JPH0328123A - 銅系酸化物超電導体粉末の製造方法 - Google Patents

銅系酸化物超電導体粉末の製造方法

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JPH0328123A
JPH0328123A JP15977789A JP15977789A JPH0328123A JP H0328123 A JPH0328123 A JP H0328123A JP 15977789 A JP15977789 A JP 15977789A JP 15977789 A JP15977789 A JP 15977789A JP H0328123 A JPH0328123 A JP H0328123A
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JP
Japan
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copper
precipitate
ion
based oxide
powder
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JP15977789A
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Akira Yamada
朗 山田
Hiroshi Nakajo
博史 中條
Hisao Watai
渡井 久男
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は湿式沈澱法を用いた銅系酸化物超電導体粉末
の製造方法に関するものである。
[従来の技術〕 酸化物超電導体を粉末から製造する場合、粉末の組成、
均質性、分散性、微細性は後の熱処理時あるいは線材化
時にその超電導性に大きく影響する。これらの特性を兼
ね備えたしかも安価な酸化物超電導体粉末を供給するこ
とは産業上極めて重要である。
従来の銅系酸化物超電導体の製造方法としては、セラミ
ックスの製造方法として最も一般的である方法として、
成分元素の酸化物あるいは炭酸塩等の粉末を所定比率で
配合したものを、例えば樹脂製、セラミノクス製等のボ
ールとアルコール等と共に樹脂製等の容器に入れ、機械
的に混合を行い、d合された粉末を乾燥後、仮焼してセ
ラミック粉末とする方法(ボールミル法)、あるいは沈
澱物の生或によって粉末を得る方法として、目的元素を
含む溶液と、主として蓚酸を含む沈澱形或液とを混合し
沈澱物を得る方法(蓚酸塩法)、さらに戊分の溶存を避
けるために多量のエタノールを加える方法、・あるいは
蓚酸エタノール溶液を添加し、沈澱物を得る方法(蓚酸
エタノール法)等があり、何れも得られた沈澱物を加熱
分解してセラミソク粉末を得る。
[発明が解決しようとする課題] 従来のボールミル法においては、機械的な混合操作のみ
のため、組成制御性、コスト的には有利であるが微細な
粉末を得ることは難しく、また凝集しやすく、分散性も
悪い。組成的にも出発原料の粒子以下の均一混合は不可
能であるために均質性も悪く、これらのことより、反応
性の高い良好な粉末を得ることは難しい。
蓚酸塩法、蓚酸エタノール法においては、得られる粉末
の微細性、均質性は良好であるものの溶液中の総ての戊
分を完全に沈澱させることは難しく、溶存成分が存在し
、組戊のコントロールは容易ではない。また蓚酸エタノ
ール法では、この溶存或分を減少させるために多量のア
ルコールを使用するため、コスト的に高くなり不利であ
る。
また、通常の共沈法による合成の場合には、蓚酸、銅イ
オン、アルカリ、そしてストロンチウム、カルシウムと
いった各種のイオンとの組み合わせによりジオクサラト
ト銅(n)酸塩を作って溶解するため、組戊制御性よく
沈澱を得ることは難しい。
以上のように得られる酸化物超電導体粉末が微細粒、高
分散性、組成均質性を合わせ持ちながら、組成の制御が
容易でしすら低コストである粉末製造法を実現すること
は難しいという問題点があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、微細粒、かつ高い分散性を持ちながら良好な組
戊制御性を実現した銅系酸化物超電導体粉末の製造方法
を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る銅系酸化物超電導体粉末の製造方法は、
銅と、銅イオンを除く他の陽イオンを形或する成分元素
とを含む銅系酸化物超電導体の製造方法において、上記
銅イオンを除く他の陽イオンを形成する成分元素を含む
溶液と沈澱形成液とを反応させて沈澱物を生成した後、
この沈澱物の洗浄を行い、しかるに後銅イオンを沈澱さ
せる工程を有するように構成したものである。
[作 用] 本発明においては、銅イオンを沈澱させる前に洗浄を行
うことにより、過剰の沈澱形成イオンを除去し、後工程
