JPH0327515A - パターン位置検出装置及び露光装置 - Google Patents
パターン位置検出装置及び露光装置Info
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Landscapes
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
あるいは不透明膜のパターンを検出するパターン検出装
置に係り、とくに液晶表示素子等の電子デバイスの製造
工程に用いられるアライメント検出系等に用いられるパ
ターン検出装置およびアライメント検出系を有する露光
装置に関する。
るのが『光学技術ハンドブック、P.853〜855、
朝倉書店、昭和46年10月30日1等に記載の位相差
顕微鏡である。
ると、透明物体のわずかな構造の差により回折光を生し
、透明物体の上方に設けた対物レンズの後側焦点位置に
回折像を生じる。この回折5 6 像は0次回折像と1次回折像に分けられ、ここで0次回
折像の強度及び位相を変えて、物体の結像位置において
1次回折像と干渉させて、わずかな構造の差を明暗の差
とするものである。
であり、対物レンズの後側焦点位置に配置している。
方から照明し、上方に設置した対物レンズで検出する透
過照明方式の検出方法である。また通常対物レンズの後
側焦点位置はレンズ鏡筒内にある。したがって位相差検
出に用いる対物レンズは位相差板を内蔵した特殊なもの
となる。
。液晶表示素子等の電子デハイス番上、通常ガラス基板
に光を透過するために透明の電極や、!・ランジスタを
形成するために金属膜のパターンなど、透明および不透
明の数層のパターンで形成されている。したがって、上
記のパターンを形或する露光装置の検出系においても、
透明および不透明のパターンを検出する必要があり、従
来の透過照明法では検出ができない場合を生じる可能性
がある。
るパターン検出方法としては、透明および不透明のパタ
ーンを同一の検出系で、あるいは簡易な切換で双方を交
互に検出できることが必要となる。
照明で明視野検出を容易に切換可能にし、かつ落射照明
方式で位相差検出および明視野検出の双方を可能にして
液晶表示素子等の電子デバイスに形成されたパターンを
高感度にかつ精度良く検出することができるようにした
パターン検出装置を提供することにある。
基板に所望の回路パターンを露光する際、上記基板上に
形或されたアライメントパターンを高感度に検出して高
精度のアライメントを実現で7 8 きるようにした露光装置を提供することにある。
出装置は、検出物体に検出側とは反対側から照明し、コ
ンデンサレンズの後側焦点位置に開口絞りを備えた透過
照明手段と、検出側の対物レンズを通して照明する落射
照明手段を有し、前記対物レンズの後側焦点位置と共役
位置に位相差板を有し、かつ受光素子を上記対物レンズ
を介して検出物体と結像位置に配置した検出系を有する
ものである。
。
ン装置は、対物レンズを通して検出物体の段差パターン
を照明し、上記対物レンズの後側焦点位置と共役位置に
光を通過する開口絞りを備えた落射照明手段と、前記対
物レンズの後側焦点位置と共役位置に配置し、かつ前記
開口絞りと異なる位置に配置した位相差板と、受光素子
を対物レンズを介して検出物体と結像位置に配置した検
出系を有するものである。
は対物レンズの後側焦点位置の共役位置付近に配置され
たものである。
は挿抜可能に構成されたものである。
置は、前記パターン検出装置を備え、基板(検出物体)
に形成されたアライメントマークの位置を検出してマス
クと基板とを相対的にアライメントするアライメント手
段を備えたものである。
射照明手段を有する前記パターン検出装置を備え、検出
系の出力レベルを自在に変化可能に構成されたものであ
る。
透過方式の照明系と、検出側の対物レン9 10 ズを通して照明する落射方式の照明系と、前記対物レン
ズの後側焦点位置と共役位置に位相差板を配置し、また
受光素子を対物レンズを介して検出物体と結像位置に配
置した検出系であるから、透明膜のパターンを透過照明
方式の位相差検出で、また不透明膜のパターンを落射照
明方式の明視野検出で検出が可能となる。
共役位置に光を通過する開口絞りを配置し、前記対物レ
ンズを通して検出物体を照明する落射方式の照明系と、
前記対物レンズの後側焦点位置と共役位置にあり、しか
