JPH0341458A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なジスアゾ化合物を含有する電子写真感
光層を有することを特徴とした電子写真感光体に関する
ものである。
光層を有することを特徴とした電子写真感光体に関する
ものである。
(従来の技術〕
従来、電子写真感光体に用いられる光導電組成物として
は、セレン、硫化カド短つム、酸化亜鉛、アモルファス
シリコンなどの無機物質がよく知られている。これらの
無機物質は、良好なる電子写真特性即ち、極めて良好な
光導電性と暗所での電荷受容性及び絶縁性を備えている
という長所を持つ。しかしその反面、様々な欠点がある
。例えば、セレン感光体は製造コストが高(、可撓性が
なく、熱や機械的衝撃に弱いなどの欠点を持つ。硫化カ
ドミウム感光体は、材料にカドミウムという有毒物質を
用いているため公害性に問題がある。酸化亜鉛は、長期
間繰り返し使用した場合、画像の安定性に難点がある。
は、セレン、硫化カド短つム、酸化亜鉛、アモルファス
シリコンなどの無機物質がよく知られている。これらの
無機物質は、良好なる電子写真特性即ち、極めて良好な
光導電性と暗所での電荷受容性及び絶縁性を備えている
という長所を持つ。しかしその反面、様々な欠点がある
。例えば、セレン感光体は製造コストが高(、可撓性が
なく、熱や機械的衝撃に弱いなどの欠点を持つ。硫化カ
ドミウム感光体は、材料にカドミウムという有毒物質を
用いているため公害性に問題がある。酸化亜鉛は、長期
間繰り返し使用した場合、画像の安定性に難点がある。
さらにアモルファスシリコン感光体は、製造コストが極
めて高く、感光体表面の劣化を防止するために特殊な表
面処理を要する等の欠点を持つ。
めて高く、感光体表面の劣化を防止するために特殊な表
面処理を要する等の欠点を持つ。
近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。たとえば、ポリ−N−ビニル
カルバゾールと247トリニトロフルオレノンー9−オ
ンとからなる電子写真感光体(米国特許、484.23
7号)、ポリ−N−ビニルカルバゾールをピリリウム塩
系色素で増感したもの(特公昭48−25658号)染
料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真感
光体(特開昭47−10.735)などである。
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。たとえば、ポリ−N−ビニル
カルバゾールと247トリニトロフルオレノンー9−オ
ンとからなる電子写真感光体(米国特許、484.23
7号)、ポリ−N−ビニルカルバゾールをピリリウム塩
系色素で増感したもの(特公昭48−25658号)染
料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする電子写真感
光体(特開昭47−10.735)などである。
また、ペリレン顔料(米国特許第3,371゜884号
等)、フタロシアニン顔料(米国特許第3.397,0
86号、第4.666.802号等)、アズレニウム塩
系顔料(特開昭51−53850号、同61−212,
542号等)、スクアリウム塩系顔料(米国特許第4
396 610号、第4,644,082号等)、多環
牛ノン系顔料(特開昭59−184348号、同622
8.738号等)等の有機顔料や、次に示すようなアブ
顔料を主成分とする電子写真感光体も最近活発に研究が
行われ、数多くの提案がなされている。
等)、フタロシアニン顔料(米国特許第3.397,0
86号、第4.666.802号等)、アズレニウム塩
系顔料(特開昭51−53850号、同61−212,
542号等)、スクアリウム塩系顔料(米国特許第4
396 610号、第4,644,082号等)、多環
牛ノン系顔料(特開昭59−184348号、同622
8.738号等)等の有機顔料や、次に示すようなアブ
顔料を主成分とする電子写真感光体も最近活発に研究が
行われ、数多くの提案がなされている。
(ジスアゾ系顔料)
特開昭53−133445号、特開昭59−78356
号、特開昭59−128547号、特開昭60−452
453号、特開昭61−17150号、特開昭62−2
51752号、特開昭62273545号、特公昭63
−18740号、米国特許第4,504,559号、特
開昭6413555号、特開昭64−79753号。
号、特開昭59−128547号、特開昭60−452
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−18740号、米国特許第4,504,559号、特
開昭6413555号、特開昭64−79753号。
(トリスアゾ系顔料)
特開昭58−160358号、特開昭61−25186
5号、特公昭62−39626号、特公昭63−104
19号。
5号、特公昭62−39626号、特公昭63−104
19号。
(テトラキスアゾ系顔料)
特開昭61−182051号、特開昭62−18565
号。
号。
〔発明が解決しようとする課題]
これらの電子写真感光体は、前記無機電子写真感光体の
機械的特性及び可撓性もある程度まで改善したものの、
感度がまだ不十分であり、また多数回の繰り返し使用時
に電気的特性が変化する場合があり、電子写真感光体と
して要求を必ずしも十分満足するものではなかった。
機械的特性及び可撓性もある程度まで改善したものの、
感度がまだ不十分であり、また多数回の繰り返し使用時
に電気的特性が変化する場合があり、電子写真感光体と
して要求を必ずしも十分満足するものではなかった。
本発明の目的は、高感度で高耐久性を有する電子写真感
光体を提供することである。また、発明の他の目的は、
繰り返ししようしても光感度の低下の少ない電子写真感
光体を提供することである。
光体を提供することである。また、発明の他の目的は、
繰り返ししようしても光感度の低下の少ない電子写真感
光体を提供することである。
本発明は、導電性支持体上に、電荷担体輸送化音物及び
電荷担体発生化合物を含有した層を設けて成るか、また
は電荷担体輸送化合物含有層及び、電荷発生化合物含有
層を設けて成る電子写真感光体において、電荷担体発生
化合物として下記の一般式〔1〕で表される新規なジス
アゾ化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体
に関するものである。
電荷担体発生化合物を含有した層を設けて成るか、また
は電荷担体輸送化合物含有層及び、電荷発生化合物含有
層を設けて成る電子写真感光体において、電荷担体発生
化合物として下記の一般式〔1〕で表される新規なジス
アゾ化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体
に関するものである。
一般式〔1〕
Cp−N=N−Ar’−CiC−Ar2−C≡C−Ar
3−C≡C−へr’−N=N−Cp一般式〔1〕におい
て、Ar’ 、A、r2、Ar″及びAr’はアリーレ
ン基、2価の縮合多環式芳香族基またば2価の複素芳香
環基を表ず。Cpはカプラー残基を表す。
3−C≡C−へr’−N=N−Cp一般式〔1〕におい
て、Ar’ 、A、r2、Ar″及びAr’はアリーレ
ン基、2価の縮合多環式芳香族基またば2価の複素芳香
環基を表ず。Cpはカプラー残基を表す。
一般式〔1〕で表されるジスアゾ化合物についてさらに
詳しく説明する。
詳しく説明する。
Ar’ 、Ar2、Ar’及びAr’ としては、例え
ばフェニレン、ナフタレン、アントリレン、ビフェニレ
ン、ターフェニレン等のようなアリーレン基、インデン
、フルオレン、アセナフテン、ペリレン、フルオレノン
、アントロン、アントラキノン、ヘンシアントロン、イ
ソクマリン等の縮合多環式芳香環より導いた2価の基、
ピリジン、キノリン、オキサゾール、チアゾール、オキ
サジアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾ−ル
、ベンゾチアゾール、ヘンシトアリゾール、ジベンゾフ
ラン、カルバゾール、キサンチン等の複素芳香環より導
いた2価の基が挙げられる。
ばフェニレン、ナフタレン、アントリレン、ビフェニレ
ン、ターフェニレン等のようなアリーレン基、インデン
、フルオレン、アセナフテン、ペリレン、フルオレノン
、アントロン、アントラキノン、ヘンシアントロン、イ
ソクマリン等の縮合多環式芳香環より導いた2価の基、
ピリジン、キノリン、オキサゾール、チアゾール、オキ
サジアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾ−ル
、ベンゾチアゾール、ヘンシトアリゾール、ジベンゾフ
ラン、カルバゾール、キサンチン等の複素芳香環より導
いた2価の基が挙げられる。
Ar’ 、Ar2、Ar’及びA r ’が置換基を有
する場合、その置換基としては、炭素数1〜18のアル
キル基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜1
Bのアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭素
数l〜■8のアシル基、炭素数1〜18のアシルオキシ
基、炭素数1〜18のアミド基、炭素数6〜15のアリ
ール基、炭素数6〜15のアリールオキシ基、ハロゲン
原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基、シア
ノ基、トリフルオロメチル基等を挙げることができる。
する場合、その置換基としては、炭素数1〜18のアル
キル基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜1
Bのアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭素
数l〜■8のアシル基、炭素数1〜18のアシルオキシ
基、炭素数1〜18のアミド基、炭素数6〜15のアリ
ール基、炭素数6〜15のアリールオキシ基、ハロゲン
原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基、シア
ノ基、トリフルオロメチル基等を挙げることができる。
Cpは、ジアゾニウム塩と反対する公知のカプラーの残
基を表し、電子写真感光体の電荷発生化合物として用い
られるアゾ化合物の公知のカプラー残基が好ましい。こ
のうち特に、cpとしては、以下の構造に示されるカプ
ラー残基が好ましい。
基を表し、電子写真感光体の電荷発生化合物として用い
られるアゾ化合物の公知のカプラー残基が好ましい。こ
のうち特に、cpとしては、以下の構造に示されるカプ
ラー残基が好ましい。
1
40
上記Cpの一般式中のXは、ヒドロキシ基とYとが結合
しているヘンゼン環と縮合して、ナフタレン環、アント
ラセン環などの芳香族環または、インドール環、カルバ
ゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジヘンヅフラン環、
などの複素環を形成するのに必要な原子団を表す。
しているヘンゼン環と縮合して、ナフタレン環、アント
ラセン環などの芳香族環または、インドール環、カルバ
ゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジヘンヅフラン環、
などの複素環を形成するのに必要な原子団を表す。
Xが置換基を有する芳香族環または複素環系の場合、置
換基としてはハロゲン原子(例えば、フン素原子、塩素
原子、臭素原子等)、炭素数1〜18のアルキル基(例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ド
デシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等)、トリフルオロメチル基、ニトロ基、アミノ基
、シアノ基、炭素数1〜8のアルコキシ基(例えばメト
キシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等があげられ、置
換基の個数及び置換位置は任意である。
換基としてはハロゲン原子(例えば、フン素原子、塩素
原子、臭素原子等)、炭素数1〜18のアルキル基(例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ド
デシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等)、トリフルオロメチル基、ニトロ基、アミノ基
、シアノ基、炭素数1〜8のアルコキシ基(例えばメト
キシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等があげられ、置
換基の個数及び置換位置は任意である。
Yは−CONR’R’ −CONHN≡CR’R’C
○○R3または置換基を有していてもよい複素5員環ま
たは複素6員環を表す。
○○R3または置換基を有していてもよい複素5員環ま
たは複素6員環を表す。
R1は炭素数1〜12のアルキル基またはアリール基を
表す。
表す。
R1が無置換のアルキル基の場合、その具体例としてメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
、ヘキンル基、イソ1プロピル基、イソブチル基、イソ
アごル基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、ter
t−ブチル基等をあげることができる。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
、ヘキンル基、イソ1プロピル基、イソブチル基、イソ
アごル基、イソヘキシル基、ネオペンチル基、ter
t−ブチル基等をあげることができる。
R1が置換アルキル基の場合、置換基としてはヒ)jo
キン基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シアノ基、ア
ミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基、炭素数1
〜12のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、
ハロゲン原子、炭素数6〜15のアリール基等がある。
キン基、炭素数1〜12のアルコキシ基、シアノ基、ア
ミノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基、炭素数1
〜12のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、
ハロゲン原子、炭素数6〜15のアリール基等がある。
その例として、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロ
キシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキ
シプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコ
キシアルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メト
キシエチル基、3−メトキシプロピル基、エトキシメチ
ル基、2−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(
例えば、シアノメチル基、2シアノエチル基等)、アミ
ノアルキル基(例えば、アミツメチル基、2−アミノエ
チル基、3アミノプロピル基等)、(アルキルアξ))
アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2(
メチルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル基等
)、(ジアルキルア2))アルキル基(例えば、(ジメ
チルアく〕)メチル基、2(ジメチルアミノ)エチル基
等)、ハロゲノアルキル基(例えば、フルオロメチル基
、トリフルオロメチル基、クロロメチル基等)、アラル
キル基(例えば、ヘンシル基、フェネチル基等)をあげ
ることができる。
キシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキ
シプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコ
キシアルキル基(例えば、メトキシメチル基、2−メト
キシエチル基、3−メトキシプロピル基、エトキシメチ
ル基、2−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(
例えば、シアノメチル基、2シアノエチル基等)、アミ
ノアルキル基(例えば、アミツメチル基、2−アミノエ
チル基、3アミノプロピル基等)、(アルキルアξ))
アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチル基、2(
メチルアミノ)エチル基、(エチルアミノ)メチル基等
)、(ジアルキルア2))アルキル基(例えば、(ジメ
チルアく〕)メチル基、2(ジメチルアミノ)エチル基
等)、ハロゲノアルキル基(例えば、フルオロメチル基
、トリフルオロメチル基、クロロメチル基等)、アラル
キル基(例えば、ヘンシル基、フェネチル基等)をあげ
ることができる。
R1が無置換子り−ル基の場合、その具体例としてフェ
ニル基、ナフチル基、アントリル基等をあげることがで
きる。
ニル基、ナフチル基、アントリル基等をあげることがで
きる。
R1が置換アリール基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数l〜12のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基、炭素数1〜
12のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭
素数6〜12の了りルアゾ基、ハロゲン原子、炭素数1
〜12のアルキル基、ニトロ基、トリフルオロメチル基
等がある。その例として、ヒドロキシフェニル基、アル
コキシフェニル基(例えば、メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェニ
ル基、(アルキルア旦))フェニル基(例えば、(メチ
ルアく〕)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル基等
)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例えば、(ジメ
チルアミノ)フェニル基、(ジエチルアミノ)フェニル
基等)、ハロゲノフェニル基(例えば、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基等)、アル
キルフェニル基、(例えば、トリル基、エチルフェニル
基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等)、ニトロ
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、及びこれ
らの置換基(互いに同しでも異なっても良い。)を2個
または3個を有するフェニル基をあげることができる。
シ基、炭素数l〜12のアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基、炭素数1〜
12のアルキル基を2個有するジアルキルアミノ基、炭
素数6〜12の了りルアゾ基、ハロゲン原子、炭素数1
〜12のアルキル基、ニトロ基、トリフルオロメチル基
等がある。その例として、ヒドロキシフェニル基、アル
コキシフェニル基(例えば、メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェニ
ル基、(アルキルア旦))フェニル基(例えば、(メチ
ルアく〕)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル基等
)、(ジアルキルアミノ)フェニル基(例えば、(ジメ
チルアミノ)フェニル基、(ジエチルアミノ)フェニル
基等)、ハロゲノフェニル基(例えば、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基等)、アル
キルフェニル基、(例えば、トリル基、エチルフェニル
基、クメニル基、キシリル基、メシチル基等)、ニトロ
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、及びこれ
らの置換基(互いに同しでも異なっても良い。)を2個
または3個を有するフェニル基をあげることができる。
ただし置換基の位置は任意である。
R2としては水素原子、炭素数1〜6の低級アルキル基
、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜12の
アルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、炭素数
6〜20のアリールオキシ基を有する了り−ルオキシ力
ルボニル基及び置換または無置換のアミノ基が好ましい
。
、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数1〜12の
アルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、炭素数
6〜20のアリールオキシ基を有する了り−ルオキシ力
ルボニル基及び置換または無置換のアミノ基が好ましい
。
R2が置換アミノ基の場合、その具体例としてメチルア
ミノ基、エチルアごノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルア≧ノ基、ベンジルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基等をあげることができる
。
ミノ基、エチルアごノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルア≧ノ基、ベンジルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基等をあげることができる
