JPH03295808A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、酸化物超電導体の製造方法に関するもので
、特に、ゾルゲル法による酸化物超電導体の製造方法に
関するものである。
、特に、ゾルゲル法による酸化物超電導体の製造方法に
関するものである。
［従来の技術］
１９８６年末にベドノルツおよびミニラーらにより、従
来の超電導体と比較して、高い臨界温度を有するＬａ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系の複合酸化物超電導体が発見されて以
来、より優れた超電導特性を有する超電導体の発見が相
次いだ。現在、最も高い臨界温度を示す物質としては、
複合層状構造を有するＴ ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系
およびＢ１−５ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体が知ら
れている。
来の超電導体と比較して、高い臨界温度を有するＬａ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系の複合酸化物超電導体が発見されて以
来、より優れた超電導特性を有する超電導体の発見が相
次いだ。現在、最も高い臨界温度を示す物質としては、
複合層状構造を有するＴ ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系
およびＢ１−５ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体が知ら
れている。
これらの酸化物超電導体の製造方法としては、酸化物や
炭酸塩の粉末を、乳鉢等で混合した後、焼成し、焼結体
を得るという、いわゆる乾式法が一般的であった。
炭酸塩の粉末を、乳鉢等で混合した後、焼成し、焼結体
を得るという、いわゆる乾式法が一般的であった。
［発明が解決しようとする課題］
乾式法による各粉末の機械的混合では、１μｍ以下の粒
度をもって均一に混合させるのは困難であると考えられ
ている。混合状態が不均一であると、高温超電導相以外
の相が混在し、超電導特性の優れたものが得にくい、と
いう問題があった。
度をもって均一に混合させるのは困難であると考えられ
ている。混合状態が不均一であると、高温超電導相以外
の相が混在し、超電導特性の優れたものが得にくい、と
いう問題があった。
また、焼成に高い温度が必要となる、という問題があっ
た。
た。
上記の問題を解決し得る方法として、金属アルコキシド
を用いるゾルゲル法が考えられる。
を用いるゾルゲル法が考えられる。
しかしながら、このようなゾルゲル法では、ビスマスや
銅のアルコキシドは、溶媒となるアルコールに対する溶
解度が低いという問題がある。
銅のアルコキシドは、溶媒となるアルコールに対する溶
解度が低いという問題がある。
さらに、溶質および溶媒の組合せによっては、目的とす
る組成のものではない物質が析出してしまう可能性があ
る。また、残留不純物の構成元素を少なくするため、Ｃ
，Ｈ以外の元素（Ｎ、Ｂｒ、ＣＩなど）は、少、ないほ
うが好ましい。したがって、溶質を構成する原料および
溶媒の選択を行なう必要がある。
る組成のものではない物質が析出してしまう可能性があ
る。また、残留不純物の構成元素を少なくするため、Ｃ
，Ｈ以外の元素（Ｎ、Ｂｒ、ＣＩなど）は、少、ないほ
うが好ましい。したがって、溶質を構成する原料および
溶媒の選択を行なう必要がある。
それゆえに、この発明の目的は、ゾルゲル法を用いるＴ
Ｉ −Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ
−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体の製造
方法において、ゾルゲル法の長所を活かすべく、溶質お
よび溶媒の好ましい組合せを提供しようとすることであ
る。
Ｉ −Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ
−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体の製造
方法において、ゾルゲル法の長所を活かすべく、溶質お
よび溶媒の好ましい組合せを提供しようとすることであ
る。
［課題を解決するための手段］
この発明は、ゾルゲル法によりＴ Ｉ −Ｂ ｉ −５
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体を製造する場合に有利に適用
される具体的な溶質および溶媒の好ましい組合せを提供
したことを要旨としている。
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体を製造する場合に有利に適用
される具体的な溶質および溶媒の好ましい組合せを提供
したことを要旨としている。
すなわち、この発明に係る製造方法においては、溶質と
して、酢酸タリウム、オキシ酢酸ビスマス、酢酸ストロ
ンチウム、酢酸カルシウムおよび酢酸銅が用いられ、他
方、溶媒として、酢酸と水の混合溶液が用いられる。し
たがって、まず、これら溶質を、溶媒となる酢酸と水の
混合溶液に均質に溶解させた溶液が準備される。次いで
、溶媒としての酢酸および水を除去するように、前記溶
液が乾燥され、それによって前駆体が与えられる。この
前駆体を焼成することにより、所望の酸化物超電導体が
得られる。
して、酢酸タリウム、オキシ酢酸ビスマス、酢酸ストロ
ンチウム、酢酸カルシウムおよび酢酸銅が用いられ、他
方、溶媒として、酢酸と水の混合溶液が用いられる。し
たがって、まず、これら溶質を、溶媒となる酢酸と水の
混合溶液に均質に溶解させた溶液が準備される。次いで
、溶媒としての酢酸および水を除去するように、前記溶
液が乾燥され、それによって前駆体が与えられる。この
