JPH0341972B2 - - Google Patents
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- JPH0341972B2 JPH0341972B2 JP56129627A JP12962781A JPH0341972B2 JP H0341972 B2 JPH0341972 B2 JP H0341972B2 JP 56129627 A JP56129627 A JP 56129627A JP 12962781 A JP12962781 A JP 12962781A JP H0341972 B2 JPH0341972 B2 JP H0341972B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて
フオトマスク等のパターンをウエハに露光する焼
付装置の自動アライメント装置に関する。
フオトマスク等のパターンをウエハに露光する焼
付装置の自動アライメント装置に関する。
ICのような半導体装置を製造するにあたつて
は、回路パターンを有するマスク像を投影光学系
でウエハ上に投影して露光する方法と、回路パタ
ーンを有するフオトマスクをウエハに接触或は極
めて僅かの間隙をもつて近接させて直接焼付けを
行う所謂近接焼付け法の２つの方法に大別される
が、本発明は、露光の前にフオトマスクとウエハ
との相対的位置を決めるためのアライメント装置
の関するものである。従来このようなアライメン
ト装置は結像レンズによつて、フオトマスク及び
ウエハ上のアライメント用基準マークをスリツト
上に結像させ、そのスリツトを通過する光束を光
電素子で検出して、フオトマスクとウエハの基準
マークを合致させるように構成されていた。しか
し乍ら、この従来の装置においてはウエハの基準
マークをスリツトに合致させる際は、フオトマス
クの基準マークを光電素子の検出範囲外に置き、
ウエハの位置決定後にフオトマスクの位置決めを
行なわねばならないのでアライメントに多大の時
間を要する欠点があつた。この欠点を解決するた
め、第１図の如くフオトマスクとウエハの基準マ
ークを同時にスリツトで走査するようにしたアラ
イメント装置が知られている。この公知のアライ
メント装置を第１図によつて説明すると、フオト
マスク１とウエハ２には夫々アライメント用基準
マーク３，３′，４が設けられ、対物レンズ５に
より光束走査装置６を介してスリツト７の上に基
準マーク３，３′，４が投影される。このスリツ
ト７を通過した光束は光電素子８で受光され、電
気信号に変換されて信号処理装置９に送られる。
アライメント用基準マークは何れも第２図ａの如
く矩形状に形成されフオトマスク上の２個の基準
マーク３，３′の間にウエハ上の基準マーク４が
位置するようにウエハ２を載せたステージ１０が
移動する。対物レンズ５に関してスリツト７と共
役なフオトマスク及びウエハ近傍の共役像７ａは
光束走査装置６で第２図ａの矢印方向に走査さ
れ、それによつて光電素子８から得られる信号は
第２図ｂのように基準マークの位置に対応してピ
ークを形成する。このピーク間隔を例えば時間で
測定し、基準マーク４と左右の基準マーク３，
３′の間を共役像７ａが通過する時間t1、t2が等
しくなるようなウエハ上の基準マークの位置、換
言すればウエハを載せたステージ１０の位置を調
整することによりアライメントが完了する。ただ
し、実際にはウエハ面内の直交する２方向ｘ、ｙ
及び回転方向θに対応して３個のアライメント用
基準マークに対してアライメントをする必要があ
るが、第１図及び第２図では一方向のみについて
示してある。この従来公知の装置では、光学系内
に光束走査装置６のような走査手段を必要とし、
アライメント用基準マークの信号の間隔を時間で
測定して位置を求めることになるので、走査手段
の安定性が直接測定精度に影響してしまう欠点が
ある。
は、回路パターンを有するマスク像を投影光学系
でウエハ上に投影して露光する方法と、回路パタ
ーンを有するフオトマスクをウエハに接触或は極
めて僅かの間隙をもつて近接させて直接焼付けを
行う所謂近接焼付け法の２つの方法に大別される
が、本発明は、露光の前にフオトマスクとウエハ
との相対的位置を決めるためのアライメント装置
の関するものである。従来このようなアライメン
ト装置は結像レンズによつて、フオトマスク及び
ウエハ上のアライメント用基準マークをスリツト
上に結像させ、そのスリツトを通過する光束を光
電素子で検出して、フオトマスクとウエハの基準
マークを合致させるように構成されていた。しか
