JPH0342586A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH0342586A JPH0342586A JP1178312A JP17831289A JPH0342586A JP H0342586 A JPH0342586 A JP H0342586A JP 1178312 A JP1178312 A JP 1178312A JP 17831289 A JP17831289 A JP 17831289A JP H0342586 A JPH0342586 A JP H0342586A
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 23
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 27
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
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- 238000007792 addition Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要〕
電子ビーム装置に関し、
高速の電圧波形の測定時間を短縮することのできる電子
ビーム装置を提供することを目的とし、試料に印加され
る周期的な電圧波形に同期して所定のタイごングでパル
ス状の電子ビームを該試料上に照射する照射手段と、該
試料表面から放出される2次電子を検出し、該検出結果
に基づいて試料上の電子ビーム照射点の電圧を測定する
測定手段と、電子ビームパルスを照射する前記タイミン
グを設定するタイミング設定手段と、測定手段の出力に
基づいて電子ビーム照射点の電圧波形を観測する波形観
測手段とを備えた電子ビーム装置において、前記観測波
形中の電圧の変化の状態に応じて波形中の電圧測定を行
うタイミングの間隔を変化させる間隔可変手段を設け、
前記タイミング設定手段は、間隔可変手段の出力に基づ
いて前記タイミングを設定するように構成する。
ビーム装置を提供することを目的とし、試料に印加され
る周期的な電圧波形に同期して所定のタイごングでパル
ス状の電子ビームを該試料上に照射する照射手段と、該
試料表面から放出される2次電子を検出し、該検出結果
に基づいて試料上の電子ビーム照射点の電圧を測定する
測定手段と、電子ビームパルスを照射する前記タイミン
グを設定するタイミング設定手段と、測定手段の出力に
基づいて電子ビーム照射点の電圧波形を観測する波形観
測手段とを備えた電子ビーム装置において、前記観測波
形中の電圧の変化の状態に応じて波形中の電圧測定を行
うタイミングの間隔を変化させる間隔可変手段を設け、
前記タイミング設定手段は、間隔可変手段の出力に基づ
いて前記タイミングを設定するように構成する。
本発明は、周期的な動作を行うIC内部の配線に周期動
作に同期したストロボ電子ビームを照射することによっ
て配線の電圧波形を測定する電子ビーム装置に係り、特
に、電圧波形を高速測定するためのサンプリング方式を
改良した電子ビーム装置に関する。
作に同期したストロボ電子ビームを照射することによっ
て配線の電圧波形を測定する電子ビーム装置に係り、特
に、電圧波形を高速測定するためのサンプリング方式を
改良した電子ビーム装置に関する。
高速動作するic内部の電圧を測定する手段としては、
ICを繰り返し動作させ、これに同期してパルス化した
電子ビームをIC表面に照射して2次電子信号を取得す
るストロボ電子ビーム装置が注目を集めている。これに
よれば、ICの繰り返し動作周期中における任意の位相
での電圧分布像や、IC配線上の特定点の電圧の時間的
な変化波形を得ることが可能である。
ICを繰り返し動作させ、これに同期してパルス化した
電子ビームをIC表面に照射して2次電子信号を取得す
るストロボ電子ビーム装置が注目を集めている。これに
よれば、ICの繰り返し動作周期中における任意の位相
での電圧分布像や、IC配線上の特定点の電圧の時間的
な変化波形を得ることが可能である。
従来のストロボ電子ビーム装置の動作概念は以下のよう
なものである。まず、ある電圧状態にあるIC配線上の
