JPH0342853A - 電力用半導体装置の製造方法および半導体チツプ分断用コアドリル - Google Patents
電力用半導体装置の製造方法および半導体チツプ分断用コアドリルInfo
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- JPH0342853A JPH0342853A JP1178420A JP17842089A JPH0342853A JP H0342853 A JPH0342853 A JP H0342853A JP 1178420 A JP1178420 A JP 1178420A JP 17842089 A JP17842089 A JP 17842089A JP H0342853 A JPH0342853 A JP H0342853A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B27—WORKING OR PRESERVING WOOD OR SIMILAR MATERIAL; NAILING OR STAPLING MACHINES IN GENERAL
- B27B—SAWS FOR WOOD OR SIMILAR MATERIAL; COMPONENTS OR ACCESSORIES THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は外周部にベベリングが施される半導体チップを
コアドリルによって半導体ウェハから分断する電力用半
導体装置の製造方法および半導体チップを分断する際に
使用する半導体チップ分断用コアドリルの構造に関する
ものである。
コアドリルによって半導体ウェハから分断する電力用半
導体装置の製造方法および半導体チップを分断する際に
使用する半導体チップ分断用コアドリルの構造に関する
ものである。
電力用サイリスタ等の電力用半導体装置においては一般
に大きな通電容量を必要とするため、この電力用半導体
装置に使用される半導体チップは高い電圧阻止能力を必
要とし、所謂メサ型パフシベーシッン構造を採ることが
多い。このような半導体チップにおいてはＰＮ接合部の
表面は半導体チップの側面に位置するため、半導体チッ
プを自転させて上記側面をベベル加工処理して製造され
ていた。この種の半導体チップの製造方法を第５図ない
し第７図によって説明する。
に大きな通電容量を必要とするため、この電力用半導体
装置に使用される半導体チップは高い電圧阻止能力を必
要とし、所謂メサ型パフシベーシッン構造を採ることが
多い。このような半導体チップにおいてはＰＮ接合部の
表面は半導体チップの側面に位置するため、半導体チッ
プを自転させて上記側面をベベル加工処理して製造され
ていた。この種の半導体チップの製造方法を第５図ない
し第７図によって説明する。
第５図は電力用サイリスクに使用される従来の半導体チ
ップを示す断面図、第６図は半導体装置プ部が形成され
た大口径基板の分断前の状態を示す斜視図、第７図は従
来のコアドリルによって大口径基板を各半導体チップ毎
に分断している状態を示す斜視図である。これらの図に
おいて、１は半導体チップを示し、この半導体チップ１
には１８層１ａ、Ｎ８層１ｂ、ＰＢ層１ｃおよびＮＥ層
１ｄ等が形成されており、その外周部にはベベル加工に
よって傾斜面（ベベリング面）が形成されている。
ップを示す断面図、第６図は半導体装置プ部が形成され
た大口径基板の分断前の状態を示す斜視図、第７図は従
来のコアドリルによって大口径基板を各半導体チップ毎
に分断している状態を示す斜視図である。これらの図に
おいて、１は半導体チップを示し、この半導体チップ１
には１８層１ａ、Ｎ８層１ｂ、ＰＢ層１ｃおよびＮＥ層
１ｄ等が形成されており、その外周部にはベベル加工に
よって傾斜面（ベベリング面）が形成されている。
２は金属製放熱板で、この金属製放熱板２は一般的な半
導体チップｌのシリコン単結晶に対して熱膨張率の差が
少ないモリブデン板等からなり、前記半導体チップ１の
裏面にＡｌ系のろう材３を介して合金固着されている。
導体チップｌのシリコン単結晶に対して熱膨張率の差が
少ないモリブデン板等からなり、前記半導体チップ１の
裏面にＡｌ系のろう材３を介して合金固着されている。
４は前記半導体チップｌを製造するために使用する半導
体ウェハからなる大口径基板で、この大口径基板４には
拡散、写真製版等のプロセスを経て半導体チップ部４ａ
が複数形成されている。５は前記大口径基板４から各半
導体チップ部４ａを分断して半導体チンプ１を得るため
のコアドリルで、このコアドリル５は、半導体チップｌ
の外径と略等しい寸法をもって開口され全体が円筒状に