も前記開口絞りと異なる位置に位相差板を配置し、また
受光素子を対物レンズを介して検出物体と結像位置に配
置した検出系であるから、検出物体である透明物体に形
成されている、透明膜のパターンを落射照明方式で検出
することが可能となる。
の内部にあるが、上記した様に開口絞り及び位相差板を
共役位置に置くことにより,位相差検出専用の対物レン
ズでなくとも、用いることが可能となる。
り、位相差検出と明視野検出の双方が可能になり、検出
物体に適した検出方法を選択、適用することが可能とな
る。
形成されたものとする。
照明光路(■)3、目視光路4で構成されている。
.VカメラあるいはC.C.D等の受光素子7で構成さ
れている。基板1と受光素子7は対物レンズ5とリレー
レンズ(■)6を介して結像関係にある。対物レンズ5
の後側焦点位置8とリレーレンズ(I)6を介して共役
関係にある位置に位相差板9を配置する。
ンズ( 1 ) 52とリング状のスリット53とコン
デンサレンズ54で構成されており、スリット52はコ
ンデンサレンズ(n)54の後側焦点位置55に配置す
る。
1lとリレーレンズ(nH2で構成されており、光源(
n)10の像は対物レンズ5の後側焦点位置8に結像さ
れる様に即ちケーラー照明とする。
分割,結合されている。
を介して目視で観察するものである。
に示すように一般的リング状をしている。
て、コンデンサレンズ54を介して基板1に対して千行
光となって照明される。
リレーレンズ(nH2を介して基板1に対して平行光と
なって照明される。
分に光の位相を変化させる位相膜を設けたものである。
る必要があり、その位置合わせ状態を観察するのが目視
光路4である。目視光路4により位相差板9を観察すれ
ば、対物レンズ5の後側焦点位置8を介して共役位置に
あるスリット53も同時に観察することができる。
、目視光路4で行なうが、まず対物レンズ5の瞳の中心
にスリット(開口絞り)13の像を合わせる様にスリッ
ト53を位置決めする。この時のスリット53の像と位
相差板9の相対位置関係を第3図(a),(ロ)に示す
。
対して位相差板9はずれた位置にある。このような場合
は位相差板9を移動させ、スリット53の光透過部分と
位相差板9の位相膜部分が第3図(b)13 14 に示すように重なり合うようにする。
. (b)に示す。
基板1を示し、本実施例においては、ガラス基板21上
に透明の電極膜22を塗布し、さらにその上にレジスト
23が塗布されたものである。ここで上記電極膜22に
は微小段差のパターンが形成されており、該パターンを
検出するものである。上記電極膜22およびレジスト2
3は、ともに無色透明であり、通常の明視野、暗視野の
検出方式では検出できない。
が電極膜22上に膜付けされ、その上にレジスト23が
塗布されたものである。この場合は、金属膜24には微
小段差のパターンが形成されている。
スリット53を透過した光束(図中では主光線のみを実
線で示す)はコンデンサレンズ54により基板lに対し
て千行光となって照明する。ここで基板1表面あるいは
内部においてパターンのエッジのような段差がない場合
は、照明光はそのまま対物レンズ5を透過し後側焦点位
置8とリレーレンズ(I)6を介して共役位置にある位
相差板9の位相膜部分を透過して受光素子7に到達する
。一方、パターンエッジ(あるいは屈折率の異なる媒質
の境目)を透過した照明光(破線で示す)はエッジ部で
回折し対物レンズ5の後側焦点位置8では前記段差がな
い場合と異なった個所を透過する。し位相差板9は0次
回折像の強度を弱め、n次回折像の位相との相対関係を
λ/4変化させたものであり、これにより位相差板9を
透過したO次回折像と透過しないn次回折像を干渉させ
てコントラスト、明暗の差を大きくして、透明のパター
ンでも検出可能となる。
た微小段差パターンを検出する例について説1 5一 l6 明する。
)3を用いた落射照明(第6図に2点鎖線にて示す。)
とする。この場合、位相差検出ではなく明視野検出の方
が検出するパターンのコントラストが大きくなり検出の
精度が向上する。明視野検出を実現するためには、検出
光路2に配置されている位相差板9を検出光路2からは
ずせば良い。
) 50により透過照明で、位相差板9を検出光路2
に挿入した状態で行い、明視野検出をする場合には、照
明光路(■)3により落射照明で、位相差板9を検出光
路2からはずして行えば良いので、容易に位相差検出と
