JPH03281779A - 酸窒化アルミニウムの合成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野１ 本発明は、光導波路などの光学素子材料、絶縁膜などの
電子素子材料として有用な酸窒化アルミニウムの合成方
法に係り、特にプラズマＣＶＤ法により低温にて合成が
可能であり、しかも屈折率を任意に設定することも可能
な酸窒化アルミニウムの合成方法に関する。

［従来の技術］ セラミック材料のうち電気抵抗の高い安定した絶縁材料
などとして注目されているものに窒化アルミニウム（Ａ
Ｉ２Ｎ）がある、また、光学的特性が良好で光導波路と
して使用が考えられる材料としてはアルミナ（Ａｎ−０
，）がある、またこのＡ４２Ｎと／ｌ！、　０．の中間
組成をもつ材料である酸窒化アルミニウム（Ａｌ１つＯ
，Ｎ□）は、光学的特性ならびに電気的特性においてさ
らに優れた材＃１であることが知られており、その利用
用途には種々のものが想定できる。

例えば、非晶状態の酸窒化アルミニウムは透光性に優れ
ているために光導波路の材料としての利用が考えられる
。また酸窒化アルミニウムは、耐熱性を有し且つ電気抵
抗が高いことから安定した絶縁膜としての利用も有用で
ある。特に酸窒化アルミニウムを光導波路や半導体レー
ザの絶縁保護膜としての使用に適する要因のひとつとし
て、ガリウムーヒ素基板表面のストレスが挙げられる。

絶縁膜成膜後の基板表面のストレスを左右する大きな要
因のひとつとして、線膨張係数の差がある６例えば、基
板とその表面に堆積する膜との間に線膨張係数の大きな
差があると、基板表面のストレスや膜の剥れが生じやす
くなる。酸窒化アルミニウムは、その線膨張係数がガリ
ウムーヒ素に非常に近いため、ガリウムーヒ累基板に薄
膜を付着させた場合、基板表面にストレスが生じにくく
且つ密着性が従来になく優れたものとなる１例＾ば、光
導波路の材料としての利用が有望と考えられている他の
材料として（Ａｙｘ　ｓ　ｔ　ｙ　Ｎｌ　）もあり、屈
折率の設定などの点では酸窒化アルミニウムとほぼ同等
である。しかしながら、（Ａｌ１゜５ｌｙＮ８）はガリ
ウムーヒ素と線膨張係数に比較的大きな差があるため、
ガリウムーヒ素基板表面のストレスや基板との密着性の
点で酸窒化アルミニウムより劣るものといえる。

ここで酸窒化アルミニウムの合成方法であるが、これに
ついてはこれまでその実績がほとんどなく、例外的にい
くつかの文献でその研究報告がなされているのみである
。しかしながらこの種の文献に報告されている合成方法
では、熱ＣＶＤなどを使用しているものであり、その合
成時の基板温度が非常に高いものとなっている。しかし
ながら、前述のガリウムーヒ素基板は耐熱性能がなく、
例えば熱ＣＶＤによって基板温度を５００℃以上とする
と、ガリウムーヒ素が分解または変成されてしまう。

〔発明が解決しようとする課題］ 以上のような背景から本発明の発明者はプラズマＣＶ　
Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ　）法を用いて低温にて酸窒化アルミニウムを合
成できるか否かの研究を行った。

ここで酸窒化アルミニウム（Ａｆｆ、Ｏ，Ｎ、）を合成
するために使用するソース気体としてどのようなものを
使用すべきかが問題となる。まず、アルミニウム（Ａｎ
の供給であるが、アルミニウム原子を含む気体としてＣ
ＶＤ法に使用できるものとしては、塩化アルミニウム（
、’１ＩＣｆｆ、）やトリメチルアルミニウム（Ａｆｆ
　（ＣＨ，）、）が考えられる。しかしながら、塩化ア
ルミニウムは昇華性の物質であり安定供給が難しく、ま
た膜中に塩素（Ｃｆｆ）が不純物として混入しやすい欠
点がある。一方、トリメチルアルミニウムは融点が低く
低温にて分解しやすいが、空気と爆発的に反応する性質
を有しているため、取扱いや供給経路の面で不適である
。また、窒素原子の供給源としてどのような気体を使用
すべきかも問題になる。

本発明は以上のような課題を解決するために研究した成
果により成しとげられたものであり、比較的低温にて酸
窒化アルミニウムを合成でき、しかも屈折率の任意な設
定も可能な酸窒化アルミニウムの合成方法を提供するこ
とを目的としている。

