JPH03293357A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH03293357A JPH03293357A JP2093943A JP9394390A JPH03293357A JP H03293357 A JPH03293357 A JP H03293357A JP 2093943 A JP2093943 A JP 2093943A JP 9394390 A JP9394390 A JP 9394390A JP H03293357 A JPH03293357 A JP H03293357A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、合成が容易で感度、解像度などの光学特性及
び現像特性に優れる感光性樹脂組成物に関するものであ
る。
び現像特性に優れる感光性樹脂組成物に関するものであ
る。
マ、゛(来、半導体を子の表面保護膜、層間絶縁膜なと
には、耐熱性が優れ、また卓越した電気絶縁性、機械強
度などを有するポリイミドが用いられているが、ポリイ
ミドパターンを作成する煩り1[な工程を簡略化する為
にポリイミド自hξこ感光性を付与する技術が最近注目
を集めている。
には、耐熱性が優れ、また卓越した電気絶縁性、機械強
度などを有するポリイミドが用いられているが、ポリイ
ミドパターンを作成する煩り1[な工程を簡略化する為
にポリイミド自hξこ感光性を付与する技術が最近注目
を集めている。
例えば、下式
て示される様な構造のエステル基て感光性基を付与した
ポリイミド前駆体糺成物(特公昭55−41422、特
開昭60−228537号公報)あるいはポリアミック
酸に化学線により2@化または重合可能な炭素−炭素二
重全結合およびアミノ基または、その四級化塩を含む化
合物を添加した組成物(例えば特開昭54−14579
4号公報)などが知られている。
ポリイミド前駆体糺成物(特公昭55−41422、特
開昭60−228537号公報)あるいはポリアミック
酸に化学線により2@化または重合可能な炭素−炭素二
重全結合およびアミノ基または、その四級化塩を含む化
合物を添加した組成物(例えば特開昭54−14579
4号公報)などが知られている。
これらは、いずれも適当な有機溶剤に溶解し、ワニス状
態で塗布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照
射し、現像、リンス処理して所望のパターンを得、さら
に加熱処理する事によりポリイミド被膜としている。
態で塗布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照
射し、現像、リンス処理して所望のパターンを得、さら
に加熱処理する事によりポリイミド被膜としている。
感光性を付与したポリイミドを使用するとパターン作成
工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性の強いエツチ
ング液を使用しなくてすむので安全でかつ、公害上の心
配もなく、ポリイミドの感光性化は今後、−層重要な技
術となる事が期待されている。
工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性の強いエツチ
ング液を使用しなくてすむので安全でかつ、公害上の心
配もなく、ポリイミドの感光性化は今後、−層重要な技
術となる事が期待されている。
しかし、かかる従来の感光化技術を適用するとエステル
基で感光性基を付与したポリイミド前駆体組成物では、
合成経路が複雑な為に、低分子量でかつイオン性不純物
の多いものしか得られず、半導体工業で使用することは
難しかった。
基で感光性基を付与したポリイミド前駆体組成物では、
合成経路が複雑な為に、低分子量でかつイオン性不純物
の多いものしか得られず、半導体工業で使用することは
難しかった。
又ポリアミック酸に化学線により2jl化または重合可
能な炭素−炭素二重結合およびアミノ基または、その四
級化塩を含む化合物を添加した組成物では、現像時にク
ラックの発生や膜ヘリが生じやすく、又解像度が低いな
ど半導体工業で通常用いられている製造工程で処理する
には不十分てあフた・ 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的とするところは、ポリアミック酸中にN−
メチロールアクリルアミド又はN−メチロールメタクリ
ルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮合物と光増
感剤を配合するという比較的簡単な製法により、高感度
、高解像度の光バターニング性を有し、また現像時にク
ラックなどの発生が皆無でかつ、膜減りが少なく、さら
に硬化後の被膜中のイオン性不純物を極めて微量にまで
低減した優れた感光性樹脂組成物を提供するにある。
能な炭素−炭素二重結合およびアミノ基または、その四
級化塩を含む化合物を添加した組成物では、現像時にク
ラックの発生や膜ヘリが生じやすく、又解像度が低いな
ど半導体工業で通常用いられている製造工程で処理する
には不十分てあフた・ 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的とするところは、ポリアミック酸中にN−
メチロールアクリルアミド又はN−メチロールメタクリ
ルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮合物と光増
感剤を配合するという比較的簡単な製法により、高感度
、高解像度の光バターニング性を有し、また現像時にク
ラックなどの発生が皆無でかつ、膜減りが少なく、さら
に硬化後の被膜中のイオン性不純物を極めて微量にまで
低減した優れた感光性樹脂組成物を提供するにある。
本発明は、
(1) (A)下記式CI)
(式中R,,R2は芳香族環状基を、mは1以上の整数
)で示されるポリアミック酸 (B)N−メチロールアクリルアミド又はN−メチロー
ルメタクリルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮
合物 (C)吸収極大波長(入maX)が330〜500IT
