JPH0327562A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0327562A JPH0327562A JP16169789A JP16169789A JPH0327562A JP H0327562 A JPH0327562 A JP H0327562A JP 16169789 A JP16169789 A JP 16169789A JP 16169789 A JP16169789 A JP 16169789A JP H0327562 A JPH0327562 A JP H0327562A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利川分野〕
本発明はリードフレームに半導体チップを搭載してパッ
ケージを構或する半導体装置に関する。
ケージを構或する半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、リードフレームの一部に
吊りリードによって支持されたアイランドと称するチッ
プ搭載部が形成され、このアイランド上にディスペンス
方式等により銀ペース１一等のエポキシ樹脂を供給した
後、その」二からチップを載置して位置決めし、かつ加
熱処理を行いエボキシ樹脂を硬化させてアイランドにチ
ップを搭載している。
吊りリードによって支持されたアイランドと称するチッ
プ搭載部が形成され、このアイランド上にディスペンス
方式等により銀ペース１一等のエポキシ樹脂を供給した
後、その」二からチップを載置して位置決めし、かつ加
熱処理を行いエボキシ樹脂を硬化させてアイランドにチ
ップを搭載している。
ところで、近年ではチップは大型化する｛頃向にある一
方、パッケージの寸法は規格化されている上に可及的に
小型化が図られているため、必然的に小さいサイズのパ
ッケーシに大きな勺イスのチップを収納することが要求
される。例えば、ＳＯＪ （Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎ
ｅ Ｊ−ｂａｎｄ ｐａｃｋａｇｅ）タイプの一例を示
すと、パッケージサイズ１７．１ｍｍＸ７．５７ｍｍに
対し、チップサイズ１１．６ｍｍＸ ４．８ｍｍであり
、しかも１５ｍｍ Ｘ ６ｍｍ程度のチップまで収納す
る要求がなされている。
方、パッケージの寸法は規格化されている上に可及的に
小型化が図られているため、必然的に小さいサイズのパ
ッケーシに大きな勺イスのチップを収納することが要求
される。例えば、ＳＯＪ （Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎ
ｅ Ｊ−ｂａｎｄ ｐａｃｋａｇｅ）タイプの一例を示
すと、パッケージサイズ１７．１ｍｍＸ７．５７ｍｍに
対し、チップサイズ１１．６ｍｍＸ ４．８ｍｍであり
、しかも１５ｍｍ Ｘ ６ｍｍ程度のチップまで収納す
る要求がなされている。
ところが、チップサイズが大きくなると、パノケージ外
形との間の寸法が低減し、樹脂封止される内部リードの
長さが短くなってリードの支持強度が低下され、リード
が抜け易くなるという問題？ある。また、樹脂封止後に
リードを曲げ加工する際に内部リードと封止樹脂の間に
生じる応力によって両者間での剥がれが生じ易くなり、
耐湿性の低下すなわち信頼性低下を起こし易くなるとい
う問題もある。
形との間の寸法が低減し、樹脂封止される内部リードの
長さが短くなってリードの支持強度が低下され、リード
が抜け易くなるという問題？ある。また、樹脂封止後に
リードを曲げ加工する際に内部リードと封止樹脂の間に
生じる応力によって両者間での剥がれが生じ易くなり、
耐湿性の低下すなわち信頼性低下を起こし易くなるとい
う問題もある。
本発明は上述した問題を解消した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
本発明の半導体装置は、リードフレームに形威する内部
リードの一部を、搭載する半導体チップと重なるように
延設し、この一部に絶縁■性樹脂を用いて該半導体チッ
プを接着支持した構威としている。
リードの一部を、搭載する半導体チップと重なるように
延設し、この一部に絶縁■性樹脂を用いて該半導体チッ
プを接着支持した構威としている。
この構威では、内部リードの一部を半導体チップと重な
るように長く形戒ずることで、封止摺脂内における内部
リードの長さを長くでき、内部リドの支持強度を高め、
かつその剥離を防止する。
るように長く形戒ずることで、封止摺脂内における内部
リードの長さを長くでき、内部リドの支持強度を高め、
かつその剥離を防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示しており、
第１図はリードフレームの平面図、第２図は第ｌ図のリ
ードフレームにチップを搭載した状態の平面図である。
第１図はリードフレームの平面図、第２図は第ｌ図のリ