し乍ら、この従来の装置においてはウエハの基準
マークをスリツトに合致させる際は、フオトマス
クの基準マークを光電素子の検出範囲外に置き、
ウエハの位置決定後にフオトマスクの位置決めを
行なわねばならないのでアライメントに多大の時
間を要する欠点があつた。この欠点を解決するた
め、第１図の如くフオトマスクとウエハの基準マ
ークを同時にスリツトで走査するようにしたアラ
イメント装置が知られている。この公知のアライ
メント装置を第１図によつて説明すると、フオト
マスク１とウエハ２には夫々アライメント用基準
マーク３，３′，４が設けられ、対物レンズ５に
より光束走査装置６を介してスリツト７の上に基
準マーク３，３′，４が投影される。このスリツ
ト７を通過した光束は光電素子８で受光され、電
気信号に変換されて信号処理装置９に送られる。
アライメント用基準マークは何れも第２図ａの如
く矩形状に形成されフオトマスク上の２個の基準
マーク３，３′の間にウエハ上の基準マーク４が
位置するようにウエハ２を載せたステージ１０が
移動する。対物レンズ５に関してスリツト７と共
役なフオトマスク及びウエハ近傍の共役像７ａは
光束走査装置６で第２図ａの矢印方向に走査さ
れ、それによつて光電素子８から得られる信号は
第２図ｂのように基準マークの位置に対応してピ
ークを形成する。このピーク間隔を例えば時間で
測定し、基準マーク４と左右の基準マーク３，
３′の間を共役像７ａが通過する時間t1、t2が等
しくなるようなウエハ上の基準マークの位置、換
言すればウエハを載せたステージ１０の位置を調
整することによりアライメントが完了する。ただ
し、実際にはウエハ面内の直交する２方向ｘ、ｙ
及び回転方向θに対応して３個のアライメント用
基準マークに対してアライメントをする必要があ
るが、第１図及び第２図では一方向のみについて
示してある。この従来公知の装置では、光学系内
に光束走査装置６のような走査手段を必要とし、
アライメント用基準マークの信号の間隔を時間で
測定して位置を求めることになるので、走査手段
の安定性が直接測定精度に影響してしまう欠点が
ある。
本発明は、上記のような欠点を解消し、光学系
内部に特別な走査手段を必要としない、簡単な構
成のアライメント装置を提供することを目的とす
る。
内部に特別な走査手段を必要としない、簡単な構
成のアライメント装置を提供することを目的とす
る。
上記の目的達成のため、本発明においてはフオ
トマスク上の基準マークとウエハ上の基準マーク
の相対的変位をもつて前述のスリツト走査に代
え、両基準マークの相対的位置の変化を直接信号
としてとらえ、この信号に基づいてフオトマスク
とウエハの相対位置を決めるようにしたことを特
徴とするものである。
トマスク上の基準マークとウエハ上の基準マーク
の相対的変位をもつて前述のスリツト走査に代
え、両基準マークの相対的位置の変化を直接信号
としてとらえ、この信号に基づいてフオトマスク
とウエハの相対位置を決めるようにしたことを特
徴とするものである。
以下、本発明を近接露光装置（プロキシミテイ
ーアライナー）に適用したときの実施例を添付図
面に従つて詳細に説明する。
ーアライナー）に適用したときの実施例を添付図
面に従つて詳細に説明する。
第３図において、フオトマスク１０１とウエハ
１０２は極めて僅かの間隙をおいて対峙し、夫々
アライメント用基準マーク１０３及び１０４を有
する。この例ではウエハ上の基準マーク１０４は
第４Ｂ図の如く矩形の無反射マーク（黒色マー
ク）、フオトマスク１０１上の基準マーク１０３
は第４Ａ図の如くスリツト１０３ａをもつて形成
されている。両基準マーク１０３、１０４は集光
レンズ１０５を通してランプ１０６で照明され、
また両基準マークからの反射光は、集光レンズ１
０５、半透過鏡の如き光線分割鏡１０７を経て光
電素子１０９ａで受光される。この場合基準マー
ク１０３はスリツト状開口部１０３ａを残して他
はランプ１０６の光を透過しないように形成され
ているので、ウエハ上の基準マーク１０４はこの
開口部１０３ａを通してのみ照明され、その基準
マーク１０４は反射しないがそのマークを区画す
る周囲からの反射光が前記の開口部１０３ａを通
して、光電素子１０９ａに向う。この基準マーク
１０４の幅ｄを基準マーク１０３のスリツト幅
d′に等しく形成すると、ウエハ１０２をステージ
１１２上に載せて、一定速度で移動させれば、基
準マーク１０３の開口部１０３ａの直下を基準マ
ーク１０４が通過するとき、第５図ａの如く、開
孔１０３ａはマーク１０４によつて遮蔽され、第
