JPH0345060B2 - - Google Patents

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JPH0345060B2
JPH0345060B2 JP57023516A JP2351682A JPH0345060B2 JP H0345060 B2 JPH0345060 B2 JP H0345060B2 JP 57023516 A JP57023516 A JP 57023516A JP 2351682 A JP2351682 A JP 2351682A JP H0345060 B2 JPH0345060 B2 JP H0345060B2
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JP
Japan
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hydrogen
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Keisaburo Yamaguchi
Kenichi Sugimoto
Yoshimitsu Tanabe
Saburo Kawashima
Teruhiro Yamaguchi
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Priority to IT19647/83A priority patent/IT1193677B/it
Priority to DE19833305654 priority patent/DE3305654A1/de
Priority to US06/466,498 priority patent/US4482742A/en
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、3,3′−ジアミノジフエニルスルホ
ンの新規な製造方法に関する。さらに詳しくは、
一般式() (式中、X,Yは同一もしくは異なるハロゲン
原子を示す)で表わされるジフエニルスルホン化
合物を還元触媒および脱ハロゲン化水素剤の存在
下に接触環元、脱ハロゲン化させることを特徴と
する3,3′−ジアミノジフエニルスルホンの製造
方法に関する。 3,3′−ジアミノジフエニルスルホンは、耐熱
性高分子単量体、農医薬および染料中間体等に有
用であり、特に耐熱性ポリアミド、ポリイミド樹
脂の原料となる重要な物質である。 3,3′−ジアミノジフエニルスルホンは、従
来、3,3′−ジニトロジフエニルスルホンを還元
して製造する方法が公知である〔N.P.Ghatgeら、
Angew.makromol Ghem.,4(1)133(1976)、
王置ら、特開昭56−25150号、N.R.Ayyangarら、
Synthesis Comunications,640(1981)、
Koristekら、Czech.158.469;Chem Abstr.84
16955K(1976)〕。 この方法では、原料となる3,3′−ジニトロジ
フエニルスルホンはジフエニルスルホンを混酸に
よりニトロ化して製造する方法〔C.A.Buehler
ら、J.Org.Chem., 262(1939)、J.Lacroix,
Bull.Soc.Chim.,35 1436−50(1924);Chem.
Abstr.19 980〕か、ジフエニルスルフイドを発
煙硝酸により、酸化と同時にニトロ化して製造す
る方法〔Baldo Cioccaら、Gazz Chim.Ital.,76
113−19(1946);Chem.Abstr.,40 7153
(1946)〕がある。 また、ベンゼンを無水硫酸の存在下でニトロ化
した場合の副生物として単離している方法〔W.
Alamaら、Biul.Wozskowez Akad.Tech.,13
57−63(1964);Chem.Abstr.,73 34962n
(1970)〕があり、さらには、ニトロベンゼンをス
ルホン化してm−ニトロベンゼンスルホン酸を製
造する際の副生物として単離している方法
〔Nazvanovaら、Tr.Khim.Tekhnol.,178−9
(1969);Chem.Abstr.,73 34962n(1970)〕が知
られている。 しかしながら、3,3′−ジニトロジフエニルス
ルホンをジフエニルスルホンならびにジフエニル
スルフイドから製造する方法では、ニトロ化によ
り得られる反応生成物が異性体等を含む混合物で
あるために、3,3′−ジニトロジフエニルスルホ
ンを単離するためには多量の溶剤を使用し、再結
晶精製を繰り返し行なわなければならない。 このため、収率は大巾に低下し、また、精製に
用いた溶剤の回収および残渣の処理、ニトロ化に
使用した多量の廃酸の処理等の煩雑な工程を必要
とする等の欠点がある。 一方、無水硫酸中でのベンゼンのニトロ化なら
びにニトロベンゼンのスルホン化により、副生物
として3,3′−ジニトロジフエニルスルホンを得
る場合、収率は低く、かつそれ自身が主目的とし
て製造されていないために、供給に問題があり、
さらに、需要の増大に対して必要量の確保ができ
ないという欠点がある。 本発明者らは、上記のような欠点のない3,
