JPH06102674A - 感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工方法 - Google Patents
感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工方法Info
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- JPH06102674A JPH06102674A JP25240092A JP25240092A JPH06102674A JP H06102674 A JPH06102674 A JP H06102674A JP 25240092 A JP25240092 A JP 25240092A JP 25240092 A JP25240092 A JP 25240092A JP H06102674 A JPH06102674 A JP H06102674A
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- Japan
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- acid ester
- resin composition
- mixture
- polyamide acid
- ester resin
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ピロメリット酸二無水物と３，3'，４，4'−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とを、２−ヒ
ドロキシ−１，３−ジメタクリロキシプロパンでエステ
ル化し、４，4'−ジアミノジフェニルエーテルでアミド
化したポリアミド酸エステルを主成分とする感光性樹脂
組成物をジエチレングリコールジメチルエーテル５０重
量％、イソプロパノール５０重量％の現像液で現像する
パターン加工方法。 【効果】 グリコールエーテル類を主成分に含む現像液
が露光部を膨潤させないことにより現像時に発生するし
わを解消でき、この結果感光性ポリアミド酸エステル樹
脂組成物の高解像度で適正なパターン加工を、広い現像
時間幅で可能とすることができる。
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とを、２−ヒ
ドロキシ−１，３−ジメタクリロキシプロパンでエステ
ル化し、４，4'−ジアミノジフェニルエーテルでアミド
化したポリアミド酸エステルを主成分とする感光性樹脂
組成物をジエチレングリコールジメチルエーテル５０重
量％、イソプロパノール５０重量％の現像液で現像する
パターン加工方法。 【効果】 グリコールエーテル類を主成分に含む現像液
が露光部を膨潤させないことにより現像時に発生するし
わを解消でき、この結果感光性ポリアミド酸エステル樹
脂組成物の高解像度で適正なパターン加工を、広い現像
時間幅で可能とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子、多層配線基
板、マイクロエレクトロニクス素子等に用いられる感光
性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工工程
での、改善された現像方法に関するものである。
板、マイクロエレクトロニクス素子等に用いられる感光
性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工工程
での、改善された現像方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜等
には、耐熱性が優れ、また卓越した電気絶縁性、機械強
度等を有するポリイミドが用いられているが、ポリイミ
ドパターンを作成する繁雑な工程を簡略化する為にポリ
イミド自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めて
いる。例えば、下式
には、耐熱性が優れ、また卓越した電気絶縁性、機械強
度等を有するポリイミドが用いられているが、ポリイミ
ドパターンを作成する繁雑な工程を簡略化する為にポリ
イミド自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めて
いる。例えば、下式
【０００３】
【化２】
【０００４】で示されるような構造のエステル基で感光
性基を付与したポリアミド酸エステル樹脂組成物（例え
ば特公昭５５−４１４２２号公報）等が知られている。
これらポリアミド酸エステルを適当な溶剤あるいは混合
溶剤に溶かし、光開始剤、光増感剤、共重合可能なモノ
マーあるいは樹脂、接着助剤、禁止剤、レベリング剤等
を加えた組成物をワニス状態で塗布乾燥した後、フォト
マスクを介して紫外線照射し、現像、リンス処理すると
所望のパターンが得られる。これをさらに加熱処理して
ポリイミド皮膜を得る。ポリイミドのパターン加工にお
いて、現像、リンス処理は重要である。これはこの工程
によりパターンの解像度や寸法の適正度、ウエハに対す
る接着性等が左右されるからである。従来知られている
現像液はポリアミド酸エステルの良溶媒１種またはそれ
以上か、これらと貧溶媒との混合物である。良溶媒とし
てはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチ
ロラクトン、ジメチルスルホオキシド等が挙げられる。
貧溶媒としてはトルエン、キシレン、エタノール、メタ
ノール、イソプロパノール、酢酸ブチル、水等が挙げら
れる。
性基を付与したポリアミド酸エステル樹脂組成物（例え
ば特公昭５５−４１４２２号公報）等が知られている。
これらポリアミド酸エステルを適当な溶剤あるいは混合
溶剤に溶かし、光開始剤、光増感剤、共重合可能なモノ
マーあるいは樹脂、接着助剤、禁止剤、レベリング剤等
を加えた組成物をワニス状態で塗布乾燥した後、フォト
マスクを介して紫外線照射し、現像、リンス処理すると
所望のパターンが得られる。これをさらに加熱処理して
ポリイミド皮膜を得る。ポリイミドのパターン加工にお
いて、現像、リンス処理は重要である。これはこの工程
によりパターンの解像度や寸法の適正度、ウエハに対す
る接着性等が左右されるからである。従来知られている
現像液はポリアミド酸エステルの良溶媒１種またはそれ
以上か、これらと貧溶媒との混合物である。良溶媒とし
てはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチ
ロラクトン、ジメチルスルホオキシド等が挙げられる。
貧溶媒としてはトルエン、キシレン、エタノール、メタ
ノール、イソプロパノール、酢酸ブチル、水等が挙げら
れる。
【０００５】また現像液の構成については、Ｃ3〜Ｃ7の
脂肪族または環状脂肪族ケトンを単独で用いる方法（特
公平２−２１３５号公報）や、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、ジメチルスルホ
オキシド／メタノール／ジエチレングリコール又はその
モノ、ジアルキルエーテル類の混合物を用いる方法（特
開昭５８−２２３１４９号公報）等が知られている。し
かし感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン
加工においては、これらの現像液で処理した場合、露光
され不溶化した層の膨潤により、パターンの角からのし
わが発生するため、適正にパターン加工できる現像時間
幅が狭いという問題があった。
脂肪族または環状脂肪族ケトンを単独で用いる方法（特
公平２−２１３５号公報）や、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、ジメチルスルホ
オキシド／メタノール／ジエチレングリコール又はその
モノ、ジアルキルエーテル類の混合物を用いる方法（特
開昭５８−２２３１４９号公報）等が知られている。し
かし感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン
加工においては、これらの現像液で処理した場合、露光
され不溶化した層の膨潤により、パターンの角からのし
わが発生するため、適正にパターン加工できる現像時間
幅が狭いという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パターン加
工工程における、現像液に基づくしわの発生を解消し、
現像時間幅が広く、扱い易い感光性ポリアミド酸エステ
ル樹脂組成物のパターン加工方法を提供するものであ
る。
工工程における、現像液に基づくしわの発生を解消し、
現像時間幅が広く、扱い易い感光性ポリアミド酸エステ
ル樹脂組成物のパターン加工方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は下記式（１）で
示すポリアミド酸エステルからなる感光性ポリアミド酸
エステル樹脂組成物を、
示すポリアミド酸エステルからなる感光性ポリアミド酸
エステル樹脂組成物を、
【０００８】
【化３】
【０００９】（Ａ）下記式（２） ＣxＨ2X+1−（ＯＣＨ2ＣＨ2）y−ＯＣzＨ2z+1 （２） ｘ＝１〜４，ｙ＝１〜４，ｚ＝１〜４ で示されるグリコールエーテル類のうち一種または二種
以上の混合物３０〜１００重量％と、（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、ジ
メチルスルホオキシド、テトラヒドロフラン、トルエ
ン、キシレン、エタノール、イソプロパノール、酢酸ブ
チルのうち一種または二種以上の混合物０〜７０重量％
からなる現像液で現像することを特徴とするパターン加
工方法である。
以上の混合物３０〜１００重量％と、（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、ジ
メチルスルホオキシド、テトラヒドロフラン、トルエ
ン、キシレン、エタノール、イソプロパノール、酢酸ブ
チルのうち一種または二種以上の混合物０〜７０重量％
からなる現像液で現像することを特徴とするパターン加
工方法である。
【００１０】
【作用】本発明に用いるポリアミド酸エステルは式
（１）で表され、高い光反応性を示しかつ硬化物は良好
な耐熱性、機械特性、電気特性を有する。
（１）で表され、高い光反応性を示しかつ硬化物は良好
な耐熱性、機械特性、電気特性を有する。
【００１１】式（１）中、Ｒ1は３又は４価の有機基を
有する化合物から導入されるもので、通常芳香族テトラ
カルボン酸又はその誘導体及び芳香族トリカルボン酸又
はその誘導体が主に使用される。例えばトリメリット酸
無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−１，２，
３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，3'，４，4'−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，2'，
３，3'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，3'，4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン−１，２，４，５−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−１，４，５，８−テト
ラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，６，７−
テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，
２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，
２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメ
チル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレ
ン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，
６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカル
ボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，
７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラ
カルボン酸二無水物、１，４，５，８−テトラクロロナ
フタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水
物、３，3'，４，4'−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，2'，３，3'−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、２，３，3'，4'−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，3"，４，4"−ｐ−テルフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２，2"，３，3"−ｐ−テルフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，３，3"，4"−ｐ−テル
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）−プロパン二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−
プロパン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキ
シフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ペリレン−２，３，８，９−テトラカルボン
酸二無水物、ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボ
ン酸二無水物、ペリレン−４，５，10，11，テトラカル
ボン酸二無水物、ペリレン−５，６，11，12−テトラカ
ルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，７，８−
テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，