。
R2が低級アルキル基の場合、その具体例としてメチル
基、エチル基、プロピル基、ブ1チル基、イソプロピル
基、イソブチル基、等があげられる。
基、エチル基、プロピル基、ブ1チル基、イソプロピル
基、イソブチル基、等があげられる。
R2がアルコキシカルボニル基の場合、その具体例とし
てメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ヘンシルオキシカルボニル基など
があげられる。
てメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ヘンシルオキシカルボニル基など
があげられる。
R2がアリールオキシカルボニル基の場合、その具体例
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。
R3としては、炭素数1〜20のアルキル基、フェニル
基、ナフチル基等の芳香族炭素環基、ジヘンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジヘンゾ力ルハゾリル基等の芳香
族複素環基またはこれらの置換体が好ましい。
基、ナフチル基等の芳香族炭素環基、ジヘンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジヘンゾ力ルハゾリル基等の芳香
族複素環基またはこれらの置換体が好ましい。
R3が置換または無置換のアルキル基の場合、その具体
例としてはそれぞれ前述のR1における置換または無置
換のアルキル基の具体例と同し基をあげることができる
。
例としてはそれぞれ前述のR1における置換または無置
換のアルキル基の具体例と同し基をあげることができる
。
R3が置換基を有する芳香族炭素環基または置換基を有
する芳香族複素環基の場合、置換基の具体例としてはヒ
ドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例え
ば、弗素原子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜1
2のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基等)、炭素数1〜12のアルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基、
イソブトキシ基、イソアミルオキシ基、tertブトキ
シ基、ネオペンチルオキシ基等)、トリフルオロメチル
基、トリメチルシリル基、メタンスルホニル基、アごノ
基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基(例えば、メチ
ルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等)、
炭素数l〜12のジアルキルアミノ基(例えば、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアξ)基、N−メチル−N−エチ
ルアミノ基等)、炭素数6〜12のアリ−ルアくノ基(
例えば、フェニルアミノ基、トリルア多)基等)、炭素
数6〜15のアリール基を2個有するジアリールアミノ
基(例えば、ジフェニルア旦)基等)、炭素数6〜12
のアリールアゾ基(例えば、フェニルアゾ基、クロロフ
ェニルアゾ基、フルオロフェニルアゾ基、ブロモフェニ
ルアゾ基、シアノフェニルアゾ基、エトキシカルボニル
フェニルアゾ基、ニトロフェニルアゾ基、アセドアでド
フェニルアゾ基、メトキシフェニルアゾ基、メチルシリ
―W、、メタンスルホニルアゾ基等)、カルボキシル基
、炭素数1〜18のアルコキシ基を有するアルコキシカ
ルボニル基(例えばメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等)、炭素数6〜16のアリールオキシ基を
有するアリールオキシカルボニル基(例えばフェノキン
カルボニル基、ナフトキシカルボニル基等)、アルカリ
金属カルボキシラド基(アルカリ金属陽イオンの例、N
2O、K”、Li@等)、アルカリ金属スルホナト基(
アルカリ金属陽イオンの例、Na0にの、LlΦ等)、
アルキルカルボニル基(例えば、アセチル基、プロピオ
ニル基、ヘンシルカルボニル基等)、炭素数6〜12の
アリール基を有するアリールカルボニル基(例えば、ヘ
ンジイル基、トルオイル基等)、炭素数1〜12のアル
キルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等)
、または炭素数1〜12のアリールチオ基(例えば、フ
ェニルチオ基、トリルチオ基等)をあげることができ、
置換基の個数は工ないし5個であり、複数の置換基が結
合している場合にはそれらは互いに同しでも異なっても
よく、また置換基の結合位置は任意である。
する芳香族複素環基の場合、置換基の具体例としてはヒ
ドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子(例え
ば、弗素原子、塩素原子、臭素原子等)、炭素数1〜1
2のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基等)、炭素数1〜12のアルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基、
イソブトキシ基、イソアミルオキシ基、tertブトキ
シ基、ネオペンチルオキシ基等)、トリフルオロメチル
基、トリメチルシリル基、メタンスルホニル基、アごノ
基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基(例えば、メチ
ルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基等)、
炭素数l〜12のジアルキルアミノ基(例えば、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアξ)基、N−メチル−N−エチ
ルアミノ基等)、炭素数6〜12のアリ−ルアくノ基(
例えば、フェニルアミノ基、トリルア多)基等)、炭素
数6〜15のアリール基を2個有するジアリールアミノ
基(例えば、ジフェニルア旦)基等)、炭素数6〜12
のアリールアゾ基(例えば、フェニルアゾ基、クロロフ
ェニルアゾ基、フルオロフェニルアゾ基、ブロモフェニ
ルアゾ基、シアノフェニルアゾ基、エトキシカルボニル
フェニルアゾ基、ニトロフェニルアゾ基、アセドアでド
フェニルアゾ基、メトキシフェニルアゾ基、メチルシリ
―W、、メタンスルホニルアゾ基等)、カルボキシル基
、炭素数1〜18のアルコキシ基を有するアルコキシカ
ルボニル基(例えばメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等)、炭素数6〜16のアリールオキシ基を
有するアリールオキシカルボニル基(例えばフェノキン
カルボニル基、ナフトキシカルボニル基等)、アルカリ
金属カルボキシラド基(アルカリ金属陽イオンの例、N
2O、K”、Li@等)、アルカリ金属スルホナト基(
アルカリ金属陽イオンの例、Na0にの、LlΦ等)、
アルキルカルボニル基(例えば、アセチル基、プロピオ
ニル基、ヘンシルカルボニル基等)、炭素数6〜12の
アリール基を有するアリールカルボニル基(例えば、ヘ
ンジイル基、トルオイル基等)、炭素数1〜12のアル
キルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等)
、または炭素数1〜12のアリールチオ基(例えば、フ
ェニルチオ基、トリルチオ基等)をあげることができ、
置換基の個数は工ないし5個であり、複数の置換基が結
合している場合にはそれらは互いに同しでも異なっても
よく、また置換基の結合位置は任意である。
R′としては、水素原子もしくは前述のR3の具体例と
同し基をあげることができる。
同し基をあげることができる。
Yが無置換の複素5員環または複素6員環を表す場合、
具体例として、インダゾール環、オキサゾール環、チア
ゾール環、ヘンシイごダゾール環、ベンゾチアゾール環
、ヘンジオキサゾール環、ピリミジン環、ペリごジン環
等をあげることができる。
具体例として、インダゾール環、オキサゾール環、チア
ゾール環、ヘンシイごダゾール環、ベンゾチアゾール環
、ヘンジオキサゾール環、ピリミジン環、ペリごジン環
等をあげることができる。
Yが置換基を有する複素5員環または複素6員環を表す
場合、置換基の具体例としては、前述のR3が置換基を
有する芳香族炭素環基の場合の置換基の具体例と同し基
をあげることができる。
場合、置換基の具体例としては、前述のR3が置換基を
有する芳香族炭素環基の場合の置換基の具体例と同し基
をあげることができる。
1
40
ナフチレン基の3位〜8位の任意の位置に置換すること
か可能であるが、8位に置換することが好ましい。
か可能であるが、8位に置換することが好ましい。
Bは芳香族炭化水素の2価基、または窒素原子を環内に
含む複素環の2価基を表し、これらはいずれもアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、
シアノ基またはヒドロキシ基等で置換されても良い。芳
香族炭化水素の2価基としては、0−フェニレン基、0
−ナフチレン基、ρeri−ナフチレン基、1.2−ア
ントラキノニレン基、9.10−フエナントリレン基等
ヲ挙げることができる。また窒素原子を環内に含む複素
環の2価基としては例えば、3.4−ピラゾールシリル
基、2.3−ビリジイル基、4.5−ピリ丞ジンジイル
基、6.7−インダゾールジイル基、5,6−ペンズイ
旦ダゾールジイル基、6フーキノリンジイル基等を挙げ
ることができる。
含む複素環の2価基を表し、これらはいずれもアルキル
基、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、
シアノ基またはヒドロキシ基等で置換されても良い。芳
香族炭化水素の2価基としては、0−フェニレン基、0
−ナフチレン基、ρeri−ナフチレン基、1.2−ア
ントラキノニレン基、9.10−フエナントリレン基等
ヲ挙げることができる。また窒素原子を環内に含む複素
環の2価基としては例えば、3.4−ピラゾールシリル
基、2.3−ビリジイル基、4.5−ピリ丞ジンジイル
基、6.7−インダゾールジイル基、5,6−ペンズイ
旦ダゾールジイル基、6フーキノリンジイル基等を挙げ
ることができる。
つぎに本発明のジスアゾ化合物を具体例を第1表に挙げ
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。
下記一般式〔1′〕で示されるジスアゾ化合物の具体例
中のCp’ は第2表、第3表もしくは第4表で示され
るカプラー残基を表す。
中のCp’ は第2表、第3表もしくは第4表で示され
るカプラー残基を表す。
一般式〔1′
〕
p
N=N−八r
C≡C−Ar2−C≡C−Ar3−C≡C−Ar’−N