［課題を解決するための手段ならびに作用〕本発明によ
る酸窒化アルミニウムの合成方法は、アルミニウムのハ
ロゲン化物と、窒素原子を含む気体と、酸素原子を含む
気体とを混合し、これらの混合気体をマイクロ波により
放電させてプラズマ化し、基板表面に酸窒化アルミニウ
ムの膜を析出させることを特徴としている。

また、好ましい構成としては、アルミニウムのハロゲン
化物が臭化アルミニウムであり、酸素原子を含も気体が
笑気ガスである。

また、笑気ガスの供給流量を変化させることにより、析
出された酸窒化アルミニウムの酸素原子と窒素原子との
配分比を変え、屈折率を任意に設定することが可能であ
る。

本発明では、混合気体を放電させプラズマ化するために
マイクロ波（例えば周波数が２．４５Ｇ　Ｈ□）を使用
し、これにより　５［＋１］”Ｃ：　Ｊ−Ｎ工程度の低
温にて酸窒化アルミニウムを析出できるようにした。こ
れはプラズマ中における励起が、物質の比誘電率と誘電
体損失角に関係することに着目したことによる０例えば
、ソースとして臭化アルミニウム（Ａ２Ｂ　ｒｓ）が使
用され、これと窒素ガス（Ｎ２）ならびに笑気ガス（Ｎ
、Ｏ）が混合されて、この気体がマイクロ波によって放
電されてプラズマ化されると、Ａ！とＢｒ、ＮとＨ，Ａ
Ｐ！とＮ、ＡＩ２とＯ，ＡεとＢｒとＨなどの組合わせ
の分子状ラジカルが存在するようになる。さらにマイク
ロ波によって励起されると、比誘電率ならびに誘電体損
失角とがマイクロ波の影響を受け、上記組合わせの分子
状ラジカルが共振状態となり、各々の元素ごとに分かれ
た原子状ラジカルとなる。そしてこねが基板表面にて反
応し酸窒化アルミニウム（ＡεｘＯｙＮ工）の薄膜が形
成される。

このように本発明では、アルミニウム源として臭化アル
ミニウムを使用し、また窒素源として笑気ガスを使用す
ることにより、プラズマＣＶＤ法にて酸窒化アルミニウ
ムの膜を合成することに成功した。

さらに、合成された酸窒化アルミニウムの屈折率を任意
に設定することにも成功した。

本発明では、酸窒化アルミニウムの屈折率が窒素原子（
Ｎ）と酸素原子（０）との配分比に依頼するものである
ことに着目し、このＮとＯとの配分比を笑気ガスの流量
を変化させることにより任意に設定できるようにした。

また、酸窒化アルミニウムな光導波路などの光学素子と
して使用するためには非晶状態であることが望ましい、
なぜならば酸窒化アルミニウムが結晶状態のときには柱
状晶となり結晶体相互間で光の屈折が生じるからである
。そこで本発明では笑気ガスならびに窒素ガスの供給流
量を互いに選択することにより、非晶状態の酸窒化アル
ミニウムを析出させることにも成功した。したがって、
笑気ガスと窒素ガスの供給流量を適度に設定して非晶状
態の酸窒化アルミニウムを析出させ、さらに笑気ガスの
流量を変化させることにより、合成される酸窒化アルミ
ニウムのＮと０の配分比を任意に変λで屈折率を設定で
きるようになる。

［実施例］ 以下本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による合成方法に使用するＣＶＤ装置の
構造を示す断面図である。

第１図において、符号１は石英管などによって形成され
た反応管であり、その内部が反応室Ａとなっている。符
号２はマイクロ波プラズマ発生装置である。２ａはマイ
クロ波発振器であり、この実施例では、サイクロトロン
により２．４５Ｇ　Ｈ工のマイクロ波が発振される。２
ｂは導波管、２Ｃは整合器、２ｄは反射板である。シリ
コン（Ｓｉ　）などの基板３は、反応室Ａ内にて支持部
材４土に設置される。支持部材４は、その上端にホルダ
４ａが設けられ、このホルダ４ａに前記基板３が設置さ
れる。ホルダ４ａは、窒化シリコン（Ｓ　ｉ、Ｎ４）な
どによって形成されている。ホルダ４ａの支持部４ｂは
石英管ならびに金属管により構成されており、その内部
に赤外線放射温度計の検出ヘッドが収納されている。こ
の検出ヘッドは光ファイバ５を介して検出回路部（図示
せず）に接続されている。上記検出へクドから発せられ
る赤外線は石英管内を通過し、ホルダ４ａ内にて基板３
に照射される。よって反応室Ａ内のプラズマの影響を受
けることなく、基板３の温度測定が正確に行われるよう
になる。