特定部分に電子ビームパルス(以下、適宜EBパルスと
いう)を照射すると、その表面部分から2次電子が放射
される。そして、それによって得られる2次電子信号量
は該特定部分が低電圧状態であれば多く、高電圧状態で
あれば少ない。したがって、2次電子信号量を測定する
ことによって、EBパルスを照射した瞬間におけるrc
表面の特定部分の電圧状態を測定することができる。
なものである。まず、ある電圧状態にあるIC配線上の
特定部分に電子ビームパルス(以下、適宜EBパルスと
いう)を照射すると、その表面部分から2次電子が放射
される。そして、それによって得られる2次電子信号量
は該特定部分が低電圧状態であれば多く、高電圧状態で
あれば少ない。したがって、2次電子信号量を測定する
ことによって、EBパルスを照射した瞬間におけるrc
表面の特定部分の電圧状態を測定することができる。
さらに、ICを特定のクロック(例えば、1MHzのク
ロック)によって動作させた場合、該ICが例えば10
0クロツクで一連の動作を行うとすると、クロックが進
むにつれてICの各部分は100クロツク毎に同じ電圧
状態を繰り返す。そこでIC配線上の特定部分の電圧状
態のクロックによる時間変化をEBパルスによって測定
するために、ICが1繰り返し動作周期毎に同じ動作を
繰り返すことを利用し、各繰り返し動作周期毎のEBパ
ルスの照射タイミングを少しずつずらしてゆくことによ
って、電圧状態の時間的な変化を測定することが可能で
ある(これを波形モードと呼ぶ)。
ロック)によって動作させた場合、該ICが例えば10
0クロツクで一連の動作を行うとすると、クロックが進
むにつれてICの各部分は100クロツク毎に同じ電圧
状態を繰り返す。そこでIC配線上の特定部分の電圧状
態のクロックによる時間変化をEBパルスによって測定
するために、ICが1繰り返し動作周期毎に同じ動作を
繰り返すことを利用し、各繰り返し動作周期毎のEBパ
ルスの照射タイミングを少しずつずらしてゆくことによ
って、電圧状態の時間的な変化を測定することが可能で
ある(これを波形モードと呼ぶ)。
また、繰り返し動作周期中の特定のタイミングにおける
IC表面の電圧分布像(これを像モードと呼ぶ)を測定
するためには、例えば、まず、繰り返し動作第1周期日
の特定位相でEBパルスを特定部分に照射し、その部分
の電圧を測定する。次に繰り返し動作第2周期日の同じ
位相で他の部分にEBパルスを照射し、その部分の電圧
を測定する。以上のように、EBパルス照射タイミング
を特定位相に固定してEBパルスをIC表面上で走査す
ることにより、繰り返し動作周期中の該特定位相におけ
るIC表面の電圧分布像を得ることができる。
IC表面の電圧分布像(これを像モードと呼ぶ)を測定
するためには、例えば、まず、繰り返し動作第1周期日
の特定位相でEBパルスを特定部分に照射し、その部分
の電圧を測定する。次に繰り返し動作第2周期日の同じ
位相で他の部分にEBパルスを照射し、その部分の電圧
を測定する。以上のように、EBパルス照射タイミング
を特定位相に固定してEBパルスをIC表面上で走査す
ることにより、繰り返し動作周期中の該特定位相におけ
るIC表面の電圧分布像を得ることができる。
ここで、IC表面における電圧は2次電子をエネルギ分
析して求めるのが一般的であり、エネルギ分析による測
定原理は第4図のように示される。
析して求めるのが一般的であり、エネルギ分析による測
定原理は第4図のように示される。
検出された2次電子と適切な方法で定めたスライスレヘ
ルSlが一致するような分析電圧Vgに収束するまで分
析電圧Vgのフィードバンクを繰り返す。得られる分析
電圧Vgを適切に処理した値を測定点の電圧とする。
ルSlが一致するような分析電圧Vgに収束するまで分
析電圧Vgのフィードバンクを繰り返す。得られる分析
電圧Vgを適切に処理した値を測定点の電圧とする。
なお、図中、ΔVgi’ は次式で与えられる。
ΔVgj’ =k (St S正7)また、Vgi’
は次式で与えられる。
は次式で与えられる。
Vgi’ = Vgi’−’ +ΔVgi’電圧波形
はタイミングを一定則みで徐々に変化させながら上記の
電圧測定を行うことによって求められ、その−例を第5
図に示す。この場合、各タイミング毎にフィードバック
