JPH0327545A - エッジ検出装置及び容量型距離測定装置及びウエハ搬送装置 - Google Patents

エッジ検出装置及び容量型距離測定装置及びウエハ搬送装置

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JPH0327545A
JPH0327545A JP2040842A JP4084290A JPH0327545A JP H0327545 A JPH0327545 A JP H0327545A JP 2040842 A JP2040842 A JP 2040842A JP 4084290 A JP4084290 A JP 4084290A JP H0327545 A JPH0327545 A JP H0327545A
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capacitive
wafer
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electrode
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    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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    • G01B7/02Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/023Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring distance between sensor and object

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈要約〉 ウェハのエッジの位11tを検出する場合等高さ方向の
変動を伴う横方向位置をtjリ定するためのエッジ検出
システムは2つの容量形プローブを石している。
このプローブは少動的部材と、このプローブ外の離れた
位置にある能動的部材から形成されている。これにより
、ウェハの位置に配置するプローブをより小型で安定で
かつ経済的なものとすることができる。
このプローブは複数のオペアンプを使用した?■子回路
を内蔵しており、該オペアンプはウェハ高さ効果に対し
てのエッジ検出の補償を行うようにプローブを作動させ
る。
〈発り]の育景と利川分’JF> 自動試験システムでの半導体ウェハの取扱において、ウ
ェハを既知の位置、方向で検査位置から検査位置へと移
動させるためには、それぞれのウェハの正確な位置決め
が不iir欠である。そのような方向決めを行うために
、従メ(は通常各ウェハのアライメントを実行しており
、これは米国特a′F 4 +457,664 (↓9
84年7月3日)に記4戊されている。
ここで言うアライメント(整列化)には、ウェハのエッ
ジ位置の検出と、予め決められているアライメント手順
(プロトコル)に従って、II Ild ii’7する
ことを含んでいる。エッジはウェハを容量形エッジ検出
器上で回転させることにより検出される。そして、ミス
アライメントとフラン1〜ネスの情報はコンピュータで
処理されて、手順に従ってアライメン1−するのに必要
なウェハの運動が決定される。
従来では処理できなかったであろうウェハも近年のウェ
ハ処理技術では利用することができるようになってきて
いる。そのためアライメントシステムもそのようなウェ
ハを取り扱う必要が生じてきている。ウェハが完全でな
い理山のーっはワープ/バウ等の反りの存在である。こ
れらの反りはエッジの位置に影響を与えることはないが
、ウェハからのキャパシタンスには影響があり、ウェハ
の位置変化の形でエッジ検出処理に誤差或分を与え得る
このような位置変動と共に容量形センサの間隔には端部
フィールドの複合的な依存により、イ、↑加的な変動も
生じてくる。
このような環境において半導体ウェハを測定するのに使
川されるプローブは小さく、安定し、又効率的に製造出
来、更に調整が簡単なものが望ま7 −8= しい。
〈発明の概要〉 この発明のウェハアライメントシステムは受1リ』的な
プローブを有している。このプローブはサイズが小さく
、安定しており製造、調整が簡単なものである。
発明の☆f適な実施例においては第1と第2の党動的な
容量形プローブを配列されるウェハに近接して対向させ
、一つのプローブがウェハエッジの位置と、プローブと
エッジの間隔の両方に感応するように配置してある。一
方、他方のプローブはウェハのバウ/ワープの反りによ
るウェハとプローブの間の間隔についてのみ感応する。
全ての能動回路は、離れた処に位置してプローブにより
検出されたパラメータから高さとエッジを検出する電子
装置に納められている。この電子装置は複数のオペアン
プをイfしている。このオペアンプは、プローブを励振
するために用いられる信号を効果的に1東動する。該プ
ローブはギャップのみに感応するように用いられる他の
プローブから発生する信z〕・と共に、エッジとギャッ
