JPH03295257A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体集積
回路における配線取り出し用電極の製造方法に関する。
回路における配線取り出し用電極の製造方法に関する。
（従来の技術）
以下、第２図を参照して従来の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。第２図は従来の半導体装置の製造方法
を工程順に示した断面図である。
ついて説明する。第２図は従来の半導体装置の製造方法
を工程順に示した断面図である。
まず、半導体基板２０上に第１の金属配線層２１を形成
し、第１の金属配線層２１上に絶縁膜２２を形成する（
第２図（ａ））。
し、第１の金属配線層２１上に絶縁膜２２を形成する（
第２図（ａ））。
次に、絶縁膜２２上にフォトレジスト２３を塗布し、Ｒ
ＩＥ （反応性イオンエツチング）法によりコンタクト
ホール２５を形成し、第１の金属配線層２１の表面を露
出させる（第２図（ｂ））。
ＩＥ （反応性イオンエツチング）法によりコンタクト
ホール２５を形成し、第１の金属配線層２１の表面を露
出させる（第２図（ｂ））。
その後、第１の金属配線層２１および絶縁膜２２上に第
２の金属配線層２６を形成する（第２図（Ｃ））。
２の金属配線層２６を形成する（第２図（Ｃ））。
この製造方法を用いると、反応性イオンエ、ッチング時
にフォトレジスト２３およびエツチングに用いるガス中
のＣ，Ｆが放出され、またエツチングが第１の金属配線
層２１表面まで達すると金属自身や表面不純物Ｃ，Ｆ、
αがスパッタ放出されるため、コンタクトポール２５の
側面および第１の金属配線層２１０表面に反応生成物２
４として付着してしまう。又、近年の高集積化に伴う素
子の微細化により、コンタクトのアスペクト比が大きく
なってくるのに伴い、第２の金属配線層２６をスパッタ
蒸着する時にホールから突出Ｉ−だ反応生成物のために
被覆形状が著しく悪化する（第２図（Ｃ））。
にフォトレジスト２３およびエツチングに用いるガス中
のＣ，Ｆが放出され、またエツチングが第１の金属配線
層２１表面まで達すると金属自身や表面不純物Ｃ，Ｆ、
αがスパッタ放出されるため、コンタクトポール２５の
側面および第１の金属配線層２１０表面に反応生成物２
４として付着してしまう。又、近年の高集積化に伴う素
子の微細化により、コンタクトのアスペクト比が大きく
なってくるのに伴い、第２の金属配線層２６をスパッタ
蒸着する時にホールから突出Ｉ−だ反応生成物のために
被覆形状が著しく悪化する（第２図（Ｃ））。
これら反応物は、コンタクトホール２５内に高融点金属
を選択成長させ埋め込む場合にも、側面部で異常成長を
起こ（−てｌ−まう。
を選択成長させ埋め込む場合にも、側面部で異常成長を
起こ（−てｌ−まう。
さらに、コンタクトホール２５開孔後、第２の金属配線
層をスパッタ蒸着するまで大気中に放置しておくと、以
下に示す様な金属の腐食反応が起こる＜ａの場合、Ｆも
同様の反応式）。
層をスパッタ蒸着するまで大気中に放置しておくと、以
下に示す様な金属の腐食反応が起こる＜ａの場合、Ｆも
同様の反応式）。
Ｍ＋４ａ２− →Ｍ、ＣＸ！； ＋３ｅ２Ａｊ！ Ｃｅ
４ ＋ ６Ｈ２０−会 ２Ａｆｌ！ （ＯＨ）３
＋ ６Ｈ”″ ＋ ８０２−度この反応が始まると
、Ｍの水酸化物が形成される時に生成されるα−によっ
てさらにＭの腐食が促進され、第１の金属配線層２１の
表面に厚いＭの水酸化物２７が形成され、導通不良を生
じる。従来の方法には以上のような問題点があった。
４ ＋ ６Ｈ２０−会 ２Ａｆｌ！ （ＯＨ）３
＋ ６Ｈ”″ ＋ ８０２−度この反応が始まると
、Ｍの水酸化物が形成される時に生成されるα−によっ
てさらにＭの腐食が促進され、第１の金属配線層２１の
表面に厚いＭの水酸化物２７が形成され、導通不良を生
じる。従来の方法には以上のような問題点があった。
（発明が解決しようとする課題）
このような方法を用いると、コンタクトホール側面およ
び第１の金属配線層上に反応生成物が付着するため第２
の金属配線層の被覆形状悪化および高融点金属埋め込み
の際のコンタクトホール側面部の異常成長を起こし、金
属配線層が腐食するという問題点があった。
び第１の金属配線層上に反応生成物が付着するため第２