を完結させるのではなく、タイミングを変化させながら
一回ずつフィードバンクを進めていく。以上の処置を全
タイミングで分析電圧が収束するまで繰り返す(予備収
束ステップ)。この後も更に同じ処理を繰り返し、各タ
イミングの分析電圧を加算平均することによって波形の
S/Nを向上させる(加算平均ステップ)。
はタイミングを一定則みで徐々に変化させながら上記の
電圧測定を行うことによって求められ、その−例を第5
図に示す。この場合、各タイミング毎にフィードバック
を完結させるのではなく、タイミングを変化させながら
一回ずつフィードバンクを進めていく。以上の処置を全
タイミングで分析電圧が収束するまで繰り返す(予備収
束ステップ)。この後も更に同じ処理を繰り返し、各タ
イミングの分析電圧を加算平均することによって波形の
S/Nを向上させる(加算平均ステップ)。
しかしながら、このような従来の電子ビーム装置にあっ
ては、高速波形を測定するためには、上記電子ビーム・
パルスの時間幅と電圧測定タイミング間隔の両方を被測
定波形の変化率に対して十分に小さくする必要がある。
ては、高速波形を測定するためには、上記電子ビーム・
パルスの時間幅と電圧測定タイミング間隔の両方を被測
定波形の変化率に対して十分に小さくする必要がある。
前者を小さくすると、照射1次電子個数が少なくなるた
め、1次電子個数の統計的な変動によるノイズの影響を
除去して十分なS/Hの波形を観測するためには、上記
で説明した加算平均ステップにおける加算平均の回数を
増大させる必要がある。このため、高速波形の測定は処
理時間が長くなるという不具合がある。
め、1次電子個数の統計的な変動によるノイズの影響を
除去して十分なS/Hの波形を観測するためには、上記
で説明した加算平均ステップにおける加算平均の回数を
増大させる必要がある。このため、高速波形の測定は処
理時間が長くなるという不具合がある。
一方、上記後者(電圧測定タイごング間隔)を小さくす
ると、波形のサンプリング点数の増大を招き、これも結
局は処理時間を長くする。以上のため、高速波形の測定
には長い時間が必要で作業の効率が悪いという問題点が
あった。
ると、波形のサンプリング点数の増大を招き、これも結
局は処理時間を長くする。以上のため、高速波形の測定
には長い時間が必要で作業の効率が悪いという問題点が
あった。
そこで本発明は、高速の電圧波形の測定時間を短縮する
ことのできる電子ビーム装置を提供することを目的とし
ている。
ことのできる電子ビーム装置を提供することを目的とし
ている。
本発明による電子ビーム装置は上記目的達成のため、試
料に印加される周期的な電圧波形に同期して所定のタイ
ミングでパルス状の電子ビームを該試料上に照射する照
射手段と、該試料表面から放出される2次電子を検出し
、該検出結果に基づいて試料上の電子ビーム照射点の電
圧を測定する測定手段と、電子ビームパルスを照射する
前記タイミングを設定するタイミング設定手段と、測定
手段の出力に基づいて電子ビーム照射点の電圧波形を観
測する波形観測手段とを備えた電子ビーム装置において
、前記観測波形中の電圧の変化の状態に応じて波形中の
電圧測定を行うタイミングの間隔を変化させる間隔可変
手段を設け、前記タイミング設定手段は、間隔可変手段
の出力に基づいて前記タイミングを設定するようにして
いる。
料に印加される周期的な電圧波形に同期して所定のタイ
ミングでパルス状の電子ビームを該試料上に照射する照
射手段と、該試料表面から放出される2次電子を検出し
、該検出結果に基づいて試料上の電子ビーム照射点の電
圧を測定する測定手段と、電子ビームパルスを照射する
前記タイミングを設定するタイミング設定手段と、測定
手段の出力に基づいて電子ビーム照射点の電圧波形を観
測する波形観測手段とを備えた電子ビーム装置において
、前記観測波形中の電圧の変化の状態に応じて波形中の
電圧測定を行うタイミングの間隔を変化させる間隔可変
手段を設け、前記タイミング設定手段は、間隔可変手段
の出力に基づいて前記タイミングを設定するようにして
いる。
本発明では、観測波形の各部分の変化の状態(例えば、
変化率)に応じてサンプリングの間隔が変えられ、この
設定されたタイミングでのみ電子ビームパルスが照射さ
れる。
変化率)に応じてサンプリングの間隔が変えられ、この
