JPH0330988Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案は、電子レンジ用マグネトロンに係
り、特にその陰極支持構体の構造の改良に関す
る。

〔背景技術とその問題点〕

従来の電子レンジ用マグネトロンにおける陰極
支持構体は、第７図に示すように構成され、螺旋
状に巻かれた陰極４０の両端が夫々一対のエンド
ハツト４１，４２に直接又はエンドチツプ４３を
介して固着されてなつている。そして、両エンド
ハツト４１，４２には、夫々モリブデン（Mo）
製の一対の陰極支持棒４４，４５が固着されてい
る。これら陰極支持棒４４，４５は、セラミツク
ステム４６の各貫通孔４７，４８を貫通して、外
面に気密ろう接された端子４９，５１に気密に固
着されている。符号５２，５３は、そのろう接部
を表わしている。又、上記セラミツクステム４６
の上端面には、真空容器の一部を構成する金属容
器５４が、ろう接部５５において気密接合されて
いる。

ところが、このような従来構造では、モリブデ
ン（Mo）製の一対の陰極支持棒４４，４５が陰
極ステム４６の下端面で気密接合され外部に延長
されているので、相当長くする必要があり、部品
コストが比較的高く、しかも十分な陰極支持強度
を得難い。又、Mo材料とコバール（商品名）製
端子４９，５１との気密接合は困難であり、かつ
陰極４０からの伝導熱でこの気密ろう接部が高温
になるので、この接合部の高い信頼性を得ること
が困難である。

一方、第８図に示す構造も、例えば特開昭56−
132747号公報などで提案されている。これはセラ
ミツクステム４６と各陰極支持棒４４，４５との
気密接合部を、陰極ステム４６の陰極４０側即ち
真空領域に面する側において、接合リング５６，
５７を用いて気密ろう接する構造である。尚、そ
の場合、セラミツクステム４６と金属容器５４と
のろう接部５５と、セラミツクステム４６と陰極
支持棒４４，４５とのろう接部５２，５３との間
に段差を設けて、両者の間の耐電圧性能を高めて
いる。しかしながら、この構造でも、Mo製の陰
極支持棒４４，４５は長くする必要があり、依然
としてコスト高であり、又、陰極支持棒４４，４
５のろう接部５２，５３の加熱が避けらないとい
う不都合がある。更に又、いずれの例でも、セラ
ミツクステム４６と陰極支持棒４４，４５、金属
容器５４の気密ろう接部が異なる管軸方向位置に
あるため、それらのろう接のためのメタライズ層
の形成工程が繁雑になる不都合がある。

又、先行技術として第９図に示すマグネトロン
があり、セラミツクステム１９に貫通孔H₁，H₂
が穿たれ、この貫通孔H₁，H₂には陰極入力線２
５，２６が貫通挿入されている。そして、この陰
極入力線２５，２６の一端は棒状の陰極支持体２
３，２４に突き合わせ接合され、他端はチヨーク
コイル１１，１２のリード線に接続されている。
ところが、このマグネトロンは支持体と入力線と
の接合が困難で高い信頼性を得ることが容易でな
い。

〔考案の目的〕

この考案の目的は、陰極入力線と陰極支持棒の
接続状態の信頼性を向上した電子レンジ用マグネ
トロンを提供することである。

〔考案の概要〕

この考案は、セラミツクステムの真空側内面
に、一対の棒状陰極支持体が挿入される位置決め
用凹部が設けられ、更に、この凹部に通じる通気
用スリツトが夫々向きを異ならせて形成され、か
つ上記セラミツクステムの大気側外面に、上記一
対の棒状陰極支持体のうちの一方を特定する小凹
部（又は小凸部）が、上記セラミツクステムに設
けた貫通孔の１つの近くに設けられてなる電子レ
ンジ用マグネトロンである。

