JPH03270214A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH03270214A JPH03270214A JP2072332A JP7233290A JPH03270214A JP H03270214 A JPH03270214 A JP H03270214A JP 2072332 A JP2072332 A JP 2072332A JP 7233290 A JP7233290 A JP 7233290A JP H03270214 A JPH03270214 A JP H03270214A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
LSI製造プロセス等において使用される電子ビーム露
光装置に関し、 偏向コイル、フォーカス・コイル、収差補正コイル等、
電子ビームを制御するコイルの温度変化による変形、位
置ずれに原因する電子ビームの制御の誤差を補正して、
高精度の露光を行うことができるようにすることを目的
とし、 制御信号に基づいて電子ビームを制御するコイル中、所
望のコイルにつき、複数の温度における制御補正データ
を前記複数の温度の個々の温度ごとに記憶する複数の記
憶手段を設け、露光時、前記複数の記憶手段中、前記所
望のコイルの温度に応じた記憶手段を選択し、該選択し
た記憶手段の制御補正データによって前記′制御信号を
補正して露光を行うように構成する。
光装置に関し、 偏向コイル、フォーカス・コイル、収差補正コイル等、
電子ビームを制御するコイルの温度変化による変形、位
置ずれに原因する電子ビームの制御の誤差を補正して、
高精度の露光を行うことができるようにすることを目的
とし、 制御信号に基づいて電子ビームを制御するコイル中、所
望のコイルにつき、複数の温度における制御補正データ
を前記複数の温度の個々の温度ごとに記憶する複数の記
憶手段を設け、露光時、前記複数の記憶手段中、前記所
望のコイルの温度に応じた記憶手段を選択し、該選択し
た記憶手段の制御補正データによって前記′制御信号を
補正して露光を行うように構成する。
[産業上の利用分野コ
本発明は、LSI製造プロセス等において使用される電
子ビーム露光装置に関する。
子ビーム露光装置に関する。
近年、LSIは、益々、高集積化しており、これに対応
して、電子ビーム露光装置の高精度化が強く要請されて
いる。
して、電子ビーム露光装置の高精度化が強く要請されて
いる。
[従来の技術]
従来、電子ビーム露光装置として第2図にその要部を示
すようなものが提案されている。
すようなものが提案されている。
図中、1は中央処理装置、いわゆるCPU、2はバス線
、3は磁気テープ、4は磁気ディスク、5はバッファメ
モリ、6は補正メモリ、7はパターン・ジェネレータ、
8は補正演算回路、9はデジタル副偏向信号をデジタル
・アナログ変換するデジタル・アナログ・コンバータ(
以下、DAコンバータという)、10は増幅器、11は
X軸方向の副偏向器(Y軸方向の副偏向器はその図示を
省略している〉、12はデジタル主偏向信号をデジタル
・アナログ変換するDAコンバータ、13は増幅器、1
4は主偏向器をなすX軸方向の偏向コイル(Y軸方向の
偏向コイルはその図示を省略している〉、15はウェハ
、16は電子ビームであって、増幅器13は、オペアン
プ17及び抵抗18.19.20を設けて構成されてい
る。
、3は磁気テープ、4は磁気ディスク、5はバッファメ
モリ、6は補正メモリ、7はパターン・ジェネレータ、
8は補正演算回路、9はデジタル副偏向信号をデジタル
・アナログ変換するデジタル・アナログ・コンバータ(
以下、DAコンバータという)、10は増幅器、11は
X軸方向の副偏向器(Y軸方向の副偏向器はその図示を
省略している〉、12はデジタル主偏向信号をデジタル
・アナログ変換するDAコンバータ、13は増幅器、1
4は主偏向器をなすX軸方向の偏向コイル(Y軸方向の
偏向コイルはその図示を省略している〉、15はウェハ
、16は電子ビームであって、増幅器13は、オペアン
プ17及び抵抗18.19.20を設けて構成されてい
る。
かかる電子ビーム露光装置においては、外部記憶装置で
ある磁気テープ3から磁気ディスク4に露光データが転
送された後、この磁気ディスク4からバッファメモリ5
及び補正メモリ6に対してそれぞれ露光データ中、パタ
ーン データ及び補正データが転送される。ここに、パ
ターン・データは、露光すべきパターンの形状、位置(
座標)、大きさ等の各データからなり、補正データは、
偏向補正データ、フォーカス補正データ、収差補正デー