反応室への上端にはガス供給ノズル６が配置されている
。このガス供給ノズル６は多重管であり、この実施例の
場合には三重管となっている。

ソース供給部には、恒温室１１が設けられている。この
恒温室１１内はサーモスタットにより常に一定のｌ温度
に保たれる。恒温室１１の内部にはバブラ１２が配置さ
れている。このバプラ１２内にアルミニウム原子を含む
反応付ガス源として臭化アルミニウム（Ａ　１２　Ｂ　
ｒｘ）が充填されている。

また１３は導入ガスとして使用される水素ガス（［１□
）のボンベである。また符号１４は窒素原子を供給する
ための窒素ガス（Ｎｉ）のボンベである。符号１５は酸
素原子を供給するための笑気ガス（Ｎ、ｏ）のボンベで
ある。符号１６はアルゴンガス（Ａｒ　）を供給するた
めのボンベである。符号１７ａ−１７ｄはそれぞれ流量
調節器で、１８ａ＝１８ｄはバルブである。

前記ガス供給ノズル６は三重管であるが、笑気ガス（Ｎ
、０）は中心の管６ａから反応室Ａ内に供給される。ま
た窒素ガス（Ｎ、）は中間の管６ｂから、臭化アルミニ
ウム（ＡＩ２Ｂｒｓ）はさらに外側の百６ｃからそれぞ
れ反応室Ａへ供給される。このように各ガスを三重管を
用いて別々の経路にて反応室Ａへ供給することにより、
管内にて各ガスが混合されるのを防止しまたプラズマに
より管内壁に合成物が析出されるのが防止される。

またアルゴンガス（Ａｒ　）は前記ガス供給ノズル６と
は別の経路にて反応室への上方（図では左上方）から供
給される。これはアルゴンガスを反応室Ａ内のプラズマ
発生領域の外側から供給するためである。プラズマ中に
その外部からアルゴンガスを供給することにより、プラ
ズマ中における中性粒子、イオン、電子などへの解離が
促進されるようになる。しかも同軸線路型マイクロ波プ
ラズマＣＶＤの場合、プラズマが電界の影響を受けやす
く、反応室の管壁部分で電界が強く、反証させる基板が
設置されている中心部では弱くなってプラズマの領域が
不均一となるが、アルゴンガスなプラズマ域外から供給
することにより、プラズマ域が拡大するようになる。ま
たアルゴンガスなどのような単原子分子の場合には、プ
ラズマ中にて分解されると再結合しにくく、また再結合
する場合であっても周囲のエネルギーを奪うことがなく
、安定して分解を継続する。よって、これが−種の着火
源になってプラズマ域が拡大されるものと予測される。

これは従来のプラズマＣＶＤにおいて真空度を高くした
のと同じ状態であり、しかも真空圧を単純に上げた場合
のようなデメリット、例えばエレクトロンの密度が上が
り成膜速度が低下するような不都合が生じるのを避ける
ことができるようになる。このようなプラズマ域の拡大
とラジカル解離率の向上により、安定した合成ができ、
また成膜速度も速まることになる。

ただし、アルゴンガスをプラズマ域外から供給すること
が必要であり、仮にアルゴンガスなどをノズルからプラ
ズマ中にて基板に直接吹きかけたりすると、逆にスパッ
タ状態となり成膜速度が低下することになる。

また符号２１は反応室Ａ内を真空圧にするための排気管
であり、メカニカルブースタポンプ及びロータリポンプ
が接続されている。

なお、実施例の装置では、基板３０表面位置をマイクロ
波の通路中心よりβ１だけ高くし、ガス供給ノズル６の
下端位置を基板表面よりもβ２だけ高くして、β１と！
、を共に４０開に設定している。これは反応室Ａ内では
プラズマ発生領域の中心から外れた上部または下部が最
も合成が促進されやすく、しかもプラズマの下部に基板
を設置した場合には、ガス供給ノズル６の噴出口がプラ
ズマ領域中となり、管内で反応が生じ、管内面に合成物
が析出してしまうからである。