で銅イオンを沈澱させる際に、銅錯体を形成して、既に
沈澱物を形成している元素が再溶解を起こすことを防止
する。
[実施例] 以下、一実施例についてこの発明をさらに詳細に説明す
る。
実施例 1. Bi−Sr−Ca−Cu−0系酸化物超電導材料の内、
組成比Si:Sr:Ca:Cu−1:l:1:1.5の
材料を次のようにして作成した。原料としては、試薬特
級Bi(IIO*)s・3HmO,Sr(+10s)t
、Ca(NOs)14HtO%Cu(NOs)*・3H
*0を用いた。各原料をそれぞれ、4.851?, 2
.1161、2. 3629、および2.4169ずつ
秤量し、Bi(IIOs)s・3H,0は50−Qの2
N−HNO.に、他の成分はそれぞれ20〇一の蒸留水
中に溶解して溶液とした。作威したBi溶液を、強撹拌
されている蓚酸79を溶解した2N−HNOs、200
m<!中にlml2/會inの速度で滴下し、ビスマス
蓚酸塩の沈澱物を得た。次に、作成したストロンチウム
とカルシウムの溶液を混合してto−/sinで満下を
行った。この後、この溶液中にジェチルアミンを10@
C/+*inで溶液のPFIが7以上となるまで加え、
ストロンチウム、カルシウム蓚酸塩の沈澱物を得た。こ
の溶液をろ過して沈澱物を分離し、蒸留水により1回洗
浄を行い、洗浄した沈澱物を800一の蒸留水中でホモ
ジナイザーにより再分散させた。更に、この懸濁液を強
撹拌しつつ、ジメチルアミンにより常にpH> 10と
なるように調整しながら、上記銅溶液を10ml!/s
inで滴下し銅水酸化物の沈澱物を得て、最終的にビス
マス、ストロンチウム、カルシウム蓚酸塩、銅水酸化物
の混合沈澱物を得た。この懸濁液をろ過して沈澱物を分
離し、100℃にて乾燥した。これを粉砕後、650〜
750℃にて2時間仮焼し、化合物粉末を得た。
比較例 1. 実施例1と同じ組成を目標とし、同じ原料を同量用いて
共沈法により次のように合戊を行った。
強撹拌されているジメチルアミンによリpH>10とな
るように保たれた蓚酸IDを溶解した沈澱形al800
ml2中に、硝酸ビスマス、硝酸ストロンチウム、硝酸
カルシウム、硝酸銅を溶解した2N−HNO.溶液20
0−を、10ml)/minにて滴下し、沈澱物を得た
。この懸濁液をろ過して沈澱物を分離し、得られた沈澱
物を100゜Cにて乾燥した。この沈澱物を粉砕後65
0〜750゜Cにて2時間仮焼し、化合物粉末を得た。
比較例 2. 実施例1と同じ組戊をボールミルにより混合し仮焼して
作成した。原料は試薬特級Bj*Os、SrCOa、C
aCOs、CuOとし、実施例lに示した比率となるよ
うに秤量した。これをナイロン製ポノト中にジルコニア
ボール、メタ変性アルコールとともに入れ、l6時間混
合した。得られた泥漿を100゜Cにて乾燥した後、粉
砕して800℃にて2時間仮焼して、化合物粉末を得た
上記実施例1及び比較例2による化合物粉末の合成をそ
れぞれ3回ずつ行い、各合戊回数毎に得られた合成粉末
について、蛍光X線分析により組戊を調べた結果を表1
に示す。
表    1 組戊比(モル比) 合成方法  Bi   Sr   Ca   Cu実施
例1−1  1.00  1.02  1.01  1
.50〃1−2  1.00  0.98  1.01
  1.45”   l−3  1.00  0.97
  0.97  1.48比較例1−1  1.OQ 
 1.13  0.80  1.25N   12  
1.00  1.30  0.93  1.40〃l−
3  1.00  1.25  0.78  1.68
なお表1において、組或比はBi量(モルffi)を1
. 00とした。また、合或方法における実施例1−1
〜l−3、比較例1−1〜l−3は、1〜3回に渡る合
成回数を示す。
次に上記実施例l1比較例1及び比較例2によって得ら
れた合戊粉末について測定された平均粒径(粒度分布に
おける50%点の粒径)を表2に、また粒度分布を図に
示す。
表   2 合成方法   平均粒径(μm) 実施例 1      0. 57 比較例 1      0.91 比較例 2      1. 80 上記実施例及び比較例からこの発明の効果が顕著なもの
であることは明らかである。上記実施例によって得られ
た酸化物超電導体粉末は、例えば超電導線材、その他種
々の用途に用い得るものであり、微細粒、かつ組成均質
性を合わせ持つことにより、粉末の充填効率が向上し、
超電導遷移における遷移幅が小さくなり、高温相が従来
法よりも短時間で得られるなどの利点を有するものであ
る。
上記実施例の場合、蓚酸塩沈澱物を合成する際に、過剰
蓚酸イオンは、後に洗浄工程で除去されるため、沈澱形
成に対し十分な量の蓚酸を使うことが可能となり、対象
元素を高収率で沈澱捕果するのに効果的である。
なお、上記実施例ではBi−Sr−Ca−Cu−0系酸