形成された研削筒５ａと、駆動装置（図示せず）に連結
され前記研削筒５ａと共に回転されるシャンク５ｂとか
ら構成されている。
体ウェハからなる大口径基板で、この大口径基板４には
拡散、写真製版等のプロセスを経て半導体チップ部４ａ
が複数形成されている。５は前記大口径基板４から各半
導体チップ部４ａを分断して半導体チンプ１を得るため
のコアドリルで、このコアドリル５は、半導体チップｌ
の外径と略等しい寸法をもって開口され全体が円筒状に
形成された研削筒５ａと、駆動装置（図示せず）に連結
され前記研削筒５ａと共に回転されるシャンク５ｂとか
ら構成されている。
次に、上述した電力用サイリスタ用の半導体チップ１を
製造する手順について説明する。先ず、第６図に示すよ
うに、大口径基Ｆｉ４に拡散、写真製版等のプロセスを
経て半導体チップ部４ａを複数形成する。次いで、第７
図に示すように、コアドリル５を大口径基板４における
半導体チップ部４ａと対応する部位に回転させながら上
方から押し当て、このコアドリル５によって半導体チッ
プｌを大口径基板４からくりぬく。しかる後、この半導
体チップ１の裏面にろう材３を介して金属放熱板２を合
金固着させ、半導体チップ１の外周部端面をサンドブラ
スト法、あるいは角度研磨法等によりベベル加工するこ
とによって半導体チップ１の製造工程が終了される。上
述したように半導体チップ１の外周部端面にベベル加工
（ベベリング）を施すことによって半導体ＰＮ接合部の
表面の電界強度を下げることができ、高耐圧な電力用サ
イリスクが得られる。
製造する手順について説明する。先ず、第６図に示すよ
うに、大口径基Ｆｉ４に拡散、写真製版等のプロセスを
経て半導体チップ部４ａを複数形成する。次いで、第７
図に示すように、コアドリル５を大口径基板４における
半導体チップ部４ａと対応する部位に回転させながら上
方から押し当て、このコアドリル５によって半導体チッ
プｌを大口径基板４からくりぬく。しかる後、この半導
体チップ１の裏面にろう材３を介して金属放熱板２を合
金固着させ、半導体チップ１の外周部端面をサンドブラ
スト法、あるいは角度研磨法等によりベベル加工するこ
とによって半導体チップ１の製造工程が終了される。上
述したように半導体チップ１の外周部端面にベベル加工
（ベベリング）を施すことによって半導体ＰＮ接合部の
表面の電界強度を下げることができ、高耐圧な電力用サ
イリスクが得られる。
なお、半導体チップ１を大口径基板４から分断する方法
としては、上述したようにコアドリル５を使用する以外
にレーザー光を使用したものもある。
としては、上述したようにコアドリル５を使用する以外
にレーザー光を使用したものもある。
しかるに、上述したように構成された従来の電力用半導
体装置の製造方法においては、半導体チップ１を大口径
基板４からくりぬいた後にベベル加工を施さなければな
らない。このため、半導体チップｌの製造工程がくりぬ
き工程とベベリング工程との２工程におよぶことになり
、生産効率が低くなるという問題があった。
体装置の製造方法においては、半導体チップ１を大口径
基板４からくりぬいた後にベベル加工を施さなければな
らない。このため、半導体チップｌの製造工程がくりぬ
き工程とベベリング工程との２工程におよぶことになり
、生産効率が低くなるという問題があった。
本発明に係る電力用半導体装置の製造方法は、基部側へ
向かうにつれ内径を狭めて形成された内側研削面を有す
るコアドリルによって、分断時にベベリングを同時に行
なうものである。また、本発明に係る半導体チップ分断
用コアドリルは、−端が半導体チップの外径寸法と略等
しい開口寸法をもって開口されかつ他端が駆動装置に連
結される研削筒を有し、この研削筒の内周部分に、開口
側から基部側へ向かうにつれ内径を狭めることによって
半導体チップのベベリング面と対応する角度をもって傾
斜された内側研削面を設けたものである。
向かうにつれ内径を狭めて形成された内側研削面を有す
るコアドリルによって、分断時にベベリングを同時に行
なうものである。また、本発明に係る半導体チップ分断
用コアドリルは、−端が半導体チップの外径寸法と略等
しい開口寸法をもって開口されかつ他端が駆動装置に連
結される研削筒を有し、この研削筒の内周部分に、開口
側から基部側へ向かうにつれ内径を狭めることによって
半導体チップのベベリング面と対応する角度をもって傾
斜された内側研削面を設けたものである。
本発明に係る電力用半導体装置の製造方法によれば、半
導体チップの分断とベベリングとを同時に実施すること
ができるから、製造工程が簡略化され、効率良く半導体
チップを製造することができる。また、本発明に係る半
導体チップ分断用コアドリルを使用すると、研削筒の内