前駆体を焼成することにより、所望の酸化物超電導体が
得られる。
［作用〕
酢酸タリウム、オキシ酢酸ビスマス、酢酸ストロンチウ
ム、酢酸カルシウムおよび酢酸銅、さらには必要に応じ
て酢酸鉛を、酢酸と水の混合溶液に均一に溶かすことに
より、濃度が高く、目的とする物質以外の析出物のない
溶液を作製することができる。
ム、酢酸カルシウムおよび酢酸銅、さらには必要に応じ
て酢酸鉛を、酢酸と水の混合溶液に均一に溶かすことに
より、濃度が高く、目的とする物質以外の析出物のない
溶液を作製することができる。
このように、溶液の濃度を高くできると、取除くべき溶
媒の量を減らすことができる。また、余分な析出物がな
ければ、目的とする組成を容易に得ることができる。
媒の量を減らすことができる。また、余分な析出物がな
ければ、目的とする組成を容易に得ることができる。
［発明の効果］
この発明によれば、Ｔ ｌ −Ｂ ｉ−３ｒ−ＣａＣｕ
−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系超電導体を、酢酸塩水溶液を用いることによって、ゾ
ルゲル法により製造することが可能になる。
−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系超電導体を、酢酸塩水溶液を用いることによって、ゾ
ルゲル法により製造することが可能になる。
したがって、ゾルゲル法が有する長所を、Ｔｌ−Ｂ ｉ
−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体の製造においても活か
すことができる。すなわち、Ｔｌ−Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系またはＴＩ−Ｂ １−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系超電導体を構成する元素は、溶液中において混
合状態となるので、これら元素の均一化が容易である。
−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体の製造においても活か
すことができる。すなわち、Ｔｌ−Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系またはＴＩ−Ｂ １−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系超電導体を構成する元素は、溶液中において混
合状態となるので、これら元素の均一化が容易である。
また、これら元素を各々含む粒子を、極めて小さいもの
とすることができる。また、純度の高いＴｌ−Ｂ１−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体を得ることができる。さら
に、焼成するための温度を、従来の乾式法による場合に
比べて、低くすることができる。
とすることができる。また、純度の高いＴｌ−Ｂ１−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体を得ることができる。さら
に、焼成するための温度を、従来の乾式法による場合に
比べて、低くすることができる。
これらのことから、高品質のＴｌ−Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系超電導体を得ることができる。
Ｃｕ−０系またはＴｌ−Ｂ１−Ｐｂ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系超電導体を得ることができる。
また、溶液をゾル化して、ゾルがら、直接、ファイバ状
に紡糸することも、あるいは、乾燥させて得られた前駆
体を粉砕して、粉末化し、これをベレットに成形してか
ら、焼成することもできる。
に紡糸することも、あるいは、乾燥させて得られた前駆
体を粉砕して、粉末化し、これをベレットに成形してか
ら、焼成することもできる。
したがって、任意の形状のＴｌ−Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系またはＴ Ｉ −Ｂ １−Ｐｂ−５ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ−０系超電導体を得ることができる。
ｕ−０系またはＴ Ｉ −Ｂ １−Ｐｂ−５ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ−０系超電導体を得ることができる。
［実施例］
実施例１
酢酸タリウム［ＴＩ ＣＨ，Ｃｏｏｌ 、オキシ酢酸ビ
スマス［Ｂ １ＯＣＨ３ＣＯＯコ、酢酸ストロンチウム
［Ｓ ｒ （ＣＨａ Ｃｏｏ）２ ’ １／２Ｈ２０
］、酢酸カルシウム［Ｃａ （ＣＨａ ＣＯＯ） ２・
Ｈ２０］および酢酸銅［Ｃｕ （ＣＨ，Ｃ００）２］
を、Ｔ１：Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ−０，８二〇、２：
２：２：３の配合比となるように配合した。この配合さ
れたものの約３ｇを、酢酸と水の混合溶液（ＣＨ，Ｃ０
ＯＨ： Ｈ２Ｏ−１： ５体積比）約５０ｍ（に溶かし
、混合溶液を作製した。
スマス［Ｂ １ＯＣＨ３ＣＯＯコ、酢酸ストロンチウム
［Ｓ ｒ （ＣＨａ Ｃｏｏ）２ ’ １／２Ｈ２０
］、酢酸カルシウム［Ｃａ （ＣＨａ ＣＯＯ） ２・
Ｈ２０］および酢酸銅［Ｃｕ （ＣＨ，Ｃ００）２］
を、Ｔ１：Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ−０，８二〇、２：
２：２：３の配合比となるように配合した。この配合さ
れたものの約３ｇを、酢酸と水の混合溶液（ＣＨ，Ｃ０
ＯＨ： Ｈ２Ｏ−１： ５体積比）約５０ｍ（に溶かし
、混合溶液を作製した。
この溶液を、９０℃で乾燥させた後、さらに３００℃で
２時間乾燥させて、焼成用前駆体を得た。
２時間乾燥させて、焼成用前駆体を得た。