=N−Cp第2表 第2表 (続き) 第2表 (続き) 第2表 (続き) 第2表 (続き) 7 第2表 (続き) とd 第2表 (続き) 第2表 (続き) 3只 第4表 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 2 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 7 6 本発明の新規なジスアゾ化合物は下記の方法により容易
に台底することができる。即ち一般式〔2〕で示される
ジアミノ化合物を常法によりテトラアゾ化し、アルカリ
の存在下対応するカプラーとカップリングさせるか、あ
るいはテトラゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜鉛複塩
などの形で単離した後、N、N−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下
にカプラーとカップリングさせることにより容易に台底
することができる。
=N−Cp第2表 第2表 (続き) 第2表 (続き) 第2表 (続き) 第2表 (続き) 7 第2表 (続き) とd 第2表 (続き) 第2表 (続き) 3只 第4表 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 2 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 第4表 (続き) 7 6 本発明の新規なジスアゾ化合物は下記の方法により容易
に台底することができる。即ち一般式〔2〕で示される
ジアミノ化合物を常法によりテトラアゾ化し、アルカリ
の存在下対応するカプラーとカップリングさせるか、あ
るいはテトラゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜鉛複塩
などの形で単離した後、N、N−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存在下
にカプラーとカップリングさせることにより容易に台底
することができる。
一般式〔2〕
11zN−Ar’−C≡C−Ar2−C≡C−へr’−
C≡C−Ar’−NI12但しAr’ 、Ar2、Ar
’及びAr’は前記一般式〔1〕のAr’ 、Ar2、
Ar3及びAr’と同し意味を表す。
C≡C−Ar’−NI12但しAr’ 、Ar2、Ar
’及びAr’は前記一般式〔1〕のAr’ 、Ar2、
Ar3及びAr’と同し意味を表す。
合成例
(化合物群(1)でカプラーが(Cp’ −2l)であ
るジスアゾ化合物の台底) 下記構造式〔3]で表されるジアミノ化合物4゜08g
(0,Olmol )を濃塩酸25rn1及び水38 0成から調製した希塩酸に加えて60°Cの水溶上で約
30分間攪拌した。次にこの混合物を0°Cに冷却し、
それに亜硝酸ナトリウム1.38gを水10雌に溶解し
た溶液をO′Cで約20分間かけて滴下した。その後同
温度で1時間攪拌し、少量の未反応物を濾別した後、濾
液を別の容器に調製したカプラー(Cp”−2l)8.
42g (0,02mol)、酢酸ナトリウム3.28
g、水10成とDMF300mfからなる溶液に、水冷
下、攪拌しながら滴下した。その後室温で2時間攪拌し
た後、生成した結晶を濾取し、水洗い、アセトン洗いを
繰り返し行い精製した。10.5gのジスアゾ化合物の
黒粉末が得られた。収率88%。分解温度270°C以
上。
るジスアゾ化合物の台底) 下記構造式〔3]で表されるジアミノ化合物4゜08g
(0,Olmol )を濃塩酸25rn1及び水38 0成から調製した希塩酸に加えて60°Cの水溶上で約
30分間攪拌した。次にこの混合物を0°Cに冷却し、
それに亜硝酸ナトリウム1.38gを水10雌に溶解し
た溶液をO′Cで約20分間かけて滴下した。その後同
温度で1時間攪拌し、少量の未反応物を濾別した後、濾
液を別の容器に調製したカプラー(Cp”−2l)8.
42g (0,02mol)、酢酸ナトリウム3.28
g、水10成とDMF300mfからなる溶液に、水冷
下、攪拌しながら滴下した。その後室温で2時間攪拌し
た後、生成した結晶を濾取し、水洗い、アセトン洗いを
繰り返し行い精製した。10.5gのジスアゾ化合物の
黒粉末が得られた。収率88%。分解温度270°C以
上。
構造式〔3〕
元素分析値 Cq llHs□N5Obとして計算値
C78,25χ H4,38χ N9.36χ実測値
C78,04χ H4,39χ N9.33χ本発
明の電子写真感光体は前記一般式〔l〕で表されるジス
アゾ化合物を1種または2種含有する電子写真感光層を
有する。各種の形態の電子写真感光体が知られているが
、本発明の電子写真感光体はその何れのタイプの感光体
であっても良いが通常次に示す(1)、(II)または
(III)のタイプの電子写真感光体構造を持つ。
C78,25χ H4,38χ N9.36χ実測値
C78,04χ H4,39χ N9.33χ本発
明の電子写真感光体は前記一般式〔l〕で表されるジス
アゾ化合物を1種または2種含有する電子写真感光層を
有する。各種の形態の電子写真感光体が知られているが
、本発明の電子写真感光体はその何れのタイプの感光体
であっても良いが通常次に示す(1)、(II)または
(III)のタイプの電子写真感光体構造を持つ。
(T)導電性支持体上にジスアゾ化合物をバインダーあ
るいは電荷担体輸送媒体中に分散させてなる電子写真感
光層を設けたもの。
るいは電荷担体輸送媒体中に分散させてなる電子写真感
光層を設けたもの。
(II)導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分とす
る電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送層を設
けたもの。
る電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送層を設
けたもの。
(I[I)導電性支持体上に電荷担体輸送層を設け、そ
の上にジスアゾ化合物を主成分とする電荷担体発生層を
設けたもの。
の上にジスアゾ化合物を主成分とする電荷担体発生層を
設けたもの。
本発明のジスアゾ化合物は光を吸収すると極めて高い効
率で電荷担体を発生ずる作用を持つ。発生した電荷担体
は、電荷担体輸送化合物によって輸送される。
率で電荷担体を発生ずる作用を持つ。発生した電荷担体
は、電荷担体輸送化合物によって輸送される。
タイプ(1)の電子写真感光体を作製するにはジスアゾ
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物とバインダー溶液を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体」二に塗布した後、乾燥すれば良
い。このときの電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好
ましくは5〜20μが良い。
化合物の微粒子をバインダー溶液もしくは電荷担体輸送
化合物とバインダー溶液を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体」二に塗布した後、乾燥すれば良
い。このときの電子写真感光層の厚さは3〜30μ、好
ましくは5〜20μが良い。
タイプ(II)の感光体を作製するには、導電性支持体
上にジスアゾ化合物を真空蒸着して電荷担体発生層を形
威するか、ジスアゾ化合物の微粒子を、バインダー樹脂
を溶解した適当な溶媒中に分散して得られた分散液を塗
布、乾燥して電荷担体発生層を形威し、更に必要があれ
ば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げをす
るか、膜厚を調整した後、その上に電荷担体輸送物質及
びバインダー樹脂を含む溶液を塗布、乾燥して得られる
。この時の電荷担体発生層の厚みは0.01μ〜4μ、
好ましくは0.1μ〜2μが良く、電荷担体輸送層の厚
みは3μ〜30μ、好ましくは5μ〜20μがよい。
上にジスアゾ化合物を真空蒸着して電荷担体発生層を形
威するか、ジスアゾ化合物の微粒子を、バインダー樹脂
を溶解した適当な溶媒中に分散して得られた分散液を塗
布、乾燥して電荷担体発生層を形威し、更に必要があれ
ば、例えばパフ研磨などの方法によって表面仕上げをす
るか、膜厚を調整した後、その上に電荷担体輸送物質及
びバインダー樹脂を含む溶液を塗布、乾燥して得られる
。この時の電荷担体発生層の厚みは0.01μ〜4μ、
好ましくは0.1μ〜2μが良く、電荷担体輸送層の厚
みは3μ〜30μ、好ましくは5μ〜20μがよい。
1
タイプ(III)の電子写真感光体はタイプ(II)の
電子写真感光体の積層順序を逆にすることにより作製で
きる。
電子写真感光体の積層順序を逆にすることにより作製で
きる。
(1)、(II)及び(III)のタイプの感光体で用
いられるジスアゾ化合物はポールミル、サンドミル、振
動ξル等の分散機により粒径0.1μ〜2μ、好ましく
は0.3μ〜2μに分散して用いられる。
いられるジスアゾ化合物はポールミル、サンドミル、振
動ξル等の分散機により粒径0.1μ〜2μ、好ましく
は0.3μ〜2μに分散して用いられる。
タイプ(1)の電子写真感光体において使用されるジス
アゾ化合物の量は少なすぎると感度が悪く、多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の膜強度が悪く
なったりし、電子写真感光層中のジスアゾ化合物の占め
る割合は、バインダーを用いる場合、バインターに対し
0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量倍が
よく、電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対し0
゜1〜2重量倍、好ましくは0. 3〜1.5重量倍の
範囲がよい。またそれ自身バインダーとして使用できる
電荷担体輸送化合物の場合には、ジスアゾ化合物の添加
量は電荷担体輸送化合物に刻し0゜2 01〜0.5重量倍使用するのが好ましい。
アゾ化合物の量は少なすぎると感度が悪く、多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の膜強度が悪く
なったりし、電子写真感光層中のジスアゾ化合物の占め
る割合は、バインダーを用いる場合、バインターに対し
0.01〜2重量倍、好ましくは0.05〜1重量倍が
よく、電荷担体輸送化合物の割合はバインダーに対し0
゜1〜2重量倍、好ましくは0. 3〜1.5重量倍の
範囲がよい。またそれ自身バインダーとして使用できる
電荷担体輸送化合物の場合には、ジスアゾ化合物の添加
量は電荷担体輸送化合物に刻し0゜2 01〜0.5重量倍使用するのが好ましい。
またタイプ(It)及び(III)の電子写真感光体に
おいて電荷担体発生化合物含有層となるジスアゾ化合物
含有層を塗布形成する場合、バインダーに対するジスア
ゾ化合物の使用量は0.1重量倍以上が好ましく、それ
以下だと十分な感度が得られない。またバインダーは無
くとも使用できる。
おいて電荷担体発生化合物含有層となるジスアゾ化合物
含有層を塗布形成する場合、バインダーに対するジスア
ゾ化合物の使用量は0.1重量倍以上が好ましく、それ
以下だと十分な感度が得られない。またバインダーは無
くとも使用できる。