3′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法につ
いて鋭意検討した。 その結果、4,4′−ジハロゲノジフエニルスル
ホンのニトロ化によつて容易に製造出来る3,
3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲノジフエニルス
ルホンを原料とし、これを還元触媒および脱ハロ
ゲン化水素剤の存在下で接触還元、脱ハロゲン化
させることにより、高収率で3,3′−ジアミノジ
フエニルスルホンを製造しうることを見出し、本
発明の方法を完成した。 即ち、一般式() (式中、X,Yは同一もしくは異なるハロゲン
原子を示す)で表わされるジフエニルスルホン化
合物を還元触媒および脱ハロゲン化水素剤の存在
下に、接触還元、脱ハロゲン化させることによつ
て3,3′−ジアミノジフエニルスルホンを製造す
る方法である。 本発明の方法で使用する3,3′−ジニトロ−
4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンは、4,
4′−ジハロゲノジフエニルスルホンをニトロ化す
ると選択的に3−,3′−位にニトロ基が導入され
高収率で製造できることは公知である。 例えば、4,4′−ジクロロジフエニルスルホン
を混酸によつてニトロ化すると3,3′−ジニトロ
−4,4′−ジクロロジフエニルスルホンが、90〜
97%の収率で得られる〔竹谷ら、特開昭52−
14744号、W.F.Hartら、J.Org.Chem.,27 338
(1962)〕。 一方、3,3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲノ
ジフエニルスルホンの還元反応は公知であるが、
還元生成物はいずれも3,3′−ジアミノ−4,
4′−ジハロゲノジフエニルスルホンである
〔Budniiら、Zh.Prikl.Khim.(Leningrad)45
2704−10(1972);Chem.Abstr.,78 83962z
(1973)、W.F.Hartら、J.Org.Chem.,27 338
(1962)〕。しかるに、3,3′−ジニトロ−4,
4′−ジハロゲノジフエニルスルホンから3,3′−
ジアミノジフエニルスルホンを製造することおよ
び3,3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲノジフエ
ニルスルホンの還元において、ニトロ基のアミノ
基への還元とともに脱ハロゲン化させる方法につ
いては全く知られておらず、、本願発明は3,
3′−ジアミノジフエニルスルホンを工業的に製造
しうる新規な方法である。 本発明の方法に使用する原料は、前記一般式
()で表わされる3,3′−ジニトロ−4,4′−
ジハロゲノジフエニルスルホンであつて、一般式
()においてX,Yが示すハロゲン原子は塩素、
弗素、沃素、臭素のいずれのものも用いられる。 例えば、3,3′−ジニトロ−4,4′−ジクロロ
ジフエニルスルホン、3,3′−ジニトロ−4,
4′−ジブロモジフエニルスルホン、3,3′−ジニ
トロ−4,4′−ジフルオロジフエニルスルホン、
3,3′−ジニトロ−4,4′−ジヨードジフエニル
スルホン、3,3′−ジニトロ−4−クロロ−4′−
ブロモジフエニルスルホン、3,3′−ジニトロ−
4−クロロ−4′−ヨードジフエニルスルホン等が
あげられる。なかでも、ハロゲンが塩素原子であ
るものが工業的に有利に使用される。 本発明の方法で使用される還元触媒としては、
一般に接触環元に使用されている金属触媒、例え
ば、ニツケル、パラジウム、白金、ロジウム、ル
テニウム、コバルト、銅等を使用することができ
る。 工業的にはパラジウム触媒を使用するのが好ま
しい。これらの触媒は、金属の状態でも使用する
ことができるが、通常はカーボン、硫酸バリウ
ム、シリカゲル、アルミナ等の担体表面に付着さ
せて用いたり、また、ニツケル、コバルト、銅等
はラネー触媒としても用いられる。触媒の使用量
は、原料の3,3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲ
ノジフエニルスルホンに対して、金属として0.01
〜10重量%の範囲であり、通常、金属の状態で使
用する場合は2〜8重量%、担体に付着させた場
合では0.1〜5重量%の範囲である。 本発明の方法に使用される脱ハロゲン化水素剤
としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属
の酸化物、水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩、あるい
はアンモニアまたは通常の有機アミン類等であ
る。例えば、炭酸カルシウム、水酸化ナトリウ
ム、酸化マグネシウム、重炭酸アンモン、酸化カ
ルシウム、水酸化リチウム、水酸化バリウム、炭
酸カリウム、水酸化カリウム、アンモニア、トリ
エチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリエ
タノールアミン、ピリジンおよびN−メチルモル
ホリン等があげられる。これら脱ハロゲン化水素