５図ｂの如く光電素子１０９ａの出力は最低のピ
ークを示し、検出手段１０９ｂによつて第５図ｃ
のように通過パルス信号を作り出し、このパルス
信号を制御回路手段１１０で受けて、その瞬間の
基準マーク１０４位置（すなわちアライメント位
置）、即ちステージ１１２の位置をリニアエンコ
ーダや光波干渉測長機等の移動位置読取装置１１
３で読み取り、その読取り値を記憶したのちにモ
ーター１１１を逆転させて、前記パルス信号の発
生位置、即ち記憶された位置までステージ１１２
を戻して停止させる。第６図は本発明の電気系統
図であつて、前記の光電素子１０９ａと検出手段
１０９ｂをもつて光電検出手段を構成し、検出手
段１０９ｂによつて得られたパルス信号は制御手
段１１０のホールド回路G1に入れ、このホール
ド回路G1において、移動位置読取装置１１３に
よつて読み取られたステージ１１２位置信号、す
なわちアライメント位置の座標値を、前記パルス
信号を受信した瞬間に記憶する。このホールド回
路に記憶された基準マークの合致時のステージの
位置信号（アライメント位置と座標値）と、ステ
ージの現在位置を示す位置信号（ステージ現在位
置の座標値）との差と、予め設定されたアライメ
ント用基準マークの相対的位置間隔を示す電気信
号いわゆるアライメントの許容量に関する信号と
を比較回路G2によつて比較し、その差信号をモ
ーター駆動回路G3に送り、モーター１１１を制
御する。前記の許容量に関する信号をほぼゼロに
設定すれば、モーターは逆転して、移動位置読取
装置１１３の読取り値が前記ホールド回路に記憶
された記憶値になるまで、換言すればフオトマス
クの基準マーク１０３の開口１０３ａをウエハの
基準マーク１０４で遮蔽する位置まで戻され、そ
の位置でモーター１１１が停止しアライメントが
完成する。以上の作動はフオトマスクとウエハと
の回転方向の位置ずれを修正した後に行われる。
また上述のアライメントは平面上の一方向のみに
ついて行われたがこれに直交する他の方向につい
ても同様に、すなわち直交座標の各座標軸方向に
アライメントを行うことは言うまでもない。上記
の実施例では通過パルス信号の出た瞬間の位置を
読取り、後でステージをその位置へ戻してアライ
メントを行つたが、この方法によるとステージを
戻すためにステージは一旦停止することになるの
で、アライメントに時間の無駄を生ずる。予め一
定量だけずらした位置にアライメントマークを設
けておけば、ステージを逆戻しすることなく、一
定量だけ行き過ぎた点に位置決めすればよいこと
は言うまでもない。第９図はその基準マークを示
しているものであるが詳しくは後で述べる。
１０２は極めて僅かの間隙をおいて対峙し、夫々
アライメント用基準マーク１０３及び１０４を有
する。この例ではウエハ上の基準マーク１０４は
第４Ｂ図の如く矩形の無反射マーク（黒色マー
ク）、フオトマスク１０１上の基準マーク１０３
は第４Ａ図の如くスリツト１０３ａをもつて形成
されている。両基準マーク１０３、１０４は集光
レンズ１０５を通してランプ１０６で照明され、
また両基準マークからの反射光は、集光レンズ１
０５、半透過鏡の如き光線分割鏡１０７を経て光
電素子１０９ａで受光される。この場合基準マー
ク１０３はスリツト状開口部１０３ａを残して他
はランプ１０６の光を透過しないように形成され
ているので、ウエハ上の基準マーク１０４はこの
開口部１０３ａを通してのみ照明され、その基準
マーク１０４は反射しないがそのマークを区画す
る周囲からの反射光が前記の開口部１０３ａを通
して、光電素子１０９ａに向う。この基準マーク
１０４の幅ｄを基準マーク１０３のスリツト幅
d′に等しく形成すると、ウエハ１０２をステージ
１１２上に載せて、一定速度で移動させれば、基
準マーク１０３の開口部１０３ａの直下を基準マ
ーク１０４が通過するとき、第５図ａの如く、開
孔１０３ａはマーク１０４によつて遮蔽され、第
５図ｂの如く光電素子１０９ａの出力は最低のピ
ークを示し、検出手段１０９ｂによつて第５図ｃ
のように通過パルス信号を作り出し、このパルス
信号を制御回路手段１１０で受けて、その瞬間の
基準マーク１０４位置（すなわちアライメント位
置）、即ちステージ１１２の位置をリニアエンコ
ーダや光波干渉測長機等の移動位置読取装置１１
３で読み取り、その読取り値を記憶したのちにモ
ーター１１１を逆転させて、前記パルス信号の発
生位置、即ち記憶された位置までステージ１１２
を戻して停止させる。第６図は本発明の電気系統
図であつて、前記の光電素子１０９ａと検出手段