ードフレームにチップを搭載した状態の平面図である。
第１図において、リードフレーム１は金属板を所要形状
にプレスまたはエッチング加工して形威しているが、こ
のリードフレーム１にはアイランド及び吊りリードを形
威しておらず、フレーム２内部リード３，外部リード４
及びこれらリードをフレーム２に連結するクイハー５で
構威している。
にプレスまたはエッチング加工して形威しているが、こ
のリードフレーム１にはアイランド及び吊りリードを形
威しておらず、フレーム２内部リード３，外部リード４
及びこれらリードをフレーム２に連結するクイハー５で
構威している。
そして、内部リー１３は各先端のボンディング部３ａを
、搭載するチップの端部に沿って配列しているが、その
先端部にまで至る中間の部分を、搭載するチップの中央
部分と重なるように延設した形状に構威している。また
、この内部リート３の中間部分の複数箇所表面には、非
導電性のエボキシ樹脂６を点状に配設している。このエ
ボキシ樹脂６はディスペンス方式により供給し゛ζよ冫
り、このため円柱状をして内部リード３の表面上に盛り
上がって形威されている。
、搭載するチップの端部に沿って配列しているが、その
先端部にまで至る中間の部分を、搭載するチップの中央
部分と重なるように延設した形状に構威している。また
、この内部リート３の中間部分の複数箇所表面には、非
導電性のエボキシ樹脂６を点状に配設している。このエ
ボキシ樹脂６はディスペンス方式により供給し゛ζよ冫
り、このため円柱状をして内部リード３の表面上に盛り
上がって形威されている。
このように構威したリードフレーム１に、第２図に示す
ようにチップ７を搭載する。このチップ７の端部には複
数個のボンディングパッド８を配設しており、前記内部
リード３の中間部分に設けたエボキシ樹脂６上にその裏
面を接触させた状態で、かつこれらエボキシ樹脂６に多
点支持された状態で載置される。その後、加熱処理（例
えば、２００゜Ｃ１時間）を行いエポキシ樹脂６を硬化
させることで、エボキシ樹脂６の接着力によりチップ７
を内部リード３の中間部上に固着される。そして、ボン
ディングパッド８と内部リード３のボンディング部３ａ
とをボンディングワイヤ９で接続する。
ようにチップ７を搭載する。このチップ７の端部には複
数個のボンディングパッド８を配設しており、前記内部
リード３の中間部分に設けたエボキシ樹脂６上にその裏
面を接触させた状態で、かつこれらエボキシ樹脂６に多
点支持された状態で載置される。その後、加熱処理（例
えば、２００゜Ｃ１時間）を行いエポキシ樹脂６を硬化
させることで、エボキシ樹脂６の接着力によりチップ７
を内部リード３の中間部上に固着される。そして、ボン
ディングパッド８と内部リード３のボンディング部３ａ
とをボンディングワイヤ９で接続する。
なお、エボキシ樹脂６は非導電性であるが、内部リード
３ａの全面に均一に供給されてはいないので、ディスベ
ンス方式で供給する際は多量（例えば、５０μｍ厚程度
）に供給しておき、チップ７の供給後でも２０μｍ厚程
度になるようにして、エボキシ樹脂６がない箇所でチッ
プ７と内部リード３ａが接触しないようにする必要があ
る。
３ａの全面に均一に供給されてはいないので、ディスベ
ンス方式で供給する際は多量（例えば、５０μｍ厚程度
）に供給しておき、チップ７の供給後でも２０μｍ厚程
度になるようにして、エボキシ樹脂６がない箇所でチッ
プ７と内部リード３ａが接触しないようにする必要があ
る。
しかる上で、これらを樹脂封止し、その後タイパー５，
フレーム２を切断し、外部リード４を１１１１げ形威す
ることで半導体装置が完威される。なお、第２図の鎖線
は封止樹脂１０の外形を示している。
フレーム２を切断し、外部リード４を１１１１げ形威す
ることで半導体装置が完威される。なお、第２図の鎖線
は封止樹脂１０の外形を示している。
この半導体装置によれば、内部リード３をチップ７の裏
面側で延設させることができるので、封止樹脂１０内に
おける長さを充分長くできる。これにより、チップ７が
大型化された場合でも内部リード３の支持強度を高めて
その脱落を防止し、かつ内部リード３と封止樹脂１０と
の間の剥離を防止することができる。また、この構或で
は、アイランドの代わりとして内部リード３の中間部を
用いるため、現状の半導体製辿装置をそのまま利用する
ことも可能である。
面側で延設させることができるので、封止樹脂１０内に
おける長さを充分長くできる。これにより、チップ７が
大型化された場合でも内部リード３の支持強度を高めて
その脱落を防止し、かつ内部リード３と封止樹脂１０と
の間の剥離を防止することができる。また、この構或で
は、アイランドの代わりとして内部リード３の中間部を
用いるため、現状の半導体製辿装置をそのまま利用する
ことも可能である。
第３図及び第４図は本発明の第２実施例を示Ｌ７ており
、第３図はリードフレームの裏面図、第４図はチップを
搭載した状態の平面図である。