側研削面によって半導体チップにベベル加工が施される
。
導体チップの分断とベベリングとを同時に実施すること
ができるから、製造工程が簡略化され、効率良く半導体
チップを製造することができる。また、本発明に係る半
導体チップ分断用コアドリルを使用すると、研削筒の内
側研削面によって半導体チップにベベル加工が施される
。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図（ａ）
、 （ｂ）によって詳細に説明する。
、 （ｂ）によって詳細に説明する。
第１図は本発明に係るコアドリルを示す断面図、第２図
（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係るコアドリルの動作を
説明するための図で、同図（ａ）は半導体チップを分断
している状態を示す断面図、同図（ｂ）は半導体チップ
が大口径基板から分断された状態を示す断面図である。
（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係るコアドリルの動作を
説明するための図で、同図（ａ）は半導体チップを分断
している状態を示す断面図、同図（ｂ）は半導体チップ
が大口径基板から分断された状態を示す断面図である。
これらの図において前記第５図ないし第７図で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図および第
２図（ａ） 、 （ｂ）において、１１は本発明に係る
コアドリルで、このコアドリルＩＩは駆動装置（図示せ
ず）に連結されるシャンク１２を有する胴体１３と、こ
の胴体１３と共に回転される半導体チップ分断用の研削
筒１４とから構成されている。前記胴体１３はアルミニ
ウム等によって一体に形成されており、その軸心部には
冷却水が流される通水孔１３ａが穿設されている。
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図および第
２図（ａ） 、 （ｂ）において、１１は本発明に係る
コアドリルで、このコアドリルＩＩは駆動装置（図示せ
ず）に連結されるシャンク１２を有する胴体１３と、こ
の胴体１３と共に回転される半導体チップ分断用の研削
筒１４とから構成されている。前記胴体１３はアルミニ
ウム等によって一体に形成されており、その軸心部には
冷却水が流される通水孔１３ａが穿設されている。
前記研削筒１４はニッケル板等によって一体に成形され
、その研削部にはダイヤモンド砥粒（図示せず）が全面
にわたって接着されている。また、この研削筒１４の軸
方向一端部には半導体チップ１の外径と略等しい開口寸
法をもって開口された大径部１４ａが設けられると共に
、他端部には前記大径部１４ａから半導体チップ１のベ
ベリング角度α。
、その研削部にはダイヤモンド砥粒（図示せず）が全面
にわたって接着されている。また、この研削筒１４の軸
方向一端部には半導体チップ１の外径と略等しい開口寸
法をもって開口された大径部１４ａが設けられると共に
、他端部には前記大径部１４ａから半導体チップ１のベ
ベリング角度α。
βをもって絞られて形成されかつ前記胴体１３に固定さ
れる基部１４ｂが設けられている。すなわち、上述した
ように絞られることによって研削筒１４の内周部に半導
体チップ１のベベリング角度と対応する角度をもって傾
斜された内側研削面１４ｃが設けられることになる。な
お、通常前記ベベリング角度αは１３５度、角度βは１
４０度に設定されるが、この角度α、βはサイリスタ装
置の仕様に応じて適宜変更することができる。
れる基部１４ｂが設けられている。すなわち、上述した
ように絞られることによって研削筒１４の内周部に半導
体チップ１のベベリング角度と対応する角度をもって傾
斜された内側研削面１４ｃが設けられることになる。な
お、通常前記ベベリング角度αは１３５度、角度βは１
４０度に設定されるが、この角度α、βはサイリスタ装
置の仕様に応じて適宜変更することができる。
次に、このように構成された本発明に係るコアドリル１
１を使用して半導体チップ１を分断する手順について説
明する。先ず、半導体チップ部４ａが複数形成された大
口径基板４上にコアドリル１１を配置させる０次いで、
コアドリル１１を３０００〜５０００ｒｐｍで回転させ
ながら大口径基板４に上方から当接させ、５〜１０μｍ
／秒の加工速度をもって大口径基板４に押し付ける。そ
して、第２図（ａ）に示すように、大口径基板４が研削
筒１４の大径部１４ａによって研削されるにつれて内側
研削面１４ｃによって半導体チップ１の外周部端面にベ
ベル加工が施される。このくりぬき動作は、胴体１３の