プの両方に感応するように用いられる。
このエッジあるいは側面検知プローブは信号ずれに直接
比例した出力を出すための一つのアンプの入力1!−リ
路につながれている。イj゜限のゼロでないウェハの傾
斜を補償する処理回路の使用と共に付加的回路がエッジ
検出信号中の複合的な誤差を補償するために用いられて
いる。この誤左は半導体ウェハのバウ/ワーブの反りに
よる)I′8辺部の変動に起因するものである。間隔を
反映している分離出力が/,l}られる。
〈実施例〉 この発明は位置検出における高さ方向の変動を補償する
オペアンプによるシステムに関し、より詳細には、バウ
/ワープにおけるウェハの反りによる誤差が中性化され
るウェハアライメント装置のための半導体ウェハエッジ
検出システl1に関ずる。
第1図に示すウェハアライナにおいて半導体ウェハ{2
(一部のみ図示する)は、吸引チャック14の上に置か
れている。吸引チャック14」二でウェハにはシャフト
l8を介して駆動システム16により回転運動し、アラ
イメントのために移動するようになっている。これにつ
いては、米IUu特許4,/157,664−シJにi
紀桟の通りである。
吸引チャックエ4により支持されていない場合は半導体
ウェハ12はウェハ処理システムの他の工程に移動する
ための支持装置に載せても良い。
半導体ウェハl2にバウ/ワープ等の反りがあると、そ
の位置は正常位置12゛から外れた位1凸′12゛にず
れる。ウェハのエッジ22を検出するため、第1プロー
ブ24と第2プローブ26が半導体ウェハ12との間隔
を容是的に測定するために配置されている。
第1プローブ24はエッジ検出電極28により検出され
るキャパシタンスにより半導体ウェハ12との間隔 ″
d′″及びエッジ22の位置の両方に感応する。第2プ
ローブ26はウェハと間隔検出電極30との間の間隔に
ついてのみ感ノ芯する。
どちらのプローブも端部フィールド効果( f r i
nge  field  effect  )について
は感応するが、エッジ検出電極28の端部フィールドは
エッジ22や、エソジ22より外側に延出している電極
部により幾何学に複雑である。この複雑さはバウ/ワー
プの反りに伴う間隔 ”dの変動により構成されるもの
である。
第2図に好ましい回路の実施例を示す。
垂直或はd軸プローブ70は中央部電極72と、その周
vlを四むガード電極75からなり、それぞれがオペア
ンプ74の反転、非反転入力とつながっている。オペア
ンプ74の出力は接地されており、またプローブ70が
測定している要素76につながれている。交流邸動信号
が交流電源78により抵抗82を間に挟んでアンプ80
の反転入力とグランドとの間に供給されている。アンプ
80の出力はリファレンスキャパシタ84を通じて、オ
ペアンプ74の反転入力につながれている。アンプ80
の非反転入力は抵抗86を通じて接地されており、また
、可変抵抗88を通じてオペアンプ74の非反一転入力
八つなかれている。
−1■ー 12− Xとd次元の複合したものを検知するためのIiII路
がオペアンプ74の非反転入力に結合されており、オペ
アンプ90の非反転入力へ接lI5’Jさせている。オ
ペアンプ90の反転入力はプローブ94の中央部電極9
2に接続している。またプローブ94のガート電極96
はオペアンプ90の非反転入力へ接続している。オペア
ンプ90の出力はリファレンスキャパシタ98を通って
反転入力にフィードバックしており、また、抵抗100
を通ってオペアンプ102の反転入力に接続している。
オペアンプ102の出力は抵抗104を通って反転入力
へフィードバックされており、また、X次元に比例し、
dにおける変動に対しては補正されている信号Vxを発
生する。
オペアンプ102の非反転入力は抵抗106を通って接
地されている。また可変抵抗108を介してオペアンプ
90の非反転入力と結合している。
アンプ80の回路は可変抵抗88の調整により回路の非
理想状態を補償する。
これはオペアンプ74におけるl!l想ゲインの不足及
びキャパシタ110による端部又は迷走(fringe
 or stay)キャパシタンスを補償する。同様に
して可変抵抗108の調整によりプローブ94の迷走キ
ャパシタンス112を補償する。
第2図の上半分の回路について図で使用した記号を使い
数学的に示すと、 Vz=Crz/ (Cz+Coz)(Vi−Vz)Vi
=−Vin+Vz A ここでAは可変批抗88により制御される。
そして Vz=Crz/  (Cz+Coz)  (−Vin+
Vz  A−Vz) Vz/Vin=  (− Crz)/  (Cz+ C
oz−A  Crz十Crz) 可変抵抗88を調整して Coz − A Crz+ Crz= 0とすると、 Vz/Vin=−Crz/Cz となる。
Cz=Kz/d (ここで間隔検出電極30の次元は標準化されている。
) その時 Vz= − Vin Crz d / Kz次に回路の
下半分について考える。
出力Vxはつぎのようになる。
Vx==−Vz (1 +(Cx十Cox)/Crx)
+ A Vz ここでAは可変抵抗108により制御される。
Vx=−Vz (Crx+Cx十Cox−A  Crx
)/Crx Aを調整することにより Cox十Crx − A  Crx= 0とすることが