電荷担体輸送化合物含有層中の電荷担体輸送化合物の割
合は、バインダーに対し0.2〜2重量倍、好ましくは
0. 3〜1.5重量倍が好ましい。それ自身バインダ
ーとして使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用す
る場合は、他のバインダーは無くとも使用できる。
合は、バインダーに対し0.2〜2重量倍、好ましくは
0. 3〜1.5重量倍が好ましい。それ自身バインダ
ーとして使用できる高分子電荷担体輸送化合物を使用す
る場合は、他のバインダーは無くとも使用できる。
本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アル旦ニウム、銅、亜鉛などの金属板、ポ
リエステル等のプラスチックシートまたはプラスチック
フィルムにアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、
ヨウ化銅等の導電材料を華着、もしくは分散塗布したも
の、あるいは3 塩化すI−リウム、塩化カルシウム等の無機塩や有機四
級アンモニウム塩により導電処理した紙などが使用され
る。
体としては、アル旦ニウム、銅、亜鉛などの金属板、ポ
リエステル等のプラスチックシートまたはプラスチック
フィルムにアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、
ヨウ化銅等の導電材料を華着、もしくは分散塗布したも
の、あるいは3 塩化すI−リウム、塩化カルシウム等の無機塩や有機四
級アンモニウム塩により導電処理した紙などが使用され
る。
バインダーが用いられる場合のバインダーとしては疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。この様な高分子重
合体としては例えば次のものをあげることができるが勿
論これらに限定されるものではない。
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。この様な高分子重
合体としては例えば次のものをあげることができるが勿
論これらに限定されるものではない。
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボ
ネート、ポリスルホン、メタクリル樹脂、アクリル樹脂
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジェン共重合
体、塩化ビニリデンアクリロニトリル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−ア
ルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ス
チレン−アルキッド樹脂、スチレン−無水マレイン酸共
重合体、フェノキシ樹脂、ポリビニA ルブチラール樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール。
ネート、ポリスルホン、メタクリル樹脂、アクリル樹脂
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン
、ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジェン共重合
体、塩化ビニリデンアクリロニトリル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−ア
ルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ス
チレン−アルキッド樹脂、スチレン−無水マレイン酸共
重合体、フェノキシ樹脂、ポリビニA ルブチラール樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール。
これらの樹脂バインダーは、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。
混合物として用いることができる。
本発明の感光体において可塑剤を樹脂バインダーと混合
して用いることができる。
して用いることができる。
可塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、0−テル
フェニル、p−テルフェニル、チプチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレーI・、ジオクチルフタレート
、トリフェニル燐酸、塩素化パラフィン、ジウラリルチ
オジプロピオネート等があげられる。
フェニル、p−テルフェニル、チプチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレーI・、ジオクチルフタレート
、トリフェニル燐酸、塩素化パラフィン、ジウラリルチ
オジプロピオネート等があげられる。
本発明の電子写真感光体を作製する場合、感光層中に増
感剤などの添加剤を使用しても良い。
感剤などの添加剤を使用しても良い。
増感剤としては、ブリリアントグリーン、ビクメタン染
料、ローダミンB10−ダミン6G、ローダミンGエキ
ストラ、エオシンS、エリトロシン、ローズヘンガル、
フルオレセイン等のキサンチン染料、メチレンブルー等
のチアジン染料、C11、Ba5ic、Violet7
(C,1,48020)等のアストラゾン染料、シア
ニン染料、2.6−ジフェニル−4−(N、N−ジメチ
ルアミノフェニル)チアピリリウムペルクロレート、ヘ
ンゾビリリウム塩(特公昭48−25,658号公報記
載)等のビリリウム染料をあげることができる。
料、ローダミンB10−ダミン6G、ローダミンGエキ
ストラ、エオシンS、エリトロシン、ローズヘンガル、
フルオレセイン等のキサンチン染料、メチレンブルー等
のチアジン染料、C11、Ba5ic、Violet7
(C,1,48020)等のアストラゾン染料、シア
ニン染料、2.6−ジフェニル−4−(N、N−ジメチ
ルアミノフェニル)チアピリリウムペルクロレート、ヘ
ンゾビリリウム塩(特公昭48−25,658号公報記
載)等のビリリウム染料をあげることができる。
また、電子写真感光体の表面性をよくするために、シリ
コンオイル、フッ素系界面活性剤等を使用することがで
きる。
コンオイル、フッ素系界面活性剤等を使用することがで
きる。
本発明において電荷担体輸送層に用いられる電荷担体輸
送物質としては、電子を輸送する化合物と正孔を輸送す
る化合物の2種類に分類される。
送物質としては、電子を輸送する化合物と正孔を輸送す
る化合物の2種類に分類される。
本発明の電子写真感光体には両者とも使用することがで
きる。
きる。
電子を輸送する化合物としては電子吸引性基を有する化
合物、例えば2. 4. 7.−1−ジニトロ9−フル
オレノン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、9−ジシアノメチレン2.4.7−)リニトロ
フルオレノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7
−テトラニトロフルオレノン、テトラニトロカルバソー
ル、クロラニル、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアツ
ヘンゾキノン、2,4.7−ドリニトtl−9,10フ
ェナントレンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テ
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげ
ることができる。
合物、例えば2. 4. 7.−1−ジニトロ9−フル
オレノン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、9−ジシアノメチレン2.4.7−)リニトロ
フルオレノン、9−ジシアノメチレン−2,4,5,7
−テトラニトロフルオレノン、テトラニトロカルバソー
ル、クロラニル、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアツ
ヘンゾキノン、2,4.7−ドリニトtl−9,10フ
ェナントレンキノン、テトラクロロ無水フタール酸、テ
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン等をあげ
ることができる。
正孔を輸送する化合物としては、電子供与性基を有する
化合物、例えば高分子の物では、(a)特公昭34−1
0,966号公報記載のポリビニルカルバゾール及びそ
の81x ’L体、(b) 特公昭43−18,67
4号、同43−19゜192 号公’A記載のポリビニ
ルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリ−2−ビニル
−4−(4′ジメチルアミノフエニル)−5−フェニル
オキサソール、ポリ−3−ビニル−N−エチルカルバゾ
ール等のビニル重合体、 (cj 特公昭43−19,193号公報記載のポリ
アセナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチ
レンの共重合体等の重合体、 +d) ’II公昭56−13.940号公報などに
記載のピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレンホ
ルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂等の縮合樹脂、 (e) 特開昭56−90,883号、同56−16
1.550号公報に記載された各種のトリフェニルメタ
ンポリマー また低分子のものでは、 (fl 米国特許筒3,112..197号明細書な
どに記載されているトリアゾール誘導体、(g) 米
国特許筒3,189.447号明細書などに記載されて
いるオキサジアゾール誘導体、(h) 特公昭37−
16.096号公報などに記載されているイミダゾール
誘導体、 (1)米国特許筒3,615,402号、同3,820
.989号、同3,542,544号、特公昭45−5
55号、同51−10,983号、特開昭51−93,
224号、同55−108,667号、同55−156
953号、同56−36゜7 656号明細書、公報などに記載のポリアリールアルカ
ン誘導体、 [jl 米国特許筒3,180,729号、同4,2
78.746号、特開昭55−88,064号、同55
−88,065号、同49−105,537号、同55
−51,086号、同56−80゜051号、同56−
88,141号、同57−45.545号、同54−1
12.637号、同55−74,546号明細書、公報
などに記載されているピラゾリン誘導体及びピラゾロン
誘導体、Ck)米国特許筒3,615,404号、特公
昭51−10,105号、同46−3,712号、同4
7−28,336号、特開昭54−83.435号、同
54−110,836号、同54−119.925号明
細書、公報などに記載されているフェニレンシア旦ン誘
導体、 (1)米国特許筒3,567.450号、同3.180
.703号、同3,240.597号、同3゜658.
