JPS5831526A - 焼付装置のアライメント装置 - Google Patents
焼付装置のアライメント装置Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいてフォトマ
スクとウェハを近接して露光する焼付装置の自動アライ
メント装置に関する。
スクとウェハを近接して露光する焼付装置の自動アライ
メント装置に関する。
ＩＣのような半導体装置を製造するにあたっては、回路
パターンを有するマスク像を投影光学系でウェハ上に投
影して露光する方法と、回路パターンを有するフォトマ
スクをウェハに接触或は極めて僅かの間隙をもって近接
させて直接によるパターン焼付装置紅おいて、その露光
の前にフォトマスクとウェハとの相対的位置を決メルタ
メノ７ライメント装置に関するものであるも従来このよ
うなアライメント装置は結ｌレンズによって、フォトマ
スク及びウェハ上のアライメント用基準マークをスリッ
ト上に結像させ、そのスリットを通過する光束な光電素
子でを合致させるように構成されていた。しかし乍ら、
この従来の装置においてはウェハの基準マークをスリッ
トに合致させる際は、フォトマスクの基準マークな光電
素子の検出範囲外に置き、ウェハの位置決定後にフォト
マスクの位置決めを行なわねばならないので７ライメン
トに多大の時間を要する欠点があった。この欠点を解決
するため、第１図の如くフォトマスクとウェハの基準マ
ークを同時にスリットで走査するようにしたアライメン
ト装置が知られている。この公知の７ライメント装置を
第１図によって説明すると、フォトマスク１とウェハ２
には夫々７ライメント用基準マーク５．５’、４．が設
けられ、対物レンズ５により光束走査装置６を介してス
リット７の上に基準マーク５．５”、４が投影される。
パターンを有するマスク像を投影光学系でウェハ上に投
影して露光する方法と、回路パターンを有するフォトマ
スクをウェハに接触或は極めて僅かの間隙をもって近接
させて直接によるパターン焼付装置紅おいて、その露光
の前にフォトマスクとウェハとの相対的位置を決メルタ
メノ７ライメント装置に関するものであるも従来このよ
うなアライメント装置は結ｌレンズによって、フォトマ
スク及びウェハ上のアライメント用基準マークをスリッ
ト上に結像させ、そのスリットを通過する光束な光電素
子でを合致させるように構成されていた。しかし乍ら、
この従来の装置においてはウェハの基準マークをスリッ
トに合致させる際は、フォトマスクの基準マークな光電
素子の検出範囲外に置き、ウェハの位置決定後にフォト
マスクの位置決めを行なわねばならないので７ライメン
トに多大の時間を要する欠点があった。この欠点を解決
するため、第１図の如くフォトマスクとウェハの基準マ
ークを同時にスリットで走査するようにしたアライメン
ト装置が知られている。この公知の７ライメント装置を
第１図によって説明すると、フォトマスク１とウェハ２
には夫々７ライメント用基準マーク５．５’、４．が設
けられ、対物レンズ５により光束走査装置６を介してス
リット７の上に基準マーク５．５”、４が投影される。
このスリット７を通過した光束は光電索子８で受光され
、電気信号に変換されて信号処理装置９に送られる。ア
ライメント用基準マークは何れも第２図（，１）の如く
矩形状に形成されフォトマスク上の２個の基準マーク３
．５′の間にウェハ上の基準マーク４が位置するように
ウェハ２を載せたステージ１０が移動する。対物レンズ
５ｒ−関してスリツ）７と共役なフォトマスク及びウェ
ハ近傍の共役像７ａは光束走査装置６で第２図（１）の
矢印方向に走査され、それによって光電索子８から得ら
れる信号は第２図（ｂ）のように基準マークの位置に対
応してピークを形成する。このピーク間隔を例えば時間
で測定し、基準マーク４と左右の基準マーク５％３′の
間を共役像７ａが通過する時間１．％ｔ３が等しくなる
ようなウェハ上の基準マークの位置、換言すればウェハ
を載せたステージ１０の位置を調整す′ることにより７
ツイメントが完了する。ただし、実際にはウニ八面内の
直交す◆２方向１１ｓ Ｙ及び回転方向σに対応して５
個の７ライメソト用基準マークに対してアライメントを
する必要があるが、第１！Ｑ及び第２図では一方向のみ
について示しである。この従来公知の装置でけ、光学系
内に光束走査装置６のような走査手段な必要とし、アラ
イメント用基準マークの信号の間隔を時間で測定して位
置を求めることになるので、走査手段の安定性が直接測
定精度に影響してしまう欠点がある。
、電気信号に変換されて信号処理装置９に送られる。ア
ライメント用基準マークは何れも第２図（，１）の如く
矩形状に形成されフォトマスク上の２個の基準マーク３
．５′の間にウェハ上の基準マーク４が位置するように
ウェハ２を載せたステージ１０が移動する。対物レンズ
５ｒ−関してスリツ）７と共役なフォトマスク及びウェ
ハ近傍の共役像７ａは光束走査装置６で第２図（１）の