できるから、 Vx= − Vz  Cx/ Crx となる。
VzとCxを下式のように置く。
Vz = − Vin Crz d / KzCx=(
WXε)/d ここで,又は標準化したエッジの位置、Wはエッジ検出
電極28の幅である。(好ましくはWは狭い方が分解能
のためには有利である。)そして、VxはVin (C
rz/Crx) EWX/Kzになり、Xにのみ直接比
例する。他の因数は回路或はプローブのパラメータによ
って決定される定数である。
第3国は半導体ウェハ120がハンドまたは作動端工2
2の上に乗っている図である。複数のプローブモジュー
ル124が設けられている。
これらは夫々第1プローブ24、第2プローブ26とし
て図示したタイプのXとdの別々の分離した電極を備え
ている。ウェハ120のエッジがX検出電他の」二に位
置するように、該プローブは配置されている。
更にハント122は米国特訂出願番号0 7/051、
090号(1 9 8 7年5月15日出願)に示すロ
ボッ1−の腕の端末作動端であっても良い。
このようにハント上22はアーム130とアー−15− 16− ム132とを介して,鮭動装置128により半P、角度
、高さ方向に夫々独立的に動かされる。
それぞれのプローブの回路工34の位1置出力はロボッ
トアーム外の電子装置136で、分析可能になっており
、これにより標型三角法を使ってハンド122上のウェ
ハの中心位置が検出される。
また、該位置出力は他の11的のために分析される。
更に第4図に示すように予備アライナプラットフォーム
152上のウェハ150は捻れる可能性がある。少なく
とも81リ定器位置の一部で誇大化して図示するように
非ゼロスロープで傾く。その結果間隔検出電極30の上
又は下におけるウェハの高さは間隔検出電極30におけ
る間隔のある関数により、エッジ検出電極28における
出力よりも小さくなる。これがオペアンプ90の非反転
入力へ入力される間隔信号に存在するエラーの原因とな
る。
このようなエラーを防ぐため第5図の回路がオペアンプ
102の出力を調整するために用いられる。
エッジ検出電極28における実際の間隔はエッジ検出電
極28における間隔の複合的な関数であっても良く、そ
して、そのような複合的なエラーも補正することができ
るが、通常は予備アライナプラットフォーム152から
エッジ検出電極28、間隔検出電極30へのウェハ15
0の傾きを直線的であると仮定して1次エラーを補正す
れば十分である。オペアンプ102からのエッジ信号は
典型的には処理装置154(及びそれに接続するキーボ
ード、ディスプレイ)に入力される。該処理装置↑54
は入力された信号を演算処理することができるように構
成されており,入力としてV z ,Vx信号を第2図
のlot路から入力する。傾斜についての補償は処理装
置154により行われ、下記関係を使川して補償出力V
xcが出力される。
Vxc=Vx B (Vz) ここでB(Vz)は補正関数であり、定数と一つの変数
Vzのみにより決定され、次のように展開される関数で
ある。
第2図よりdzはdx、Vx とは等しくないのでVx
  =  (Vin  Crz WX/ (Crx  
Kz) )  (dz/dx); 補正係数B = d x / d zをVxへ適川する
と、直線的傾斜を補正されたVxc,Vx を得ること
ができる。
Vxc=Vx  B; 第4図の関係を利用すると B  =  dx/dz = 1 + ( (dz−do) / dz)  ( 
rzx/ rz) ;比は do/dz=Vo/Vzであるから、 dz=doである時はVo=Vzとなる。
そして、 B一↓+ (  (Vz−Vo)/Vz)  ( rz
x/ rz)となる。
処理装置154はこのアルゴリズムを実行する。
種々の定数については等式を実行するス1〜アー1〜プ
ログラムの中に入れておくことができ、これはキーボー
ドから入力すれば良い。
上記したこの発明によるプローブシステムは実施例に過
ぎない。このような補償は他の形態によっても実現可能
であり,それ故この発明の範囲は特許請求の範四にのみ
に赳づいて制眼される。
【図面の簡単な説明】
第1図はエッジ検出に使用した本発明のウェハ反り補正
システムの概略図、第2図は重子システムの回路図、第
3図は本発明を適用したマルチプローブ位置センサの平
面図、第4図は本発明の他の特徴の説明図、第5図はそ
の回路図である。 12:半導体ウェハ、12’:正常位置、12″外れた
位置、14:吸引チャック、16:駆動システム、l8
:シャフト、22:エッジ、24:第1プローブ、26
:第2プローブ、28:エッジ検出電極、30:間隔検
出電極、70:プローブ,72:中央部電極,74:オ
ベアンプ、75:ガード電極、76:要素、78:交流
電源、80:アンプ、82:抵抗、84:リファレンス
キ19ー 20 ャパシタ、86:抵抗、88:可変抵抗、90:オペア
ンプ、92:中央部電極、94:プローブ、96:ガー
ド電極、98:リファレンスキャパシタ、100:抵抗
、102:アンプ、104:抵抗、106:抵抗、10
8:可変抵抗、110:キャパシタ、112:迷走キャ
パシタンス、120:半導体ウェハ、122:ハンド、