520号、同4,232,103号、同4 1T5,9
61号、同4,012,376号、西独国特許(DAS
)1,110,518号、特公昭49−35,702号
、同39−27.577号、特開昭55−144,25
0号、同56119.12号、同56−22,437号
明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘導
体、 (ml 米国特許筒3,526,501号明細書記載
のア主)置換カルコン誘導体、 (n+ 米国特許筒3,542,546号明細書など
に記載のN、N−ジカルバジル誘導体、(0)米国特許
筒3,257,203号明細書などに記載のオキサゾー
ル誘導体、 ip+ 特開昭56−46,234号公報などに記載
のスチリルアントラセン誘導体、 (q)2特開昭54−110,837号公報等に記載さ
れているフルオレノン誘導体、 (r)米国特許筒3,717,462号、特開昭54−
59,143号(米国特許筒4,150,987号に対
応)、同55−52,063号、同55−52,064
号、同55−46,760号、同55−85.495号
、同57−IL 350号、同57−148,749号
、同57−104゜144号明細書、公報などに記載さ
れているヒドラゾン誘導体、 (S) 米国特許第4,047,948号、同4.
047.949号、同4,265.990号、同4゜2
73.846号、同4,299.897号、同4.30
6,008号明細書などに記載のヘンジジン誘導体、 (tl 特開昭58−190,953号、同59−9
5.540号、同59−97,148号、同59195
.658号、同61−36,674号公報などに記載さ
れているスチルヘン誘導体等がある。
化合物、例えば高分子の物では、(a)特公昭34−1
0,966号公報記載のポリビニルカルバゾール及びそ
の81x ’L体、(b) 特公昭43−18,67
4号、同43−19゜192 号公’A記載のポリビニ
ルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリ−2−ビニル
−4−(4′ジメチルアミノフエニル)−5−フェニル
オキサソール、ポリ−3−ビニル−N−エチルカルバゾ
ール等のビニル重合体、 (cj 特公昭43−19,193号公報記載のポリ
アセナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチ
レンの共重合体等の重合体、 +d) ’II公昭56−13.940号公報などに
記載のピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレンホ
ルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂等の縮合樹脂、 (e) 特開昭56−90,883号、同56−16
1.550号公報に記載された各種のトリフェニルメタ
ンポリマー また低分子のものでは、 (fl 米国特許筒3,112..197号明細書な
どに記載されているトリアゾール誘導体、(g) 米
国特許筒3,189.447号明細書などに記載されて
いるオキサジアゾール誘導体、(h) 特公昭37−
16.096号公報などに記載されているイミダゾール
誘導体、 (1)米国特許筒3,615,402号、同3,820
.989号、同3,542,544号、特公昭45−5
55号、同51−10,983号、特開昭51−93,
224号、同55−108,667号、同55−156
953号、同56−36゜7 656号明細書、公報などに記載のポリアリールアルカ
ン誘導体、 [jl 米国特許筒3,180,729号、同4,2
78.746号、特開昭55−88,064号、同55
−88,065号、同49−105,537号、同55
−51,086号、同56−80゜051号、同56−
88,141号、同57−45.545号、同54−1
12.637号、同55−74,546号明細書、公報
などに記載されているピラゾリン誘導体及びピラゾロン
誘導体、Ck)米国特許筒3,615,404号、特公
昭51−10,105号、同46−3,712号、同4
7−28,336号、特開昭54−83.435号、同
54−110,836号、同54−119.925号明
細書、公報などに記載されているフェニレンシア旦ン誘
導体、 (1)米国特許筒3,567.450号、同3.180
.703号、同3,240.597号、同3゜658.
520号、同4,232,103号、同4 1T5,9
61号、同4,012,376号、西独国特許(DAS
)1,110,518号、特公昭49−35,702号
、同39−27.577号、特開昭55−144,25
0号、同56119.12号、同56−22,437号
明細書、公報などに記載されているアリールアミン誘導
体、 (ml 米国特許筒3,526,501号明細書記載
のア主)置換カルコン誘導体、 (n+ 米国特許筒3,542,546号明細書など
に記載のN、N−ジカルバジル誘導体、(0)米国特許
筒3,257,203号明細書などに記載のオキサゾー
ル誘導体、 ip+ 特開昭56−46,234号公報などに記載
のスチリルアントラセン誘導体、 (q)2特開昭54−110,837号公報等に記載さ
れているフルオレノン誘導体、 (r)米国特許筒3,717,462号、特開昭54−
59,143号(米国特許筒4,150,987号に対
応)、同55−52,063号、同55−52,064
号、同55−46,760号、同55−85.495号
、同57−IL 350号、同57−148,749号
、同57−104゜144号明細書、公報などに記載さ
れているヒドラゾン誘導体、 (S) 米国特許第4,047,948号、同4.