矢印方向に走査され、それによって光電索子８から得ら
れる信号は第２図（ｂ）のように基準マークの位置に対
応してピークを形成する。このピーク間隔を例えば時間
で測定し、基準マーク４と左右の基準マーク５％３′の
間を共役像７ａが通過する時間１．％ｔ３が等しくなる
ようなウェハ上の基準マークの位置、換言すればウェハ
を載せたステージ１０の位置を調整す′ることにより７
ツイメントが完了する。ただし、実際にはウニ八面内の
直交す◆２方向１１ｓ Ｙ及び回転方向σに対応して５
個の７ライメソト用基準マークに対してアライメントを
する必要があるが、第１！Ｑ及び第２図では一方向のみ
について示しである。この従来公知の装置でけ、光学系
内に光束走査装置６のような走査手段な必要とし、アラ
イメント用基準マークの信号の間隔を時間で測定して位
置を求めることになるので、走査手段の安定性が直接測
定精度に影響してしまう欠点がある。
本発明は、上記のような欠点を解消し、光学系内部に特
別な走査手段を必要としない、簡単な構成の７ライメン
ト装置を提供することを目的とする。
別な走査手段を必要としない、簡単な構成の７ライメン
ト装置を提供することを目的とする。
上記の目的達成のため、本発明においては近接した７オ
トマスク上の基準マークとウニノー上の基準マークの相
対的変位をもって前述のスリット走査に代え、両基準マ
ークの相対的位置の変化を直接信号としてとらえ、この
信号に基づいてフォトマスクとクエ・・の相対位置を決
めるようにしたことを特徴とするものである。
トマスク上の基準マークとウニノー上の基準マークの相
対的変位をもって前述のスリット走査に代え、両基準マ
ークの相対的位置の変化を直接信号としてとらえ、この
信号に基づいてフォトマスクとクエ・・の相対位置を決
めるようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を添付図面に従って詳細に説明す
る。
る。
第５図において、フォトマスク１０１とウニ／−１０２
は極めて僅かの間隙をおいて対峙し、夫々アライメント
用基準マーク１０Ｓ及Ｃ１１０４を有する。この例では
ウェハ上の基準マーク１０４は第４Ｂ図の如く矩形の無
反射マーク（黒色マーク）、フォトマスクＩＱＩ上の基
準ｆｆ−１１０３）’！１１４Ａ図の如くスリット１ｏ
５１をもって形成されている。同基準マーク１０３．１
０４は集光レンＸ１０５を通してランプ１０６で照明さ
れ、また同基準マークからの反射光は、集光レンズ１０
５、半透過鏡の如き光線分割鏡１０７な経て光電素子１
０９ａで受光される。
は極めて僅かの間隙をおいて対峙し、夫々アライメント
用基準マーク１０Ｓ及Ｃ１１０４を有する。この例では
ウェハ上の基準マーク１０４は第４Ｂ図の如く矩形の無
反射マーク（黒色マーク）、フォトマスクＩＱＩ上の基
準ｆｆ−１１０３）’！１１４Ａ図の如くスリット１ｏ
５１をもって形成されている。同基準マーク１０３．１
０４は集光レンＸ１０５を通してランプ１０６で照明さ
れ、また同基準マークからの反射光は、集光レンズ１０
５、半透過鏡の如き光線分割鏡１０７な経て光電素子１
０９ａで受光される。
この場合基準マーク１０３はスリット状開口部１０５ａ
を残して他はランプ１０６の光を透過しないようｒ−形
成されているので、ウェハ上の基準マーク１０４はこの
開口部１０３ｍを通してのみ照明され、その基準マーク
１０４は反射しないがそのマークを区画する周囲からの
反射光が前記の開口部１０ｊ ａを通して、光電素子１
０９ａに向つ。この基準マーク１０４１Ｆ）ｌｉｄを基
準マーク１ｏ、３のスリット幅ｄｌに等しく形成すると
、ウェハｔｏ２をステージ１１２上に載せて、一定速度
で移動させれば、基準マーク１０３の開口部１０３ａの
直下を基準マーク１０４が通過するとき、第５図（、）
の如く、開孔１０３ａはマーク１０４によって遮蔽され
、第５図（ｂ）の如く光電素子１０９ａの出力は最低の
ピークを示し、検出手段１０９ｂによって第５図（ｅ）
のように・通過パルス信号を作り出し、このパルス信号
を制御回路手段１１０で受けて、その瞬間の基準マーク
１０４の位置、即ちステージ１１２の位置をリニアエン
モーニダや光波干渉測長機等の移動位置読取装置１１５
で読み取り、その読取り値を記憶したのちにモーター１
１１を逆転させて、前記パルス信号の発生位置、即ち記
憶された位置までステージ１１２を戻して停止させる。
を残して他はランプ１０６の光を透過しないようｒ−形
成されているので、ウェハ上の基準マーク１０４はこの
開口部１０３ｍを通してのみ照明され、その基準マーク
１０４は反射しないがそのマークを区画する周囲からの
反射光が前記の開口部１０ｊ ａを通して、光電素子１
０９ａに向つ。この基準マーク１０４１Ｆ）ｌｉｄを基
準マーク１ｏ、３のスリット幅ｄｌに等しく形成すると
、ウェハｔｏ２をステージ１１２上に載せて、一定速度
で移動させれば、基準マーク１０３の開口部１０３ａの
直下を基準マーク１０４が通過するとき、第５図（、）