mである増感剤を必須成分とすることにより合成が容易
で、高感度、高解像度な感光性樹脂組成物を得ることに
ある。
)で示されるポリアミック酸 (B)N−メチロールアクリルアミド又はN−メチロー
ルメタクリルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮
合物 (C)吸収極大波長(入maX)が330〜500IT
mである増感剤を必須成分とすることにより合成が容易
で、高感度、高解像度な感光性樹脂組成物を得ることに
ある。
本発明におけるポリアミック酸(A)は、ポリイミド被
膜の耐熱性を向上させるために熱硬化後に芳香族ポリイ
ミドとなる事が望ましい。この様なポリアミック酸(A
)は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水
物との反応により通常得られる。
膜の耐熱性を向上させるために熱硬化後に芳香族ポリイ
ミドとなる事が望ましい。この様なポリアミック酸(A
)は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水
物との反応により通常得られる。
ポリアミック酸を合成するのに用いる芳香族ジアミンと
しては、例えば次の様なジアミンがあげられる。m−フ
ェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4′
−ジアミノジフェニルプロパン、4.41−ジアミノジ
フェニルメタン、ヘンジジン、4.4”−ジアミノジフ
ェニルスルフィト、4.4’−ジアミノジフェニルスル
ボン、3,3゛−ジアミノジフェニルスルホン、4,4
′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、4,4“−ジアミノ−p−テルフ
ェニル、2,6−ジアミツピリジン、ビス(4−アミノ
フェニル)ホスフィンオキシト、ビス(4−アミノフェ
ニル) −N −メチルアミン、1,5− ジアミ
ノナフタレン、3.3’−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノビフェニル、3,3′−ジメトキシベンジジン、2,
4−ビス(β−アミノ−t−ブチル)−トルエン、ビス
(p−β−アミノ−t−プチルフェニル)エーテル、p
−ビス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、
p−ビス(1,l−ジメチル−5−アミノペンチル)ベ
ンゼン、2,4−ジアミノトルエン、m−キシリレンジ
アミン、p−キシリレンジアミンなどであるが特にこれ
に限定されるものではない。本発明で使用するジアミン
成分としては、上記の芳香族ジアミンの他に各種特性を
付与する為にシリコーン系ジアミンや脂肪族系ジアミン
も勿論併用する事ができる。
しては、例えば次の様なジアミンがあげられる。m−フ
ェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4′
−ジアミノジフェニルプロパン、4.41−ジアミノジ
フェニルメタン、ヘンジジン、4.4”−ジアミノジフ
ェニルスルフィト、4.4’−ジアミノジフェニルスル
ボン、3,3゛−ジアミノジフェニルスルホン、4,4
′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、4,4“−ジアミノ−p−テルフ
ェニル、2,6−ジアミツピリジン、ビス(4−アミノ
フェニル)ホスフィンオキシト、ビス(4−アミノフェ
ニル) −N −メチルアミン、1,5− ジアミ
ノナフタレン、3.3’−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノビフェニル、3,3′−ジメトキシベンジジン、2,
4−ビス(β−アミノ−t−ブチル)−トルエン、ビス
(p−β−アミノ−t−プチルフェニル)エーテル、p
−ビス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、
p−ビス(1,l−ジメチル−5−アミノペンチル)ベ
ンゼン、2,4−ジアミノトルエン、m−キシリレンジ
アミン、p−キシリレンジアミンなどであるが特にこれ
に限定されるものではない。本発明で使用するジアミン
成分としては、上記の芳香族ジアミンの他に各種特性を
付与する為にシリコーン系ジアミンや脂肪族系ジアミン
も勿論併用する事ができる。
また、ポリアミック酸合成に使用する芳香族テトラカル
ボン酸二無水物成分は一種類でも、二種類以上の混合物
でもかまわないが用いられる芳香族テトラカルボン酸二
無水物としてはピロメリット酸二無水物、3.3’、
4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
2.3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、3.3’、4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2.2’、 3.3’−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’、4’−ジフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、3,3”、4,4”p−テルフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、l。
ボン酸二無水物成分は一種類でも、二種類以上の混合物
でもかまわないが用いられる芳香族テトラカルボン酸二
無水物としてはピロメリット酸二無水物、3.3’、
4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
2.3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、3.3’、4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2.2’、 3.3’−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’、4’−ジフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、3,3”、4,4”p−テルフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、l。