明視野検出を切換えることが可能である。
に挿入した状態でもパターンを検出することが可能であ
るが、コン1・ラス1−が落ちる。
相差検出を透過照明で行い、明視野検出を落射照明で行
うため、2&Ilの照明光路( 1 ) 50および照
明光路(■)3を設けた場合を示している。
らに改良し、構或の簡素化を図ったものを示す第7図に
ついて説明する。第7図に示すように、検出光学系は検
出光路2、照明光路(If)3、目視光路4で構成され
ている。検出光路2は対物レンズ5とリレーレンズ(I
)6とT.VカメラあるいはC.C.D等の受光素子7
で構成されている。基板lと受光素子7は対物レンズ5
とリレーレンズ(I)6を介して結像関係にある。対物
レンズ5の後側焦点位置8とリレーレンズ(1)6を介
して共役関係にある位置に位相差板9を配置する。
レンズ(I[)12で構或されており、光源10の像は
対物レンズ5の後側焦点位置8に結像されるように、す
なわちケーラー照明とする。また対物1 7一 18 レンズ5の後側焦点位置8とリレーレンズ(II)12
を介して共役関係にある位置にスリッ目3を配置する。
、結合されている。
を介して目視で観察するものである。
した光束(図中では主光線のみを記す)はリレーレンズ
(I[)12により対物レンズ5の後側焦点位置にスリ
ット13と同形状(一点鎖線で示す)の光束の像となる
。さらに前記光束は対物レンズ5を通して、基板1表面
に入射する。ここで、基板1表面あるいは内部において
パターンのエッジの様な段差がない場合は、反射光は入
射光と同し経路をたどって戻り、対物レンズ5の後側焦
点位置8に像(0次回折像)を結ぶ。この像を光源とし
て2次波が発生するが、リレーレンズ(I)6を介して
共役関係にある位相差板9の位相膜部分を透過して受光
素子7に到達する。一方、パターンエッジ(あるいは屈
折率の異なる媒質の境目)に当った入射光は、エッジ部
で回折し正反射をせずに対物レンズ5の後側焦点位W8
では前記した正反射した場合にできる像と異なった位置
に結像する(n次回折像:破線で示す)。この像と位相
差板9の位相膜とは共役にないため、この2次波は位相
差板9の位相膜が存在しない部分を透過して受光素子7
に到達する。
回折像を干渉させてパターンのコントラストを高めて検
出可能となる。
3と位相差板9をそれぞれ照明光路(II)3および検
出光路2からはずすことにより実現することができる。
に示すパターン検出系を用いた露光装置のアライメント
検出系を示す第9図と、前記第7l9 20 図および第8図に示すパターン検出系の両方を用いた露
光装置のアライメント検出系を示す第IO図について説
明する。
板1の間に微小ギャップを形成してマスク31に描画さ
れているパターンを基板1上に転写するプロキシシティ
方式の露光装置を示している。
と基板1のパターンの相対位置合わせをするための検出
系であり、通常マスク31と基板1の各々2個所あるい
は3個所の相対位置を検出している。第9図の例はアラ
イメント検出系を2個所に設定した例であり、検出系の
構或は前記した第1図、第6図、第7図、第8図と同じ
ものである。
基板1の相対位置合わせ用の位置合わせマークの形状及
び位置合わせ状熊の実施例を示す。
ーン32を2個所に設け、第11図(b)に示すように
基板■には十字パターン33を2個所に設ける。アライ
メント検出系は上記井桁パターン32と十字パターン3
3を同時に重ね合わせた状態で検出する。
図(C)に示すように、井桁パターン32と十字パター
ン33の各々の中心がずれた状態になっている。
イメント検出系が検出し、このずれ量を補正するように
マスク31あるいは基板lを移動し、各々の中心を第l
1図(d)に示すように合わせる。本例においては、マ
スク31の井桁パターン32の間に基板1の十字パター
ン33が入り、かつパターンの間隔が全て等しくなるよ
うにすれば位置合わせが可能になる。
たパターンを形或する液晶表示素子の基板1の一実施例
を示す。
l上に透明の電極膜22が膜付けされ、既にパターンが
形成されているものである。また位置合わせ用マークの
十字パターン33も同時に形成されてい21 22 る。この電極膜22の上に色は付いているが光を透過す
る色素剤34を膜付けし、下地層である電極膜22との
間に関連あるバ拳ターンを形或するためにレジスト23
が塗布されているものである。レジスト23膜上に微小