の如く、開孔１０３ａはマーク１０４によって遮蔽され
、第５図（ｂ）の如く光電素子１０９ａの出力は最低の
ピークを示し、検出手段１０９ｂによって第５図（ｅ）
のように・通過パルス信号を作り出し、このパルス信号
を制御回路手段１１０で受けて、その瞬間の基準マーク
１０４の位置、即ちステージ１１２の位置をリニアエン
モーニダや光波干渉測長機等の移動位置読取装置１１５
で読み取り、その読取り値を記憶したのちにモーター１
１１を逆転させて、前記パルス信号の発生位置、即ち記
憶された位置までステージ１１２を戻して停止させる。
第６図は本発明の電気系統図であって、前記の光電素子
１０９ａと検知手段１０９ｂをもって光電検出手段を構
成し、検知手段１０９ｂによって得られたパルス信号は
制御手段１１００ホ一ルド回路Ｇｌに入れ、このホール
ド回路Ｇ１において、移動位置読取装置１１３によって
読み取られたステージ１１２０位置信号を、前記パルス
信号を受信した瞬間に記憶する。
１０９ａと検知手段１０９ｂをもって光電検出手段を構
成し、検知手段１０９ｂによって得られたパルス信号は
制御手段１１００ホ一ルド回路Ｇｌに入れ、このホール
ド回路Ｇ１において、移動位置読取装置１１３によって
読み取られたステージ１１２０位置信号を、前記パルス
信号を受信した瞬間に記憶する。
このホールド回路に記憶された基準マークの合致時のス
テージの位置信号と、ステージの現在位置を示す位置信
号との差と、予め設定された７ライメント用基準マーク
の相対的位置間隔を示す電気信号いわゆるアライメント
の許容量に関する信号とを比較回路Ｇ黛によって比較し
、その差信号をモーター駆動回路Ｇｓに送り、モーター
１１１を制御する。前記の許容量に関する信号をほばゼ
ーｒ−設定すれば、モーターは逆転して、移動位置読取
装置１１３の読取り値が前記ホールド回路に記憶された
記憶値になるまで、ａｔすればフォトマスクの基準マー
ク１０３の開口１０５ｍをウニ１１の基準マーク１０４
で遮蔽する位置まで戻され、その位置でモーター１１１
が停止しアライメン）が完成する。以上の作動はフォト
マスクとウェハとの回転方向の位置ずれを修正した後に
行われる。また上述のアライメントは平面上の一方向の
みについて行われたがこれに直交する他の方向について
も同様にアライメントを行うことは言うまでもない。
テージの位置信号と、ステージの現在位置を示す位置信
号との差と、予め設定された７ライメント用基準マーク
の相対的位置間隔を示す電気信号いわゆるアライメント
の許容量に関する信号とを比較回路Ｇ黛によって比較し
、その差信号をモーター駆動回路Ｇｓに送り、モーター
１１１を制御する。前記の許容量に関する信号をほばゼ
ーｒ−設定すれば、モーターは逆転して、移動位置読取
装置１１３の読取り値が前記ホールド回路に記憶された
記憶値になるまで、ａｔすればフォトマスクの基準マー
ク１０３の開口１０５ｍをウニ１１の基準マーク１０４
で遮蔽する位置まで戻され、その位置でモーター１１１
が停止しアライメン）が完成する。以上の作動はフォト
マスクとウェハとの回転方向の位置ずれを修正した後に
行われる。また上述のアライメントは平面上の一方向の
みについて行われたがこれに直交する他の方向について
も同様にアライメントを行うことは言うまでもない。
上記の実施例では通過パルス信号の出た瞬間の位置を読
取り、後でステージをその位置へ戻してアライメントを
行ったが、この方法によるとステージを戻すためにステ
ージは一旦停止することになるので、アライメントに時
間の無駄を生ずる。予め一定量だけずらした位置に７ラ
イメントマークを設けておけば、ステージを逆戻しする
ことなく、一定量だけ行き過ぎた点に位置決めすればよ
いことは言うまでもない。第９図はその基準マークを示
しているものであるが詳しくは後で述べる。
取り、後でステージをその位置へ戻してアライメントを
行ったが、この方法によるとステージを戻すためにステ
ージは一旦停止することになるので、アライメントに時
間の無駄を生ずる。予め一定量だけずらした位置に７ラ
イメントマークを設けておけば、ステージを逆戻しする
ことなく、一定量だけ行き過ぎた点に位置決めすればよ
いことは言うまでもない。第９図はその基準マークを示
しているものであるが詳しくは後で述べる。
第７図及び第８図は基準マークに回折格子な用いた実施
例を示すものである。フォトマスク２０１上の７ライメ
ント用基準マーク２０３は第８Ａ図の如く開口部２０５
ｍを有し、ウエノ・２０２上の７ライメント用基準マー
ク２０４は第８Ｂ図の如くウエノ５２０２上の回路パタ
ーンのエツジ方向を考慮して斜めに傾いた格子縞に形成
され、レーザー光源２０６のレーザ光で基準マーク２０
４の格子は照射され、この格子の方向に直交する面内に
強い回折光を発する。格子で反射された正反射光は孔開
きミラー２０７の開口２０７′を通って光源２０６の方
へ逆戻りし、回折光のみが開口２０７１の外周のミラー
によって光電素子２０９ｍの方に転向し、受光される。