資或七 以下は、上記ＣＶＤ装置を使用して最も良好なへβ−〇
−Ｎ膜が合成された例についてその条件を記載したもの
である。

表− 上記において基板Ｓ１のｆｌｏｏｌ　またはｆｌｌｌｌ
はミラー指数であり、（ＡＢＣ）とした場合、Ａ軸とＢ
軸は水平な直交座標、Ｃ軸はＡ軸とＢ軸に垂直な座標で
あり、カッコ内の各数字は各軸の座標を示し、この座標
によって示される結晶面を有していることが表わされて
いる。

なおこの合成例における各ガスの供給流量などは以下の
通りである。

Ａｒ−１７５ｓｅＡｒ −１７５ｓｅ／Ｈ＊　　−４０ｓｃｃｍＡｆｆＢｒｓバ
ブラー温度　・・・　１８０℃Ｎ２　−　５０ｓｅｃｍ Ｎ２０−１０ｓｅｃ＋。

第２図と第３図は、上記の装置により且つ上記のガス供
給流量などの条件により基板３の表面に合成された膜を
オージェ電子分光分析法により分析した結果を示してい
る。横軸はオージェ効果による放出電子の強度（ｅＶｌ
を示している。この図に示す通り、基板表面に、Ａｌ１
とＯとＮとから成る膜が析出されていることが解る。な
お（Ａｒ）のスペクトルは分析中の不純物と考えられ、
析出された物質の純度が高いものであることを示してい
る。また第３図は、横軸を合成時間（分）とし、各合成
時間において析出した物質を上記オージェ電子分光分析
法により分析し、その各原子の検出スペクトル強度を測
定したものである。この図から、析出した物質の組成は
膜の厚さ方向に対して均一であることがわかる。これは
Ａｒ、Ｏ，Ｎ。

の組成の物質すなわち酸窒化アルミニウムが析出されて
いることを示している。

次に、第４図では笑気ガス（Ｎｔ　ｏ）の供給流量のみ
を変化させたときの合成例を示している。

第４図（Ａ）は析出された物質の成膜速度を示しており
、（Ｂ）は析出された物質におけるアルミニウム原子（
黒丸）、酸素原子（白丸）、窒素原子（三角）の成分比
（％）を調べたものである。

これらの図において横軸は笑気ガスの流量（ｓｃｃｍ）
を示している。すなわち前記装置を使用した合成方法に
おいて、笑気ガスの流量を変化させ、他のガスの流量を
一定にし、その結果合成された膜の成分比を測定したも
のである。笑気ガス以外のガスの供給流量は以下の通り
である。

Ｎ２・−５０ｓｅｃｍ　（一定） Δｆ２Ｂｒｓ／Ｈｚ−４０ｓｃｃｍ（一定）Ａ　ｒ　−
１７５ｓｅｃｍ　（一定） そして笑気ガス（Ｎ、Ｏ）の供給流量を０、１ｓｅｃｍ
　〜５０ｓｅｃｍまで変化させた。その結果第４図（Ａ
）に示すように、笑気ガスの流量を約５〜１０１０５ｅ
程度よりも多くすると成膜速度は徐々に低下することが
解る。また笑気ガスの流量を変化させると、アルミニウ
ム原子の成分比はほぼ一定であるが酸素原子と窒素原子
との成分比が変化することが解る。このように笑気ガス
の供給流量を変化させることにより、Ｎと０の比を変化
させることができ、その結果、合成される酸窒化アルミ
ニウムにおいてＮとＯとの成分比に依存する屈折率を任
意に設定することが可能になる。

次＋Ｌ第５図（Ａ）と（Ｂ）は第４図との比較のために
示したものであり、Ａ　１２　Ｂ　ｒｓ／　Ｈ＊の流量
を４０　ｓｅｃｍ、　Ａ　ｒの供給流量を１７５ｓｅｃ
ｍとし、さらにＮｔＯの流量を２８ＣＧＩ１１に固定し
て、Ｎ２の流量のみを変化させたときの成膜速度ならび
にＡｒ、０．Ｎの各原子の成分比を示したものである。

この図に示すように、窒素ガスの供給流量のみを変化さ
せたときには、その流量が少ないときには酸素と窒素の
成分比を変えることができるが、このときには成膜速度
が極端に低下し、また成膜速度が安定している領域では
、窒素ガスの流量を変えても酸素と窒素の成分比がほと
んど変化しないことが解る。