〔考案の実施例〕

この考案のマグネトロンは、第１図に示すよう
に構成され、銅製の陽極円筒１の内面には、中心
に向かつて複数個の銅製ベイン２が放射状に配設
されている。そして上記陽極円筒１の中心には、
螺旋状にして炭化されたトリウムタングステン・
フイラメントからなる陰極３が配設され、この陰
極３の両端は夫々エンドチツプ２０、エンドハツ
ト２１とエンドハツト２２に固着されている。こ
のエンドチツプ２０、エンドハツト２１は棒状の
陰極支持体２３に取付けられ、エンドハツト２２
は棒状の陰極支持体２４に取付けられている。こ
れら陰極支持体２３，２４は、モリブデン等の高
融点金属からなつている。又、上記陽極円筒１の
外周には、アルミ製の複数のフインからなるラジ
エータ６が固着されている。更に、上記陽極円筒
１の両端には夫々鉄製のポールピース４，５が固
着されており、各ポールピース４，５の夫々管軸
方向外側には環状のフエライト磁石７，８が配設
されている。そして、これら陽極円筒１、ラジエ
ータ６及びフエライト磁石７，８を取り囲むよう
に、枠状のヨーク２９が設けられ、上記フエライ
ト磁石７，８に取付けられている。上記一方のポ
ールピース５には出力部３０が突設され、この出
力部３０は筒状の封着金属体１４、セラミツク製
筒体１５、封着金属体１６、排気管１７、端帽３
１、アンテナフイーダ１３からなつており、この
アンテナフイーダ１３は上記ベイン２の一つに接
続されている。又、他方のポールピース４には、
入力部５０が突設されている。即ち、厚さ0.4mm
の鉄製薄板からなる金属製封着体１８を介して、
セラミツクステム１９が上記フエライ磁石７，８
を貫通して突設されている。このセラミツクステ
ム１９を取出して示すと第２図乃至第４図のよう
になり、第２図は真空側内面から見た斜視図、第
３図は真空側内面から見た平面図、第４図は大気
側外面から見た平面図である。そして、このセラ
ミツクステム１９には、管軸方向に径の異なる２
個の貫通孔H₁，H₂が穿設されている。更に、こ
のセラミツクステム１９の真空側内面には、第２
図及び第３図からも明らかなように、環状溝５８
と中央溝５９が形成されると共に、上記一対の棒
状陰極支持体２３，２４の位置決め用の凹部M₁，
M₂が穿たれている。又このセラミツクステム１
９の真空側内面には、外側に環状のメタライズ面
S₁が形成され、内側に２つのメタライズ面S₂，S₃
が形成されている。この各メタライズ面S₂，S₃に
は、上記凹部M₁，M₂に通じる通気用のスリツト
L₁，L₂が、各向きを異ならせて非軸対称に形成
されている。一方、セラミツクステム１９の大気
側外面には、第４図から明らかなように、上記一
対の棒状陰極支持体２３，２４のうちの一方を特
定する小凹部（又は小凸部）Ｐが、上記貫通孔
H₂の近くに設けられている。そして、上記環状
のメタライズ面S₁には上記セラミツク製封着体１
８が、上記２つのメタライズ面S₂，S₃には接合金
属体２７，２８が、夫々銀ろう付けにより気密封
着されている。上記接合金属体２７，２８は板状
にして、セラミツクに近い熱膨脹率の鉄〜ニツケ
ル合金よりなつており、上記貫通孔H₁，H₂を覆
つているが、各接合金属体２７，２８に夫々上記
陰極支持体２３，２４が貫通固着され、各先端は
上記凹部M₁，M₂内に位置している。又、上記２
個の貫通孔H₁，H₂には、夫々陰極入力線２５，
２６が貫通されている。この陰極入力線２５，２
６は、直径1.5mmの鉄線にニツケル表面層を形成
したものであり、その各一端は夫々上記接合金属
体２７，２８にろう付け等の手段により、貫通固
着されている。