047.949号、同4,265.990号、同4゜2
73.846号、同4,299.897号、同4.30
6,008号明細書などに記載のヘンジジン誘導体、 (tl 特開昭58−190,953号、同59−9
5.540号、同59−97,148号、同59195
.658号、同61−36,674号公報などに記載さ
れているスチルヘン誘導体等がある。
なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は(a
)〜(1+にあげられた化合物に限定されず、これまで
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる
。
)〜(1+にあげられた化合物に限定されず、これまで
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることができる
。
本発明の電子写真感光体を作製する場合、電荷発生層及
び電荷輸送層中に増感剤などの添加剤を添加して使用し
てもよい。また電荷発生層中に電荷輸送化合物を添加し
て使用してもよい。
び電荷輸送層中に増感剤などの添加剤を添加して使用し
てもよい。また電荷発生層中に電荷輸送化合物を添加し
て使用してもよい。
増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルハイオレソト、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
などがあげられる。
メチルハイオレソト、ローダミンB1シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ピリリウム染料、チアピリリウム染料
などがあげられる。
なお、本発明の電子写真感光体には、導電性支持体と感
光層の間に、必要に応して接着層又はバリヤ層を設ける
ことができる。これらの層に用いられる材料としては、
前記樹脂バインダーに用いられるポリマーの他に、ゼラ
チン、カゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロ
ース、カルボキシメチルセルロース、特開昭59 84
.247号公報に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラテ
ックス、特開昭51−114,544号公報に記載のス
ケトンーブクジエン系ポリマーラテックスまたは酸化ア
ルよニウム等がありこれらの層の厚さは1μm以下が好
ましい。
光層の間に、必要に応して接着層又はバリヤ層を設ける
ことができる。これらの層に用いられる材料としては、
前記樹脂バインダーに用いられるポリマーの他に、ゼラ
チン、カゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロ
ース、カルボキシメチルセルロース、特開昭59 84
.247号公報に記載の塩化ビニリデン系ポリマーラテ
ックス、特開昭51−114,544号公報に記載のス
ケトンーブクジエン系ポリマーラテックスまたは酸化ア
ルよニウム等がありこれらの層の厚さは1μm以下が好
ましい。
以上のようにして得られた感光体には更にレーザーのよ
うな干渉性光を露光に使用した場合に発生ずる干渉縞防
止策を必要に応して施すことができる。そのような技術
としては、特開昭60−186.850号記載の光散乱
反射面を有する下弓き層の設置、特開昭60−184.
258号記載のチタンブランク含有下引き層の設置、特
開昭58−82,249号記載の電荷担体発生層で使用
光源の光の大部分を吸収させる方法、特開昭6エ18.
963号記載の電荷担体輸送層にミクロ相分離構造をと
らせる方法、特開昭60−86550号記載の光導電層
中に干渉性光を吸収または散乱する物質を混入する方法
、特開昭63−106.757号記載の感光体表面に干
渉性光の波長の174以上の深さを持つ凹部を設ける方
法、特開昭62−172,371号、特開昭62−17
4.771号記載の透明支持体の裏面に光散乱層あるい
は光吸収層を設ける方法等をあげることができる。
うな干渉性光を露光に使用した場合に発生ずる干渉縞防
止策を必要に応して施すことができる。そのような技術
としては、特開昭60−186.850号記載の光散乱
反射面を有する下弓き層の設置、特開昭60−184.
258号記載のチタンブランク含有下引き層の設置、特
開昭58−82,249号記載の電荷担体発生層で使用
光源の光の大部分を吸収させる方法、特開昭6エ18.
963号記載の電荷担体輸送層にミクロ相分離構造をと
らせる方法、特開昭60−86550号記載の光導電層
中に干渉性光を吸収または散乱する物質を混入する方法
、特開昭63−106.757号記載の感光体表面に干
渉性光の波長の174以上の深さを持つ凹部を設ける方
法、特開昭62−172,371号、特開昭62−17
4.771号記載の透明支持体の裏面に光散乱層あるい
は光吸収層を設ける方法等をあげることができる。
以上本発明の電子写真感光体について詳細に説明したが
、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く、繰り返
し使用時の電子写真特性の変化が3 2 小さい特徴を有している。
、本発明の電子写真感光体は一般に感度が高く、繰り返
し使用時の電子写真特性の変化が3 2 小さい特徴を有している。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機の他レーザー
、ブラウン管、L E D等を光源とするプリンターの
感光体などの分野に広く応用することができる。
、ブラウン管、L E D等を光源とするプリンターの
感光体などの分野に広く応用することができる。
本発明のジスアゾ化合物を含む光導電性組成物はビデオ
カメラの撮像管の光導電層として、また信号転送や走査
を行う一次元または二次元配列された半導体回路上の全
面に設けた受光層(光導電層)を有する固体撮像素子の
光導電層として用いることができる。また、A、に、C
hosh、 Tom FengJ、八pp1. Pl+
sy、、 49(12)、 5982(1978)に記
載されているように太陽電池の光導電層としても用いる
ことができる。
カメラの撮像管の光導電層として、また信号転送や走査
を行う一次元または二次元配列された半導体回路上の全
面に設けた受光層(光導電層)を有する固体撮像素子の
光導電層として用いることができる。また、A、に、C
hosh、 Tom FengJ、八pp1. Pl+
sy、、 49(12)、 5982(1978)に記
載されているように太陽電池の光導電層としても用いる
ことができる。
また、本発明のジスアゾ化合物は光電気泳動システムに
おける光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写真
現像剤の着色粒子としても用いることができる。
おける光導電性着色粒子及び乾式または湿式の電子写真
現像剤の着色粒子としても用いることができる。
また、本発明のジスアゾ化合物を、特公昭3717.1
62号、特開昭55−19,063号、4 特開昭55〜161,250号、特開昭57−1/17
,656号公報に開示されているように、オキサジアゾ
ール誘導体、ヒドラジン誘導体等の前述の電荷担体輸送
性化合物と共にフェノール樹脂などのアルカリ可溶性樹
脂中に分散し、アル鋭ニウムなどの導電性支持体上に塗
布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アルカリ水溶液に
よるエツチングにより、高解像力、高耐久性、高感度の
印刷版が得られるほか、プリント回路を作成することが
できる。
62号、特開昭55−19,063号、4 特開昭55〜161,250号、特開昭57−1/17
,656号公報に開示されているように、オキサジアゾ
ール誘導体、ヒドラジン誘導体等の前述の電荷担体輸送
性化合物と共にフェノール樹脂などのアルカリ可溶性樹
脂中に分散し、アル鋭ニウムなどの導電性支持体上に塗
布、乾燥後、画像露光、トナー現像、アルカリ水溶液に
よるエツチングにより、高解像力、高耐久性、高感度の
印刷版が得られるほか、プリント回路を作成することが
できる。
次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお、
実施例中「部」とあるのは「重量部」を表す。
より本発明が実施例に限定されるものではない。なお、
実施例中「部」とあるのは「重量部」を表す。
実施例1
第1表の化合物群(1)で表され、Cp が第2表の
(Cp’ −2l)であるジスアゾ化合物5部とポリエ
ステル樹脂(商品名バイロン200、東洋紡■製)5部
をテトラ上10フ9フ50部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した後、この分散液をワイヤーラウンドロン
ドを用いて導電性支持体(75μmのポリエチレンテレ
フタレート支持体上にアルミニウムの蒸着膜を有する。
(Cp’ −2l)であるジスアゾ化合物5部とポリエ
ステル樹脂(商品名バイロン200、東洋紡■製)5部
をテトラ上10フ9フ50部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した後、この分散液をワイヤーラウンドロン
ドを用いて導電性支持体(75μmのポリエチレンテレ
フタレート支持体上にアルミニウムの蒸着膜を有する。
商品名メタルミー75TS、東し■製)上に塗布、乾燥
して厚さ約0.5μmの電荷発生層を得た。
して厚さ約0.5μmの電荷発生層を得た。
次にこの電荷発生層上にp−(ジフェニルア2))ヘン
ズアルデヒド−N”−メチル−N゛−フェニルヒドラジ
ン3.6部、 ポリカーボネート樹脂(パンライトに−1300、奇人
■製)4部、ジクロロメタン13.3部と1゜2−ジク
ロロエタン26,6部を混合溶解した溶液をアプリケー
ターを用いて塗布し、厚さ17μmの電荷輸送層を形成
させて2層からなる感光層を有する電子写真感光体を作
成した。
ズアルデヒド−N”−メチル−N゛−フェニルヒドラジ
ン3.6部、 ポリカーボネート樹脂(パンライトに−1300、奇人
■製)4部、ジクロロメタン13.3部と1゜2−ジク
ロロエタン26,6部を混合溶解した溶液をアプリケー
ターを用いて塗布し、厚さ17μmの電荷輸送層を形成
させて2層からなる感光層を有する電子写真感光体を作
成した。
これらの感光体を静電複写紙試験装置(■川口電機製作
新製、5P−428型)を用いて次のようにして電子写
真特性を評価した(スタチンク方式で測定)。まず感光
体を一6KVのコロナ放電により帯電せしめた時の初期
表面電位VS、30秒間暗所に放置した時の表面電位V
。を測定した。
新製、5P−428型)を用いて次のようにして電子写