１０９ｂをもつて光電検出手段を構成し、検出手
段１０９ｂによつて得られたパルス信号は制御手
段１１０のホールド回路G1に入れ、このホール
ド回路G1において、移動位置読取装置１１３に
よつて読み取られたステージ１１２位置信号、す
なわちアライメント位置の座標値を、前記パルス
信号を受信した瞬間に記憶する。このホールド回
路に記憶された基準マークの合致時のステージの
位置信号（アライメント位置と座標値）と、ステ
ージの現在位置を示す位置信号（ステージ現在位
置の座標値）との差と、予め設定されたアライメ
ント用基準マークの相対的位置間隔を示す電気信
号いわゆるアライメントの許容量に関する信号と
を比較回路G2によつて比較し、その差信号をモ
ーター駆動回路G3に送り、モーター１１１を制
御する。前記の許容量に関する信号をほぼゼロに
設定すれば、モーターは逆転して、移動位置読取
装置１１３の読取り値が前記ホールド回路に記憶
された記憶値になるまで、換言すればフオトマス
クの基準マーク１０３の開口１０３ａをウエハの
基準マーク１０４で遮蔽する位置まで戻され、そ
の位置でモーター１１１が停止しアライメントが
完成する。以上の作動はフオトマスクとウエハと
の回転方向の位置ずれを修正した後に行われる。
また上述のアライメントは平面上の一方向のみに
ついて行われたがこれに直交する他の方向につい
ても同様に、すなわち直交座標の各座標軸方向に
アライメントを行うことは言うまでもない。上記
の実施例では通過パルス信号の出た瞬間の位置を
読取り、後でステージをその位置へ戻してアライ
メントを行つたが、この方法によるとステージを
戻すためにステージは一旦停止することになるの
で、アライメントに時間の無駄を生ずる。予め一
定量だけずらした位置にアライメントマークを設
けておけば、ステージを逆戻しすることなく、一
定量だけ行き過ぎた点に位置決めすればよいこと
は言うまでもない。第９図はその基準マークを示
しているものであるが詳しくは後で述べる。
第７図及び第８図は基準マークに回折格子を用
いた実施例を示すものである。フオトマスク２０
１上のアライメント用基準マーク２０３は第８Ａ
図の如く開口部２０３ａを有し、ウエハ２０２上
のアライメント用基準マーク２０４は第８Ｂ図の
如くウエハ２０２上の回路パターンのエツジ方向
を考慮して斜めに傾いた格子縞に形成され、レー
ザー光源２０６のレーザー光で基準マーク２０４
の格子は照射され、この格子の方向に直交する面
内に強い回折光を発する。格子で反射された正反
射光を孔開きミラー２０７の開口２０７′を通つ
て光源２０６の方へ逆戻りし、回折光のみが開口
２０７′の外周のミラーによつて光電素子２０９
ａの方に転向し、受光される。従つて、フオトマ
スク及びウエハ表面からの正反射光の影響が除か
れ基準マーク２０３の開口２０３ａを通過する基
準マーク２０４の回折光のみが受光されるので良
好なコントラストの信号が得られ、高精度のアラ
イメントが実現できる。なお集光レンズ２０５、
光電素子２０９ａ及び検出手段２０９ｂを含む光
電検出手段２０８、制御手段２１０、モーター２
１１、ステージ２１２、移動位置読取装置２１３
の作用は第３図乃至第６図のそれと同様であるか
ら説明を省略する。
いた実施例を示すものである。フオトマスク２０
１上のアライメント用基準マーク２０３は第８Ａ
図の如く開口部２０３ａを有し、ウエハ２０２上
のアライメント用基準マーク２０４は第８Ｂ図の
如くウエハ２０２上の回路パターンのエツジ方向
を考慮して斜めに傾いた格子縞に形成され、レー
ザー光源２０６のレーザー光で基準マーク２０４
の格子は照射され、この格子の方向に直交する面
内に強い回折光を発する。格子で反射された正反
射光を孔開きミラー２０７の開口２０７′を通つ
て光源２０６の方へ逆戻りし、回折光のみが開口
２０７′の外周のミラーによつて光電素子２０９
ａの方に転向し、受光される。従つて、フオトマ
スク及びウエハ表面からの正反射光の影響が除か
れ基準マーク２０３の開口２０３ａを通過する基
準マーク２０４の回折光のみが受光されるので良
好なコントラストの信号が得られ、高精度のアラ
イメントが実現できる。なお集光レンズ２０５、
光電素子２０９ａ及び検出手段２０９ｂを含む光
電検出手段２０８、制御手段２１０、モーター２
１１、ステージ２１２、移動位置読取装置２１３
の作用は第３図乃至第６図のそれと同様であるか
ら説明を省略する。
第９図は、本発明をステツプアンドレピート法
により近接焼付けする場合に適用した例を示すも
ので、ウエハ３０２は光波干渉を利用した移動位