化物超電導体を製造する場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、例えばY系、あるいはTi
,Zrなど他の系であっても同様の効果を期待すること
ができる。
また、沈澱の順序は必ずしも上記実施例のものに限定さ
れるものではないが、銅以外の、溶液中で最も分散し易
い沈澱を生ずる元素を最初に沈澱生威させることは望ま
しい。実施例ではSrとCaを同時に沈澱させているが
、水溶液時の原子レベルでの混合状態をそのまま沈澱さ
せ、沈澱物の均質性を向上させるのに効果的である。
出発原料として、硝酸塩は特に望ましてものの例である
が、水に可溶であれば他の化合物、例えば塩化物、酢酸
塩、アルコキシドなどでも用いることもできる。
さらに、沈澱形成液としては、蓚酸塩の形で沈澱可能な
銅以外の元素に対しては蓚酸類、その他の成分、例えば
CuSCd,^gscrscoなどに対しては水溶性の
アミン類が好ましく用いられる。上記蓚酸類としては、
例えば蓚酸、蓚酸エチル、蓚酸ジエチル、蓚酸メチル、
蓚酸ジメチルなどを挙げることができる。また、上記ア
ミン類としては、例えばエチノレアミン、ジエチルアミ
ン、トリエチルアミン、プチルアミン、ジブチルアミン
などを挙(デることができる。
さらにまた、上記実施例において、洗浄回数を1回とし
たが、これを複数回としても差し支えない。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、銅と、銅イオンを除く
他の陽イオンを形成する成分元素とを含む銅系酸化物超
電導体の製造方法において、上記銅イオンを除く他の陽
イオンを形戊する戊分元素を含む溶液と沈澱形成液とを
反応させて沈澱物を生成した後、この沈澱物の洗浄を行
い、しかる後銅イオンを沈澱させる工程を有するように
構或したことにより、微細かつ分散特性の良好なしかも
組或的にも均質である銅系酸化物超電導体粉末が得られ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例によって得られた合戊粉末につい
て測定された粒度分布曲線を比較例による合成粉末と比
較して示す特性図である。 ■. 2. 3. 4. 手続補正書 平成2 年3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 銅と、銅イオンを除く他の陽イオンを形成する成分元素
    とを含む銅系酸化物超電導体の製造方法において、上記
    銅イオンを除く他の陽イオンを形成する成分元素を含む
    溶液と沈澱形成液とを反応させて沈澱物を生成した後、
    この沈澱物の洗浄を行い、しかる後銅イオンを沈澱させ
    る工程を有することを特徴とする銅系酸化物超電導体粉
    末の製造方法。
JP15977789A 1989-06-23 1989-06-23 銅系酸化物超電導体粉末の製造方法 Pending JPH0328123A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206215A (en) * 1991-03-18 1993-04-27 Alcatel Alsthom Compagnie Generale D'electricite Process for obtaining precursors for high critical temperature superconductor ceramics comprising a first and second precipitation
EP1559698A1 (en) * 2002-10-29 2005-08-03 Yoshino Gypsum Co., Ltd. Method for producing light gypsum board

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206215A (en) * 1991-03-18 1993-04-27 Alcatel Alsthom Compagnie Generale D'electricite Process for obtaining precursors for high critical temperature superconductor ceramics comprising a first and second precipitation
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EP1559698A4 (en) * 2002-10-29 2010-10-06 Yoshino Gypsum Co METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT PLATE PLATE

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