６，７−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−
１，２，９，10−テトラカルボン酸二無水物、シクロペ
ンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、
ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二
無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン
酸二無水物等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。また、使用にあたっては、１種類でも２種類
以上の混合物でもかまわない。
有する化合物から導入されるもので、通常芳香族テトラ
カルボン酸又はその誘導体及び芳香族トリカルボン酸又
はその誘導体が主に使用される。例えばトリメリット酸
無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−１，２，
３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，3'，４，4'−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，2'，
３，3'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，3'，4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン−１，２，４，５−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−１，４，５，８−テト
ラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，６，７−
テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，
２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，
２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメ
チル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレ
ン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，
６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカル
ボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，
７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラ
カルボン酸二無水物、１，４，５，８−テトラクロロナ
フタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水
物、３，3'，４，4'−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，2'，３，3'−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、２，３，3'，4'−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，3"，４，4"−ｐ−テルフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２，2"，３，3"−ｐ−テルフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，３，3"，4"−ｐ−テル
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）−プロパン二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−
プロパン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキ
シフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ペリレン−２，３，８，９−テトラカルボン
酸二無水物、ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボ
ン酸二無水物、ペリレン−４，５，10，11，テトラカル
ボン酸二無水物、ペリレン−５，６，11，12−テトラカ
ルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，７，８−
テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，
６，７−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−
１，２，９，10−テトラカルボン酸二無水物、シクロペ
ンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、
ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二
無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン
酸二無水物等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。また、使用にあたっては、１種類でも２種類
以上の混合物でもかまわない。
【００１２】式（１）中、Ｒ2は、２価の有機基で、そ
の導入には通常芳香族ジアミン及びその誘導体が使用さ
れる。例えばｍ−フェニレン−ジアミン、１−イソプロ
ピル−２，４−フェニレン−ジアミン、ｐ−フェニレン
−ジアミン、４，4'−ジアミノ−ジフェニルプロパン、
３，3'−ジアミノ−ジフェニルプロパン、４，4'−ジア
ミノ−ジフェニルエタン、３，3'−ジアミノ−ジフェニ
ルエタン、４，4'−ジアミノ−ジフェニルメタン、３，
3'−ジアミノ−ジフェニルメタン、４，4'−ジアミノ−
ジフェニルスルフィド、３，3'−ジアミノ−ジフェニル
スルフィド、４，4'−ジアミノ−ジフェニルスルホン、
３，3'−ジアミノ−ジフェニルスルホン、４，4'−ジア
ミノ−ジフェニルエーテル、３，3'−ジアミノ−ジフェ
ニルエーテル、ベンジジン、３，3'−ジアミノ−ビフェ
ニル、３，3'−ジメチル−４，4'−ジアミノ−ビフェニ
ル、３，3'−ジメトキシ−ベンジジン、４，4"−ジアミ
ノ−ｐ−テルフェニル、３，3"−ジアミノ−ｐ−テルフ
ェニル、ビス（ｐ−アミノ−シクロヘキシル）メタン、
ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテ
ル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）ベン
ゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノ−ペンチル）
ベンゼン、ｐ−ビス（１，１−ジメチル−５−アミノ−
ペンチル）ベンゼン、１，５−ジアミノ−ナフタレン、