の金属配線層の被覆形状悪化および高融点金属埋め込み
の際のコンタクトホール側面部の異常成長を起こし、金
属配線層が腐食するという問題点があった。
本発明は、以上の点に鑑み、コンタクトホール側面およ
び第１の金属配線層上に付着する反応生成物を除去し、
かつ第１の金属配線層の腐食を除去する方法を提供する
。
び第１の金属配線層上に付着する反応生成物を除去し、
かつ第１の金属配線層の腐食を除去する方法を提供する
。
［発明の構成］
（課題を解決するだめの手段）
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板上に
第１の金属配線層を形成する工程と、この第１の金属配
線層上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜にコンタ
クトポールを形成１７前記第１の金属配線層の表面を露
出させる工程と、前記コンタクトホールを有機アルカリ
系溶液で処理後熱処理を行う工程と、金属酸化物の還元
効果を有する化合物でプラズマ処理を行う工程と、第２
の金属配線層を形成する工程とを具備したことを特徴と
する。
第１の金属配線層を形成する工程と、この第１の金属配
線層上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜にコンタ
クトポールを形成１７前記第１の金属配線層の表面を露
出させる工程と、前記コンタクトホールを有機アルカリ
系溶液で処理後熱処理を行う工程と、金属酸化物の還元
効果を有する化合物でプラズマ処理を行う工程と、第２
の金属配線層を形成する工程とを具備したことを特徴と
する。
（作用）
この製造方法では、第１の金属配線層上の絶縁膜にコン
タクトホールを形成後、コンタクトホルを有機アルカリ
溶液で処理後熱処理して反応生成物中の不純物を除去し
第１の金属配線層表面を酸化し、続いて金属酸化物の還
元効果を有する化合物のプラズマ処理して金属表面を清
浄化する。
タクトホールを形成後、コンタクトホルを有機アルカリ
溶液で処理後熱処理して反応生成物中の不純物を除去し
第１の金属配線層表面を酸化し、続いて金属酸化物の還
元効果を有する化合物のプラズマ処理して金属表面を清
浄化する。
（実施例）
以下、本発明の実施例を第１図を参照して説明する。第
１図は、本発明の実施例を工程順に示した断面図である
。
１図は、本発明の実施例を工程順に示した断面図である
。
まず、半導体基板１０上にＣＶＤ法により膜厚３０００
人のシリコン酸化膜１８を形成し、その上から膜厚 ８
０００人のＢＰＳＧ膜１９膜形９し、半導体基板１０表
面を平坦化する。次に、第１の金属配線層１１であるＭ
１．０９６ｓｊ Ｏ，５％Ｃｕ膜を ８００ｎｍ
スパッタ堆積する。その後、ＰＥＰおよびＲＩＥにより
所望の寸法に加工した後、低温プラズマＣＶＤ装置中で
絶縁膜１２を膜厚１〜１．５μ順程度形成し、平坦化処
理を行う。次に、フォトレジスト１３を用いＰＥＰ及び
ＲＩＥにより第１の金属配線層１１と接続をとるためコ
ンタクトホール１５を形成し、コンタクトホール１５内
底部の第１の金属配線層１１の表面を露出させる。この
とき、レジスト１３やエツチングに用いるガス中のＣや
Ｆがコンタクトホール１５の側面および第１の金属配線
層１１上の表面に付着し、かつ第１の金属配線層１１の
表面か露出すると、スパッタされたＡｔ！、 Ｃ，Ｆ
、 （Ｉｆがコンタクトホール１５の側面にイ；コ着し
、コンタクトホ−ル１５内面に反応生成物１４として付
着する（第１図（ａ））。
人のシリコン酸化膜１８を形成し、その上から膜厚 ８
０００人のＢＰＳＧ膜１９膜形９し、半導体基板１０表
面を平坦化する。次に、第１の金属配線層１１であるＭ
１．０９６ｓｊ Ｏ，５％Ｃｕ膜を ８００ｎｍ
スパッタ堆積する。その後、ＰＥＰおよびＲＩＥにより
所望の寸法に加工した後、低温プラズマＣＶＤ装置中で
絶縁膜１２を膜厚１〜１．５μ順程度形成し、平坦化処
理を行う。次に、フォトレジスト１３を用いＰＥＰ及び
ＲＩＥにより第１の金属配線層１１と接続をとるためコ
ンタクトホール１５を形成し、コンタクトホール１５内
底部の第１の金属配線層１１の表面を露出させる。この
とき、レジスト１３やエツチングに用いるガス中のＣや