タからなる。この補正データは、個々の装置に特有なデ
ータである。
ある磁気テープ3から磁気ディスク4に露光データが転
送された後、この磁気ディスク4からバッファメモリ5
及び補正メモリ6に対してそれぞれ露光データ中、パタ
ーン データ及び補正データが転送される。ここに、パ
ターン・データは、露光すべきパターンの形状、位置(
座標)、大きさ等の各データからなり、補正データは、
偏向補正データ、フォーカス補正データ、収差補正デー
タからなる。この補正データは、個々の装置に特有なデ
ータである。
バッファ・メモリ5に格納されたパターン データは、
パターン・ジェネレータ7に転送され、パターン・ジェ
ネレータ7において解読され、電子ビーム16を偏向す
るに必要な偏向信号が発生され、これが補正演算回路8
に供給される。補正演算回路8においては、補正メモリ
6から供給される偏向補正データを使用した偏向信号の
補正が行われる。ここに、偏向信号中、副偏向信号につ
いては、DAコンバータ9でデジタル・アナログ変換が
行われ、増幅器10を介して副偏向器11に供給される
。主偏向信号については、DAコンバータ12でデジタ
ル・アナログ変換が行われ、増幅器13を介して偏向コ
イル14に供給される。
パターン・ジェネレータ7に転送され、パターン・ジェ
ネレータ7において解読され、電子ビーム16を偏向す
るに必要な偏向信号が発生され、これが補正演算回路8
に供給される。補正演算回路8においては、補正メモリ
6から供給される偏向補正データを使用した偏向信号の
補正が行われる。ここに、偏向信号中、副偏向信号につ
いては、DAコンバータ9でデジタル・アナログ変換が
行われ、増幅器10を介して副偏向器11に供給される
。主偏向信号については、DAコンバータ12でデジタ
ル・アナログ変換が行われ、増幅器13を介して偏向コ
イル14に供給される。
このように、従来の電子ビーム露光装置においては、補
正メモリ6及び補正演算回路8を設け、パターン・ジェ
ネレータ7から出力される偏向信号を装置の特性に合わ
せるように補正した上で露光を行い、露光の精度を高め
るようにしている。
正メモリ6及び補正演算回路8を設け、パターン・ジェ
ネレータ7から出力される偏向信号を装置の特性に合わ
せるように補正した上で露光を行い、露光の精度を高め
るようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、偏向コイル14には、数Aの電流が流れ
るため、偏向コイル14は発熱し、膨張等の変形や、位
置ずれを起こしてしまう、第3図は、この状態を上部か
ら見たものであって、実線Xは変形、位置ずれを起こす
前の偏向コイル14の形状を示し、破線Yは変形、位置
ずれを起こした場合の偏向コイル14の形状を示してい
る。このように、偏向コイル14が変形、位置ずれを起
こすと、電子ビーム16に位置ずれが発生してしまう0
例えば、偏向コイル14が変形、位置ずれを起こす前に
、実線αで示すように電子ビーム16を偏向させたとす
ると、偏向コイル14が変形、位置ずれを起こした後で
は、同一の偏向信号で偏向させたとしても、例えば、破
線βで示すように偏向し、電子ビーム16に位置ずれが
生じてしまう6例えば、0.1〜0.5μmの位置ずれ
を生じてしまう。それにも関わらず、従来の電子ビーム
露光装置においては、偏向コイル14の温度変化による
変形、位置ずれを原因とする電子ビーム16の位置ずれ
に対する対策は取られていなかった。このため、高精度
の露光を行うことができないという問題点があった。
るため、偏向コイル14は発熱し、膨張等の変形や、位
置ずれを起こしてしまう、第3図は、この状態を上部か
ら見たものであって、実線Xは変形、位置ずれを起こす
前の偏向コイル14の形状を示し、破線Yは変形、位置
ずれを起こした場合の偏向コイル14の形状を示してい
る。このように、偏向コイル14が変形、位置ずれを起
こすと、電子ビーム16に位置ずれが発生してしまう0
例えば、偏向コイル14が変形、位置ずれを起こす前に
、実線αで示すように電子ビーム16を偏向させたとす
ると、偏向コイル14が変形、位置ずれを起こした後で
は、同一の偏向信号で偏向させたとしても、例えば、破
線βで示すように偏向し、電子ビーム16に位置ずれが
生じてしまう6例えば、0.1〜0.5μmの位置ずれ
を生じてしまう。それにも関わらず、従来の電子ビーム
露光装置においては、偏向コイル14の温度変化による
変形、位置ずれを原因とする電子ビーム16の位置ずれ
に対する対策は取られていなかった。このため、高精度
の露光を行うことができないという問題点があった。