2.5,6.−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
2.2−ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)エー
テル型縮合物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8,−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,
3゜5.6,7.−へキサヒドロナフタレン−1,2,
5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,6.−ジクロ
ロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無
水物、2,7−シクロロナフタレンー1.4,5.8−
テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,
9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2
,3,4,5,−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン
−2,3,5,6,−テトラカルボン酸二無水物、2,
2−ビス(2,5−ジカルボキシフェニル)プロパンニ
無水物、1,1−ビス(2゜3−ジカルボキシフェニル
)エタ、ンニ無水物、1.l−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エタンニ無水物、ビス(2,3−ジカル
ボキシフェニル)メタンニ無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)スルホンニ無水物、ベンゼン−1,
2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、チオフ
ェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物など
であるが特にこれに限定されるものではない。
2.2−ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)エー
テル型縮合物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8,−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,
3゜5.6,7.−へキサヒドロナフタレン−1,2,
5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,6.−ジクロ
ロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無
水物、2,7−シクロロナフタレンー1.4,5.8−
テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,
9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2
,3,4,5,−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン
−2,3,5,6,−テトラカルボン酸二無水物、2,
2−ビス(2,5−ジカルボキシフェニル)プロパンニ
無水物、1,1−ビス(2゜3−ジカルボキシフェニル
)エタ、ンニ無水物、1.l−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エタンニ無水物、ビス(2,3−ジカル
ボキシフェニル)メタンニ無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)スルホンニ無水物、ベンゼン−1,
2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、チオフ
ェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物など
であるが特にこれに限定されるものではない。
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物の他に各種特性を
付与する為にシリコーン系テトラカルボン酸二無水物や
脂肪族系テトラカルボン酸二無水物も勿論併用する事が
できる。
付与する為にシリコーン系テトラカルボン酸二無水物や
脂肪族系テトラカルボン酸二無水物も勿論併用する事が
できる。
本発明におけるN−メチロールアクリルアミド又はN−
メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエーテ
ル型縮合物(B)は1分子中に高い光反応性を有するア
クリルアミド又はメタクリルアミド基を2基以上有する
化合物である。N−メチロールアクリルアミド又はN−
メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエーテ
ル型縮合物(B)は、ポリアミック酸(A)に対する溶
解性が高いばかりではなく、光パターン形成時の光照射
工程において、アクリルアミド又はメタクリルアミド基
が光架橋反応することにより高感度で高解像度の光パタ
ーンが形成することが可能となる。
メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエーテ
ル型縮合物(B)は1分子中に高い光反応性を有するア
クリルアミド又はメタクリルアミド基を2基以上有する
化合物である。N−メチロールアクリルアミド又はN−
メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエーテ
ル型縮合物(B)は、ポリアミック酸(A)に対する溶
解性が高いばかりではなく、光パターン形成時の光照射
工程において、アクリルアミド又はメタクリルアミド基
が光架橋反応することにより高感度で高解像度の光パタ
ーンが形成することが可能となる。
N−メチロールアクリルアミド又はN−メチロールメタ
クリルアミドと多価アルコールのエーテル型縮合物(B
)は通常リン酸など酸を触媒とする反応により得られる
。
クリルアミドと多価アルコールのエーテル型縮合物(B
)は通常リン酸など酸を触媒とする反応により得られる
。
多価アルコールとしてはエチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、1,4−ブタンジオール、l、J−ブタ
ンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ポリ
ビニルアルコール、トリエタノールアミン、N−メチル
ジェタノールアミン、ジェタノールアミン、N−フエニ
ルジエタノールアミンなとであるがこれらに限定されな
い。
ングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、1,4−ブタンジオール、l、J−ブタ
ンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ポリ
ビニルアルコール、トリエタノールアミン、N−メチル
ジェタノールアミン、ジェタノールアミン、N−フエニ
ルジエタノールアミンなとであるがこれらに限定されな
い。
又本発明で使用するN−メチロールアクリルアミド又は
N−メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエ
ーテル型縮合物(B)成分として、上記のN−メチロー
ルアクリルアミド又はN−メチロールメタクリルアミド
と多価アルコールのエーテル型縮合物(B)の他に各種
特性を付与する為にアクリルアミド類、又は、アクリル
エステル類も勿論併用する事が出来る。
N−メチロールメタクリルアミドと多価アルコールのエ
ーテル型縮合物(B)成分として、上記のN−メチロー
ルアクリルアミド又はN−メチロールメタクリルアミド
と多価アルコールのエーテル型縮合物(B)の他に各種
特性を付与する為にアクリルアミド類、又は、アクリル
エステル類も勿論併用する事が出来る。
又本発明における増感剤(C)は330〜500nmに
吸収極大波長(入1Tlax)を持つ化合物である。
吸収極大波長(入1Tlax)を持つ化合物である。
λWaXが330nm以下であると、ポリアミック酸そ
のものに光が吸収されてしまい光反応ができないので好
ましくない。又、500nm以上であると可視光で光反
応してしまい作業場所をシールドルームにするなどのこ
とが必要となり、その取扱い性が低下するので好ましく
ない。本発明の増感剤は例えば、 などであるがこれらに限定されない。
のものに光が吸収されてしまい光反応ができないので好
ましくない。又、500nm以上であると可視光で光反
応してしまい作業場所をシールドルームにするなどのこ
とが必要となり、その取扱い性が低下するので好ましく
ない。本発明の増感剤は例えば、 などであるがこれらに限定されない。
実施例1
3.3’4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物290g(0,9mol)、4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル200g(1,0mol)をN−メ
チルピロリドン中で反応させポリアミック酸溶液を得た
。
無水物290g(0,9mol)、4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル200g(1,0mol)をN−メ
チルピロリドン中で反応させポリアミック酸溶液を得た
。
得られたポリアミック酸溶液(ポリアミック酸の固形分
)100重量部に対しN−メチロールアクリルアミドと
エチレングリコールとのエーテル型縮合物120重量部
とミヒラーケトン5重量部を室温で3時間攪拌し、溶解
、反応させた。
)100重量部に対しN−メチロールアクリルアミドと
エチレングリコールとのエーテル型縮合物120重量部
とミヒラーケトン5重量部を室温で3時間攪拌し、溶解
、反応させた。
得られた溶液をアルミ板上にスピンナーで塗布し乾燥機
により80℃で一時間乾燥し約10μmのフィルムを得
た。
により80℃で一時間乾燥し約10μmのフィルムを得
た。
このフィルムにコダック製フォトグラフィックステップ
タブレッ) No、2.21ステツプ(上記グレースケ
ールでは、段数が一段増加するごとに透過光量が前段の
1/r:iに減少するので現像後の被膜の残存段数が大
きいもの程感度が高い。)を重ね10100O/cm2
の紫外線を照射し、次いでN−メチルピロリドン60重
量部キシレン40重量部の現像液を用いて現像、さらに
キシレンでリンスをしたところ10段までパターンが残
存し、高感度であることがわかった。
タブレッ) No、2.21ステツプ(上記グレースケ
ールでは、段数が一段増加するごとに透過光量が前段の
1/r:iに減少するので現像後の被膜の残存段数が大
きいもの程感度が高い。)を重ね10100O/cm2
の紫外線を照射し、次いでN−メチルピロリドン60重
量部キシレン40重量部の現像液を用いて現像、さらに
キシレンでリンスをしたところ10段までパターンが残
存し、高感度であることがわかった。
又、別途凸版印刷製解像度測定用マスク(凸版テストチ
ャー)No 1)で同様の操作でパターンを作成したと
ころ、4μmまでパターンが解像し、高解像度であるこ
とが伴った。
ャー)No 1)で同様の操作でパターンを作成したと
ころ、4μmまでパターンが解像し、高解像度であるこ
とが伴った。
又、クラックの発生もなく、かつ膜厚の減少もほとんど
認められなかった。
認められなかった。
さらに、別途全面露光、現像、リンスの各工程を行ない
さらに150 、250 、350℃で各30分間加熱
硬化したポリイミドフィルムを、125℃、5時間イオ
ン性不純物を熱水抽出し、イオン性不純物量を測定した
。Naイオンは、0.lppm、 Clイオンは、0.