ギャップをあけて、色素剤34のパターンを形成するマ
スク31を配置している。尚、このマスク3lにも位置
合わせ用の井桁パターン32が形成されている。本例は
、ガラス基板21,電極膜22、色素剤34、そしてレ
ジスト23とほとんど透明な素材の重ね合わせであり、
マスク31の金属膜24でできている井桁パターン32
と電極膜22の微小な段差を有する十字パターン33を
位置合わせするものである。
の色素剤34の代わりにCr,Affi等の金属膜24
を形成するものであり、上記例とは異なり金属膜24で
光を遮断する例である。
素子を形成する一例であるが、このようにプロセスを経
るごとに基板1の表面状態は変化して行く。
第12図(a), (b)に示したような透明及び不透
明パターンの双方を検出できることである。
良く、しかも機構を簡素化して信頼性を向上させ、そし
て低コストにするかが課題である。
段差のパターンを検出する方法としては、位相差検出が
有効であることは前述した通りである。
ターンを検出する方法としては、落射照明方式の明視野
検出が有効である。
ンズ60を通常の対物レンズ61と交換して位相差検出
を明視野検出と切換えることが可能であるのはいうまで
もない。この場合には位相差板9の挿脱は不要である。
ーン検出系によりマスク31の井桁パターン32、基板
の十字パターン33を検出した実施例を示す。
な素利で構成された基板1の十字パターン33とマスク
31の井桁パターン32を受光素子7で検出した例であ
る。
ク31の井桁パターン33の出力は大きいが、火板1の
十字パターンの出力は小さい。この様な場合は、位相差
板9とスリッ1・13を検出光路2及び照明光路3に挿
入することにより位相差検出とする。
示す。基板tの十字パターン33の出力は大きくなり検
出可能となる。しかしながら、マスク31の井桁パター
ン32の出力は位相差検出をした場合低下するが、パタ
ーン検出上問題がなければ位相差検出で基板1の十字パ
ターン33とマスク3lの井桁パターン32を同時に取
り込み相対位置を検出すれば良い。また位相差検出とす
ることによりマスク31の井桁パターン32の出力が低
下し、検出できない場合にはマスク31は明視野検出一
基板1は位相差検出と各々切り換えて検出し、その後検
出位置を合威して相対位置を求めれば良い。
属膜24が膜付けされ不透明な基板1の十字パターン3
3とマスク31の井桁パターン32を受光素子7で検出
した例である。
ク31の井桁パターン33及び基板1の十字パターン共
に表面が金属膜24であるため受光素子7の出力は小さ
い。こ、の場合も第14図(b)のマスク31の井桁パ
ターン32と同様に検出できれば問題がないが、検出で
きないあるいは出力が小さいため検出精度が悪いという
場合がある。この様な場合は位相差板9とスリッ目3を
検出光路2及び照明光路3よりはずすことにより明視野
検出とする。第14図(d)に明視野検出にした場合の
各パターンの出力は大きくなり、検出が可能さらには高
い精度での検出が可能になる。
a)に示すように透明な微小段差を有するものであるが
、十字パターン33の段差が小さくあるいは幅が狭いな
どにより、位相差検出をしても出力が小さくて基25 26 板1の十字パターン33を識別することができない場合
の基板1の十字パターン33の検出方法を示す。
位相差検出でも十分大きいものとする。
としては、第15図(b)に示すように、全体の出力レ
ベルをアップすれば良く、その方策としては照明光量の
アップあるいはC.C.D7を用いる場合は蓄積時間を
長くとれば良い。
状態になる可能性がある。したがって照明光量をアップ
する前にマスク31の井桁パターン32の位置壱C.C
.D7画素上にメモリし、ついでアップしたのちの基板
1の十字パターンのC.C.D7画素上の位置とを演算
すれば良い。
にあっても、その位置を検出可能であれば照明光量をア
ップした状態で基板1の十字パターン33との相対位置
を検出し、演算すれば良い。
明のアライメント検出系に用いることにより、液晶表示
素子などの透明および不透明状態にある基板にパターン
を形或するさいのマスクとの相対位置合わせが容易に実
現できるので、高い精度の層問合わせができ、高性能の
液晶表示素子を実現できる。またアライメント検出系と
しての機能に合致した対物レンズ5を選定できることか
ら高精度のアライメント機能を有する露光装置を実現で