また、フォーカス・コイルにおいても、第4図に示すよ
うに、温度上昇によって形状の変形や、位置ずれを起こ
し、このため、フォーカス位置にずれが生じてしまう。
うに、温度上昇によって形状の変形や、位置ずれを起こ
し、このため、フォーカス位置にずれが生じてしまう。
しかしながら、従来の電子ビーム露光装置においては、
この点についても、なんら対策が採られておらず、この
点からしても高精度の露光を行うことができないという
問題点があった。なお、第4図において、実線■は変形
、位置ずれを起こす前のフォーカス・コイルの形状を示
し、破線Wは変形、位置ずれを起こした場合のフォーカ
ス・コイルの形状を示している。
この点についても、なんら対策が採られておらず、この
点からしても高精度の露光を行うことができないという
問題点があった。なお、第4図において、実線■は変形
、位置ずれを起こす前のフォーカス・コイルの形状を示
し、破線Wは変形、位置ずれを起こした場合のフォーカ
ス・コイルの形状を示している。
また、収差補正コイル(図示せず〉、いわゆるステイグ
・コイルにおいても、温度上昇によって形状の変形や、
位置ずれを起こし、このため、収差補正に誤差が生じて
しまう、しかしながら、従来の電子ビーム露光装置にお
いては、この点についても、なんら対策が採られておら
ず、この点からしても高精度の露光を行うことができな
いという問題点があった。
・コイルにおいても、温度上昇によって形状の変形や、
位置ずれを起こし、このため、収差補正に誤差が生じて
しまう、しかしながら、従来の電子ビーム露光装置にお
いては、この点についても、なんら対策が採られておら
ず、この点からしても高精度の露光を行うことができな
いという問題点があった。
本発明は、かかる点に鑑み、偏向コイル、フォーカス・
コイル、収差補正コイル等、電子ビームを制御するコイ
ルの温度変化による変形、位置ずれに原因する電子ビー
ムの制御の誤差を補正して高精度の露光を行うことがで
きるようにした電子ビーム露光装置を提供することを目
的とする。
コイル、収差補正コイル等、電子ビームを制御するコイ
ルの温度変化による変形、位置ずれに原因する電子ビー
ムの制御の誤差を補正して高精度の露光を行うことがで
きるようにした電子ビーム露光装置を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明による電子ビーム露光装置は、制御データに基づ
いて電子ビームを制御するコイル中、所望のコイルにつ
き、複数の温度における制御補正データを個々の温度ご
とに記憶する複数の記憶手段を設け、露光時、前記複数
の記憶手段中、前記所望のコイルの温度に応じた制御補
正データを記憶する記憶手段を選択し、該口折した記憶
手段の制御補正データを使用して前記制御データを補正
して露光を行うように構成される。
いて電子ビームを制御するコイル中、所望のコイルにつ
き、複数の温度における制御補正データを個々の温度ご
とに記憶する複数の記憶手段を設け、露光時、前記複数
の記憶手段中、前記所望のコイルの温度に応じた制御補
正データを記憶する記憶手段を選択し、該口折した記憶
手段の制御補正データを使用して前記制御データを補正
して露光を行うように構成される。
[作用]
本発明によれば、電子ビームを制御するコイル中、所望
のコイルにつき、温度に応じた最適な制御補正データを
使用して制御信号を補正することができるので、所望の
コイルの温度変化による変形、位置ずれに原因する電子
ビームの制御の誤差を補正することができる。
のコイルにつき、温度に応じた最適な制御補正データを
使用して制御信号を補正することができるので、所望の
コイルの温度変化による変形、位置ずれに原因する電子
ビームの制御の誤差を補正することができる。
[実施例]
以下、第1図を参照して、本発明の一実施例につき説明
する。なお、この第1図において第2図に対応する部分
には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
する。なお、この第1図において第2図に対応する部分
には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
第1図は、本発明の一実施例の要部を示す図であって、
本実施例は、パターン・ジェネレータ7から出力される
主偏向信号を偏向コイルの温度に応じて補正できるよう
に構成した電子ビーム露光装置の例である。
本実施例は、パターン・ジェネレータ7から出力される
主偏向信号を偏向コイルの温度に応じて補正できるよう
に構成した電子ビーム露光装置の例である。