このようにして陰極入力線２５，２６は、上記
接合金属体２７，２８、上記陰極支持体２３，２
４、上記エンドチツプ２０、エンドハツト２１、
エンドハツト２２を介して、上記陰極３に電気的
に接続されている。又、陰極入力線２５，２６の
各他端には、夫々フイルタを構成するインダクタ
例えばチヨークコイル１１，１２のリード線が接
続されている。このチヨークコイル１１，１２の
リード線は、シールドボツクス９に固定された貫
通型コンデンサ１０に接続されている。そして、
上記シールドボツクス９は、上記セラミツクステ
ム１９、チヨークコイル１１，１２、貫通型コン
デンサ１０を覆つて上記ヨーク２９に取付けられ
ている。

〔考案の効果〕

この考案ではセラミツクステム１９の真空側内
面に、一対の棒状陰極支持体２３，２４が挿入さ
れる位置決め用凹部M₁，M₂が設けられ、更に、
この各凹部M₁，M₂に通じる通気用スリツトL₁，
L₂が夫々向きを異ならせて非軸対称に形成され
ているので、凹部M₁，M₂内の排気が確実に行わ
れるとともに、陰極入力線のいずれか一方を陰極
の特定の巻回方向と一致させて組立てることが確
実容易にできる。電子レンジ用マグネトロンは一
般に陰極の加熱電源として交流が用いられ、この
陰極で形成される磁場と永久磁石による磁場との
合成磁界が陰極の巻回方向により異なる。高圧陽
極電源は半波倍電圧であるため上記合成磁場がマ
グネトロンの個々に異なるように接続されると特
性が不揃いとなる。この考案によれば、向きが非
軸対称に形成されたスリツトL₁，L₂が陰極の巻
回方向と陰極入力線の１つとを対応させて特定す
るのに共通に利用することができる。

〔考案の変形例〕

第５図及び第６図はこの考案の変形例を示した
もので、上記実施例と同様効果が得られる。即
ち、第５図はセラミツクステム１９を大気側外面
から見た平面図であり、貫通孔H₁，H₂の径は同
一であるが、陰極支持体２３，２４の位置決め用
凹部M₁，M₂に対応する位置のスラム外面に径の
異なる小凹部（又は小凸部）P₁，P₂を設けたも
のである。

第６図は、第４図において小凹部（又は小凸
部）Ｐの代りに、貫通孔H₂のステム外面開口部
に小スリツトL₃を一体形成したものである。こ
のようにして陰極の特定の巻回方向と対応する陰
極支持棒並びに陰極入力線をマグネトロン外から
特定することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例に係るマグネトロ
ンを示す断面図、第２図はこの考案で用いるセラ
ミツクステムを拡大して示す斜視図、第３図及び
第４図は夫々第２図のセラミツクステムを真空側
並びに大気側から見た平面図、第５図及び第６図
はセラミツクステムの変形例を示す大気側から見
た平面図、第７図乃至第９図は従来のマグネトロ
ンを示す断面図である。 １……陽極円筒、３……陰極、１９……セラミ
ツクステム、２３，２４……陰極支持体、２５，
２６……陰極入力線、H₁，H₂……貫通孔、L₁，
L₂，L₃……スリツト、M₁，M₂……凹部、Ｐ，
P₁，P₂……小凹部（小凸部）。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 陽極円筒の一開口端側に気密接合されて突設さ
   れたセラミツクステムと、このセラミツクステム
   に形成された貫通孔に貫通され、このセラミツク
   ステムの内面の一部に気密接合されたうえ、螺旋
   状陰極を支持する一対の棒状陰極支持体に電気的
   に接続された陰極入力線とを具備する電子レンジ
   用マグネトロンにおいて、 上記セラミツクステムの真空側内面に、上記一
   対の棒状陰極支持体が挿入される位置決め用凹部
   が設けられ、更に、この各凹部に通じる通気用ス
   リツトが夫々向きを異ならせて非軸対称に形成さ
   れてなることを特徴とする電子レンジ用マグネト
   ロン。