次いで、この前駆体を粉砕し、ディスク状ペレットに成
形した後、金フォイルに包んで、８５０℃で３時間焼成
して、焼結体を得た。
形した後、金フォイルに包んで、８５０℃で３時間焼成
して、焼結体を得た。
この焼結体の帯磁率を測定したところ、９８にでマイス
ナー効果が現われた。
ナー効果が現われた。
実施例２
上記実施例１において、原料として、酢酸鉛［Ｐ ｂ
（ＣＨａ Ｃ００） ２ ・３Ｈ２０］を追加し、Ｔ
ｌ：Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ−０，６：０．２：
０．２：２：２：３の配合比となるように配合した。以
下、実施例１と同様のプロセスにより、焼結体を得た。
（ＣＨａ Ｃ００） ２ ・３Ｈ２０］を追加し、Ｔ
ｌ：Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ−０，６：０．２：
０．２：２：２：３の配合比となるように配合した。以
下、実施例１と同様のプロセスにより、焼結体を得た。
この焼結体の帯磁率を測定したところ、１０１にでマイ
スナー効果が現われた。
スナー効果が現われた。
Claims (2)
- （１）酢酸タリウム、オキシ酢酸ビスマス、酢酸ストロ
ンチウム、酢酸カルシウムおよび酢酸銅を、酢酸と水の
混合溶液に均質に溶解させた溶液を準備し、 前記酢酸および水を除去するように前記溶液を乾燥して
前駆体を得、 前記前駆体を焼成する、 各ステップを備える、酸化物超電導体の製造方法。 - （２）前記溶液を準備するステップにおいて、さらに酢
酸鉛を前記酢酸と水の混合溶液に溶解させる、請求項１
に記載の酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098945A JPH03295808A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098945A JPH03295808A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295808A true JPH03295808A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14233242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2098945A Pending JPH03295808A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295808A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0905277A1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für eine Bi-haltige keramische Schicht, insbesondere aus Strontium-Bismuth-Tantalat |
| KR100380118B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2003-06-18 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 세라믹층의형성방법 |
| KR100512474B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2005-09-05 | 이득용 | 초전도 선재용 세라믹 코팅액 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP2098945A patent/JPH03295808A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0905277A1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellverfahren für eine Bi-haltige keramische Schicht, insbesondere aus Strontium-Bismuth-Tantalat |
| US6126998A (en) * | 1997-09-30 | 2000-10-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Process for producing a ceramic layer containing Bi |
| KR100380118B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2003-06-18 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 세라믹층의형성방법 |
| KR100392319B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2003-09-19 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 비스무트함유세라믹층의형성방법 |
| EP0905278B1 (de) * | 1997-09-30 | 2005-06-15 | Infineon Technologies AG | Herstellverfahren für eine keramische Schicht |
| KR100512474B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2005-09-05 | 이득용 | 초전도 선재용 세라믹 코팅액 및 그 제조방법 |
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