JPH034542A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器に利用される半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
従来の技術を第2図(a)・〜(c)とともに説明する
。
。
まず、第2図(a)に示すように、セラミック、ガラス
、エポキシ等よりなる配線基板1の半導体素子3を固着
する部分に(導体配線2上を含んで)エポキシ、シリコ
ーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂6を塗布す
る。導体配線2は、0r−4u。
、エポキシ等よりなる配線基板1の半導体素子3を固着
する部分に(導体配線2上を含んで)エポキシ、シリコ
ーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂6を塗布す
る。導体配線2は、0r−4u。
ムl 、 ito 等よりなる。次に第2図(b)に示
すように、半導体素子3の突起状の電極4と導体配線2
を一致させ、半導体素子3を配線基板1に加圧体6によ
り加圧する。電極4はに71.ムu 、 Cu 等で
ある。この時、導体配線2上の樹脂6は周囲に押し出さ
れ、上部より紫外線8を照射することによって半導体素
子3の周縁部の樹脂6を硬化させ反固定する。上記の方
法で複数個の半導体素子3が仮固定された配線基板1を
第2図(0)に示すように、ナイロン、ポリプロピレン
等からなる真空袋7に入れ、真空包装し、複数個の半導
体素子3全てに大気圧による均等な圧力を6口える。こ
の状態のまま加熱することによって樹脂6全体を硬化さ
せ、その接着力により半導体素子3の電極4と導体配線
2の電気的接続と半導体素子3の機械的保持が完了され
る。
すように、半導体素子3の突起状の電極4と導体配線2
を一致させ、半導体素子3を配線基板1に加圧体6によ
り加圧する。電極4はに71.ムu 、 Cu 等で
ある。この時、導体配線2上の樹脂6は周囲に押し出さ
れ、上部より紫外線8を照射することによって半導体素
子3の周縁部の樹脂6を硬化させ反固定する。上記の方
法で複数個の半導体素子3が仮固定された配線基板1を
第2図(0)に示すように、ナイロン、ポリプロピレン
等からなる真空袋7に入れ、真空包装し、複数個の半導
体素子3全てに大気圧による均等な圧力を6口える。こ
の状態のまま加熱することによって樹脂6全体を硬化さ
せ、その接着力により半導体素子3の電極4と導体配線
2の電気的接続と半導体素子3の機械的保持が完了され
る。
発明が解決しようとする課題
以上のように従来の技術では、半導体素子3の電極4を
配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であるた
め、多端子、狭ピッチの半導体素子3のパッケージング
に有利な方法である。また、樹脂を熱硬化させる時、真
空包装状態で作用する大気圧の力で配線基板1上に仮固
定された複数個の半導体素子3全てに対して均等に加圧
しているので、簡易に加圧できるので量産性に優れ、か
つ高温時にいったん樹脂5の接着力が低下する際の導体
配線2と半導体素子3の電極4の電気的な接触が保持で
き、さらに、半導体素子3が加圧体6により加圧された
時生じたひずみを樹脂5の接着力の低下により解消する
事ができ、しかも大気圧の均等加圧で半導体素子3にひ
ずみを生じさせないので、真空包装の開封後も安定な導
体配線2と半導体素子3の電気的な接触が保持できる。
配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であるた
め、多端子、狭ピッチの半導体素子3のパッケージング
に有利な方法である。また、樹脂を熱硬化させる時、真
空包装状態で作用する大気圧の力で配線基板1上に仮固
定された複数個の半導体素子3全てに対して均等に加圧
しているので、簡易に加圧できるので量産性に優れ、か
つ高温時にいったん樹脂5の接着力が低下する際の導体
配線2と半導体素子3の電極4の電気的な接触が保持で
き、さらに、半導体素子3が加圧体6により加圧された
時生じたひずみを樹脂5の接着力の低下により解消する
事ができ、しかも大気圧の均等加圧で半導体素子3にひ
ずみを生じさせないので、真空包装の開封後も安定な導
体配線2と半導体素子3の電気的な接触が保持できる。
樹脂6は紫外線硬化に加え熱硬化性でもあるので硬化温
度が高い程、収縮力が増加する性質があるのであるが、
ナイロン、ポリプロピレン等の真空袋7は、耐熱性が低
いため、樹脂6の十分な収縮力が得られず、この結果導
体配線と半導体素子3の電気的接読の信頼性が悪いとい
う問題があった。
度が高い程、収縮力が増加する性質があるのであるが、
ナイロン、ポリプロピレン等の真空袋7は、耐熱性が低
いため、樹脂6の十分な収縮力が得られず、この結果導
体配線と半導体素子3の電気的接読の信頼性が悪いとい
う問題があった。
課題を解決するための手段
そこで、前記問題点を解決する本発明の技術的な手段は
、真空包装状態で半導体素子のひずみをなくし硬化させ
た後、真空包装を開梱して樹脂の十分な収縮力を得られ
る高温で再び熱硬化を行うものである。
、真空包装状態で半導体素子のひずみをなくし硬化させ
た後、真空包装を開梱して樹脂の十分な収縮力を得られ
る高温で再び熱硬化を行うものである。
作用
上記方法により、配線基板と半導体素子の電気的接触を
保持するに十分な樹脂の収縮力を得る事ができ、電気的
接続の信頼性に優れたものKなる。
保持するに十分な樹脂の収縮力を得る事ができ、電気的
接続の信頼性に優れたものKなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図(IL)〜(d)とと
もに説明する。
もに説明する。
まず、第1図e)に示すように、セラミック、ガラス、
エポキシ等よりなる配線基板11の後に半導体素子13
を固着する部分に(導体配線12上を含んで)エポキシ
、シリコーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂1
6を塗布する。導体配線12はCr−ムu 、 h6
、 ito 等よりなる。次に第1図(′b)に示す
ように、半導体素子13の突起状の電極14と導体配線
12を一致させ半導体素子13を配線基板11に加圧体
16により加圧する。
エポキシ等よりなる配線基板11の後に半導体素子13
を固着する部分に(導体配線12上を含んで)エポキシ
、シリコーン、アクリル等よりなる絶縁性のある樹脂1
6を塗布する。導体配線12はCr−ムu 、 h6
、 ito 等よりなる。次に第1図(′b)に示す
ように、半導体素子13の突起状の電極14と導体配線
12を一致させ半導体素子13を配線基板11に加圧体
16により加圧する。
電極14はA7I、 Au 、 Cu 等である。この
時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出され、上
部より紫外、腺18を照射することによって半導体素子
130周縁部の樹脂16を硬化させ仮固定する。上記の
方法で複数個の半導体素子13が仮固定された配線基板
11を第1図(C)に示すように、ナイロン、ポリプロ
ピレン等からなる真空袋17に入れ、真空包装し、複数
個の半導体素子13全てに大気圧による均等な圧力を加
える。この状態のまま加熱することによって樹脂16全