本実施例が第2図従来例と異なる点は、熱電対21を具
備した温度測定器22からなる偏向コイル温度測定手段
23が設けられている点、アンプ24及び基準電圧源2
5からなるオフセット補正電圧発生手段26が設けられ
ている点、バッファ27、プログラマブル・ゲイン・ア
ンプ28、アンプ29、基準電圧源30からなるゲイン
補正電圧発生手段31が設けられている点、2個の補正
メモリ32.33と、補正メモリ選択回路34とが設け
られている点及び主偏向器用の増幅器13の回路構成で
ある。
備した温度測定器22からなる偏向コイル温度測定手段
23が設けられている点、アンプ24及び基準電圧源2
5からなるオフセット補正電圧発生手段26が設けられ
ている点、バッファ27、プログラマブル・ゲイン・ア
ンプ28、アンプ29、基準電圧源30からなるゲイン
補正電圧発生手段31が設けられている点、2個の補正
メモリ32.33と、補正メモリ選択回路34とが設け
られている点及び主偏向器用の増幅器13の回路構成で
ある。
ここに、偏向コイル温度測定手段23は、偏向コイル1
4の温度を測定するためのものであって、熱電対21を
偏向コイル14に接触させ、温度測定器22の出力端子
に偏向コイル14の温度に対応した電圧VTを得ること
ができるように構成されている。
4の温度を測定するためのものであって、熱電対21を
偏向コイル14に接触させ、温度測定器22の出力端子
に偏向コイル14の温度に対応した電圧VTを得ること
ができるように構成されている。
また、オフセット補正電圧発生手段26は、偏向コイル
14の横ずれによって生ずるオフセットずれを補正する
ために必要なオフセット補正電圧を得るためのものであ
って、アンプ24は、その一方の入力端子を温度測定器
22の出力端子に接続すると共に、その他方の入力端子
を基準電圧源25に接続し、その出力端子に温度測定器
22の出力電圧Vtと基準電圧源25による基準電圧V
R1との差V丁−Vλlを得ることができるように構成
されている。ここに、基準電圧vR1は、基準温度にお
いて、■〒=V旧となるように設定される。なお、アン
プ24の出力端子は、抵抗35を介してオペアンプ17
の非反転入力端子Φに接続されており、このオペアンプ
17の非反転入力端子のは抵抗36を介して接地されて
いる。
14の横ずれによって生ずるオフセットずれを補正する
ために必要なオフセット補正電圧を得るためのものであ
って、アンプ24は、その一方の入力端子を温度測定器
22の出力端子に接続すると共に、その他方の入力端子
を基準電圧源25に接続し、その出力端子に温度測定器
22の出力電圧Vtと基準電圧源25による基準電圧V
R1との差V丁−Vλlを得ることができるように構成
されている。ここに、基準電圧vR1は、基準温度にお
いて、■〒=V旧となるように設定される。なお、アン
プ24の出力端子は、抵抗35を介してオペアンプ17
の非反転入力端子Φに接続されており、このオペアンプ
17の非反転入力端子のは抵抗36を介して接地されて
いる。
また、ゲイン補正電圧発生手段31は、偏向コイル14
の膨張によって減小してしまうゲインを4正するために
必要なゲイン補正電圧を得るためのものであって、アン
プ29は、その一方の入力端子を温度測定器22の出力
端子に接続されると共に、その他方の入力端子を基準電
圧源30に接続され、その出力端子に温度測定器22の
出力電圧VTと基準電圧源30による基準電圧VR2と
の差VT−VR□を得ることができるようにされている
。ここに、基準電圧VFL2は、基準温度においてV
7 =V R2となるように設定される。なお、アンプ
29の出力端子は、プログラマブル・ゲイン・アンプ2
8の制御端子に接続されており、このプログラマブル・
ゲイン・アンプ28の入力端子にはDAコンバータ12
の出力電圧がバッファ27を介して供給される。ここに
、プログラマブル・ゲイン・アンプ28の出力端子には
、VT−VR2に比例したゲイン補正電圧を得ることが
できる。
の膨張によって減小してしまうゲインを4正するために
必要なゲイン補正電圧を得るためのものであって、アン
プ29は、その一方の入力端子を温度測定器22の出力
端子に接続されると共に、その他方の入力端子を基準電
圧源30に接続され、その出力端子に温度測定器22の
出力電圧VTと基準電圧源30による基準電圧VR2と
の差VT−VR□を得ることができるようにされている
。ここに、基準電圧VFL2は、基準温度においてV
7 =V R2となるように設定される。なお、アンプ
29の出力端子は、プログラマブル・ゲイン・アンプ2
8の制御端子に接続されており、このプログラマブル・