２，６−ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミ
ノ−ｔ−ブチル）トルエン、２，４−ジアミノ−トルエ
ン、ｍ−キシレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−
２，５−ジアミン、ｍ−キシリレン−ジアミン、ｐ−キ
シリレン−ジアミン、２，６−ジアミノ−ピリジン、
２，５−ジアミノ−ピリジン、２，５−ジアミノ−１，
３，４−オキサジアゾール、１，４−ジアミノ−シクロ
ヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン
−ジアミン、プロピレン−ジアミン、２，２−ジメチル
−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、
ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミ
ン、２，５−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、３
−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレ
ン−ジアミン、２，５−ジメチル−ヘプタメチレン−ジ
アミン、３−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、４，
４−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタメチ
レン−ジアミン、ノナメチレン−ジアミン、５−メチル
−ノナメチレン−ジアミン、２，５−ジメチル−ノナメ
チレン−ジアミン、デカメチレン−ジアミン、１，10−
ジアミノ−１，10−ジメチル−デカン、２，11−ジアミ
ノ−ドデカン、１，12−ジアミノ−オクタデカン、２，
12−ジアミノ−オクタデカン、２，17−ジアミノ−アイ
コサン、ジアミノシロキサン、２，６−ジアミノ−４−
カルボキシリックベンゼン、３，3'−ジアミノ−４，4'
−ジカルボキシリックベンジジン等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。また使用にあたって
は、１種類でも２種類以上の混合物でもかまわない。
の導入には通常芳香族ジアミン及びその誘導体が使用さ
れる。例えばｍ−フェニレン−ジアミン、１−イソプロ
ピル−２，４−フェニレン−ジアミン、ｐ−フェニレン
−ジアミン、４，4'−ジアミノ−ジフェニルプロパン、
３，3'−ジアミノ−ジフェニルプロパン、４，4'−ジア
ミノ−ジフェニルエタン、３，3'−ジアミノ−ジフェニ
ルエタン、４，4'−ジアミノ−ジフェニルメタン、３，
3'−ジアミノ−ジフェニルメタン、４，4'−ジアミノ−
ジフェニルスルフィド、３，3'−ジアミノ−ジフェニル
スルフィド、４，4'−ジアミノ−ジフェニルスルホン、
３，3'−ジアミノ−ジフェニルスルホン、４，4'−ジア
ミノ−ジフェニルエーテル、３，3'−ジアミノ−ジフェ
ニルエーテル、ベンジジン、３，3'−ジアミノ−ビフェ
ニル、３，3'−ジメチル−４，4'−ジアミノ−ビフェニ
ル、３，3'−ジメトキシ−ベンジジン、４，4"−ジアミ
ノ−ｐ−テルフェニル、３，3"−ジアミノ−ｐ−テルフ
ェニル、ビス（ｐ−アミノ−シクロヘキシル）メタン、
ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテ
ル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）ベン
ゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノ−ペンチル）
ベンゼン、ｐ−ビス（１，１−ジメチル−５−アミノ−
ペンチル）ベンゼン、１，５−ジアミノ−ナフタレン、
２，６−ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミ
ノ−ｔ−ブチル）トルエン、２，４−ジアミノ−トルエ
ン、ｍ−キシレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−
２，５−ジアミン、ｍ−キシリレン−ジアミン、ｐ−キ
シリレン−ジアミン、２，６−ジアミノ−ピリジン、
２，５−ジアミノ−ピリジン、２，５−ジアミノ−１，
３，４−オキサジアゾール、１，４−ジアミノ−シクロ
ヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン
−ジアミン、プロピレン−ジアミン、２，２−ジメチル
−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、
ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミ
ン、２，５−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、３
−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレ
ン−ジアミン、２，５−ジメチル−ヘプタメチレン−ジ
アミン、３−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、４，
４−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタメチ
レン−ジアミン、ノナメチレン−ジアミン、５−メチル
−ノナメチレン−ジアミン、２，５−ジメチル−ノナメ
チレン−ジアミン、デカメチレン−ジアミン、１，10−
ジアミノ−１，10−ジメチル−デカン、２，11−ジアミ
ノ−ドデカン、１，12−ジアミノ−オクタデカン、２，
12−ジアミノ−オクタデカン、２，17−ジアミノ−アイ
コサン、ジアミノシロキサン、２，６−ジアミノ−４−
カルボキシリックベンゼン、３，3'−ジアミノ−４，4'
−ジカルボキシリックベンジジン等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。また使用にあたって
は、１種類でも２種類以上の混合物でもかまわない。
【００１３】式（１）中、Ｒ3はアクリル（メタクリ
ル）基を１〜５基有する感光性基、Ｒ4はアクリル（メ
タクリル）基を１〜５基有する感光性基又はメチル基、
エチル基である。Ｒ3，Ｒ4中、アクリル（メタクリル）
基が０では架橋構造が得られず好ましくない。また６基
以上のアクリル（メタクリル）基は工業上製造が困難で
あるばかりでなく、分子量が大きくなるために相溶性が
低下し好ましくない。Ｒ3及びＲ4のアクリル（メタクリ
ル）基を導入するための化合物としては、例えば、ペン
タエリスリトールトリアクレート、ペンタエリスリトー
ルトリメタクリレート、ペンタエリスリトールアクリレ
ートジメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリ
レートメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリ
レート、グリセロールジアクリレート、グリセロールジ
メタクリレート、グリセロールアクリレートメタクリレ
ート、トリメチロールプロパンジアクリレート、１，３
−ジアクリロイルエチル−５−ヒドロキシエチルイソシ
アヌレート、１，３−ジメタクリレート−５−ヒドロキ