5ppmであり高純度であることがわかフた。
さらに150 、250 、350℃で各30分間加熱
硬化したポリイミドフィルムを、125℃、5時間イオ
ン性不純物を熱水抽出し、イオン性不純物量を測定した
。Naイオンは、0.lppm、 Clイオンは、0.
5ppmであり高純度であることがわかフた。
得られた感光性樹脂組成物は高感度、高解像度であり、
かつ現像時にクラックの発生や、膜減りも生じず、さら
にイオン性不純物も極めて少ないという非常に優れた効
果が同時に得られた。
かつ現像時にクラックの発生や、膜減りも生じず、さら
にイオン性不純物も極めて少ないという非常に優れた効
果が同時に得られた。
評価結果を第1表に示す。
実施例2.3
実施例1ON−メチロールアクリルアミドとエチレング
リコールエーテル型縮合物をN−メチロールメタクリル
アミドとエチレングリコールのエーテル型縮合物及びN
−メチロールアクリルアミドとポリビニルアルコールと
のエーテル型縮合物に変え、実施例1と同様の操作を行
ない感光性樹脂組成物を得、さらに実施例1と同様の評
価を行ない第1表の結果を得た。
リコールエーテル型縮合物をN−メチロールメタクリル
アミドとエチレングリコールのエーテル型縮合物及びN
−メチロールアクリルアミドとポリビニルアルコールと
のエーテル型縮合物に変え、実施例1と同様の操作を行
ない感光性樹脂組成物を得、さらに実施例1と同様の評
価を行ない第1表の結果を得た。
実施例2及び3で得られた感光性樹脂組成物は、高感度
、高解像度で、クラックの発生もなく、又膜減り量も皆
無である。さらにイオン性不純物も極めて少ないという
非常に優れた効果が同時に得られた。
、高解像度で、クラックの発生もなく、又膜減り量も皆
無である。さらにイオン性不純物も極めて少ないという
非常に優れた効果が同時に得られた。
比較例1
実施例1のN−メチロールアクリルアミドとエチレング
リコールのエーテル型縮合物をエチレングリコールジア
クリレートに変更した以外は、実施例1と同様の操作を
行ない感光性樹脂組成物を得た。
リコールのエーテル型縮合物をエチレングリコールジア
クリレートに変更した以外は、実施例1と同様の操作を
行ない感光性樹脂組成物を得た。
得られた感光性樹脂組成物は、アクリルアミド(B)成
分がアクリルエステル構造の為、ポリアミック酸(A)
との相溶性が悪く均一な塗布フィルムを作成できず、露
光、現像した場合には、全て溶解してしまい、実用性の
ないことが判った。
分がアクリルエステル構造の為、ポリアミック酸(A)
との相溶性が悪く均一な塗布フィルムを作成できず、露
光、現像した場合には、全て溶解してしまい、実用性の
ないことが判った。
評価結果を第1表に示す。
比較例2〜5
実施例1のアクリルアミl”(B)成分及び増感剤(C
)成分の種類を変え実施例1と同様の操作を行ない感光
性樹脂組成物を得、さらに実施例1と同様にして評価を
行い第1表の結果を得た。
)成分の種類を変え実施例1と同様の操作を行ない感光
性樹脂組成物を得、さらに実施例1と同様にして評価を
行い第1表の結果を得た。
比較例2はアクリルアミド(B)成分をN−メチルアク
リルアミドに変更して行なった場合である。N−メチル
アクリルアミドでは、−分子中にアクリルアミド基を一
基しか有せず、光照射後に架橋構造が得られない為に、
現像時に全て剥離してしまい、パターンを作成すること
ができなかった。
リルアミドに変更して行なった場合である。N−メチル
アクリルアミドでは、−分子中にアクリルアミド基を一
基しか有せず、光照射後に架橋構造が得られない為に、
現像時に全て剥離してしまい、パターンを作成すること
ができなかった。
比較例3は増感剤(C)成分を3,3−ジメチル4−メ
トキシベンゾフェノンを使用した場合であるが、この増
感剤のλmaxが296nm であるために効率よく
光開始反応ができず現像時に全てパターンがながれてし
まい実用性のないことが判明した。
トキシベンゾフェノンを使用した場合であるが、この増
感剤のλmaxが296nm であるために効率よく
光開始反応ができず現像時に全てパターンがながれてし
まい実用性のないことが判明した。
比較例4は増感剤(C)成分をテトラフェニルポルフィ
リン亜鉛錯体を使用した場合であるが、この増感剤の入
maXが650nmである為に作業中に光反応してしま
い現像によりパターンを得る事ができなかった。
リン亜鉛錯体を使用した場合であるが、この増感剤の入
maXが650nmである為に作業中に光反応してしま
い現像によりパターンを得る事ができなかった。
比較例 5
3.3’4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物290g(0,9mo I )、と2−ヒドロキ