Ｆがコンタクトホール１５の側面および第１の金属配線
層１１上の表面に付着し、かつ第１の金属配線層１１の
表面か露出すると、スパッタされたＡｔ！、 Ｃ，Ｆ
、 （Ｉｆがコンタクトホール１５の側面にイ；コ着し
、コンタクトホ−ル１５内面に反応生成物１４として付
着する（第１図（ａ））。
次に、コリン液（２−ハイドロキシエテル、トリメチル
アンモニウム、ハイドロオキサイド）で３０秒程度処理
した後、４００℃Ｎ２雰囲気中で１時間熱処理を行い反
応生成物１４を除去し、第１の金属配線層１１表面のＭ
をＡｅ２０３１７へ変化させる（第１図（ｂ））。
アンモニウム、ハイドロオキサイド）で３０秒程度処理
した後、４００℃Ｎ２雰囲気中で１時間熱処理を行い反
応生成物１４を除去し、第１の金属配線層１１表面のＭ
をＡｅ２０３１７へ変化させる（第１図（ｂ））。
その後、Ｂα３プラズマ処理を行うことにより、成２
０３ ＋ ＢＣｌ３ →成＋ＢＯｉ＋Ａｊ！α３の反
応でＡｅ２０．ｉ１７をＭへ還元させる。さらに４００
℃真空下で５分間熱処理を行い、Ｍ表面のＭ Ｃ１３を
完全に除去し、第１の金属配線層１１であるＭ表面を清
浄する（第１図（Ｃ））。
０３ ＋ ＢＣｌ３ →成＋ＢＯｉ＋Ａｊ！α３の反
応でＡｅ２０．ｉ１７をＭへ還元させる。さらに４００
℃真空下で５分間熱処理を行い、Ｍ表面のＭ Ｃ１３を
完全に除去し、第１の金属配線層１１であるＭ表面を清
浄する（第１図（Ｃ））。
この後は、第２の金属配線層１６の被覆形状悪化を防ぐ
ために、コンタクトホール１５内にＣＶＤ法により高融
点金属膜（たとえばＷ）１Ｂ−ａを成長させ、コンタク
トホール１５を埋め込む。この上から配線層１６−ｂで
あるＡｌ−１，０％５ｉ−０，５％Ｃｕ膜を形成し、高
融点金属膜１６−ａおよび配線層１６−ｂで第２の金属
配線層１６を形成する（第１図（ｄ））。
ために、コンタクトホール１５内にＣＶＤ法により高融
点金属膜（たとえばＷ）１Ｂ−ａを成長させ、コンタク
トホール１５を埋め込む。この上から配線層１６−ｂで
あるＡｌ−１，０％５ｉ−０，５％Ｃｕ膜を形成し、高
融点金属膜１６−ａおよび配線層１６−ｂで第２の金属
配線層１６を形成する（第１図（ｄ））。
本実施例によれば、コンタクトホール側面および第１の
金属配線１１の表面に付着した反応生成物１４をコリン
液処理後Ｎ２雰囲気中て熱処理をし、Ｂａ２３プラズマ
処理にて除去し、コンタクトホール側面および第１の金
属配線層１１表面を洗浄するため、従来の方法で問題だ
った反応生成物１４を除去し、また、第１の金属配線層
１１の表面の腐食を防止できる。
金属配線１１の表面に付着した反応生成物１４をコリン
液処理後Ｎ２雰囲気中て熱処理をし、Ｂａ２３プラズマ
処理にて除去し、コンタクトホール側面および第１の金
属配線層１１表面を洗浄するため、従来の方法で問題だ
った反応生成物１４を除去し、また、第１の金属配線層
１１の表面の腐食を防止できる。
なお、本実施例では、コンタクトホール１５内に高融点
金属を埋め込んだが、配線層１６−ｂを直接節２の金属
配線層１６として形成してもよい。また、ＢＣｌ３プラ
ズマ処理の代わりにＢ２Ｈ６等の化合物を使用してもよ
い。
金属を埋め込んだが、配線層１６−ｂを直接節２の金属
配線層１６として形成してもよい。また、ＢＣｌ３プラ
ズマ処理の代わりにＢ２Ｈ６等の化合物を使用してもよ
い。
［発明の効果］
以上の結果から、本発明を用いることによって、コンタ
クトホール側面および第１の金属配線層上に付着する反
応生成物を除去し、かつ第１の金属配線層の腐食を防止
する。
クトホール側面および第１の金属配線層上に付着する反
応生成物を除去し、かつ第１の金属配線層の腐食を防止
する。
第１図は本発明の実施例に係わる半導体装置の製造方法
を工程順に示した断面図、第２図は従来技術に係わる半
導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。 １０．２０・・半導体基板、１１．２１・・・第１の金
属配線層、１２．２２・・絶縁膜、１５．２５・・・コ
ンタクトホール、１６、２１１ｉ・・・第２の金属配線
層。
を工程順に示した断面図、第２図は従来技術に係わる半
導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。 １０．２０・・半導体基板、１１．２１・・・第１の金