シエチルイソシアヌレート、エチレングリコール変性ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、プロピレングリ
コール変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、ト
リメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロール
プロパンジメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、２−
ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピルアクリレート、ポリエチレングリコール変性メタ
クリレート、ポリエチレングリコール変性アクリレー
ト、ポリプロピレングリコール変性アクリレート、ポリ
プロピレングリコール変性メタクリレート等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの使用
にあたっては１種類でも２種類以上の混合物でもかまわ
ない。また、Ｒ4のメチル基又はエチル基は、通常それ
ぞれメタノール、エタノール等から誘導される。
ル）基を１〜５基有する感光性基、Ｒ4はアクリル（メ
タクリル）基を１〜５基有する感光性基又はメチル基、
エチル基である。Ｒ3，Ｒ4中、アクリル（メタクリル）
基が０では架橋構造が得られず好ましくない。また６基
以上のアクリル（メタクリル）基は工業上製造が困難で
あるばかりでなく、分子量が大きくなるために相溶性が
低下し好ましくない。Ｒ3及びＲ4のアクリル（メタクリ
ル）基を導入するための化合物としては、例えば、ペン
タエリスリトールトリアクレート、ペンタエリスリトー
ルトリメタクリレート、ペンタエリスリトールアクリレ
ートジメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリ
レートメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリ
レート、グリセロールジアクリレート、グリセロールジ
メタクリレート、グリセロールアクリレートメタクリレ
ート、トリメチロールプロパンジアクリレート、１，３
−ジアクリロイルエチル−５−ヒドロキシエチルイソシ
アヌレート、１，３−ジメタクリレート−５−ヒドロキ
シエチルイソシアヌレート、エチレングリコール変性ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、プロピレングリ
コール変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、ト
リメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロール
プロパンジメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、２−
ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピルアクリレート、ポリエチレングリコール変性メタ
クリレート、ポリエチレングリコール変性アクリレー
ト、ポリプロピレングリコール変性アクリレート、ポリ
プロピレングリコール変性メタクリレート等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの使用
にあたっては１種類でも２種類以上の混合物でもかまわ
ない。また、Ｒ4のメチル基又はエチル基は、通常それ
ぞれメタノール、エタノール等から誘導される。
【００１４】本発明に使用する式（１）で示されるポリ
アミド酸エステルは、カルボキシル基にＲ3が導入され
た構造単位の割合がｘ、一部にＲ3が、残りにＲ4が導入
された構造単位の割合がｙ、Ｒ4で置換された構造単位
の割合がｚであり、３種の構造単位が混在しているもの
である。ｘ，ｙ，ｚは各構造単位のモル百分率を示す。
０＜ｘ，ｙ＜１００、０＜ｚ＜８０でかつｘ＋ｙ＋ｚ＝
１００を満たす。Ｒ4が−ＣＨ3又は−Ｃ2Ｈ5の場合に
は、ｚが８０以上であると感光基量が少ないため感度が
低く実用性が少ない。
アミド酸エステルは、カルボキシル基にＲ3が導入され
た構造単位の割合がｘ、一部にＲ3が、残りにＲ4が導入
された構造単位の割合がｙ、Ｒ4で置換された構造単位
の割合がｚであり、３種の構造単位が混在しているもの
である。ｘ，ｙ，ｚは各構造単位のモル百分率を示す。
０＜ｘ，ｙ＜１００、０＜ｚ＜８０でかつｘ＋ｙ＋ｚ＝
１００を満たす。Ｒ4が−ＣＨ3又は−Ｃ2Ｈ5の場合に
は、ｚが８０以上であると感光基量が少ないため感度が
低く実用性が少ない。
【００１５】本発明におけるポリアミド酸エステル
（１）は、通常以下のようにして合成される。まず、感
光基Ｒ3，Ｒ4を導入するためのアルコール基を有する化
合物を溶媒に溶解させ、これに過剰の酸無水物又はその
誘導体を反応させる。この後、残存するカルボキシル
基、酸無水物基に、ジアミンを反応させることにより合
成することができる。
（１）は、通常以下のようにして合成される。まず、感
光基Ｒ3，Ｒ4を導入するためのアルコール基を有する化
合物を溶媒に溶解させ、これに過剰の酸無水物又はその
誘導体を反応させる。この後、残存するカルボキシル
基、酸無水物基に、ジアミンを反応させることにより合
成することができる。
【００１６】本発明で用いられる感光性ポリアミド酸エ
ステル樹脂組成物には、増感剤、開始剤類、保存性向上
剤等を添加してもよい。増感剤、開始剤類の例として
ステル樹脂組成物には、増感剤、開始剤類、保存性向上
剤等を添加してもよい。増感剤、開始剤類の例として
【００１７】
【化４】
【００１８】
【化５】
【００１９】
【化６】
【００２０】
【化７】
【００２１】
【化８】
【００２２】
【化９】
【００２３】
【化１０】
【００２４】等が挙げられるが、これに限定されるもの
ではない。使用にあたっては１種類でも２種類以上の混
合物でも構わない。添加量は、ポリアミド酸エステル１
００重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましい。
０．１重量部以下では、添加量が少なすぎ感度向上の効
果が得られ難い。１０重量部以上では、硬化フィルム強
度が低下するため好ましくない。
ではない。使用にあたっては１種類でも２種類以上の混
合物でも構わない。添加量は、ポリアミド酸エステル１
００重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましい。
０．１重量部以下では、添加量が少なすぎ感度向上の効
果が得られ難い。１０重量部以上では、硬化フィルム強
度が低下するため好ましくない。
【００２５】保存性向上剤としては、１−フェニル−５
−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、
２−メルカプトベンゾオキサゾール、ペンタエリスリト
ールテトラキス−（チオグリコレート）、チオグリコー
ル酸、チオグリコール酸アンモニウム、チオグリコール
酸ブチル、チオグリコール酸オクチル、チオグリコール
酸メトキシブチル、トリメチロールプロパントリス−
（チオグリコレート）、エチレングリコールジチオグリ
コレート、β−メルカプトプロピオン酸、β−メルカプ