、第３図はリードフレームの裏面図、第４図はチップを
搭載した状態の平面図である。
第３図に示すように、この実施例では、リートフレーム
１に設けた内部リート３Ａは、そのホンディング部３ａ
が全てチップ７と重なるように長く形威している。この
場合、隣接する内部リード３Ａの各ボンディング部３ａ
間には、チップの周辺に設けたボンディングパッド８を
露呈させるための空隙を設けている。そして、この内部
リード３Ａのチップと重なる部分の裏面にはエポキシ樹
脂６を点状に配列している。
１に設けた内部リート３Ａは、そのホンディング部３ａ
が全てチップ７と重なるように長く形威している。この
場合、隣接する内部リード３Ａの各ボンディング部３ａ
間には、チップの周辺に設けたボンディングパッド８を
露呈させるための空隙を設けている。そして、この内部
リード３Ａのチップと重なる部分の裏面にはエポキシ樹
脂６を点状に配列している。
このリードフレームＩＡでは、第４図に示すように、リ
ードフレーム１Ａは裏返しにされた上でチップ７の表面
上に載置され、加熱処理を行ってエポキシ樹脂６により
チップ７を内部リード３Ａに固着する。このとき、チッ
プ７はポンディングパッド８が内部リード３Ａのボンデ
ィング部３ａ間に露呈される。そして、ボンディングパ
ット８とボンディング部３ａとをボンディングワイヤ９
により接続する。
ードフレーム１Ａは裏返しにされた上でチップ７の表面
上に載置され、加熱処理を行ってエポキシ樹脂６により
チップ７を内部リード３Ａに固着する。このとき、チッ
プ７はポンディングパッド８が内部リード３Ａのボンデ
ィング部３ａ間に露呈される。そして、ボンディングパ
ット８とボンディング部３ａとをボンディングワイヤ９
により接続する。
なお、この場合も、エボキシ樹脂の１１さ番よチップ供
給後２０μｍ程度になるようにする必要がある。
給後２０μｍ程度になるようにする必要がある。
また、チップ搭載時にはチップを裏返しにして固着を行
ってもよい。
ってもよい。
この実施例においても、封止樹脂ＩＯ内における内部リ
ード３Ａの長さを長くでき、内部リード３Ａの支持強度
を高め、かつその剥離を防止することができる。また、
この例では、チップーヒに内部リードのボンディング部
が位置されるため、第１実施例よりも更にチップサイズ
を大きくできるという利点がある。
ード３Ａの長さを長くでき、内部リード３Ａの支持強度
を高め、かつその剥離を防止することができる。また、
この例では、チップーヒに内部リードのボンディング部
が位置されるため、第１実施例よりも更にチップサイズ
を大きくできるという利点がある。
第５図は前記第２実施例に用いるチップの変形例を示す
もので、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図であ
る。
もので、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図であ
る。
このチップ７Ａは周辺部にボンディングパット８を形威
しており、この配置は第４図に示したチップ７と同じで
ある。そして、このボンディングバッド８を除くチップ
の中心部にはエボキシ樹脂６Ａを均一に形威している。
しており、この配置は第４図に示したチップ７と同じで
ある。そして、このボンディングバッド８を除くチップ
の中心部にはエボキシ樹脂６Ａを均一に形威している。
ここでは、エボキシ樹脂６Ａはスタンプ方式により形威
しているが、ディスペンス方式でも良い。
しているが、ディスペンス方式でも良い。
このチップ７Ａを用いれば、エボキシ樹脂６Ａにより内
部リード３Ａとの絶縁及び固着を実行できるため、内部
リード３Ａの裏面にエボキシ樹脂を点在形成する必要は
ない。これにより、リードフレームへのチップの固着に
際しては、リードフレームＩＡ又はチップ７Ａを裏返し
にする必要はなくなり、組立作業を容易にできる。
部リード３Ａとの絶縁及び固着を実行できるため、内部
リード３Ａの裏面にエボキシ樹脂を点在形成する必要は
ない。これにより、リードフレームへのチップの固着に
際しては、リードフレームＩＡ又はチップ７Ａを裏返し
にする必要はなくなり、組立作業を容易にできる。
〔発リ１の効果〕
以上説明したように本発明は、内部リードの一部を半導
体チップと重なるように延設し、この一部に絶縁性樹脂
を用いて該半導体チップを接着支持しているので、内部
リートの一部を半導体チップと重なるように長く形成す
ることで、封止樹脂内における内部リードの長さを長く
でき、内部リドの支持強度を高めてその離脱が防止でき
るとともに、リード曲げ加工時における内部リードと封
止樹脂との間の剥離を防止し、耐湿性の劣化を防止する
ことができる。
体チップと重なるように延設し、この一部に絶縁性樹脂
を用いて該半導体チップを接着支持しているので、内部
リートの一部を半導体チップと重なるように長く形成す
ることで、封止樹脂内における内部リードの長さを長く