属配線層、１２．２２・・絶縁膜、１５．２５・・・コ
ンタクトホール、１６、２１１ｉ・・・第２の金属配線
層。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に第１の金属配線層を形成する工程
と、この第１の金属配線層上に絶縁膜を形成する工程と
、この絶縁膜にコンタクトホールを形成し前記第１の金
属配線層の表面を露出させる工程と、前記コンタクトホ
ールを有機アルカリ系溶液で処理後熱処理を行う工程と
、前記コンタクトホールを金属酸化物の還元効果を有す
る化合物のプラズマ処理を行う工程と、第２の金属配線
層を形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - （２）コンタクトホールを金属酸化物の還元効果を有す
る化合物のプラズマ処理を行う工程と、コンタクトホー
ルを導電体で埋め込む工程と、第２の金属配線層を形成
する工程とを具備したことを特徴とする請求項（１）記
載の半導体装置の製造方法。 - （３）金属酸化物の還元効果を有する化合物としてＢＣ
ｌ＿３を用いることを特徴とする請求項（１）記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9650390A JP2892432B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9650390A JP2892432B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295257A true JPH03295257A (ja) | 1991-12-26 |
| JP2892432B2 JP2892432B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=14166914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9650390A Expired - Fee Related JP2892432B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892432B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451291A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-19 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a via contact hole of a semiconductor device |
| CN106548936A (zh) * | 2015-09-23 | 2017-03-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种金属层的刻蚀方法 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9650390A patent/JP2892432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451291A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-19 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a via contact hole of a semiconductor device |
| CN106548936A (zh) * | 2015-09-23 | 2017-03-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种金属层的刻蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892432B2 (ja) | 1999-05-17 |
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