通水孔１３ａから冷却水を２ｋｇ／ｃｄの供給圧力で５
〜１ｏｌ／分の量をもって研削筒１４内に供給しながら
行われる。なお、このくりぬき動作時には半導体チップ
１は真空吸着によって下側から支持させておく。
１を使用して半導体チップ１を分断する手順について説
明する。先ず、半導体チップ部４ａが複数形成された大
口径基板４上にコアドリル１１を配置させる０次いで、
コアドリル１１を３０００〜５０００ｒｐｍで回転させ
ながら大口径基板４に上方から当接させ、５〜１０μｍ
／秒の加工速度をもって大口径基板４に押し付ける。そ
して、第２図（ａ）に示すように、大口径基板４が研削
筒１４の大径部１４ａによって研削されるにつれて内側
研削面１４ｃによって半導体チップ１の外周部端面にベ
ベル加工が施される。このくりぬき動作は、胴体１３の
通水孔１３ａから冷却水を２ｋｇ／ｃｄの供給圧力で５
〜１ｏｌ／分の量をもって研削筒１４内に供給しながら
行われる。なお、このくりぬき動作時には半導体チップ
１は真空吸着によって下側から支持させておく。
しかる後、研削筒１４が大口径基板４を貫通することに
よって、第２図（ｂ）に示すように、半導体チップ１が
大口径基板４から分断されることになる。
よって、第２図（ｂ）に示すように、半導体チップ１が
大口径基板４から分断されることになる。
したがって、本発明に係るコアドリル１１を使用すると
、半導体チップ１の分断作業とベベル加工作業を同時に
行なうことができる。
、半導体チップ１の分断作業とベベル加工作業を同時に
行なうことができる。
また、冷却水の浸透を図り研削屑の排出を促すために研
削筒の先端に切欠き部分を若干数設けると、くりぬきを
円滑に実施することができる。
削筒の先端に切欠き部分を若干数設けると、くりぬきを
円滑に実施することができる。
なお、本実施例ではサイリスタ装置について説明したが
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば整流素子等の半導体チップにベベル加工が施されるも
のであれば、どのようなものにでも適用することができ
る。
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば整流素子等の半導体チップにベベル加工が施されるも
のであれば、どのようなものにでも適用することができ
る。
上記実施例では研削筒１４を板材によって形成した例に
ついて説明したが、研削筒１４は第３図および第４図に
示すようにも形成することができる。
ついて説明したが、研削筒１４は第３図および第４図に
示すようにも形成することができる。
第３図および第４図はコアドリルの他の実施例を示す断
面図で、これらの図において前記第１図で説明したもの
と同等部材については同一符号を付し、詳細な説明は省
略する。第３図において、２１は第２の実施例に係るコ
アドリルの研削筒で、この研削筒２１は開口側から胴体
１３側に向かうにつれてその肉厚が次第に厚くなるよう
に形成されており、その内周部分には半導体チップ１の
ベベリング角度α、βをもって傾斜された内側研削面２
２が設けられている。このように胴体１３側の肉厚を厚
く形成することによって、前記実施例に示した板材から
なるコアドリル１１に較べて剛性を高めることができる
。また、第４図において３１は第３の実施例に係るコア
ドリルの研削筒で、この研削筒３１は従来のものと同様
に略円筒状に形成され、胴体１３に固定されている。３
２は半導体チップ１のベベル加工を施すための第２の研
削筒で、この第２の研削筒３２はその下側端面に半導体
チップｌのべヘリング角度α、βをもって傾斜された内
側研削面３３が設けられており、前記研削筒３１の内周
側であって胴体１３の下側に、胴体１３に螺着される取
付けねじ３４によって固定されている。このように構成
された第２の研削筒３２を有するコアドリルにおいては
、ベベリング角度α、βの変更時、あるいはベベル加工
部分が摩耗された際に第２の研削筒３２を適宜交換する
ことができる。
面図で、これらの図において前記第１図で説明したもの
と同等部材については同一符号を付し、詳細な説明は省
略する。第３図において、２１は第２の実施例に係るコ
アドリルの研削筒で、この研削筒２１は開口側から胴体
１３側に向かうにつれてその肉厚が次第に厚くなるよう
に形成されており、その内周部分には半導体チップ１の
ベベリング角度α、βをもって傾斜された内側研削面２
２が設けられている。このように胴体１３側の肉厚を厚
く形成することによって、前記実施例に示した板材から
なるコアドリル１１に較べて剛性を高めることができる
。また、第４図において３１は第３の実施例に係るコア