でき、内部リドの支持強度を高めてその離脱が防止でき
るとともに、リード曲げ加工時における内部リードと封
止樹脂との間の剥離を防止し、耐湿性の劣化を防止する
ことができる。
第１図は本発明の第１丈ｈ％例におり゜るリードフレー
ムの平面図、第２図は第１実施例におけるチップを搭載
した状態の平面図、第３図は本発明の第２実施例におけ
るリードフレームの裏面図、第４図は第２実施例におけ
るチップを搭載した状態の平面図、第５図はチップの変
形例を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図
である。 １，ＩＡ・・・リードフレーム、２・・・フレーム、３
．３Ａ・・・内部リード、３ａ・・・ボンディング部、
４・・・外部リード、５・・・タイハー、６，６Ａ・・
・エボキシ樹脂、７，７Ａ・・・チップ、８・・・ボン
ディングパッド、９・・・ボンディングワイヤ、１０・
・・封止樹脂。 ９ １０ 第４ 図 第１
ムの平面図、第２図は第１実施例におけるチップを搭載
した状態の平面図、第３図は本発明の第２実施例におけ
るリードフレームの裏面図、第４図は第２実施例におけ
るチップを搭載した状態の平面図、第５図はチップの変
形例を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図
である。 １，ＩＡ・・・リードフレーム、２・・・フレーム、３
．３Ａ・・・内部リード、３ａ・・・ボンディング部、
４・・・外部リード、５・・・タイハー、６，６Ａ・・
・エボキシ樹脂、７，７Ａ・・・チップ、８・・・ボン
ディングパッド、９・・・ボンディングワイヤ、１０・
・・封止樹脂。 ９ １０ 第４ 図 第１
Claims (1)
- １、リードフレームに半導体チップを搭載し、この半導
体チップのボンディングパッドとリードフレームの内部
リードとをボンディングワイヤにて電気接続し、かつこ
れらを樹脂封止してなる半導体装置において、前記内部
リードの一部を半導体チップと重なるように延設し、こ
の一部に絶縁性樹脂を用いて前記半導体チップを接着支
持したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16169789A JPH0327562A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16169789A JPH0327562A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327562A true JPH0327562A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15740146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16169789A Pending JPH0327562A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0327562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685150A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-03-25 | Siemens Ag | 集積回路 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS63141329A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｃパツケ−ジ |
| JPS63152161A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02246125A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16169789A patent/JPH0327562A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS63141329A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｃパツケ−ジ |
| JPS63152161A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02246125A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685150A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-03-25 | Siemens Ag | 集積回路 |
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