例を示すものである。フォトマスク２０１上の７ライメ
ント用基準マーク２０３は第８Ａ図の如く開口部２０５
ｍを有し、ウエノ・２０２上の７ライメント用基準マー
ク２０４は第８Ｂ図の如くウエノ５２０２上の回路パタ
ーンのエツジ方向を考慮して斜めに傾いた格子縞に形成
され、レーザー光源２０６のレーザ光で基準マーク２０
４の格子は照射され、この格子の方向に直交する面内に
強い回折光を発する。格子で反射された正反射光は孔開
きミラー２０７の開口２０７′を通って光源２０６の方
へ逆戻りし、回折光のみが開口２０７１の外周のミラー
によって光電素子２０９ｍの方に転向し、受光される。
従って、フォトマスク及びウニ凸表面からの正反射光の
影響が除かれ基準マーク２０５の開口２０３ｍを通過す
る基準マーク２０４０回折光のみが受光されるので良好
なコントラストの信号が得られ、高精度の７ライメント
が実現でき、る。なお集光レンズ２ｏ５、光電索子２０
９ａ及び検出手段２０９ｂを含む光電検出手段２０８、
制一手段２１ｏ、モーター２１１、ステージ２１２、移
動位置読取装置２１５０作用は第５図乃至第６図のそれ
と同様であるから説明を省略する。
影響が除かれ基準マーク２０５の開口２０３ｍを通過す
る基準マーク２０４０回折光のみが受光されるので良好
なコントラストの信号が得られ、高精度の７ライメント
が実現でき、る。なお集光レンズ２ｏ５、光電索子２０
９ａ及び検出手段２０９ｂを含む光電検出手段２０８、
制一手段２１ｏ、モーター２１１、ステージ２１２、移
動位置読取装置２１５０作用は第５図乃至第６図のそれ
と同様であるから説明を省略する。
１９１ｆｆｉは、本発明なステップアンドレピート法に
より近接焼付けする場合に適用した例を示すもので、ウ
ェハ３０２は光波干渉を利用した移動位置読取装置＋１
５１５Ａ、５１５Ｂで位置の読取りが行われるステージ
５１２上に設置され、予め主アライメント用マーク５０
２＾、５０５Ｂで回転方向の位置合せが行われる。ウェ
ハ３０２には図の如く多数のチップ５０２ａが焼付けら
れることになるが、露光に際しては％ ｘ＋ｙ方向につ
いてのみ毎回アライメントされる。
より近接焼付けする場合に適用した例を示すもので、ウ
ェハ３０２は光波干渉を利用した移動位置読取装置＋１
５１５Ａ、５１５Ｂで位置の読取りが行われるステージ
５１２上に設置され、予め主アライメント用マーク５０
２＾、５０５Ｂで回転方向の位置合せが行われる。ウェ
ハ３０２には図の如く多数のチップ５０２ａが焼付けら
れることになるが、露光に際しては％ ｘ＋ｙ方向につ
いてのみ毎回アライメントされる。
この場合フォトマスクは＠１０Ａ図の３０１の如く、パ
ターンな有する正方形部分の２辺の外側にスリット状開
口５０５ａ及び５ａｓｈがそれぞれＸ方向及びｙ方向の
７ライメント用基準マークとして設けられ、ウェハ５０
２上の各チ？ブ５０２８にはＸ方向基準マーク３０４ａ
。
ターンな有する正方形部分の２辺の外側にスリット状開
口５０５ａ及び５ａｓｈがそれぞれＸ方向及びｙ方向の
７ライメント用基準マークとして設けられ、ウェハ５０
２上の各チ？ブ５０２８にはＸ方向基準マーク３０４ａ
。
ｙ方向基準マーク５０４ｂが、例えば第１回目の露光焼
き付は時にチップの２辺の外周に第１０Ｂ図の如く設け
られている。前記のフォトマスク用基準マーク５０３ｍ
とウェハ上の基準マーク５０４ａｋ図の如く予めＸだけ
ずらせて−くと、前に第５図の実施例において述べた如
く七−ターな逆戻しすることなく７ライメントを完了す
ることができる。フォトマスクの基準マーク５０３ｂと
ウェハの基準マーク５０４ｂについても予めＹだけずら
せてシけば、同様にアライメントを完了できる。このよ
うにしてｘ１ｙ方向共に７ライメントが完了した後に上
方から、紫外線、Ｘ線等のエネルギービームを照射し、
−光が終ると次のチップ位置ヘウエハが移動し、前記の
動作を繰り返えして焼付けが行われる。
き付は時にチップの２辺の外周に第１０Ｂ図の如く設け
られている。前記のフォトマスク用基準マーク５０３ｍ
とウェハ上の基準マーク５０４ａｋ図の如く予めＸだけ
ずらせて−くと、前に第５図の実施例において述べた如
く七−ターな逆戻しすることなく７ライメントを完了す
ることができる。フォトマスクの基準マーク５０３ｂと
ウェハの基準マーク５０４ｂについても予めＹだけずら
せてシけば、同様にアライメントを完了できる。このよ
うにしてｘ１ｙ方向共に７ライメントが完了した後に上
方から、紫外線、Ｘ線等のエネルギービームを照射し、
−光が終ると次のチップ位置ヘウエハが移動し、前記の
動作を繰り返えして焼付けが行われる。
以上のように本発明によれば光学系内部に走査＊＊を必
要としないので簡単な構造で７ライメントな行うことが
でき、更にフォトマスクとウェハの７ライメント用基準
マークが合致する瞬間を直接検知することができるので
合致検出誤差が極めて少く、高精度の７ライメントを比
較的短時間で行うことができる。
要としないので簡単な構造で７ライメントな行うことが
