JPH03270007A

JPH03270007A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH03270007A
Application number: JP2069140A
Authority: JP
Inventors: Osamu Shimizu; 修清水
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-03-19
Filing date: 1990-03-19
Publication date: 1991-12-02
Anticipated expiration: 2014-02-10
Also published as: JP2856489B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕半導体装置の製造方法に関し、回転塗布法により絶縁膜を形成する際、金属リングと配
線層間及び各々の配線層間に生じる絶縁膜の段差を小さ
くして表面平坦化することができ、次層の配線層のカバ
レンジを良くして断線し難くすることができる半導体装
置の製造方法を提供す〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置の製造方法に係り、チップ周辺部
の多層配線を形成するトランジスタ等の半導体装置の製
造方法に適用することができ、特に、回転塗布法により
ＳＯＧ、レジスト等の絶縁膜を形成する際、金属リング
と配線層間、各々の配線層間に生しる絶縁膜の段差を小
さくして表面平坦化することができる半導体装置の製造
方法に関する。

近時、チップ周辺部の基板上に形成したフィールド酸化
膜とダイシングに必要なカッティング領域となるスクラ
イブライン領域間の領域にまで特にＰ（リン）含有の例
えばＰＳＧからなる表面平坦化用絶縁膜が形成されてい
る際、その絶縁膜側壁からの水分の侵入を防いで絶縁膜
が基板から剥れるのを防止するため、例えばＡ１からな
る金属・リングをその側壁部を覆うように形成している
。

このため、金属リングと基板間に金属リングの大きな段
差が生しるため、この後回転塗布法によりＳＯＧ等の絶
縁膜を形成する際、金属リングの大きな段差がＳＯＧの
流れを阻害するため金属リングと配線層間、各々の配線
層間の絶縁膜に各々段差が大きく生じてしまい表面平坦
化が行えないという問題があった。そして、この段差に
より次層の配′ｉａ層のカバレンジが悪くなり断線し易
いという問題があった。

したがって、回転塗布法により絶縁膜を形成する際、金
属リングと配線層間、及び各々の配線層間に生じる絶縁
膜の段差を小さくして表面平坦化することができ、次層
の配線層のカバレンジを良くして断線し難くすることが
できる半導体装置の製造方法が要求されている。

〔従来の技術〕

第３図（ａ）〜（ｉ）は従来の半導体装置の製造方法を
説明する図である。図示例の配線はＭＯＳトランジスタ
のゲート用配線に適用する場合である。

この図において、３１はＳｉ等からなる基板、３２は５
ｉｎ２等からなるフィールド酸化膜、３３ａはダイシン
グに必要なカッティング領域となるスクライブライン領
域、３３ｂはスクライブライン領域３３ａとフィールド
酸化膜３２間の領域、３４ａ、３４ｂ、３４ｃはポリＳ
ｉ等からなる配線層、３５はＰＳＧ等からなる表面平坦
化用の絶縁膜、３６は配線層３４ａ上に形成されたコン
タクトホール、３７はスクライブライン領域３３ａと領
域３３ｂの一部との基板３１上に形成された開口部、３
８ａ、３８ｂ、３８ｃは例えばＡ／等からなる配線層、
３９はＡｊ７等からなる金属リング、４０はＳＯＧ等か
らなる絶縁膜、４１はＰＳＧ等からなる眉間絶縁膜、４
２ａ、４２ｂは配線層３８ａ、ＳＳｂ上に各々形成され
たコンタクトホール、４３はスクライブライン領域３３
ａの基板３１上に形成された開口部、４４ａ、４４ｂは
ＡＩ！等からなる配線層である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第３図（ａ）に示すように、ＬＯＣＯ３によりＳ
ｔ、Ｎ、膜をマスクとしてチップ周辺部のシリコン基板
３１を酸化することによりフィールド酸化膜３２を形成
した後、例えばＲＩＥにより上記Ｓ　ｉ３　Ｎｇ膜及び
その下のＳｉｎ、膜をエツチングすることにより基板３
１を露出させる。この時、ダイシングに必要なカッティ
ング領域となるスクライブライン領域３３ａの基板３１
、及びスクライブライン領域３３ａとフィールド酸化Ｂ
３２間の領域３３ｂの基板３１が露出される。次いで、
例えばＣＶＤ法により全面にポリＳｉを堆積した後、例
えばＲＩＥによりポリＳｔを選択的にエツチングしてフ
ィールド酸化膜３２上に配線層３４ａ、３４ｂ、３４ｃ
を形成する。

次に、第３図（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り全面にＰＳＧを堆積して絶縁膜３５を形成した後、９
００℃程度の熱処理により絶縁膜３５をフローさせて表
面平坦化を行う。