以上の第４図と第５図に示す結果、合成された酸窒化ア
ルミニウムの屈折率を変化させるべく酸素と窒素との成
分比を変えるためには、笑気ガスの流量を変化させるこ
とが最も良い方法であることが解る。

さらに第６図は、前記合成方法において、笑気ガスの供
給流量と窒素ガスの供給流量との関係を示すものである
。横軸は笑気ガスの流量（ｓｃｃ＋＋＋ｌを示し、縦軸
は窒素ガスの供給流量（ｓｃｃ＋＋＋１を示している。

笑気ガスの供給流量と窒素ガスの供給流量との相関関係
により、合成される物質はほぼ３種類の状態に分けられ
る。中央のハツチングで示す領域を境としてその右側の
領域では、非晶状態の酸窒化アルミニウム（Ａｌ１．０
．Ｎよ）が合成される。またハツチングで示す領域を境
としてそれよりも左側の領域では、Ｃ軸配向の結晶状態
の窒化アルミニウム（ＡεＮ）が合成される。そしてハ
ツチングの領域は左右の各領域の中間の領域であり、主
に無配向状態の結晶性窒化アルミニウムが合成される。

すなわち第６図においてハツチング領域よりも右側の領
域となるように笑気ガスと窒素ガスのそれぞれの供給流
量を設定することにより、非晶状態の酸窒化アルミニウ
ムを合成できることが解る。非晶状態の酸窒化アルミニ
ウムは透光性が良好であるため、これを光導波路などの
光学素子として使用することができる。また第４図（Ｂ
）に示すように、非晶状態の酸窒化アルミニウムが合成
される領域にて笑気ガスの流量を変化させれば、ＮとＯ
の成分比を変えることができ、この成分比により屈折率
を任意に設定できるようになる。第４図（Ｂ）は、窒素
ガスの供給流量を５０　ｓｅｃｍに固定して笑気ガスの
供給流量を変動させた場合を示しており、これは第６図
中の横方向に延びる一点鎖線で示した組成変化に相当す
る。窒素ガスの供給流量を５０　ｓｅｃｍに固定した場
合、笑気ガスの流量を約２　ｓｅｃｍよりも低下させる
と、無配向状態の結晶性窒化アルミニウムさらにはＣ軸
配向状態の結晶性窒化アルムニウムの合成領域となる。

またａの範囲で示すように、笑気ガスの供給流量を約２
８ＣＣ１１から約１０１０５ｅの範囲で変化させれば、
非晶状態の酸窒化アルミニウムにおいて、第４図（Ｂ）
に示すように、ＮとＯとの成分比を変化さセることがで
き、また第４図（Ａ）に示すように、成膜速度が低下し
ない領域にて合成することが可能になる。また必ずしも
窒素ガスの供給流量を５０　ｓｅｃｍに固定する必要は
なく、これ以外の供給流量に固定して笑気ガスの供給流
量を変化させることにより、非晶状態の酸窒化アルミニ
ウムであってＮとＯの成分比の変化したものを合成でき
ることは同じである。

以上のように、本発明による合成方法によって、透光性
の優れた非晶状態の酸窒化アルミニウムを合成でき、且
つ笑気ガスの供給流量を変化させることによって合成さ
れた酸窒化アルミニウムの屈折率をある範囲内で任意に
設定することが可能になる。その結果２例えば第７図に
示すように、ガリウムーヒ素などの基板３１の表面に屈
折率の相違する酸窒化アルミニウムの薄膜３２と３３を
合成し、両膜３２と３３の境界３４を光の透過・反射に
よる分岐面３４とすることが容易に行なえるようになる
。

第８図（Ａ）は、第７図の断面図である。この第８図（
Ａ）で示す断面形状とするためには、まず基板３１の表
面にて符号３２で示す成膜部分以外をマスキングして、
この基ｉ３１を第１図に示した反応室Ａ内に設置する。

そして笑気ガスの供給流量を選択し且つ他のガスを供給
し、プラズマを発生させて屈折率がｎ、の酸窒化アルミ
ニウムの膜３２を合成する０次に３３で示す部分以外を
マスキングし、再度反応室Ａ内にて合成を行なうがこの
ときに笑気ガスの流量を変えて屈折率が０２の酸窒化ア
ルミニウムのｌｌｌ３３を合成する。