でき、更にフォトマスクとウェハの７ライメント用基準
マークが合致する瞬間を直接検知することができるので
合致検出誤差が極めて少く、高精度の７ライメントを比
較的短時間で行うことができる。
第１図及びＪＩ２図は従来装置の説明図、’Ｊ ｓ図は
本発明の実施例を示す配置図、第４Ａ図及び第４８図は
そのアライメント用基準マーク図、第５図は本発明の光
電検出手段の説明図、第６図は本発明の電気系統を示す
プμツク図、第７図は本発明の別の実施例を示す配置図
、第８Ａ図、第８Ｂ図はアライメント用基準マークの別
の実施例な示す説明図、第９図は本発明を適用したウニ
凸部の説明図、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は第９図の７
ライメント装置に適用されるアライメント用基準マーク
の説明図である。 １０１．２０１．３０１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・フォトマスク１０２、２０２．５
０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ウェハ１０５．２０５．３０５８．５０３ｂ、 １０
４．２０４．３０４ａ％５１］４ｂ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・アライメント用
基準マーク１０６．２０６・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・照明
手段１１１．１１２．２１１．２１２．３１２・・・移
動手段１１３．２１３、！５１５Ａｊ１３Ｂ町山・・移
動位置読取装置１０８．２０８・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光電検出手段１１０．２１０・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・曲・・・・・曲制御手段出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男
本発明の実施例を示す配置図、第４Ａ図及び第４８図は
そのアライメント用基準マーク図、第５図は本発明の光
電検出手段の説明図、第６図は本発明の電気系統を示す
プμツク図、第７図は本発明の別の実施例を示す配置図
、第８Ａ図、第８Ｂ図はアライメント用基準マークの別
の実施例な示す説明図、第９図は本発明を適用したウニ
凸部の説明図、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は第９図の７
ライメント装置に適用されるアライメント用基準マーク
の説明図である。 １０１．２０１．３０１・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・フォトマスク１０２、２０２．５
０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ウェハ１０５．２０５．３０５８．５０３ｂ、 １０
４．２０４．３０４ａ％５１］４ｂ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・アライメント用
基準マーク１０６．２０６・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・照明
手段１１１．１１２．２１１．２１２．３１２・・・移
動手段１１３．２１３、！５１５Ａｊ１３Ｂ町山・・移
動位置読取装置１０８．２０８・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光電検出手段１１０．２１０・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・曲・・・・・曲制御手段出願人
日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） アライメント用のマークを夫々有するフォト
マスクとウェハとを近接させて配置し、フォトマスクの
パターンをウェハに焼き付ける装置において、マークを
照明する手段と二両マークが互いにすれちがう如くフォ
トマスクとウェハを相対的に動かす移動手段と：両マー
クのうち該移動手段によって動かされる一方のマークの
位置に関する情報を発生する位置読取装置と：前記照明
手段によって照明されるマークからの光情報を受光して
両マークが所定の位置関係になったときに検出信号を発
する光電検出手段と：該検出信号が発生したときの前記
位置読取装置の位置情報に基づいて、両マークを所定の
位置に合せる如く前記移動手段を制御する手段とを備え
ることな特徴とする７ライメント装置。 （２） 特許請求の範囲第１項記載の７ライメント装
置において、前記マークｔｔ 、フォトマスク（１０１
，２０１，５０１）上にスリット状開口（１０５ｍ、２
