域として必要な
面積が縮小されるため、微小な部分の局所的温度や複数
のセンサによる温度分布のモニタを可能にするという効
果がある。
・・・空隙部、9・・・半導体チップ、10・・・入射
光、1】−・・・反射光。
光、1】−・・・反射光。
Claims (1)
- 半導体基板上に順次積層して設けた第1及び第2の絶縁
膜と、前記第2の絶縁膜上の一部に順次積層して設けた
互に熱膨張率の異なる2層の金属層と、前記金属層の下
面の一部の前記第2の絶縁膜を除去して前記金属層の一
部を可動にする空隙部とを有することを特徴とする半導
体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1670289A JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1670289A JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02196457A true JPH02196457A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11923617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1670289A Pending JPH02196457A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02196457A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6828557B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Radiation-detection devices |
US6835932B2 (en) | 2000-09-05 | 2004-12-28 | Nikon Corporation | Thermal displacement element and radiation detector using the element |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1670289A patent/JPH02196457A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6828557B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Radiation-detection devices |
US6835932B2 (en) | 2000-09-05 | 2004-12-28 | Nikon Corporation | Thermal displacement element and radiation detector using the element |
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