剤は必要により2種以上を混合してもよい。脱ハ
ロゲン化水素剤の使用量は、原料の3,3′−ジニ
トロ−4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンに
対して通常0.5〜5倍モル、好ましくは2〜3倍
モル使用する。 本発明の方法は、通常、反応溶媒を使用する。
反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば
特に限定されるものでなく、例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール等のア
ルコール類、エチレングリコール、プロピレング
リコール等のグリコール類、エーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ等の
エーテル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪
族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素類、酢酸エチル、酢酸ブチル等
のエステル類、ジクロロエタン、クロロホルム、
四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン、1,1,
2−トリクロロエタン、テトラクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類およびN,N−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等が使用でき
る。なお、水と混和しない反応溶媒を使用した際
に、反応の進行が遅い場合は四級アンモニウム
塩、四級ホスホニウム塩のような一般に使用され
ている相間移動触媒を加えることによつて速める
ことができる。溶媒の使用量は、原料の3,3′−
ジニトロ−4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホ
ンを懸濁させるかあるいは完全に溶解させるに足
る量で十分であり特に限定されないが、通常、原
料に対して0.5〜10重量倍で十分である。 反応温度は、特に限定はない。一般的には20〜
200℃の範囲、特に20〜100℃が好ましい。 また、反応圧力は、通常、常圧〜50Kg/cm3−G
程度である。 本発明の方法の一般的な実施態様として、
3,3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲノジフエニ
ルスルホンを溶媒に溶解または懸濁した状態下
に、還元触媒を添加し、ついで撹拌下、所定の温
度で水素を導入してニトロ基の還元を行なわしめ
た後脱ハロゲン化水素剤を加え、引き続き脱ハロ
ゲン化反応を行なうか、還元触媒の添加時に脱
ハロゲン化水素剤を加え、ついで撹拌下、所定の
温度で水素を導入してニトロ基の還元と脱ハロゲ
ン化反応を同時に行なう等の方法があげられる。 いずれの場合も反応は円滑に進行し、日的物の
3,3′−ジアミノジフエニルスルホンが製造でき
る。しかしながら、原料である3,3′−ジニトロ
−4,4′−ジハロゲノジフエニルスルホンの4位
のハロゲン原子は求核性を有するために、条件に
よつては脱ハロゲン化水素剤との副反応を起し、
目的物の収率を低下させる場合があるので、の
方法が好ましい。 反応の進行は理論量の水素吸収量によるか、あ
るいは薄層クロマトグラフイーにより追跡するこ
とができる。 上記の方法によつて得られた反応液を熱ロカ、
または抽出等によつて触媒および無機塩を除いた
のち、必要に応じて濃縮を行ない3,3′−ジアミ
ノジフエニルスルホンを結晶として析出させる。
または触媒および無機塩を除いた反応液に塩化水
素ガスを吹き込み、3,3′−ジアミノジフエニル
スルホンの塩酸塩として単離することも出来る。 本発明の方法は、3,3′−ジアミノジフエニル
スルホンを高収率で安価に製造しうる方法であ
り、従来法にともなう廃棄物による環境汚染の問
題もなく、また、単離した製品の純度も高く、煩
雑な精製工程を必要としない等、工業的な製造方
法として好適である。 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。 実施例 1 温度計、撹拌器を備えたガラス製密閉容器に、
3,3′−ジニトロ−4,4′−ジクロロジフエニル
スルホン113g(0.3モル)、5%パラジウム/活
性炭 触媒(日本エンゲルハルド社)8.5gおよ
びジオキサン300mlを装入し、温度70〜80℃にお
いて、かきまぜながら水素を導入すると約10時間
で40(1.79モル)の水素を吸収した。次に、30
%水酸化ナトリウム水溶液80g(0.6モル)を加
えて、ひきつづき、温度70〜80℃でかきまぜなが
ら水素を導入しつづけると5時間で14.5(0.65
モル)吸収した。同温度で、反応溶液を過して
触媒を除去し、放冷すると3,3′−ジアミノジフ
エニルスルホンが淡褐色の結晶として析出した。
結晶を別、50%ジオキサン水溶液30mlで洗浄乾
燥した。 収量66g(収率89%)融点170〜172℃エタノー
ルから再結晶して微褐色プリズム結晶の純品を得