トプロピオン酸オクチル、トリメチロールプロパントリ
ス−（β−チオプロピオネート）、ペンタエリスリトー
ルテトラキス−（β−チオプロピオネート）、１，４−
ブタンジオールジチオプロピオネート、チオサリチル
酸、フルフリルメルカプタン、ベンジルメルカプタン、
α−メルカプトプロピオン酸、ｐ−ヒドロキシチオフェ
ノール、ｐ−メチルチオフェノール、チオフェノール等
が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、
２−メルカプトベンゾオキサゾール、ペンタエリスリト
ールテトラキス−（チオグリコレート）、チオグリコー
ル酸、チオグリコール酸アンモニウム、チオグリコール
酸ブチル、チオグリコール酸オクチル、チオグリコール
酸メトキシブチル、トリメチロールプロパントリス−
（チオグリコレート）、エチレングリコールジチオグリ
コレート、β−メルカプトプロピオン酸、β−メルカプ
トプロピオン酸オクチル、トリメチロールプロパントリ
ス−（β−チオプロピオネート）、ペンタエリスリトー
ルテトラキス−（β−チオプロピオネート）、１，４−
ブタンジオールジチオプロピオネート、チオサリチル
酸、フルフリルメルカプタン、ベンジルメルカプタン、
α−メルカプトプロピオン酸、ｐ−ヒドロキシチオフェ
ノール、ｐ−メチルチオフェノール、チオフェノール等
が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００２６】本発明における感光性樹脂組成物には、さ
らに接着助剤、禁止剤、レベリング剤その他各種充填剤
を添加してもよい。
らに接着助剤、禁止剤、レベリング剤その他各種充填剤
を添加してもよい。
【００２７】本発明における感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えはシリコンウ
エハーやセラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方
法は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーター
を用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等
で行なう。次に、６０〜１２０℃の低温でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に、未照射部を現像液で溶解除去すること
によりレリーフパターンを得る。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えはシリコンウ
エハーやセラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方
法は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーター
を用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等
で行なう。次に、６０〜１２０℃の低温でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に、未照射部を現像液で溶解除去すること
によりレリーフパターンを得る。
【００２８】本発明において使用する現像液成分のう
ち、（Ａ）は下記のグリコールエーテル類のうち１種又
は２種以上の混合物からなる。 ＣxＨ2X+1−（ＯＣＨ2ＣＨ2）y−ＯＣzＨ2z+1 （２） ｘ＝１〜４，ｙ＝１〜４，ｚ＝１〜４ ここで末端アルキル基２つのｘ，ｚは同じであっても違
っていてもよい。これらのグリコールエーテル類は未露
光部のポリアミド酸エステルを溶解する力が十分であ
り、しかも露光で不溶化した層を膨潤させない。よって
現像時にしわが発生せず、解像度が高く適正なパターン
加工が広い現像時間幅で可能となる。
ち、（Ａ）は下記のグリコールエーテル類のうち１種又
は２種以上の混合物からなる。 ＣxＨ2X+1−（ＯＣＨ2ＣＨ2）y−ＯＣzＨ2z+1 （２） ｘ＝１〜４，ｙ＝１〜４，ｚ＝１〜４ ここで末端アルキル基２つのｘ，ｚは同じであっても違
っていてもよい。これらのグリコールエーテル類は未露
光部のポリアミド酸エステルを溶解する力が十分であ
り、しかも露光で不溶化した層を膨潤させない。よって
現像時にしわが発生せず、解像度が高く適正なパターン
加工が広い現像時間幅で可能となる。
【００２９】これらグリコールエーテルの例としては、
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、エチレングリコールジｎ−プロ
ピルエーテル、エチレングリコールジｉ−プロピルエー
テル、エチレングリコールジｎ−ブチルエーテル、エチ
レングリコールジｓｅｃ−ブチルエーテル、エチレング
リコールジｔ−ブチルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエ
チレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリ
コールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエ
チルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエー
テル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テト
ラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレ
ングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコ
ールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジ
ブチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエー
テル、エチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエ
チレングリコールメチルプロピルエーテル、トリエチレ
ングリコールエチルブチルエーテル等が挙げられるがこ
れらに限定されるものではない。
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、エチレングリコールジｎ−プロ
ピルエーテル、エチレングリコールジｉ−プロピルエー
テル、エチレングリコールジｎ−ブチルエーテル、エチ
レングリコールジｓｅｃ−ブチルエーテル、エチレング
リコールジｔ−ブチルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエ
チレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリ
コールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエ
チルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエー
テル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テト
ラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレ
ングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコ
ールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジ
ブチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエー
テル、エチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエ
チレングリコールメチルプロピルエーテル、トリエチレ
ングリコールエチルブチルエーテル等が挙げられるがこ
れらに限定されるものではない。
【００３０】グリコールエーテル類のエチレングリコー
ル単位の数ｙは１〜４が好ましい。５より大きいものは
粘度が高く均一な溶解ができないので好ましくない。末
端アルキル基２つのｘ，ｚは１〜４が好ましい。５より
大きいものは工業的利用が難しく、かつ溶解性が低く好
ましくない。グリコールエーテル類の含量は３０〜１０
０重量％である。３０重量％未満ではグリコールエーテ
ルを使用する効果が得られ難く好ましくない。本発明に
おいて使用する現像液成分のうち、（Ｂ）としてはＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクト
ン、ジメチルスルホオキシド、テトラヒドロフラン、ト
ルエン、キシレン、エタノール、イソプロパノール、酢
酸ブチルのうち一種又は二種以上の混合物を使う。こら
れの含有量は０〜７０重量％であり、この範囲内でグリ
コールエーテル類による溶解性を調整する目的で使われ
る。７０重量％以上ではグリコールエーテル類を用いる
利点を損なってしまう。
ル単位の数ｙは１〜４が好ましい。５より大きいものは
粘度が高く均一な溶解ができないので好ましくない。末
端アルキル基２つのｘ，ｚは１〜４が好ましい。５より
大きいものは工業的利用が難しく、かつ溶解性が低く好
ましくない。グリコールエーテル類の含量は３０〜１０
０重量％である。３０重量％未満ではグリコールエーテ
ルを使用する効果が得られ難く好ましくない。本発明に
おいて使用する現像液成分のうち、（Ｂ）としてはＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクト
ン、ジメチルスルホオキシド、テトラヒドロフラン、ト
ルエン、キシレン、エタノール、イソプロパノール、酢
酸ブチルのうち一種又は二種以上の混合物を使う。こら
れの含有量は０〜７０重量％であり、この範囲内でグリ
コールエーテル類による溶解性を調整する目的で使われ
る。７０重量％以上ではグリコールエーテル類を用いる
利点を損なってしまう。
【００３１】現像の方法としては、スプレー、パドル、
浸漬、超音波等の方式が可能である。次に現像によって
形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液とし
ては、トルエン、キシレン、エタノール、メタノール、
イソプロパノール、酢酸ブチル等が使用される。
浸漬、超音波等の方式が可能である。次に現像によって
形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液とし
ては、トルエン、キシレン、エタノール、メタノール、
イソプロパノール、酢酸ブチル等が使用される。
【００３２】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００３３】実施例１ ピロメリット酸二無水物６５．５ｇ（０．３０モル）と
３，3'，４，4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物２２５．５ｇ（０．７０モル）とを、２−ヒドロキ
シ−１，３−ジメタクリロキシプロパン４５６ｇ（２．
００モル）でエステル化した後、４，4'−ジアミノジフ
ェニルエーテル１７０．２ｇ（０．８５モル）でアミド
化してポリアミド酸エステル共重合物を得た。これをエ
タノールに再沈し、固形物を濾過し、減圧乾燥した。こ
のポリアミド酸エステル１００重量部に、ミヒラーズケ
トン６重量部、テトラエチレングリコールジメタクリレ
ート１０重量部、メチルエーテルハイドロキノン０．０
５重量部及びトリメトキシシリルプロピルメタクリレー
ト３重量部をＮ−メチル−２−ピロリドン１００重量部
に溶解させ、感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物を
得た。この組成物をシリコンウエハー上にスピンナーで
塗布し、乾燥機により７０℃で１時間乾燥したところ１
０μｍ厚の皮膜が得られた。これを凸版印刷製・解像度
評価用マスクを介し、超高圧水銀灯にて１Ｊ／ｃｍ2 の
光を照射した。次いでジエチレングリコールジメチルエ
ーテル５０重量％、イソプロパノール５０重量％の現像
液を用い１０秒から５０秒のスプレー現像を行い、更に
イソプロパノールでリンスしたところ、現像時間とパタ
ーンの抜け、しわの発生の関係は表１のとおりであっ
た。パターンの抜けは、１０μｍ幅ライン／スペースを
顕微鏡観察して評価した。マスク寸法通りにパターニン
グされている像を適正、現像不足等のためマスク寸法よ
り小さい像を不足、現像過剰等のためマスク寸法より大
きい像を過剰と判定した。しわは、パターンの角から出
ているかどうかを顕微鏡観察して判定した。現像時間の
余裕度からは、パターンの抜けとしわの両方の条件を、
ある一定の現像時間を中心に±１０秒以上の幅で満足す
る事が望ましい。ただし加工の能率からは６０秒程度よ
り長い現像時間は適さない。本実施例では、１０〜５０
秒の広い現像時間幅においてしわが発生せず、適正な解
像度を有するパターンが得られた。
３，3'，４，4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物２２５．５ｇ（０．７０モル）とを、２−ヒドロキ
シ−１，３−ジメタクリロキシプロパン４５６ｇ（２．
００モル）でエステル化した後、４，4'−ジアミノジフ
ェニルエーテル１７０．２ｇ（０．８５モル）でアミド
化してポリアミド酸エステル共重合物を得た。これをエ
タノールに再沈し、固形物を濾過し、減圧乾燥した。こ
のポリアミド酸エステル１００重量部に、ミヒラーズケ
トン６重量部、テトラエチレングリコールジメタクリレ
ート１０重量部、メチルエーテルハイドロキノン０．０
５重量部及びトリメトキシシリルプロピルメタクリレー
ト３重量部をＮ−メチル−２−ピロリドン１００重量部
に溶解させ、感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物を
得た。この組成物をシリコンウエハー上にスピンナーで
塗布し、乾燥機により７０℃で１時間乾燥したところ１
０μｍ厚の皮膜が得られた。これを凸版印刷製・解像度
評価用マスクを介し、超高圧水銀灯にて１Ｊ／ｃｍ2 の
光を照射した。次いでジエチレングリコールジメチルエ
ーテル５０重量％、イソプロパノール５０重量％の現像
液を用い１０秒から５０秒のスプレー現像を行い、更に
イソプロパノールでリンスしたところ、現像時間とパタ
ーンの抜け、しわの発生の関係は表１のとおりであっ
た。パターンの抜けは、１０μｍ幅ライン／スペースを
顕微鏡観察して評価した。マスク寸法通りにパターニン
グされている像を適正、現像不足等のためマスク寸法よ