また第８図（Ｂ）に示すような断面構成とすることも可
能である。この例ではマスキングして、基板３１の表面
に屈折率が０１の酸窒化アルミニウムの膜３２を合成す
る６次に３３の領域のマスキングを除去して、笑気ガス
の供給流量を変えて基板３１ならびに前記膜３２の上に
屈折率が０２の酸窒化アルミニウムの膜３３を合成する
。この例では、３４で示す部分が光の分岐面となる。

さらにＣＶＤ法による合成では、凹部や横側面にも回り
込むようにして股を形成することができるため、例λば
第８図（Ｃ）に示すように、酸窒化アルミニウムの膜３
２の縁面を傾斜面にし、３３で示す酸窒化アルミニウム
の膜をこの１１斜面に回り込むようにして密着して合成
することも可能である。

また、酸窒化アルミニウムは光学素子としてだけでなく
、絶縁膜として使用した場合にも良好な特性が得られる
８例λば半導体レーザの保護膜として酸窒化アルミニウ
ムを使用すれば、ガリウムヒ素基板に対して密着性のよ
い膜を形成できる。この場合、第１図に示す装置ならび
に前記方法を使用して、酸窒化アルミニウムの膜を合成
することが可能になる。

なお、前記表−１では、基板の温度が４３０℃であるが
、基板の温度はこれ以外であっても合成が可能であり、
実験において測定できた温度範囲は４３０℃〜５２０℃
であった。さらに上記実施例では、マイクロ波の周波数
が２．４５Ｇ　Ｈ、であるが、本発明の方法はこの周波
数に限られるものではない、またアルミニウム源は必ず
しも臭化アルミニウムに限られるものではなく、Ａｌ２
Ｃβ、などを使用することは可能である。

［効果］ 以上のように本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により
、低温にて酸窒化アルミニウムを高い成膜速度にて合成
できる。

また、アルミニウム源として臭化アルミニウムを使用す
ることにより、従来の塩化アルミニウムやトリメチルア
ルミニウムを使用した場合のような不純物の混入がなく
なり、またトリメチルアルミニウムのような爆発的な反
応性がないため取り扱いが容易である。

また窒素源として笑気ガスを用いたので、この笑気ガス
の供給流量を変化させることにより、Ｎと０の成分比を
変化させることができ、屈折率を任意に設定することが
可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による合成方法に使用するＣＶＤ装置の
構造を示す断面図、第２図と第３図は合成された物質の
成分を示す線図、第４図（Ａ）（Ｂ）は、笑気ガスの供
給流量を変化させたときの成膜速度の変化ならびに酸素
と窒素の成分比の変化を示す線図、第５図（Ａ）（Ｂ）
は、窒素ガスの供給流量を変化させたときの成膜速度の
変化ならびに酸素と窒素の成分比の変化を示す線図、第
６図は笑気ガスと窒素ガスの流量を変化させた場合に合
成される物質の状態を示す説明図、第７図は基板表面に
酸窒化アルミニウムの膜を合成して光導波路を形成した
実施例を示す斜視図、第８図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は成膜
された先導波路を実施例別に示す拡大断面図である。 ｌ・・・反応管、Ａ・・・反応室、３・・・基板、６・
・・ガス第２ 図 枚士電子強堤（ｅＶ） 第３ 図 ２ ４ ６ ４８　　６０ 含ぺ時間（ｍｉｎ） 第５ 図 ０ ０ ０ ０ ００ Ｎ４ｆ　（ｓｃｃｍ） 第６ 図 ０．１ ０．５ １．０２．０ ｓ、ｏ　ｉｏ、。 父、Ｏ ＮｗＯ４量（ｓｃｃｍ） 手続補正書（方式） 事件の表示 平成 ２年 特 許 願 第２９２９号 発明の名称 酸窒化アルミニウムの合成方法 補正をする者 明細書の図面の簡単な説明の欄

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．アルミニウムのハロゲン化物と、窒素原子を含む気
   体と、酸素原子を含む気体とを混合し、これらの混合気
   体をマイクロ波により放電させてプラズマ化し、基板表
   面に酸窒化アルミニウムの膜を析出させることを特徴と
   する酸窒化アルミニウムの合成方法
2. ２．アルミニウムのハロゲン化物は臭化アルミニウムで
   あり、酸素原子を含む気体が笑気ガスである請求項１記
   載の酸窒化アルミニウムの合成方法
3. ３．笑気ガスの供給流量を変化させることにより、析出
   された酸窒化アルミニウムの酸素原子と窒素原子との配
   分比を変えて屈折率を変化させる請求項２記載の酸窒化
   アルミニウムの合成方法