真特性を評価した(スタチンク方式で測定)。まず感光
体を一6KVのコロナ放電により帯電せしめた時の初期
表面電位VS、30秒間暗所に放置した時の表面電位V
。を測定した。
次いでタングステンランプの光を感光体表面にお6ノる
照度を31uχになるようにして露光し、表面電位が初
期表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E5
0及び露光30秒後の表面電位(残留電位VR)をそれ
ぞれ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して
行った。結果を第5表に示す。
照度を31uχになるようにして露光し、表面電位が初
期表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E5
0及び露光30秒後の表面電位(残留電位VR)をそれ
ぞれ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して
行った。結果を第5表に示す。
第 5 表
実施例2〜X8
実施例1において用いたジスアゾ化合物の代わ67
りに第6表に示すジスアゾ化合物を用いた他は実施例1
と同様にして2層構成の電子写真感光体を作威し実施例
1と同様に850.VS 、v、、VRを測定した。結
果を第6表に示す。
と同様にして2層構成の電子写真感光体を作威し実施例
1と同様に850.VS 、v、、VRを測定した。結
果を第6表に示す。
8
実施例19
表面にアル旦ニウムの蒸着膜を設けたポリエチレンテレ
フタレートフィルムより成る導電性支持体上に、実施例
1に示したヒドラゾン化合物7゜5部と、ビスフェノー
ルAのポリカーボネート10部とを、ジクロロメタン5
0部に熔解した溶液をワイヤーラウンドロンドを用いて
塗布乾燥し、厚さ12μmの電荷輸送層を設けた。
フタレートフィルムより成る導電性支持体上に、実施例
1に示したヒドラゾン化合物7゜5部と、ビスフェノー
ルAのポリカーボネート10部とを、ジクロロメタン5
0部に熔解した溶液をワイヤーラウンドロンドを用いて
塗布乾燥し、厚さ12μmの電荷輸送層を設けた。
次に、電荷輸送層上に実施例1にて用いたジスアゾ化合
物2部とポリエステル樹脂(商品名バイロン200、東
洋紡績■製)2部をクロロヘンゼン5部に溶かした液と
を共にペイントシエイカーで1時間分散した後、ワイヤ
ーラウンドロンドを用いて、塗布乾燥し、厚さ1μmの
電荷発生層を形成させ、2層から成る電子写真感光層を
有する正帯電用電子写真感光体を作製した。
物2部とポリエステル樹脂(商品名バイロン200、東
洋紡績■製)2部をクロロヘンゼン5部に溶かした液と
を共にペイントシエイカーで1時間分散した後、ワイヤ
ーラウンドロンドを用いて、塗布乾燥し、厚さ1μmの
電荷発生層を形成させ、2層から成る電子写真感光層を
有する正帯電用電子写真感光体を作製した。
この感光体を静電複写紙試験装置(■川口電機製作新製
、5P−428型)を用いて次のようにして電子写真特
性を評価した(スタチック方式で測定)。まず感光体を
+6KVのコロナ放電により正に帯電せしめた時の初期
表面電位Vs、30秒間暗所に放電した時の表面電位V
。を測定した。
、5P−428型)を用いて次のようにして電子写真特
性を評価した(スタチック方式で測定)。まず感光体を
+6KVのコロナ放電により正に帯電せしめた時の初期
表面電位Vs、30秒間暗所に放電した時の表面電位V
。を測定した。
次いでタングステンランプの光を感光体表面における照
度を31uxになるようにして露光し、表面電位が初期
表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E50
及び露光30秒後の表面電位(残留電位VR)をそれぞ
れ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して行
った。結果を第7表に示す。
度を31uxになるようにして露光し、表面電位が初期
表面電位■。の半分に減衰するのに要する露光量E50
及び露光30秒後の表面電位(残留電位VR)をそれぞ
れ測定した。また同様の測定を3000回繰り返して行
った。結果を第7表に示す。
第7表
実施例20
実施例1にて用いたジスアゾ化合物5部とヒドラゾン化
合物40部とヘンシルメタアクリレートとメタアクリル
酸のコポリマー(〔η〕30°Cメチルエチルケトンー
0.12、メタアクリル酸含有量32.9%)100部
とをジクロロメタン660部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した。
合物40部とヘンシルメタアクリレートとメタアクリル
酸のコポリマー(〔η〕30°Cメチルエチルケトンー
0.12、メタアクリル酸含有量32.9%)100部
とをジクロロメタン660部に添加し、ボールミルで1
2時間分散した。
この分散液を砂目立てした厚さ0.25mmのアルミ板
上に塗布、乾燥し膜厚6μmの電子写真感光層を有する
電子写真印刷版材料を作製した。
上に塗布、乾燥し膜厚6μmの電子写真感光層を有する
電子写真印刷版材料を作製した。
この試料を暗所でコロナ放電(+6KV)することによ
り、感光層の表面電位を+500Vに帯電させた後、色
温度2854にのタングステン光を試料面での照度2.
0ルツクスで露光したところ、半減露光量(E50)は
2.21ux・secであった。
り、感光層の表面電位を+500Vに帯電させた後、色
温度2854にのタングステン光を試料面での照度2.
0ルツクスで露光したところ、半減露光量(E50)は
2.21ux・secであった。
つぎに、この試料を暗所で表面電位を+500■に帯電
させた後、ポジ画像の透明原稿と密着させて画像露光し
た。これをTsoperH(エッソスタンダード社製、
石油系溶剤)1000部中に微粒子状に分散されたポリ
メチルメタアクリレート(トナー)5g及び大豆油レシ
チン0.01gからなる液体現像剤中に浸漬し、鮮明な
ポジのトナー画像を得ることができた。
させた後、ポジ画像の透明原稿と密着させて画像露光し
た。これをTsoperH(エッソスタンダード社製、
石油系溶剤)1000部中に微粒子状に分散されたポリ
メチルメタアクリレート(トナー)5g及び大豆油レシ
チン0.01gからなる液体現像剤中に浸漬し、鮮明な
ポジのトナー画像を得ることができた。
2
更に100 ’Cで30秒間加熱してトナー画像を定着
した。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和’lh
70gをグリセリン140部、エチレングリコール55
0部、およびエタノール150部に溶解したエツチング
液に1分間浸漬し、水流で軽くブラッシングしながら洗
うことにより、トナーの付着していない部分の感光層を
除去し印刷版を得た。
した。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和’lh
70gをグリセリン140部、エチレングリコール55
0部、およびエタノール150部に溶解したエツチング
液に1分間浸漬し、水流で軽くブラッシングしながら洗
うことにより、トナーの付着していない部分の感光層を
除去し印刷版を得た。
このようにして作製した印刷版をハフダスター600C
Dオフセツト印刷機を用いて印刷したところ、地汚れの
ない非常に鮮明な印刷物を5万枚印刷することができた
。
Dオフセツト印刷機を用いて印刷したところ、地汚れの
ない非常に鮮明な印刷物を5万枚印刷することができた
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に、電荷輸送化合物及び電荷発生化合物
を含有した層を設けて成るか、または電荷輸送化合物含
有層及び電荷発生化合物含有層を設けて成る電子写真感
光体において、電荷発生化合物として下記一般式〔1〕
で表わされるジスアゾ化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体。 一般式〔1〕 Cp−N=N−Ar^1−C≡C−Ar^2−C≡C−
Ar^3−C≡C−Ar^4−N=N−Cp一般式〔1
〕において、Ar^1、Ar^2、Ar^3及びAr^
4はアリーレン基、2価の縮合多環式芳香族基または2
価の複素芳香環基を表す。Cpはカプラー残基を表す。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17644989A JPH0341458A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 電子写真感光体 |
US07/549,030 US5106712A (en) | 1989-07-07 | 1990-07-06 | Electrophotographic photoreceptor containing bisazo compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17644989A JPH0341458A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0341458A true JPH0341458A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16013904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17644989A Pending JPH0341458A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0341458A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011087130A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 株式会社クラレ | アセチレン化合物およびそれを含有している有機半導体材料 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17644989A patent/JPH0341458A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011087130A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | 株式会社クラレ | アセチレン化合物およびそれを含有している有機半導体材料 |
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