ドリルの研削筒で、この研削筒３１は従来のものと同様
に略円筒状に形成され、胴体１３に固定されている。３
２は半導体チップ１のベベル加工を施すための第２の研
削筒で、この第２の研削筒３２はその下側端面に半導体
チップｌのべヘリング角度α、βをもって傾斜された内
側研削面３３が設けられており、前記研削筒３１の内周
側であって胴体１３の下側に、胴体１３に螺着される取
付けねじ３４によって固定されている。このように構成
された第２の研削筒３２を有するコアドリルにおいては
、ベベリング角度α、βの変更時、あるいはベベル加工
部分が摩耗された際に第２の研削筒３２を適宜交換する
ことができる。
以上説明したように本発明に係る電力用半導体装置の製
造方法は、基部側へ向かうにつれ内径を狭めて形成され
た内側研削面を有するコアドリルによって、分断時にベ
ベリングを同時に行なうため、半導体チップの製造工程
が簡略化されることになる。したがって、効率良く半導
体チップを製造することができるから、製造コストを低
く抑えることができる。また、本発明に係る半導体チッ
プ分断用コアドリルは、一端が半導体チップの外径寸法
と略等しい開口寸法をもって開口されかつ他端が駆動装
置に連結される研削筒を有し、この研削筒の内周部分に
、開口側から基部側へ向かうにつれ内径を狭めることに
よって半導体チップのベベリング面と対応する角度をも
って傾斜された内側研削面を設けたため、この半導体チ
ップ分断用コアドリルを使用すると、半導体チップの分
断時に研削筒の内側研削面によって半導体チップにベベ
ル加工が施されるから、一つのコアドリルによって分断
作業とベベル加工作業とを行なうことができ、精度よく
しかも高効率にベベル加工を施すことができる。
造方法は、基部側へ向かうにつれ内径を狭めて形成され
た内側研削面を有するコアドリルによって、分断時にベ
ベリングを同時に行なうため、半導体チップの製造工程
が簡略化されることになる。したがって、効率良く半導
体チップを製造することができるから、製造コストを低
く抑えることができる。また、本発明に係る半導体チッ
プ分断用コアドリルは、一端が半導体チップの外径寸法
と略等しい開口寸法をもって開口されかつ他端が駆動装
置に連結される研削筒を有し、この研削筒の内周部分に
、開口側から基部側へ向かうにつれ内径を狭めることに
よって半導体チップのベベリング面と対応する角度をも
って傾斜された内側研削面を設けたため、この半導体チ
ップ分断用コアドリルを使用すると、半導体チップの分
断時に研削筒の内側研削面によって半導体チップにベベ
ル加工が施されるから、一つのコアドリルによって分断
作業とベベル加工作業とを行なうことができ、精度よく
しかも高効率にベベル加工を施すことができる。
第１図は本発明に係るコアドリルを示す断面図、第２図
（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係るコアドリルの動作を
説明するための図で、同図（ａ）は半導体チップを分断
している状態を示す断面図、同図（ｂ）は半導体チップ
が大口径基板から分断された状態を示す断面図である。 第３図および第４図はコアドリルの他の実施例を示す断
面図で、第３図は研削筒を肉厚に形成した例を示し、第
４図はベベル加工用の第２の研削筒を別体に設けた例を
示す。第５図は電力用サイリスタに使用される従来の半
導体チップを示す断面図、第６図は半導体チップ部が形
成された大口径基板の分断前の状態を示す斜視図、第７
図は従来のコアドリルによって大口径基板を各半導体チ
ップ毎に分断している状態を示す斜視図である。 １・・・・半導体チップ、４・・・・大口径基板、１１
・・・・コアドリル、１３・・・・胴体、１４．２１．
３１・・・・研削筒、１４ ｃ 、２２．３３・・・・
内側研削面。
（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係るコアドリルの動作を
説明するための図で、同図（ａ）は半導体チップを分断
している状態を示す断面図、同図（ｂ）は半導体チップ
が大口径基板から分断された状態を示す断面図である。 第３図および第４図はコアドリルの他の実施例を示す断
面図で、第３図は研削筒を肉厚に形成した例を示し、第
４図はベベル加工用の第２の研削筒を別体に設けた例を
示す。第５図は電力用サイリスタに使用される従来の半
導体チップを示す断面図、第６図は半導体チップ部が形
成された大口径基板の分断前の状態を示す斜視図、第７
図は従来のコアドリルによって大口径基板を各半導体チ
ップ毎に分断している状態を示す斜視図である。 １・・・・半導体チップ、４・・・・大口径基板、１１
・・・・コアドリル、１３・・・・胴体、１４．２１．