ゲイン・アンプ28の入力端子にはDAコンバータ12
の出力電圧がバッファ27を介して供給される。ここに
、プログラマブル・ゲイン・アンプ28の出力端子には
、VT−VR2に比例したゲイン補正電圧を得ることが
できる。
このゲイン補正電圧は抵抗37を介してオペアンプ17
の反転入力端子eに供給される。
の反転入力端子eに供給される。
また、補正メモリ32及び33は、主偏向補正データ及
び副偏向補正データを格納するものである。なお、主偏
向補正データについては、偏向コイル14の温度変動範
囲の二点の温度T1、T2(>’r1)における主偏向
補正データが求められ、これらが、それぞれ補正メモリ
32.33に格納される。これら主偏向補正データは、
温度T1、T2における電子ビーム16の主偏向位置を
実測することによって得ることができる。また、副偏向
補正データについては、同一のデータが補正メモリ32
.33に格納される。
び副偏向補正データを格納するものである。なお、主偏
向補正データについては、偏向コイル14の温度変動範
囲の二点の温度T1、T2(>’r1)における主偏向
補正データが求められ、これらが、それぞれ補正メモリ
32.33に格納される。これら主偏向補正データは、
温度T1、T2における電子ビーム16の主偏向位置を
実測することによって得ることができる。また、副偏向
補正データについては、同一のデータが補正メモリ32
.33に格納される。
また、これら補正メモリ32.33に対するアクセスは
、補正メモリ選択回路34を介して行われるが、この補
正メモリ選択回路34は、温度測定器22から供給され
る電圧vyから偏向コイル14の温度を判断して偏向コ
イル14の温度が温度T1に一致するか、温度T2より
も温度TIに近い場合は補正メモリ32を選択し、偏向
コイル14の温度が温度T2に一致するか、温度T1よ
りも温度T2に近い場合は補正メモリ33を選択するよ
うに構成されている。
、補正メモリ選択回路34を介して行われるが、この補
正メモリ選択回路34は、温度測定器22から供給され
る電圧vyから偏向コイル14の温度を判断して偏向コ
イル14の温度が温度T1に一致するか、温度T2より
も温度TIに近い場合は補正メモリ32を選択し、偏向
コイル14の温度が温度T2に一致するか、温度T1よ
りも温度T2に近い場合は補正メモリ33を選択するよ
うに構成されている。
かかる本実施例においては、アンプ24の出力端子にオ
フセット補正電圧を得、これが抵抗35を介してオペア
ンプ17の非反転入力端子のに供給されるので、偏向コ
イル14の温度変化によるオフセットずれの補正を行う
ことができる。
フセット補正電圧を得、これが抵抗35を介してオペア
ンプ17の非反転入力端子のに供給されるので、偏向コ
イル14の温度変化によるオフセットずれの補正を行う
ことができる。
また、プログラマブル・ゲイン・アンプ28の出力端子
にゲイン補正電圧を得、これが抵抗35を介してオペア
ンプ17の反転入力端子eに供給されるので、偏向コイ
ル14の温度変化による膨張に原因して減小したゲイン
の補正を行うことができる。
にゲイン補正電圧を得、これが抵抗35を介してオペア
ンプ17の反転入力端子eに供給されるので、偏向コイ
ル14の温度変化による膨張に原因して減小したゲイン
の補正を行うことができる。
また、補正メモリ32.33に格納されている主偏向補
正データ及び副偏向補正データによって主偏向信号及び
副偏向信号を補正し、主偏向値l及び副偏向位置の補正
を行うことができる。特に主偏向補正データについては
、偏向コイル14の温度変動範囲の二点の温度T1、T
2 (>TI )における主偏向補正データが求められ
、補正メモリ32には偏向コイル14の温度変動範囲の
温度T1における主偏向補正データが格納されると共に
、補正メモリ33には偏向コイル14の温度変動範囲の
温度T2 (>Tt )における主偏向補正データが
格納され、偏向コイル14の温度が温度T1に一致する
か、温度T2よりも温度T1に近い場合は、補正メモリ
32を選択し、偏向コイル14の温度が温度T2に一致
するか、温度T1よりも温度T2に近い場合は、補正メ
モリ33を選択するように構成されているので、温度変
化によって偏向コイル14に変形、位置ずれが発生する
場合であっても、高精度の露光を行うことができる。な
お、高速性を保つためには、主偏向位置補正は副偏向器
系を使用して行うのが好適である。
正データ及び副偏向補正データによって主偏向信号及び
副偏向信号を補正し、主偏向値l及び副偏向位置の補正
を行うことができる。特に主偏向補正データについては
、偏向コイル14の温度変動範囲の二点の温度T1、T