０！！暑、３０５ ｍ、 ３０５ｂ）を有する基準マ
ークと、ウニ、−（１０２，２０２，３０２）上に設ゆ
られ矩形状基準マーク（１０４，２０４，３０４８，５
０４ｂ）とから成り、前記ウニ／曳上゛の基準マークか
らの光は、前記フォトマスク上のスリット状開口を通し
て、前記光電検出手段（１０８、。 ２０８）の光電素子（１０９ｍ、２０９ａ）に受光され
ることを特徴とする焼付装置の７ライメント装置。 （５）特許請求の範囲第２項記載の７ライメント装置に
おいて、前記ウニノー（２０２）上の基準マーク（２０
４）は回折格子であって、レーザー光源（２０６）の照
明光路上に開口（２０７’）を持つ光線分割鏡（２０７
）を介して前記光電素子２０９ａに回折格子からの回折
光が受光されるように構成されていることを特徴とする
焼付装置の７ライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129627A JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129627A JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831526A true JPS5831526A (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0341972B2 JPH0341972B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=15014159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129627A Granted JPS5831526A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 焼付装置のアライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232319A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Fujitsu Ltd | ウエハの位置合わせ処理方法 |
| JPH03249503A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | スリットと回折格子による相対位置検出装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116942U (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | ||
| JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
| JPS5331972A (en) * | 1976-09-05 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Positioning method of two plate form bodies |
| JPS5381082A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Fujitsu Ltd | Controlling method for holding extreme valies |
| JPS53135082A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Fanuc Ltd | Spindle controller system |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56129627A patent/JPS5831526A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS51116942U (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-22 | ||
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| JPH0519295B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Ltd | |
| JPH03249503A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | スリットと回折格子による相対位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341972B2 (ja) | 1991-06-25 |
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