３１・・・・研削筒、１４ ｃ 、２２．３３・・・・
内側研削面。
Claims (2)
- （１）外周部にベベリングが施される半導体チップが、
回転するコアドリルによって半導体ウエハからくりぬい
て分断される電力用半導体装置の製造方法において、基
部側へ向かうにつれ内径を狭めて形成された内側研削面
を有するコアドリルによって、分断時にベベリングを同
時に行なうことを特徴とする電力用半導体装置の製造方
法。 - （２）一端が半導体チップの外径寸法と略等しい開口寸
法をもって開口されかつ他端が駆動装置に連結される研
削筒を有し、この研削筒の内周部分に、開口側から基部
側へ向かうにつれ内径を狭めることによって半導体チッ
プのベベリング面と対応する角度をもって傾斜された内
側研削面を設けたことを特徴とする半導体チップ分断用
コアドリル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842089A JPH0766914B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電力用半導体装置の製造方法および半導体チツプ分断用コアドリル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842089A JPH0766914B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電力用半導体装置の製造方法および半導体チツプ分断用コアドリル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342853A true JPH0342853A (ja) | 1991-02-25 |
| JPH0766914B2 JPH0766914B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=16048192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17842089A Expired - Lifetime JPH0766914B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電力用半導体装置の製造方法および半導体チツプ分断用コアドリル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766914B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466099A (en) * | 1993-12-13 | 1995-11-14 | Tdw Delaware, Inc. | Cutter shell for forming holes of improved cylindricality |
| KR20030018289A (ko) * | 2001-08-28 | 2003-03-06 | 조인숙 | 에어백구조의 슬리퍼 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755950U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-04-01 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17842089A patent/JPH0766914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755950U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-04-01 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466099A (en) * | 1993-12-13 | 1995-11-14 | Tdw Delaware, Inc. | Cutter shell for forming holes of improved cylindricality |
| KR20030018289A (ko) * | 2001-08-28 | 2003-03-06 | 조인숙 | 에어백구조의 슬리퍼 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766914B2 (ja) | 1995-07-19 |
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