きる。
検出を容易に切換えること、また一つの落射照明検出方
式において、明視野検出と位相差検出を切換えて行なえ
る様にしたことにより、例えば液晶表示素子の基板の様
に透明膜や不透明の金属股上に形成されたパターンを、
それぞれの表面状態にあった検出方式を容易に選択、適
用することが可能になるという効果がある。
で明視野検出と位相差検出を選択、適用27 28 できるという簡素な構造であり、低コスト化、コンパク
ト化そして高信頼性を実現できる。
に配置する構戒としたことにより、位相差検出専用の対
物レンズでなくとも用いることが可能になり、これは即
ち同一対物レンズで明視野検出が可能になることであり
、適用可能な対物レンズの岐囲が広まることにもつなが
って、対象製品に応じた幅広い検出系を構或できるとい
う効果もある。
学系の基本構戒図、第2図(a), (b)は第l図に
示すスリットおよび位相差板の拡大平面図および拡大断
面図、第3図(a), (b)は第2図(a), (b
)に示すスリットを位相差板の位相合わせ状態の概念図
、第4図(a), (b)は液晶表示素子用基板を示す
断面図、第5図は第4図(a). (b)に示す液晶表
示素子用基板に対して入射した光の進む状態を示す概念
図、第6図は本発明の位相差検出方法を示す光学系の構
或図、第7図は本発明のパターン検出方法の他の一実施
例を示す光学系の基本構或図、第8図は第7図の位相差
検出方法を示す光学系の構成図、第9図は第1図のパタ
ーン検出方法を露光装置のアライメント検出系に適用し
たー実施例を示す基本構成図、第10図は第7図のパタ
ーン検出方法を露光装置のアライメント検出系に適用し
た一実施例を示す基本横成図、第11図(a)〜(d)
は第9図および第10図のアライメント検出系で検出す
るマスクと基板の位置合わせ状態を示す概念図、第12
図(a), (b)は第9図および第10図の露光装置
でパターンを形或する液晶表示素子用基板を示す断面図
、第l3図は第9図の露光装置で対物レンズを交換して
検出する方法を変える一実施例を示す構成図、第14図
(a) 〜(d)および第15図(a), (b)は第
12図(a), (b)の位置合わせ用マークを第9図
および第10図のアライメント検出系で検出した時の受
光素子の出力状態をそれぞれ示す状態図である。 1・・・基板、2・・・検出光路、3・・・照明光路(
II)、5・・・対物レンズ、6・・・リレーレンズ(
IL 7・・・29 30 受光素子、8・・・後側焦点位置、9・・・位相差板、
12・・・リレーレンズ(II)、13・・・スリット
、21・・・ガラス基板、22・・・電極膜、23・・
・レジスト、24・・・金属膜、31・・・マスク、3
2・・・井桁パターン、33・・・十字パターン、50
・・・照明光路(1)、53・・・スリット、54・・
・コンデンサレンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、コンデンサレンズと、該コンデンサレンズの後側焦
点位置に開口絞りを配置し、該開口絞りを透過した光を
上記コンデンサレンズを通して検出物体上の段差パター
ンを透過照明する透過照明手段と、対物レンズと該対物
レンズの後側焦点位置と共役位置近傍に上記開口絞りを
対応するパターンを有する位相差板を配置し、光を上記
対物レンズを通して上記検出物体上の段差パターンを落
射照明する落射照明手段を備え、かつ上記透過照明手段
により上記検出物体上の段差パターンを照明することに
より上記検出物体上の段差パターンからの回折光と上記
位相差板を透過した非回折光とを干渉させて光電変換素
子により受光して信号に変換する検出手段と、上記落射
照明手段により上記検出物体上の段差パターンからの反
射光を光電変換素子により受光して信号を変換する検出
手段を備えたことを特徴とするパターン位置検出装置。 2、上記位相差板は光路に対して挿脱可能に構成された
ことを特徴とする請求項1記載のパターン位置検出装置
。 3、対物レンズと、該対物レンズの後側焦点位置と共役
位置近傍に開口絞りを配置し、該開口絞りを透過した光
を上記対物レンズを通して検出物体上の段差パターンを
落射照明する落射照明手段と、上記対物レンズの後側焦
点位置と共役位置近傍に上記開口絞りと対応するパター
ンを有する位相差板を配置し、該位相差板を通過させる
ことにより上記検出物体上の段差パターンからの正反射