り小さい像を不足、現像過剰等のためマスク寸法より大
きい像を過剰と判定した。しわは、パターンの角から出
ているかどうかを顕微鏡観察して判定した。現像時間の
余裕度からは、パターンの抜けとしわの両方の条件を、
ある一定の現像時間を中心に±１０秒以上の幅で満足す
る事が望ましい。ただし加工の能率からは６０秒程度よ
り長い現像時間は適さない。本実施例では、１０〜５０
秒の広い現像時間幅においてしわが発生せず、適正な解
像度を有するパターンが得られた。
【００３４】実施例２〜９ 実施例１と同じ樹脂組成物を表１に示す現像液を用いて
実施例１と同様にパターン加工した現像時間とパターン
の抜け、しわの発生の関係を表１に示す。実施例２，
７，８は１０〜４０秒の広い時間幅で、しわの発生がな
く適正な解像度を有するパターンが得られた。実施例
３，５，６は１０〜３０秒の広い時間幅で、しわの発生
がなく適正な解像度を有するパターンが得られた。実施
例４，９は１０〜５０秒の広い時間幅で、しわの発生が
なく適正な解像度を有するパターンが得られた。
実施例１と同様にパターン加工した現像時間とパターン
の抜け、しわの発生の関係を表１に示す。実施例２，
７，８は１０〜４０秒の広い時間幅で、しわの発生がな
く適正な解像度を有するパターンが得られた。実施例
３，５，６は１０〜３０秒の広い時間幅で、しわの発生
がなく適正な解像度を有するパターンが得られた。実施
例４，９は１０〜５０秒の広い時間幅で、しわの発生が
なく適正な解像度を有するパターンが得られた。
【００３５】比較例１〜４ 実施例１と同じ樹脂組成物を表１に示す現像液を用いて
実施例１と同様にパターン加工した現像時間とパターン
の抜け、しわの発生の関係を表１に示す。比較例１で
は、適正な解像度を有するパターンは実用に適した現像
時間内では得られなかった。比較例２，３では適正な解
像度を有し、しわの発生もない実用的なパターンは現像
時間１０秒でしか得られなかった。比較例４では適正な
解像度を有し、しわの発生もない実用的なパターンは、
２０秒以下の狭い現像時間幅でしか得られなかった。
実施例１と同様にパターン加工した現像時間とパターン
の抜け、しわの発生の関係を表１に示す。比較例１で
は、適正な解像度を有するパターンは実用に適した現像
時間内では得られなかった。比較例２，３では適正な解
像度を有し、しわの発生もない実用的なパターンは現像
時間１０秒でしか得られなかった。比較例４では適正な
解像度を有し、しわの発生もない実用的なパターンは、
２０秒以下の狭い現像時間幅でしか得られなかった。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明は、グリコールエーテル類を主成
分に含む現像液の露光部を膨潤させない効果により現像
時に発生するしわを解消する。この結果感光性ポリアミ
ド酸エステル樹脂組成物の高解像度で適正なパターン加
工を、広い現像時間幅で可能とすることができた。
分に含む現像液の露光部を膨潤させない効果により現像
時に発生するしわを解消する。この結果感光性ポリアミ
ド酸エステル樹脂組成物の高解像度で適正なパターン加
工を、広い現像時間幅で可能とすることができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/32 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式（１）で示すポリアミド酸エステ
ルからなる感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物を、 【化１】 （Ａ）下記式（２） ＣxＨ2X+1−（ＯＣＨ2ＣＨ2）y−ＯＣzＨ2z+1 （２） ｘ＝１〜４，ｙ＝１〜４，ｚ＝１〜４ で示されるグリコールエーテル類のうち一種または二種
以上の混合物３０〜１００重量％と、（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、ジ
メチルスルホオキシド、テトラヒドロフラン、トルエ
ン、キシレン、エタノール、イソプロパノール、酢酸ブ
チルのうち一種または二種以上の混合物０〜７０重量％
からなる現像液で現像することを特徴とするパターン加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25240092A JPH06102674A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25240092A JPH06102674A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102674A true JPH06102674A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17236812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25240092A Pending JPH06102674A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 感光性ポリアミド酸エステル樹脂組成物のパターン加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032446A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液 |
| JP2014157310A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像液、及び感光性樹脂組成物の現像処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50138901A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-11-06 | ||
| JPS61238052A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリアミド樹脂膜の現像法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP25240092A patent/JPH06102674A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50138901A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-11-06 | ||
| JPS61238052A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリアミド樹脂膜の現像法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032446A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びこの方法に用いられる有機系処理液 |
| JP2014157310A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像液、及び感光性樹脂組成物の現像処理方法 |
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