置読取装置３１３Ａ，３１３Ｂで直交座標系の各
軸（ｘ、ｙ）方向の座標位置として読取りが行わ
れるステージ３１２上に設置され、予め主アライ
メント用マーク３０２Ａ，３０３Ｂで回転方向の
位置合せが行われる。ウエハ３０２には図の如く
多数のチツプ３０２ａが焼付けられることになる
が、露光に際しては、ｘ、ｙ方向についてのみ毎
回アライメントされる。この場合フオトマスクは
第１０Ａ図の３０１の如く、パターンを有する正
方形部分の２辺の外側にスリツト状開口３０３ａ
及び３０３ｂがそれぞれｘ方向及びｙ方向のアラ
イメント用基準マークとして設けられ、ウエハ３
０２上の各チツプ３０２ａにはｘ方向基準マーク
３０４ａ、ｙ方向基準マーク３０４ｂが、例えば
第１回目の露光焼き付け時にチツプの２辺の外周
に第１０Ｂ図の如く設けられている。前記のフオ
トマスク用基準マーク３０３ａとウエハ上の基準
マーク３０４ａを図の如く予めｘだけずらせて置
くと、すなわちマスク用基準マーク３０３ａとウ
エハ上の基準マーク３０４ａとが合致するアライ
メント位置と、マスクのパターンとウエハ３０２
上の１つのチツプ（被露光領域）３０２ａとが重
なり合う焼付け位置とをｘ方向に一定量だけずら
しておくと、前に第３図の実施例において述べた
如くモーターを逆戻しすることなくアライメント
を完了することができる。フオトマスクの基準マ
ーク３０３ｂとウエハの基準マーク３０４ｂにつ
いても予めＹだけずらせて置けば、同様にアライ
メントを完了できる。このようにしてｘ、ｙ方向
共にアライメントが完了した後に上方から、紫外
線、Ｘ線等のエネルギービームを照射し、露光が
終ると次のチツプ位置へウエハが移動し、前記の
動作を繰り返して焼付けが行われる。
により近接焼付けする場合に適用した例を示すも
ので、ウエハ３０２は光波干渉を利用した移動位
置読取装置３１３Ａ，３１３Ｂで直交座標系の各
軸（ｘ、ｙ）方向の座標位置として読取りが行わ
れるステージ３１２上に設置され、予め主アライ
メント用マーク３０２Ａ，３０３Ｂで回転方向の
位置合せが行われる。ウエハ３０２には図の如く
多数のチツプ３０２ａが焼付けられることになる
が、露光に際しては、ｘ、ｙ方向についてのみ毎
回アライメントされる。この場合フオトマスクは
第１０Ａ図の３０１の如く、パターンを有する正
方形部分の２辺の外側にスリツト状開口３０３ａ
及び３０３ｂがそれぞれｘ方向及びｙ方向のアラ
イメント用基準マークとして設けられ、ウエハ３
０２上の各チツプ３０２ａにはｘ方向基準マーク
３０４ａ、ｙ方向基準マーク３０４ｂが、例えば
第１回目の露光焼き付け時にチツプの２辺の外周
に第１０Ｂ図の如く設けられている。前記のフオ
トマスク用基準マーク３０３ａとウエハ上の基準
マーク３０４ａを図の如く予めｘだけずらせて置
くと、すなわちマスク用基準マーク３０３ａとウ
エハ上の基準マーク３０４ａとが合致するアライ
メント位置と、マスクのパターンとウエハ３０２
上の１つのチツプ（被露光領域）３０２ａとが重
なり合う焼付け位置とをｘ方向に一定量だけずら
しておくと、前に第３図の実施例において述べた
如くモーターを逆戻しすることなくアライメント
を完了することができる。フオトマスクの基準マ
ーク３０３ｂとウエハの基準マーク３０４ｂにつ
いても予めＹだけずらせて置けば、同様にアライ
メントを完了できる。このようにしてｘ、ｙ方向
共にアライメントが完了した後に上方から、紫外
線、Ｘ線等のエネルギービームを照射し、露光が
終ると次のチツプ位置へウエハが移動し、前記の
動作を繰り返して焼付けが行われる。
尚、本実施例ではフオトマスクとウエハとを近
接させた焼付装置に応用した場合を説明したが、
マスク像を投影光学系を介してウエハ上に投影す
る露光装置にも全く同様に応用できる。
接させた焼付装置に応用した場合を説明したが、
マスク像を投影光学系を介してウエハ上に投影す
る露光装置にも全く同様に応用できる。
以上のように本発明によれば光学系内部に走査
機構を必要としないので簡単な構造でアライメン
トを行うことができ、更にフオトマスクとウエハ
のアライメント用基準マークが合致する瞬間を直
接検知することができるので合致検出誤差が極め
て少く、高精度のアライメントを比較的短時間で
行うことができる。
機構を必要としないので簡単な構造でアライメン
トを行うことができ、更にフオトマスクとウエハ
のアライメント用基準マークが合致する瞬間を直
接検知することができるので合致検出誤差が極め
て少く、高精度のアライメントを比較的短時間で
行うことができる。
第１図及び第２図は従来装置の説明図、第３図