シエチルメタクリレ−) 234g(1,8moりをピ
リジンを触媒としてN−メチルピロリドン中で5時間反
応させた。
無水物290g(0,9mo I )、と2−ヒドロキ
シエチルメタクリレ−) 234g(1,8moりをピ
リジンを触媒としてN−メチルピロリドン中で5時間反
応させた。
さらにジシクロへキシルカルボジイミドを縮合剤として
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル160g(0,
8mol)を加えて、さらに3時間反応させポリアミッ
ク酸エチルメタクリレートエステル溶液を得た。
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル160g(0,
8mol)を加えて、さらに3時間反応させポリアミッ
ク酸エチルメタクリレートエステル溶液を得た。
この溶液のジシクロへキシルウレアを濾過し除去した後
、濾液を30倍量のエタノールをもちいて再沈殿した。
、濾液を30倍量のエタノールをもちいて再沈殿した。
沈殿物は、濾別し室温にて3日常温で減圧乾燥した。こ
の乾燥物を粉砕後、N−メチルピロリドンに溶解し、所
定の増感剤を添加して感光性樹脂組成物を得た。
の乾燥物を粉砕後、N−メチルピロリドンに溶解し、所
定の増感剤を添加して感光性樹脂組成物を得た。
この感光性樹脂組成物につき実施例1と同様にして評価
を行なった。その結果、ポリアミック酸エチルメタクリ
レートエステル樹脂組成物は、光照射により光架橋構造
をとる為、感度、解像度も良好で、パターンにクラック
の発生も認められなかった。又膜減り量も実施例1〜3
と比較し同程度であることが判った。しかし合成工程が
複雑な為に、イオン性不純物員は、Naイオンが3.5
ppm、CIイオンがs、sppmも含まれ、半導体等
への実用性が低い事が判フた。
を行なった。その結果、ポリアミック酸エチルメタクリ
レートエステル樹脂組成物は、光照射により光架橋構造
をとる為、感度、解像度も良好で、パターンにクラック
の発生も認められなかった。又膜減り量も実施例1〜3
と比較し同程度であることが判った。しかし合成工程が
複雑な為に、イオン性不純物員は、Naイオンが3.5
ppm、CIイオンがs、sppmも含まれ、半導体等
への実用性が低い事が判フた。
感光性ポリアミック酸において、従来の感光化技術では
、光架橋構造を得る為にポリアミック酸にエステル結合
をもちいて感光基を導入していた。
、光架橋構造を得る為にポリアミック酸にエステル結合
をもちいて感光基を導入していた。
しかしこの方法では合成工程が複雑な為に製造コストが
かかるばかりではなく、イオン性不純物も混入しやすく
半導体工業に適用するには好ましくなかった。
かかるばかりではなく、イオン性不純物も混入しやすく
半導体工業に適用するには好ましくなかった。
又、アミノ基を持つ感光剤をポリアミック酸に配合する
方法においては、アミノ基とポリアミック酸のカルボキ
シル基の相互作用による疑似架橋で現像、パターニング
する為に光照射しても感度が低く、また現像時にパター
ンにクラックが発生したり、多くの膜減りが生じる為に
半導体工業に適用するには好ましくなかった。
方法においては、アミノ基とポリアミック酸のカルボキ
シル基の相互作用による疑似架橋で現像、パターニング
する為に光照射しても感度が低く、また現像時にパター
ンにクラックが発生したり、多くの膜減りが生じる為に
半導体工業に適用するには好ましくなかった。
し刀)るに本発明は芳香族ポリアミック酸(A)中にN
−メチロールアクリルアミド、又はN−メチロールメタ
クリルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮合物(
B)と吸収極大波長(λIIIax )が330〜50
0 nmである増感剤(C)を配合するという極めて容
易な合成により感光性樹脂組成物を得られるので、製造
コストが安いばかりではなく、イオン性不純物も極めて
少ないものが容易に得られる。N−メチロールアクリル
アミド、又はN−メチロールメタクリルアミドと多価ア
ルコールとのエーテル型縮合物(B)はポリアミック酸
に対する溶解性に優れるばかりではなく、分子中に2基
以上あるアクリル(メタクリル)アミド基が容易に光照
射工程で光重合するために、光照射後は、三次元架橋構
造をとる。この結実現像時におけるクラックの発生や、
膜減りの発生が皆無となり、極めて高感度で高解像度の
パターンが得られるという非常に優れた効果が同時に得
られた。
−メチロールアクリルアミド、又はN−メチロールメタ
クリルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮合物(