2 (>TI )における主偏向補正データが求められ
、補正メモリ32には偏向コイル14の温度変動範囲の
温度T1における主偏向補正データが格納されると共に
、補正メモリ33には偏向コイル14の温度変動範囲の
温度T2 (>Tt )における主偏向補正データが
格納され、偏向コイル14の温度が温度T1に一致する
か、温度T2よりも温度T1に近い場合は、補正メモリ
32を選択し、偏向コイル14の温度が温度T2に一致
するか、温度T1よりも温度T2に近い場合は、補正メ
モリ33を選択するように構成されているので、温度変
化によって偏向コイル14に変形、位置ずれが発生する
場合であっても、高精度の露光を行うことができる。な
お、高速性を保つためには、主偏向位置補正は副偏向器
系を使用して行うのが好適である。
また、上述の実施例においては、2個の補正メモリ32
.33を設けるようにした場合につき述べたが、3個以
上の補正メモリを設け、3点以上の温度における主偏向
補正データを格納するように構成することもでき、この
場合には、更に高精度の主偏向位置補正を行うことがで
きる。3点以上の温度における主偏向補正データは、そ
れぞれ主偏向位置を実測することによって得ることがで
きるが、2点の温度における主偏向補正データは主偏向
位置を実測して求め、その他の温度における主偏向補正
データは、これら2点における主偏向補正データから類
推して得ることもできる。
.33を設けるようにした場合につき述べたが、3個以
上の補正メモリを設け、3点以上の温度における主偏向
補正データを格納するように構成することもでき、この
場合には、更に高精度の主偏向位置補正を行うことがで
きる。3点以上の温度における主偏向補正データは、そ
れぞれ主偏向位置を実測することによって得ることがで
きるが、2点の温度における主偏向補正データは主偏向
位置を実測して求め、その他の温度における主偏向補正
データは、これら2点における主偏向補正データから類
推して得ることもできる。
また、上述の実施例においては、X軸方向の偏向位置の
ずれを補正するようにした場合につき述べたが、Y軸方
向の補正をする場合にも同様にして行うことができる。
ずれを補正するようにした場合につき述べたが、Y軸方
向の補正をする場合にも同様にして行うことができる。
また、上述の実施例においては、偏向位置補正を行うよ
うにした場合につき述べたが、その他、フォーカス補正
についても、複数の補正メモリを設け、これら複数のメ
モリにそれぞれ異なる温度におけるフォーカス補正デー
タを格納することによって、フォーカス・コイルの温度
に応じた最適なフォーカス補正を行うことができる。収
差補正コイルについても同様である。
うにした場合につき述べたが、その他、フォーカス補正
についても、複数の補正メモリを設け、これら複数のメ
モリにそれぞれ異なる温度におけるフォーカス補正デー
タを格納することによって、フォーカス・コイルの温度
に応じた最適なフォーカス補正を行うことができる。収
差補正コイルについても同様である。
[発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、電子ビームを制御する
コイル中、所望のコイルにつき、温度に応じた最適な制
御補正データを使用して制御信号を補正することができ
るので、所望のコイルの温度変化による変形、位置ずれ
に原因する電子ビームの制御の誤差を補正し、高精度の
露光を行うことができる。
コイル中、所望のコイルにつき、温度に応じた最適な制
御補正データを使用して制御信号を補正することができ
るので、所望のコイルの温度変化による変形、位置ずれ
に原因する電子ビームの制御の誤差を補正し、高精度の
露光を行うことができる。
第1図は本発明による電子ビーム露光装置の一実施例の
要部を示す図、 第2図は従来の電子ビーム露光装置の要部を示す図、 第3図は第2図例の問題点を説明するための図であって
、偏向コイルを示す図、 第4図は第2図例の問題点を説明するための図であって
、フォーカス・コイルを示す図である。 1・・・副偏向器 4・・・偏向コイル 5・・・ウェハ 6・・・電子ビーム ト・・熱電対 23・・・偏向コイル温度測定手段 26・・・オフセット補正電圧発生手段28・・・プロ
グラマブル・ゲイン・アンプ31・・・ゲイン補正電圧
発生手段 32.33・・・補正メモリ 34・・・補正メモリ選択回路 偏向コイル 第3図 フォーカス・コイル 第4図
要部を示す図、 第2図は従来の電子ビーム露光装置の要部を示す図、 第3図は第2図例の問題点を説明するための図であって