は本発明の実施例を示す配置図、第４Ａ図及び第
４Ｂ図はそのアライメント用基準マーク図、第５
図は本発明の光電検出手段の説明図、第６図は本
発明の電気系統を示すブロツク図、第７図は本発
明の別の実施例を示す配置図、第８Ａ図、第８Ｂ
図はアライメント用基準マークの別の実施例を示
す説明図、第９図は本発明を適用したウエハ部の
説明図、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は第９図のア
ライメント装置に適用されるアライメント用基準
マークの説明図である。 １０１，２０１，３０１……フオトマスク、１
０２，２０２，３０２……ウエハ、１０３，２０
３，３０３ａ，３０３ｂ，１０４，２０４，３０
４ａ，３０４ｂ……アライメント用基準マーク、
１０６，２０６……照明手段、１１１，１１２，
２１１，２１２，３１２……移動手段、１１３，
２１３，３１３Ａ，３１３Ｂ……移動位置読取装
置、１０８，２０８……光電検出手段、１１０，
２１０……制御手段。
は本発明の実施例を示す配置図、第４Ａ図及び第
４Ｂ図はそのアライメント用基準マーク図、第５
図は本発明の光電検出手段の説明図、第６図は本
発明の電気系統を示すブロツク図、第７図は本発
明の別の実施例を示す配置図、第８Ａ図、第８Ｂ
図はアライメント用基準マークの別の実施例を示
す説明図、第９図は本発明を適用したウエハ部の
説明図、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は第９図のア
ライメント装置に適用されるアライメント用基準
マークの説明図である。 １０１，２０１，３０１……フオトマスク、１
０２，２０２，３０２……ウエハ、１０３，２０
３，３０３ａ，３０３ｂ，１０４，２０４，３０
４ａ，３０４ｂ……アライメント用基準マーク、
１０６，２０６……照明手段、１１１，１１２，
２１１，２１２，３１２……移動手段、１１３，
２１３，３１３Ａ，３１３Ｂ……移動位置読取装
置、１０８，２０８……光電検出手段、１１０，
２１０……制御手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の被露光領域と、該露光領域と一義的な
位置関係で形成されたアライメント用のマークと
を有する基板と、前記被露光領域に重ね合わせ露
光されるべきパターンと該パターンと一義的な位
置関係で形成されたスリツト状の透過部とを有す
るマスクとを、互いに直交するｘ方向とｙ方向の
２方向に相対移動させるステージと；該ステージ
の２次元的な現在位置を検出して前記基板と前記
マスクの相対位置を直交座標系上の座標値として
逐次計測する位置検出手段とを備えた焼付装置に
おいて、 前記マスクの透過部を介して前記基板へ照明光
を照射するための光源と；前記基板のマークもし
くはその周辺部からの反射光を前記マスクの透過
部を介して光電検出するための光電検出器と； 前記マスクの透過部を通つた照明光と前記基板
のマークとが、前記マスクのスリツト状の透過部
の長手方向と交差する方向に向けて相当移動する
如く前記ステージを駆動する駆動手段と；前記光
電検出器からの光電信号と前記位置検出手段から
の計測値とに基づいて、前記マスクの透過部と前
記基板のマークとが合致するアライメント位置
を、前記直交座標系上の座標値として検出して記
憶する記憶手段と； 該記憶されたアライメント位置の座標値と、前
記位置検出手段で計測される前記ステージの現在
位置の座標値との比較に基づいて、前記マスクの
パターンと前記基板の被露光領域とが重なり合う
焼付け位置に前記ステージを位置決めする如く前
記駆動手段を制御する制御手段とを備えたことを
特徴とする焼付装置のアライメント装置。 ２ 前記マスクのパターンは前記基板の複数の被
露光領域の夫々のいずれか１つと重ね合わされる
ように定められ、前記基板は前記マスクに対し
て、該複数の被露光領域の配列方向に前記ステー
ジによつて相対的にステツプ・アンド・リピート
方式で移動され、前記マスクのパターンと前記被
露光領域とが重なり合つたある焼付け位置から、
隣接する次の被露光領域と前記マスクのパターン
とが重なり合う次の焼付け位置まで前記ステージ
がほぼ直線的に移動する経路の途中に、該次の焼
付け位置を特定するための前記アライメント位置
が定められるように、前記マスクと基板とを焼付
け位置に整合したときの前記マスクの透過部と前
記基板のマークとを一定量だけ前記経路に沿つた
方向にずらしておくことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の装置。 ３ 前記基板上のマークは、前記マスクの透過部
の長手方向と一致した方向に周期構造に成す回析
格子であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、又は第２項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129627A JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129627A JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831526A JPS5831526A (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0341972B2 true JPH0341972B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=15014159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129627A Granted JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831526A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232319A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Fujitsu Ltd | ウエハの位置合わせ処理方法 |
| JP2789487B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1998-08-20 | 住友重機械工業株式会社 | スリットと回折格子による相対位置検出装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
| JPS5331972A (en) * | 1976-09-05 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Positioning method of two plate form bodies |
| JPS5381082A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Fujitsu Ltd | Controlling method for holding extreme valies |
| JPS53135082A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Fanuc Ltd | Spindle controller system |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116942U (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56129627A patent/JPS5831526A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
| JPS5331972A (en) * | 1976-09-05 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Positioning method of two plate form bodies |
| JPS5381082A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Fujitsu Ltd | Controlling method for holding extreme valies |
| JPS53135082A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Fanuc Ltd | Spindle controller system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5831526A (ja) | 1983-02-24 |
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