光の位相を変えて得られる光と上記位相差板を通して検
出物体上の段差パターンからの非正反射光とを干渉させ
て光電変換素子により受光して信号に変換する検出手段
とを備えたことを特徴とするパターン位置検出装置。 4、上記開口絞りおよび位相差板は、各々光路に対して
挿脱可能に構成されたことを特徴とする請求項3記載の
パターン位置検出装置。 5、コンデンサレンズと、該コンデンサレンズの後側焦
点位置に開口絞りを配置し、該開口絞りを透過した光を
上記コンデンサレンズを通して基板上のアライメント用
の段差パターンを透過照明する透過照明手段と、対物レ
ンズと該対物レンズの後側焦点位置と共役位置に上記開
口絞りと対応するパターンを有する位相差板を配置し、
光を上記対物レンズを通して上記基板上のアライメント
用の段差パターンを落射照明する落射照明手段を備え、
かつ上記透過照明手段により上記基板上のアライメント
用の段差パターンを照明することにより上記基板上のア
ライメント用の段差パターンからの回折光と上記位相差
板を透過した非回折光を干渉させて光電変換素子により
受光して信号に変換する検出手段と、上記落射照明手段
により上記基板上のアライメント用の段差パターンから
の反射光を光電変換素子により受光して信号に変換する
検出手段と、該検出手段から検出される基板上およびマ
スクのアライメント用のパターンに対して位置合わせす
るアライメント手段とを備え、上記マスクに形成された
回路パターンを上記基板上に露光するように構成したこ
とを特徴とする露光装置。 6、上記アライメント手段は、位相差板を光路から逃し
、かつ落射照明手段により基板上のアライメント用のパ
ターンおよびマスクに形成されたアライメント用のパタ
ーンを照明し、対物レンズおよび光電変換素子により上
記マスクと上記基板を相対的にアライメントするように
構成されたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。 7、上記アライメント手段は、検出手段における出力レ
ベルを変化可能に構成されたことを特徴とする請求項5
もしくは6記載の露光装置。 8、対物レンズと、該対物レンズの後側焦点位置と共役
位置近傍に開口絞りを配置し、該開口絞りを透過した光
を上記対物レンズを通して基板上に形成されたアライメ
ント用段差パターンを落射照明する落射照明手段と、上
記対物レンズの後側焦点位置と共役位置近傍に上記開口
絞りと対応するパターンを有する位相差板を配置し該位
相差板を通過させることにより上記アライメント用段差
パターンからの正反射光の位相を変えて得られる光と上
記位相差板を通して上記アライメント用段差パターンか
らの非正反射光とを干渉させて光電変換素子により受光
して信号に変換する検出手段と、該検出手段から検出さ
れる第1の信号に基いてマスクに形成されたアライメン
ト用パターンに対して位置合わせするアライメント手段
とを備え、上記マスクに形成された回路パターンを上記
基板上に露光するように構成したことを特徴とする露光
装置。 9、上記アライメント手段は、開口絞りおよび位相差板
を光路から逃してマスクに形成されたアライメント用の
パターンおよび基板上のアライメント用のパターンを照
明し、対物レンズおよび光電変換素子により上記マスク
と上記基板を相対的にアライメントするように構成され
たことを特徴とする請求項8記載の露光装置。 10、上記アライメント手段は、検出手段における出力
レベルを変化可能に構成されたことを特徴とする請求項
8もしくは9記載の露光装置。
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---|---|---|---|
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JP6611889 | 1989-03-20 | ||
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JP2698671B2 JP2698671B2 (ja) | 1998-01-19 |
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ID=26407292
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