124:プローブモジュール、128:廓動装置、13
0:アーl1、132:アーム、↓34:回路,136
:電子装置、150:ウェハ、152:予備アライナプ
ラットフォーム、154:処理装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)支持された部材の容量型エッジ検出装置であって; そのエッジの位置が検出される部材と; 該部材に近接してそのエッジの近くに配置 され、前記部材のエッジを超えた部分の変位と、前記部
    材との間の距離の両方の関数として変化するパラメータ
    を有する第1プローブと; 前記第1プローブの近くで前記第1プロー ブよりも内側に配置され、前記部材からの距離により変
    化するパラメータを有している第2プローブと; 前記第1プローブの電極により検出される キャパシタンスをそのフィードバックループ内に有する
    第1のオペアンプと; 第2プローブの電極により検出されるキャ パシタンスをその入力回路に有する第2のオペアンプと
    ; 前記第1オペアンプを駆動する交流励振電 源と; を有することを特徴とする容量型エッジ検 出装置。 2)その中心において前記部材を支えるための手段を有
    する請求項第1項に記載の容量型エッジ検出装置。 3)部材をその中心において回転させる手段を有する請
    求項第2項に記載の容量型エッジ検出装置。 4)前記支持手段上のより中心に位置させるためのエッ
    ジ位置の前記指示に応答して、前記ウェハを前記支持手
    段上において再配置する手段を更に有する請求項第3項
    に記載の容量型エッジ検出装置。 5)前記支持手段が吸引チャックを備えた請求項第2項
    に記載の容量型エッジ検出装置。 6)前記部材が半導体ウェハである請求項1項に記載の
    容量型エッジ検出装置。 7)前記第1プローブがキャパシタンス検出電極を有す
    る請求項第1項に記載の容量型エッジ検出装置。 8)キャパシタンス検出電極を前記第2プローブが有す
    る請求項第7項に記載の容量型エッジ検出装置。 9)前記第1及び第2プローブ電極が前記部材に対面す
    る有効面積のほぼ等しい表面を有する請求項第8項に記
    載の容量型エッジ検出装置。 10)各キャパシタンス検出電極の回りに設けられたガ
    ードを更に備えた請求項第8項に記載の容量型エッジ検
    出装置。 11)前記各ガードとそれに伴う電極上に実質的に理想
    的なポテンシャルを保持するための手段を更に備えた請
    求項第10項に記載の容量型エッジ検出装置。 12)前記第2のオペアンプの出力を入力するために接
    続された第3のオペアンプを有する請求項第1項に記載
    の容量型エッジ検出装置。 13)前記第2プローブにより検出されたエラーを補償
    する第2及び第3のアンプの結合手段を更に備えた請求
    項第12項に記載の容量型エッジ検出装置。 14)前記第1及び第2プローブと部材とのそれぞれの
    間の距離の差を第2のオペアンプの出力について補償す
    る手段を有する請求項第1項に記載の容量型エッジ検出
    装置。 15)部材から距離をおいたキャパシタンス検出電極と
    、 前記電極に接続されたオペアンプと、 該オペアンプの非反転入力と部材との間に つながれた交流励振電源と、 前記電極と部材との間の距離に直接依存し て変動する信号を提供する前記オペアンプの出力と、 を有する容量型距離測定装置。 16)前記電極がガードと、前記電極の実質的なポテン
    シャルにおいて該ガードを駆動する手段と、 を有する請求項第15項に記載の容量型距 離測定装置。 17)迷走キャパシタンスに起因する効果を前記出力に
    ついて補償する手段を更に有する請求項第15項に記載
    の容量型距離測定装置。 18)前記オペアンプの無限以下のゲインに起因する効
    果を前記出力について補償するための手段を有する請求
    項第15項に記載の容量型距離測定装置。 19)第1位置において部材からの距離を表す第1出力
    を提供するための第1プローブ手段と;第2位置におい
    て部材からの距離を該部材 のエッジからの変位と共に表す第2出力を提供するため
    の第2プローブ手段と; 前記第1出力が前記第2プローブ手段の第 2位置において提供された場合の第1出力を予測するこ
    とにより第2出力を補償する手段と; を有するエッジ検出装置。 20)ウェハを受け取り、且つ配送するためのウェハ移
    動ハンドと; 該ハンド上におけるウェハのエッジ位置を 示す出力を提供する前記ハンド上に設けられている複数
    のウェハエッジセンサと; 該複数のセッサエッジ信号に応答して前記 ハンド上の前記ウェハの位置を検出するための手段と; を有するウェハ位置検出を伴うウェハ搬送 装置。
JP02040842A 1989-03-07 1990-02-21 エッジ検出装置及び容量型距離測定装置及びウエハ搬送装置 Expired - Lifetime JP3132756B2 (ja)

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