B)と吸収極大波長(λIIIax )が330〜50
0 nmである増感剤(C)を配合するという極めて容
易な合成により感光性樹脂組成物を得られるので、製造
コストが安いばかりではなく、イオン性不純物も極めて
少ないものが容易に得られる。N−メチロールアクリル
アミド、又はN−メチロールメタクリルアミドと多価ア
ルコールとのエーテル型縮合物(B)はポリアミック酸
に対する溶解性に優れるばかりではなく、分子中に2基
以上あるアクリル(メタクリル)アミド基が容易に光照
射工程で光重合するために、光照射後は、三次元架橋構
造をとる。この結実現像時におけるクラックの発生や、
膜減りの発生が皆無となり、極めて高感度で高解像度の
パターンが得られるという非常に優れた効果が同時に得
られた。
なお、本発明においては、必須成分(A)、(B)(C
)以外の添加剤を各種特性の付与の為に添加してもなん
ら問題はなかった。
)以外の添加剤を各種特性の付与の為に添加してもなん
ら問題はなかった。
Claims (1)
- (1)(A)下記式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中R_1、R_2は芳香族環状基を、mは1以上の
整数)で示されるポリアミック酸 (B)N−メチロールアクリルアミド又はN−メチロー
ルメタクリルアミドと多価アルコールとのエーテル型縮
合物 (C)吸収極大波長(λmax)が330〜500nm
である増感剤を必須成分とする感光性樹脂組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2093943A JPH03293357A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 感光性樹脂組成物 |
DE69030484T DE69030484T2 (de) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Fotoempfindliche Harzzusammensetzung |
EP90122781A EP0430221B1 (en) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Photosensitive resin composition |
US07/618,794 US5238784A (en) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer |
KR1019900019634A KR0147279B1 (ko) | 1989-11-30 | 1990-11-30 | 감광성 수지 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2093943A JPH03293357A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03293357A true JPH03293357A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14096518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2093943A Pending JPH03293357A (ja) | 1989-11-30 | 1990-04-11 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03293357A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418450A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 感光性耐熱樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法 |
-
1990
- 1990-04-11 JP JP2093943A patent/JPH03293357A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418450A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 感光性耐熱樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法 |
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