、偏向コイルを示す図、 第4図は第2図例の問題点を説明するための図であって
、フォーカス・コイルを示す図である。 1・・・副偏向器 4・・・偏向コイル 5・・・ウェハ 6・・・電子ビーム ト・・熱電対 23・・・偏向コイル温度測定手段 26・・・オフセット補正電圧発生手段28・・・プロ
グラマブル・ゲイン・アンプ31・・・ゲイン補正電圧
発生手段 32.33・・・補正メモリ 34・・・補正メモリ選択回路 偏向コイル 第3図 フォーカス・コイル 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 制御信号に基づいて電子ビームを制御するコイル中、
所望のコイルにつき、複数の温度における制御補正デー
タを前記複数の温度の個々の温度ごとに記憶する複数の
記憶手段を設け、 露光時、前記複数の記憶手段中、前記所望のコイルの温
度に応じた記憶手段を選択し、該選択した記憶手段の制
御補正データによって前記制御信号を補正して露光を行
うことを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2072332A JP2854660B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2072332A JP2854660B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270214A true JPH03270214A (ja) | 1991-12-02 |
JP2854660B2 JP2854660B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=13486231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2072332A Expired - Fee Related JP2854660B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2854660B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135260A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、偏向アンプ、電子ビーム描画方法、半導体装置の製造方法、及び電子ビーム描画プログラム |
EP2540859A1 (en) * | 2010-02-22 | 2013-01-02 | ULVAC, Inc. | Vacuum processing device |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2072332A patent/JP2854660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135260A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置、偏向アンプ、電子ビーム描画方法、半導体装置の製造方法、及び電子ビーム描画プログラム |
US7985958B2 (en) | 2004-11-09 | 2011-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam drawing apparatus, deflection amplifier, deflection control device, electron beam drawing method, method of manufacturing semiconductor device, and electron beam drawing program |
EP2540859A1 (en) * | 2010-02-22 | 2013-01-02 | ULVAC, Inc. | Vacuum processing device |
EP2540859A4 (en) * | 2010-02-22 | 2014-06-18 | Ulvac Inc | VACUUM PROCESSING DEVICE |
TWI498934B (zh) * | 2010-02-22 | 2015-09-01 | Ulvac Inc | 真空處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2854660B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |