JPH0327720Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0327720Y2 JPH0327720Y2 JP1983054400U JP5440083U JPH0327720Y2 JP H0327720 Y2 JPH0327720 Y2 JP H0327720Y2 JP 1983054400 U JP1983054400 U JP 1983054400U JP 5440083 U JP5440083 U JP 5440083U JP H0327720 Y2 JPH0327720 Y2 JP H0327720Y2
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- stalk
- ceramic
- heat insulating
- molten metal
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- Expired
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Braking Arrangements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、アルミニウム等の非鉄金属及びその
合金の鋳造に用いられる低圧用鋳造装置のストー
クに関するものである。
合金の鋳造に用いられる低圧用鋳造装置のストー
クに関するものである。
低圧用鋳造装置は、第１図に示すように溶湯保
持炉１内のるつぼ２にアルミニウム等の溶湯３を
貯えておき、該るつぼ２内を圧縮空気等により加
圧して溶湯３をストーク４、口金５を通じて鋳型
６内に圧入し、所望の鋳物を造るものであるが、
従来このような低圧用鋳造装置におけるストーク
４は主として鉄製のものが使用されていた。しか
しながら、一般に口金５と接するストーク４の上
端部は、外部へ露出しているために外気に触れて
温度降下をおこし、鋳込み中にストーク４の溶湯
通路８の上端部に第２図に示すように溶融金属及
びその酸化物７が固結して付着するという問題が
あつた。そのままさらに鋳造を続けた場合、溶湯
通路８が完全に塞がれ、作業中断の原因となつて
いた。従来、このような通路閉鎖を防止する手段
として、ストーク４の上端部付近を外部からリン
グバーナ等の加熱装置により加熱する方法も採用
されているが、加熱・冷却の繰り返しによつてス
トークの劣化を生じ易くなり、安全面で問題があ
つた。また、最近耐熱性と断熱性を与えるために
SiC−Si3N4からなるセラミツク製ストークも使
用されているが、これとても断熱効果が未だ充分
なものではなかつた。
持炉１内のるつぼ２にアルミニウム等の溶湯３を
貯えておき、該るつぼ２内を圧縮空気等により加
圧して溶湯３をストーク４、口金５を通じて鋳型
６内に圧入し、所望の鋳物を造るものであるが、
従来このような低圧用鋳造装置におけるストーク
４は主として鉄製のものが使用されていた。しか
しながら、一般に口金５と接するストーク４の上
端部は、外部へ露出しているために外気に触れて
温度降下をおこし、鋳込み中にストーク４の溶湯
通路８の上端部に第２図に示すように溶融金属及
びその酸化物７が固結して付着するという問題が
あつた。そのままさらに鋳造を続けた場合、溶湯
通路８が完全に塞がれ、作業中断の原因となつて
いた。従来、このような通路閉鎖を防止する手段
として、ストーク４の上端部付近を外部からリン
グバーナ等の加熱装置により加熱する方法も採用
されているが、加熱・冷却の繰り返しによつてス
トークの劣化を生じ易くなり、安全面で問題があ
つた。また、最近耐熱性と断熱性を与えるために
SiC−Si3N4からなるセラミツク製ストークも使
用されているが、これとても断熱効果が未だ充分
なものではなかつた。
本考案は、実用新案登録請求の範囲に記載した
構成とすることにより従来のSiC−Si3N4からな
るセラミツク製ストークの断熱効果をさらに高
め、ストークの上端部内面に溶融金属及びその酸
化物が固結して付着することのない低圧用鋳造装
置のストークを提供するものである。
構成とすることにより従来のSiC−Si3N4からな
るセラミツク製ストークの断熱効果をさらに高
め、ストークの上端部内面に溶融金属及びその酸
化物が固結して付着することのない低圧用鋳造装
置のストークを提供するものである。
以下、図面に示す実施例に基づき本考案を説明
する。
する。
第３図は本考案になるストークの１実施例を示
し、ストーク４の本体部９は従来と同様のSiC−
Si3N4からなるセラミツク製である。本考案は、
この従来のセラミツク製ストークの本体部９の溶
湯通路８の上端部内周面に該本体部９よりも熱伝
導率の小さな断熱部１０を形成したものである。
一般に、前記本体部９に使われているセラミツク
（SiC−Si3N4）の熱伝導率は10Kcal／ｍ・ｈ・C°
前後であるから、これよりも熱伝導率の小さな断
熱材を用いなければならない。このような断熱材
としては、例えば、アモサイト石綿繊維と珪藻土
シリカに無機質バインダーを加えて成型したも
の、或は珪酸カルシウムを主原料として無機質バ
インダーを加えて成型したもの等が適する。これ
らの断熱材は、熱伝導率が0.1〜0.2Kcal／ｍ・
ｈ・C°前後と極めて小さく、本体部９に比べて約
50〜100倍程度の高い断熱性を発揮する。しかも、
これらの断熱材は、アルミニウム等の溶融金属に
対する濡れ性が小さく、また耐腐食性もあり、ス
トーク本体部分９との間の膨張率の差も小さく近
似しているため、熱衝撃によるストーク本体との
剥離現象がないという特性を備えている。
し、ストーク４の本体部９は従来と同様のSiC−
Si3N4からなるセラミツク製である。本考案は、
この従来のセラミツク製ストークの本体部９の溶
湯通路８の上端部内周面に該本体部９よりも熱伝
導率の小さな断熱部１０を形成したものである。
一般に、前記本体部９に使われているセラミツク
（SiC−Si3N4）の熱伝導率は10Kcal／ｍ・ｈ・C°
前後であるから、これよりも熱伝導率の小さな断
熱材を用いなければならない。このような断熱材
としては、例えば、アモサイト石綿繊維と珪藻土
シリカに無機質バインダーを加えて成型したも
の、或は珪酸カルシウムを主原料として無機質バ
インダーを加えて成型したもの等が適する。これ
らの断熱材は、熱伝導率が0.1〜0.2Kcal／ｍ・
ｈ・C°前後と極めて小さく、本体部９に比べて約
50〜100倍程度の高い断熱性を発揮する。しかも、
これらの断熱材は、アルミニウム等の溶融金属に
対する濡れ性が小さく、また耐腐食性もあり、ス
トーク本体部分９との間の膨張率の差も小さく近
似しているため、熱衝撃によるストーク本体との
剥離現象がないという特性を備えている。
ストーク４の溶湯通路８の上端部内周面に断熱
部９を形成するには、例えば図示例の如く凹段部
１１を形成し、該凹段部１１内に前記断熱材から
なる円筒状断熱体を嵌め込み、或は水ガラス系の
接着剤で接合すればよい。また、上記凹段部１１
に前記低熱伝導率の断熱材をコーテイングするこ
とによつても形成しうるものである。
部９を形成するには、例えば図示例の如く凹段部
１１を形成し、該凹段部１１内に前記断熱材から
なる円筒状断熱体を嵌め込み、或は水ガラス系の
接着剤で接合すればよい。また、上記凹段部１１
に前記低熱伝導率の断熱材をコーテイングするこ
とによつても形成しうるものである。
本考案は、上記した如くストークの本体部分を
SiC−Si3N4からなるセラミツクで形成し、スト
ークの溶湯通路の上端部内周面に該セラミツクよ
りも熱伝導率の小さな断熱部を形成したから、ス
トーク上端部の断熱性が極めて高くなり、通路内
部を通る溶湯の冷却が防止され、ストーク上端部
内面に溶融金属及びその酸化物が固結して付着す
ることがなくなるという著効を奏する。また、従
来のストークにおいてはストークの上端部分を温
度降下防止のためにリングバーナ等の加熱装置で
加熱していたが、本考案ストークによるときはこ
のような加熱手段も不要となり、装置を簡略化し
うると共に、加熱・冷却の繰り返しによるストー
クの劣化、割れ等の事故を防止しうるという効果
も有する。更に、本考案ストークは、断熱性が高
いために鋳込み作業開始時の予備加熱のための捨
て打ち回数を従来のものよりも減らすことがで
き、作業能率を改善しうるという効果も有する。
SiC−Si3N4からなるセラミツクで形成し、スト
ークの溶湯通路の上端部内周面に該セラミツクよ
りも熱伝導率の小さな断熱部を形成したから、ス
トーク上端部の断熱性が極めて高くなり、通路内
部を通る溶湯の冷却が防止され、ストーク上端部
内面に溶融金属及びその酸化物が固結して付着す
ることがなくなるという著効を奏する。また、従
来のストークにおいてはストークの上端部分を温
度降下防止のためにリングバーナ等の加熱装置で
加熱していたが、本考案ストークによるときはこ
のような加熱手段も不要となり、装置を簡略化し
うると共に、加熱・冷却の繰り返しによるストー
クの劣化、割れ等の事故を防止しうるという効果
も有する。更に、本考案ストークは、断熱性が高
いために鋳込み作業開始時の予備加熱のための捨
て打ち回数を従来のものよりも減らすことがで
き、作業能率を改善しうるという効果も有する。
第１図は低圧用鋳造装置の略示構造図、第２図
は従来のストークの製造を示す縦断面図、第３図
は本考案になるストークの構造を示す縦断面図で
ある。 ４：ストーク、８：溶湯通路、９：ストークの
本体部、１０：ストークの断熱部、１１：凹段
部。
は従来のストークの製造を示す縦断面図、第３図
は本考案になるストークの構造を示す縦断面図で
ある。 ４：ストーク、８：溶湯通路、９：ストークの
本体部、１０：ストークの断熱部、１１：凹段
部。
Claims (1)
- ストーク本体部がSiC−Si3N4からなるセラミ
ツクで形成されており、該本体部の溶湯通路の上
端部内周面に、前記セラミツクよりも熱伝導率が
小さく、かつ該セラミツクと近似している熱膨張
率を有する断熱材からなる断熱部が形成されてい
ることを特徴とする低圧用鋳造装置のストーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440083U JPS59162160U (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 低圧用鋳造装置のスト−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5440083U JPS59162160U (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 低圧用鋳造装置のスト−ク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162160U JPS59162160U (ja) | 1984-10-30 |
| JPH0327720Y2 true JPH0327720Y2 (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=30184742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5440083U Granted JPS59162160U (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 低圧用鋳造装置のスト−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162160U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4955739B2 (ja) * | 2009-07-28 | 2012-06-20 | 助川電気工業株式会社 | 鋳造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522424A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-18 | Tokyo Yogyo Co Ltd | Stalk for low pressure casting device |
| JPS57154366A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Stoke for low pressure casting device |
-
1983
- 1983-04-12 JP JP5440083U patent/JPS59162160U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522424A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-18 | Tokyo Yogyo Co Ltd | Stalk for low pressure casting device |
| JPS57154366A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Toshiba Corp | Stoke for low pressure casting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59162160U (ja) | 1984-10-30 |
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