体1[化させ、その接着力により半導体素子13の電匣
14と導体配線12の電気的接、続と半導体素子13の
機械的保持を行ったのち、真空包装を開梱し、第1図f
dlのような真空袋を除去した状態で再びより高温にて
硬化を行い、その接着力を強くする。尚、硬化する温度
は真空包装状態での硬化温度と同温度もしくは低温でも
可能であるが、高温にて行う。
時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出され、上
部より紫外、腺18を照射することによって半導体素子
130周縁部の樹脂16を硬化させ仮固定する。上記の
方法で複数個の半導体素子13が仮固定された配線基板
11を第1図(C)に示すように、ナイロン、ポリプロ
ピレン等からなる真空袋17に入れ、真空包装し、複数
個の半導体素子13全てに大気圧による均等な圧力を加
える。この状態のまま加熱することによって樹脂16全
体1[化させ、その接着力により半導体素子13の電匣
14と導体配線12の電気的接、続と半導体素子13の
機械的保持を行ったのち、真空包装を開梱し、第1図f
dlのような真空袋を除去した状態で再びより高温にて
硬化を行い、その接着力を強くする。尚、硬化する温度
は真空包装状態での硬化温度と同温度もしくは低温でも
可能であるが、高温にて行う。
発明の効果
本発明の効果を以下に示す。
(1)真空包装により複数個の半導体素子を大気圧を利
用して、簡易に、均等に加圧した状態で熱硬化すること
により、半導体素子に与えるひずみをなくすことができ
、さらに真空袋を開梱後に、真空包装状態のままでの硬
化温度よりさらに高温で硬化することで、樹脂の接着力
が強くなるので、高信頼性を得ることができ、かつ、高
温硬化する事により、硬化時間が短縮でき生産性が向上
する。
用して、簡易に、均等に加圧した状態で熱硬化すること
により、半導体素子に与えるひずみをなくすことができ
、さらに真空袋を開梱後に、真空包装状態のままでの硬
化温度よりさらに高温で硬化することで、樹脂の接着力
が強くなるので、高信頼性を得ることができ、かつ、高
温硬化する事により、硬化時間が短縮でき生産性が向上
する。
(2) 真空包装材の熱容量が小さく、また再加熱時
は真空包装材のような加圧治具が不要であるため、熱硬
化時の昇温時間、冷却時間を短かくでき、生産性が向上
する。
は真空包装材のような加圧治具が不要であるため、熱硬
化時の昇温時間、冷却時間を短かくでき、生産性が向上
する。
第1図(al〜(d)は、本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を示す各工程の断面図で、第2図(IL)
・〜(c)fi従来の技術を示す各工程の断面図である
。 11・・・・・・配線基板、12・・・・・・導体配線
、13・・・・・半導体素子、14・・・・・・半導体
素子の7層、16・・・・・・絶縁性の樹脂、16・・
・・・加圧体、17・・・・・真空袋、18・・・・・
・紫外線。
法の一実施例を示す各工程の断面図で、第2図(IL)
・〜(c)fi従来の技術を示す各工程の断面図である
。 11・・・・・・配線基板、12・・・・・・導体配線
、13・・・・・半導体素子、14・・・・・・半導体
素子の7層、16・・・・・・絶縁性の樹脂、16・・
・・・加圧体、17・・・・・真空袋、18・・・・・
・紫外線。
Claims (2)
- (1)導体配線を有した配線基板上に樹脂により半導体
素子を接着し、前記半導体素子の電極と前記配線基板の
導体配線を圧接させた状態で前記半導体素子と配線基板
を真空包装して気圧により加圧し、この加圧状態で前記
樹脂の熱硬化を行い、さらに前記真空包装を開梱後、前
記熱硬化の温度より高い温度で前記樹脂の熱硬化を行う
半導体装置の製造方法。 - (2)半導体素子の電極が突起電極である請求項1記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14047889A JPH034542A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14047889A JPH034542A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH034542A true JPH034542A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15269543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14047889A Pending JPH034542A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH034542A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03195033A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010153434A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法及び製造装置 |
WO2015053149A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | 日東電工株式会社 | 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法 |
JP2017105527A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-15 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包方法及び半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包体 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP14047889A patent/JPH034542A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03195033A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010153434A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法及び製造装置 |
WO2015053149A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | 日東電工株式会社 | 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法 |
JP2017105527A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-15 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包方法及び半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包体 |
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