設定されたタイミングでのみ電子ビームパルスが照射さ
れる。
したがって、不必要なサンプリングが無くなり、波形観
測の時間が短縮する。
測の時間が短縮する。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1〜3図は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例を
示す図であり、第1図はその全体構成図である。第1図
において、lはストロボ電子ビーム装置、2は電子ビー
ム鏡筒であり、電子ビーム鏡筒2には試料室3が接続さ
れる。試料室3の内部には被検IC4が配置される。被
検IC4には電子ビーム鏡筒2からEBパルス5が照射
され、2次電子6が得られる。2次電子6は試料室3に
接続された検出器7によって検出され、その出力は2次
電子信号として2次電子信号処理回路8に入力する。ま
た、被検IC4にはパターンシネレータ(PG)あるい
はLSIテスタからなるICドライバ9によって周期的
な電圧が印加され、この印加電圧波形に同期する周期ト
リガは遅延回路10に入力される。遅延回路10はこれ
らの信号を一定時間遅延させストローブ信号として2次
電子信号処理回路8およびEBパルスゲートドライバ1
1に出力する。2次電子信号処理回路8にはストローブ
信号の他に波形測定制御回路12からの制御信号が入力
され、2次電子信号処理回路8からは波形測定制御回路
12に出力データおよびシーケンスコントロールに必要
な動作終了信号等が出力される。
示す図であり、第1図はその全体構成図である。第1図
において、lはストロボ電子ビーム装置、2は電子ビー
ム鏡筒であり、電子ビーム鏡筒2には試料室3が接続さ
れる。試料室3の内部には被検IC4が配置される。被
検IC4には電子ビーム鏡筒2からEBパルス5が照射
され、2次電子6が得られる。2次電子6は試料室3に
接続された検出器7によって検出され、その出力は2次
電子信号として2次電子信号処理回路8に入力する。ま
た、被検IC4にはパターンシネレータ(PG)あるい
はLSIテスタからなるICドライバ9によって周期的
な電圧が印加され、この印加電圧波形に同期する周期ト
リガは遅延回路10に入力される。遅延回路10はこれ
らの信号を一定時間遅延させストローブ信号として2次
電子信号処理回路8およびEBパルスゲートドライバ1
1に出力する。2次電子信号処理回路8にはストローブ
信号の他に波形測定制御回路12からの制御信号が入力
され、2次電子信号処理回路8からは波形測定制御回路
12に出力データおよびシーケンスコントロールに必要
な動作終了信号等が出力される。
なお、一般に、検出器7で検出された2次電子信号は非
常に微弱であり、1シヨツトで確実に見ることはできず
、特定箇所に何度(例えば、1000〜10000回)
もEBパルスを照射してその加算結果を得る必要がある
。2次電子信号処理回路8は前記各人力信号に従って検
出された2次電子信号をディジタル化するとともに、そ
のディジタル信号を加算平均してそのデータを波形測定
制御回路12に出力する。波形測定制御回路12は電子
ビームパルス(EBパルス)を照射するタイミングを設
定するとともに、2次電子信号処理回路8の出力に基づ
いてEBパルス照射点の電圧を測定し、さらに電圧波形
を観測し、波形中の電圧の変化状態に応じて電圧測定を
行うタイミングの間隔を変化させる処理を行い、その処
理結果に応じて遅延回路10に制御信号を出力する。一
方、EBパルスゲートドライバ11にはさらに制御用計
算機13からEBパルスゲートドライバ制御信号が人力
され、EBパルスゲートドライバ11の出力は電子ビー
ム鏡筒2の内部に配置されたEBパルスゲート14に接
続される。EBパルスゲートドライバ11はEBバルス
ゲーロ4に電気的なパルスを印加することにより電子ビ
ームを振ってパルス化させる。また、制御用計算機13
には表示装置15が接続され、必要なデータ等が表示さ
れるとともに、制御用計算機13は上記各回路に対して
波形測定に必要な制御を行う。
常に微弱であり、1シヨツトで確実に見ることはできず
、特定箇所に何度(例えば、1000〜10000回)
もEBパルスを照射してその加算結果を得る必要がある