た。融点172.5〜173℃ 元素分析 C H N S 計算値(%) 58.0 4.9 11.3 12.9 測定値(%) 58.3 4.8 11.3 12.5 実施例2〜9 原料の3,3′−ジニトロ−4,4′−ジハロゲノ
ジフエニルスルホンの種類、触媒の種類と使用
量、溶媒の種類と使用量、脱ハロゲン化水素剤の
種類と使用量、反応温度および圧力を表−1のよ
うに変えたほかは実施例1と同様に反応を行ない
目的物を得た。 結果を表−1に示した。
【表】 実施例 10 温度計、撹拌器を備えたガラス製密閉容器に
3,3′−ジニトロ−4,4′−ジクロロジフエニル
スルホン38g(0.1モル)、パラジウムブラツク触
媒1gおよびベンゼン200mlを装入し、温度65〜
70℃において、かきまぜながら水素を導入する
と、約9時間で13(0.58モル)の水素を吸収し
た。 次に、30%水酸化ナトリウム水溶液40g(0.3
モル)およびトリオクチルメチルアンモニウムク
ロリド90%水溶液(東京化成試薬)2gを加え
て、ひきつづき温度65〜70℃で、かきまぜながら
水素を導入し、約7時間で5(0.22モル)の水
素を吸収した。同温度で反応溶液を過し、触媒
等を除去したのち、液を分液して有機層を得
た。有機層を硫酸マグネシウムで脱水したのち、
乾燥塩化水素ガスを飽和するまで吹きこんだとこ
ろ、白色沈澱が析出した。沈澱を別、ベンゼン
30mlで洗浄して3,3′−ジアミノジフエニルスル
ホン塩酸塩を得た。収量25.5g(収率80%) 10%含水イソプロパノールより再結晶して白色
針状結晶の純品を得た。融点262〜264℃。 元素分析 C H N 計算値(%) 44.8 4.4 8.7 測定値(%) 44.9 4.6 8.7 S Cl 計算値(%) 10.0 22.1 実測値(%) 10.1 22.2 実施例 11 3,3′−ジニトロ−4,4′−ジクロロジフエニ
ルスルホン38g(0.1モル)、酸化マグネシウム6
g(0.15モル)、5%パラジウム/アルミナ触媒
2gおよび1,2−ジクロロエタン300mlをオー
トクレーブに装入する。30〜35℃の温度範囲にお
いて、かきまぜながら水素を導入して、圧力を常
時10Kg/cm2・Gに保ちつつ10時間反応を行なつ
た。反応終了後、反応混合物を70℃に昇温し、熱
過して触媒等を除去した。放冷することにより
3,3′−ジアミノジフエニルスルホンが淡褐色の
結晶として析出した。結晶を別、1,2−ジク
ロロエタン10mlで洗浄後、乾燥した。収量16g
(収率64.5%) 融点171〜172℃

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式() (式中、X,Yは同一もしくは異なるハロゲン
    原子を示す)で表わされるジフエニルスルホン化
    合物を還元触媒および脱ハロゲン化水素剤の存在
    下に接触還元、脱ハロゲン化させることを特徴と
    する3,3′−ジアミノジフエニルスルホンの製造
    方法。
JP57023516A 1982-02-18 1982-02-18 3,3′−ジアミノジフエニルスルホンの製造方法 Granted JPS58144366A (ja)

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GB08304332A GB2118542B (en) 1982-02-18 1983-02-16 Process for preparing of 3,3'-diamino diphenylsulfones
KR1019830000634A KR870001156B1 (ko) 1982-02-18 1983-02-17 3,3'-디아미노 디페닐술폰의 제조방법
CA000421816A CA1193283A (en) 1982-02-18 1983-02-17 Process for preparing 3,3'-diamino diphenysulfones diphenylsulfones
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FR8302683A FR2521556B1 (fr) 1982-02-18 1983-02-18 Procede de preparation de 3, 3'-diamino-diphenylsulfones
IT19647/83A IT1193677B (it) 1982-02-18 1983-02-18 Processo per preparare 3,3'-diammino-difenilsolfoni
DE19833305654 DE3305654A1 (de) 1982-02-18 1983-02-18 Verfahren zur herstellung von 3,3'-diaminodiphenylsulfonen
US06/466,498 US4482742A (en) 1982-02-18 1983-04-12 Process for preparing of 3,3'-diamino diphenylsulfones

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