。2次電子信号処理回路8は前記各人力信号に従って検
出された2次電子信号をディジタル化するとともに、そ
のディジタル信号を加算平均してそのデータを波形測定
制御回路12に出力する。波形測定制御回路12は電子
ビームパルス(EBパルス)を照射するタイミングを設
定するとともに、2次電子信号処理回路8の出力に基づ
いてEBパルス照射点の電圧を測定し、さらに電圧波形
を観測し、波形中の電圧の変化状態に応じて電圧測定を
行うタイミングの間隔を変化させる処理を行い、その処
理結果に応じて遅延回路10に制御信号を出力する。一
方、EBパルスゲートドライバ11にはさらに制御用計
算機13からEBパルスゲートドライバ制御信号が人力
され、EBパルスゲートドライバ11の出力は電子ビー
ム鏡筒2の内部に配置されたEBパルスゲート14に接
続される。EBパルスゲートドライバ11はEBバルス
ゲーロ4に電気的なパルスを印加することにより電子ビ
ームを振ってパルス化させる。また、制御用計算機13
には表示装置15が接続され、必要なデータ等が表示さ
れるとともに、制御用計算機13は上記各回路に対して
波形測定に必要な制御を行う。
上記電子ビーム鏡筒2、遅延回路10、EBパルスゲー
トドライバ11および制御用計算機13は照射手段21
を構威し、検出器7.2次電子信号処理回路8および波
形測定制御回路12は測定手段22を構成する。また、
波形測定制御回路12はタイミング設定手段、波形観測
手段および間隔可変手段としての機能を有する。
トドライバ11および制御用計算機13は照射手段21
を構威し、検出器7.2次電子信号処理回路8および波
形測定制御回路12は測定手段22を構成する。また、
波形測定制御回路12はタイミング設定手段、波形観測
手段および間隔可変手段としての機能を有する。
次に、作用を説明する。
第2図は波形測定の処理を行うフローチャートである。
まず、P、〜P3で予備収束処理を行うが、このステッ
プの動作は従来例と同じである。詳細には、まずPlで
次の如く初期設定を行う。
プの動作は従来例と同じである。詳細には、まずPlで
次の如く初期設定を行う。
タイミングデータ: (φ (i)) = (φ (1
)+Δφx(i−1)) 但し、i=1.2・・・・・・M 分析電圧データ’ (Vg (i) ) = (Vr
o)予備収束フラッグ: (Fpc (i)) =
(O)EB照射フラッグ: (Feb (i))=
(1)次いで、P2で全ての予備収束フラッグFpc(
i)が(1)か否かを判別し、NoのときはP3に進み
、YESのときはP4に抜ける。P3ではi=1からM
まで次の処理を行う。
)+Δφx(i−1)) 但し、i=1.2・・・・・・M 分析電圧データ’ (Vg (i) ) = (Vr
o)予備収束フラッグ: (Fpc (i)) =
(O)EB照射フラッグ: (Feb (i))=
(1)次いで、P2で全ての予備収束フラッグFpc(
i)が(1)か否かを判別し、NoのときはP3に進み
、YESのときはP4に抜ける。P3ではi=1からM
まで次の処理を行う。
■分析電圧Vg (i)を印加する。
■EBパルスを照射して2次電圧信号S (i)を測定
する。
する。
■タイミングiに対し、第0回のフィードバックによる
分析電圧Vg” (i)を次式で求める。
分析電圧Vg” (i)を次式で求める。
V、” (i)=V9’−’(i)+KX (SL−3
’ (i)・・・・・・■ には、2次電子信号−分析電圧の変換係数であり、2次
電子のエネルギ分析特性におけるSL付近の微分値の逆
数とする。すなわち、 で与えられる。
’ (i)・・・・・・■ には、2次電子信号−分析電圧の変換係数であり、2次
電子のエネルギ分析特性におけるSL付近の微分値の逆
数とする。すなわち、 で与えられる。
■ Fpc(i)=O
3L−3’ (i)l≦ε・・・・・・■の条件が満
たされれば収束と判定し、Fpc(i)=1とする。一
方、 SL S’ (i)l>ε・・・・・・■のとき
は未収束と判定する。なお、εは2次電子信号のノイズ
振幅(別途に測定)の1/2とする。
たされれば収束と判定し、Fpc(i)=1とする。一
方、 SL S’ (i)l>ε・・・・・・■のとき
は未収束と判定する。なお、εは2次電子信号のノイズ
振幅(別途に測定)の1/2とする。
全タイミングで■弐が成立すれば、予備収束ステップが
終了する。この状態の分析電圧収束値のデータ列は (V9 ’ (i))(1= 1,2,3.・・・・・
・、M)・・・・・・■ なる式で表され、第3図(a)に示す状態である。
終了する。この状態の分析電圧収束値のデータ列は (V9 ’ (i))(1= 1,2,3.・・・・・
・、M)・・・・・・■ なる式で表され、第3図(a)に示す状態である。
次いで、P4で分散に基づくサンプリング判定を行い、
詳細は次の通りである。
詳細は次の通りである。
i =N+ 1からM−Nまで、次の処理を行う。
・・・・・・■
という式から分析電圧の平均値を求める。
■ 第3図(a)のようなデータに対し、タイミングi
を含む前後、N点のタイミング範囲(2XN+ 1点)
の部分的な分散σ Vr(+)を次式■から求める。
を含む前後、N点のタイミング範囲(2XN+ 1点)
の部分的な分散σ Vr(+)を次式■から求める。
/ (2XN+1) ・・・・・・■■ 各タイミ
ングiに対し、 σ2 v、 (i) ≦2×に×ε2・・・・・・■
を満たすタイごングは、波形における電圧変化が小さい
と見なすことができるので、次の加算平均ステップで処
理を行わない、すなわち、電圧のサンプリングを行わな
い候補点とし、EB照射フラッグFeb(i) =0と
する。この状態は第3図(b)のように表される。次い
で、P、でサンプリングの修正を行う。具体的には■弐
を満たしてもi=lからMまでFeb(i) −〇とい
う条件のとき、(IV、’ (i)−V、’ (i−1
)l + IV、’ (i+1)V* ’ (i)l)
/2> 2Xε・・・・・・■なる弐が満足されれば
、Feb(i) = 1とする。また、Feb(i)
=Oが連続的にL点以上続くなら、その範囲の中央点の
Feb(+) −1とする。すなわち、0式を満たす
タイミングiは、微小な時間範囲で電圧変化があると見
なして、サンプリングを行う点とする。サンプリングを
行わないタイミング点が連続する最大の個数をLとする
制限を設けて、次のステップで処理を行うタイミングを
設定する。この状態は第3図(c)のように表される。
ングiに対し、 σ2 v、 (i) ≦2×に×ε2・・・・・・■
を満たすタイごングは、波形における電圧変化が小さい
と見なすことができるので、次の加算平均ステップで処
理を行わない、すなわち、電圧のサンプリングを行わな
い候補点とし、EB照射フラッグFeb(i) =0と
する。この状態は第3図(b)のように表される。次い
で、P、でサンプリングの修正を行う。具体的には■弐
を満たしてもi=lからMまでFeb(i) −〇とい
う条件のとき、(IV、’ (i)−V、’ (i−1
)l + IV、’ (i+1)V* ’ (i)l)
/2> 2Xε・・・・・・■なる弐が満足されれば
、Feb(i) = 1とする。また、Feb(i)
=Oが連続的にL点以上続くなら、その範囲の中央点の
Feb(+) −1とする。すなわち、0式を満たす
タイミングiは、微小な時間範囲で電圧変化があると見
なして、サンプリングを行う点とする。サンプリングを
行わないタイミング点が連続する最大の個数をLとする
制限を設けて、次のステップで処理を行うタイミングを
設定する。この状態は第3図(c)のように表される。
次いで、P、で分析電圧加算データ
(Vgs(i) ) = (O) (但しく i=
1.2・・・・・・M)として初期設定を行い、P、で
加算回数JをJ=1とする。P8では加算回数Jを所定
値J maxと比較し、JSJtaaxのときはP、に
進み、J〉J waxのときはP、に抜ける。P、では
i=1からMまで、次の処理を行う。
1.2・・・・・・M)として初期設定を行い、P、で
加算回数JをJ=1とする。P8では加算回数Jを所定
値J maxと比較し、JSJtaaxのときはP、に
進み、J〉J waxのときはP、に抜ける。P、では
i=1からMまで、次の処理を行う。
■ 前提として、Feb(i) = Oであれば以降の
処理b % eは行わない。
処理b % eは行わない。
■ 分析電圧Vg(i)を印加する。
■ EBパルスを照射して2次電子信号5(i)を測定
する。
する。
■ Vg(i)=Vg(i) +KX (St −3
(i))なる式に基づいて分析電圧を補正する。
(i))なる式に基づいて分析電圧を補正する。
■ Vgs(i) = Vgs(i) + Vg(
i)なる式により分析電圧を加算(累積)していく。
i)なる式により分析電圧を加算(累積)していく。
次いで、PI6で加算回数Jをインクリメント(J=J
+1)L、P、に戻る。一方、P、に抜けると、P、で
i=lからMまで次の処理を行う。
+1)L、P、に戻る。一方、P、に抜けると、P、で
i=lからMまで次の処理を行う。
すなわち、Feb(i) =0なら、Feb(n) =
1である両端のV gs (n)の平均をVgs(i
)とする。次いで、p+zで波形データ列(Wv (i
) ) = (Vgs(n) /Jmax +A)を求
める。但し、Aは修正のためのオフセット項である。そ
して、PI3で波形データ列に基づいて波形を表示する
。したがって、加算平均ステップではこの設定されたタ
イミングでのみ電子ビーム・パルスを発生し、従来法と
同様の加算平均処理を行う。この状態は第3図(d)の
ように示される。そして、最終的な電圧波形データとし
ては、サンプリングを行わなかったタイミングの電圧は
前後のサンプリングを行ったタイミングでの電圧測定値
の平均とする。
1である両端のV gs (n)の平均をVgs(i
)とする。次いで、p+zで波形データ列(Wv (i
) ) = (Vgs(n) /Jmax +A)を求
める。但し、Aは修正のためのオフセット項である。そ
して、PI3で波形データ列に基づいて波形を表示する
。したがって、加算平均ステップではこの設定されたタ
イミングでのみ電子ビーム・パルスを発生し、従来法と
同様の加算平均処理を行う。この状態は第3図(d)の
ように示される。そして、最終的な電圧波形データとし
ては、サンプリングを行わなかったタイミングの電圧は
前後のサンプリングを行ったタイミングでの電圧測定値
の平均とする。
以上のことから、本実施例では観測中の電圧波形におい
て電圧の変化が少ないタイミング点て電圧測定値の加算
平均処理を行わないことが可能となるので、不必要なサ
ンプリングを無くして高速の電圧波形の測定時間を短縮
することができ、ICの故障原因の特定等の作業効率を
向上させることができる。
て電圧の変化が少ないタイミング点て電圧測定値の加算
平均処理を行わないことが可能となるので、不必要なサ
ンプリングを無くして高速の電圧波形の測定時間を短縮
することができ、ICの故障原因の特定等の作業効率を
向上させることができる。
本発明によれば、不必要なサンプリングを無くして高速
の電圧波形の測定時間を短縮することができる。その結
果、ICの故障原因の特定等の作業効率を向上させるこ
とができる。
の電圧波形の測定時間を短縮することができる。その結
果、ICの故障原因の特定等の作業効率を向上させるこ
とができる。
第1〜3図は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例を
示す図であり、 第1図はその全体構成図、 第2図はその波形測定処理のフローチャート、第3図は
そのサンプリング処理を説明する図、第4図はエネルギ
分析による電圧の測定原理を示す図、 第5図は電圧波形の測定処理を説明する図である。 1・・・・・・ストロボ電子ビーム装置、2・・・・・
・電子ビーム鏡筒、 3・・・・・・試料室、 4・・・・・・被検ICl 3・・・・・・EBパルス、 6・・・・・・2次電子、 7・・・・・・検出器、 8・・・・・・2次電子信号処理回路、9・・・・・・
ICドライバ、 lO・・・・・・遅延回路、 11・・・・・・EBパルスゲートドライバ、12・・
・・・・波形測定制御回路(タイミング設定手段、波形
観測手段、間隔可変手段)、 13・・・・・・制御用計算機、 14・・・・・・EBパルスゲート、 15・・・・・・表示装置、 21・・・・・・照射手段、 22・・・・・・測定手段。 一実施例のエネルギ分析による電圧の測定原理を示す図
第 図
示す図であり、 第1図はその全体構成図、 第2図はその波形測定処理のフローチャート、第3図は
そのサンプリング処理を説明する図、第4図はエネルギ
分析による電圧の測定原理を示す図、 第5図は電圧波形の測定処理を説明する図である。 1・・・・・・ストロボ電子ビーム装置、2・・・・・
・電子ビーム鏡筒、 3・・・・・・試料室、 4・・・・・・被検ICl 3・・・・・・EBパルス、 6・・・・・・2次電子、 7・・・・・・検出器、 8・・・・・・2次電子信号処理回路、9・・・・・・
ICドライバ、 lO・・・・・・遅延回路、 11・・・・・・EBパルスゲートドライバ、12・・
・・・・波形測定制御回路(タイミング設定手段、波形
観測手段、間隔可変手段)、 13・・・・・・制御用計算機、 14・・・・・・EBパルスゲート、 15・・・・・・表示装置、 21・・・・・・照射手段、 22・・・・・・測定手段。 一実施例のエネルギ分析による電圧の測定原理を示す図
第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)試料(4)に印加される周期的な電圧波形に同期
して所定のタイミングでパルス状の電子ビームを該試料
(4)上に照射する照射手段(21)と、 該試料(4)表面から放出される2次電子 (6)を検出し、該検出結果に基づいて試料(4)上の
電子ビーム照射点の電圧を測定する測定手段(22)と
、 電子ビームパルスを照射する前記タイミングを設定する
タイミング設定手段(12)と、測定手段の出力に基づ
いて電子ビーム照射点の電圧波形を観測する波形観測手
段(12)とを備えた電子ビーム装置において、 前記観測波形中の電圧の変化の状態に応じて化させる間
隔可変手段(12)を設け、 前記タイミング設定手段(12)は、間隔可変手段(1
2)の出力に基づいて前記タイミングを設定するように
したことを特徴とする電子ビーム装置。 (2)前記間隔可変手段(12)は、検出される2次電
子信号が定められた一定値になるようなエネルギ分析の
動作点を求め、 ある一定のタイミング範囲における等間隔の各タイミン
グに対して前記エネルギ分析の動作点を求めた結果に基
づいて電圧測定値の加算平均処理を行うタイミングを選
択して電圧測定を行うタイミングの間隔を変化させるこ
とを特徴とする請求項1記載の電子ビーム装置。 (3)前記間隔可変手段(12)は、前記タイミングの
選択を、そのタイミングを含む複数点のタイミングにお
ける前記動作点の全体的な変化の大きさに基づき、電圧
測定値の加算平均処理を行わないタイミングが一定数以
上連続させないことを特徴とする請求項2記載の電子ビ
ーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178312A JPH0342586A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178312A JPH0342586A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342586A true JPH0342586A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16046278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1178312A Pending JPH0342586A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342586A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0584988A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-04-06 | Canon Inc | 文字パターン生成装置 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1178312A patent/JPH0342586A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0584988A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-04-06 | Canon Inc | 文字パターン生成装置 |
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