次に、第３図（Ｃ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配線Ｊｉ！３４ａ上の領域、及びスクライブライン領域
３３ａと領域３３ｂの一部との基板３Ｉ上の領域におい
て、絶縁膜３５をエツチングすることにより配線Ｍ３４
ａ上にコンタクトホール３６を形成するとともに、スク
ライブライン領域３３ａと領域３３ｂの一部との基板３
１上に開口部３７を形成する。この時、コンタクトホー
ル３６内に配線Ｊｉ３４ａが露出されるとともに、開口
部３７内にスクライブライン領ｂ！４３３ａと領域３３
ｂの一部との基板３１が露出される。

次に、第３図（（ｉ）に示すように、例えばスパッタ法
により全面にＡｌを堆積した後、例えばＲＩＥにより／
ｌを選択的にエツチングしてフィールド酸化膜３２に対
応する絶縁膜３５上に配線層３８ａ、３８ｂ、３８ｃを
形成するとともに、開口部３７内の絶縁膜３５側壁部に
金属リング３９を形成する。この時、配線層３８ａはコ
ンタクトホール３６内の配線層３４ａとコンタクトされ
、また、金属リング３９はスクライブライン領域３３ａ
とフィールド酸化膜３２間の領域３３ｂ内に形成される
。なお、ここでのＡｌからなる金属リング３９は絶縁膜
３５側壁部を覆うように形成しているが、これはここ（
ＰＳＧからなる絶縁膜３５）からの水分の侵入を防ぎ絶
縁膜３５が基板３１からｆｆ１１Ｊれるのを防止するた
めに覆っている。

次に、第３図（ｅ）に示すように、回転塗布法により配
線Ｎ３８ａ、３８ｂ、３８Ｃ１金属リング３９、及びス
クライブライン領域３３ａと領域３３ｂの一部との露出
された基板３１を覆うようにＳＯＧを塗布及びベークに
よるキュアーをして絶縁膜４０を形成する。なお、ここ
でのＳＯＧの塗布時の流れ方向は第３図（ｅ）に示すＸ
の如くスクライブライン領域３３ａから素子領域方向に
流れていく場合であり、塗布点は通常ウェーハ中心のス
クライブライン領域３３ａあるいは素子領域であり、流
れ方向はウェーハ中心からウェーハ周辺方向に向かって
流れていく。

次に、第３図（ｆ）に示すように、例えばＲＩＥにより
絶縁膜４０をエッチバックして配線層３８ａ、３８ｂ、
３８Ｃ及び金属リング３９を露出させて表面平坦化を行
う。この時、更にスクライブライン領域３３ａと領域３
３ｂの一部との基板３１が露出される。

次に、第３図（ｇ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り全面にＰＳＧを堆積して層間絶縁Ｍ４１を形成する。

次に、第３図（ｈ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配線層３８ａ、３８ｂ上の領域、及びスクライブライン
領域３３ａの基板３１上の領域において、層間絶縁膜４
１をエンチングすることにより配線層３８ａ、３８ｂ上
に各々コンタクトホール４２ａ、４２ｂを形成するとと
もに、スクライブライン領域３３ａの基板３１上に開口
部４３を形成する。この時、コンタクトホーＪｌ／４２
　ａ　、　４２　ｂ内に各配線Ｎ３８ａ、３８ｂが露出
されるとともに、開口部４３内にスクライブライン領域
３３ａの基板３１が露出される。

そして、例えばスパッタ法により全面に八１を堆積した
後、例えばＲＩＥによりコンタクトホール４２ａ、４２
ｂ内の配線層３８ａ、３８ｂとコンタクトを取る、よう
にＡｌを選択的にエツチングして配線層４４ａ、４４ｂ
を形成することにより、第３図（ｉ）に示すような配線
構造を得ることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した従来の半導体装置の製造方法は、チップ周辺部
の基板３１上に形成したフィールド酸化膜３２とスクラ
イブライン領域３３ａ間の領域３３ｂにＰＳＧからなる
絶縁膜３５側壁からの水分侵入を防ぐために金属リング
３９をその側壁部を覆うように形成しているため、金属
リング３９と基板３１間に第４図のＤｌに示す如く大き
な段差が生じてしまう。

このため、回転塗布法によりＳＯＧからなる絶縁膜４０
を形成する際、金属リング３９の大きな段差Ｄ１がＳＯ
Ｇの流れを阻害するため、第４図に示すように金属リン
グ３９と配線層３８ｃ間、配線層３８ｃと配線層３８ｂ
間及び配線層３８ｂと配線層３８２間の絶縁膜４０に各
々段差がＤ２、Ｄ３、Ｄ４というように大きく生じてし
まい表面平坦化が行えないという問題があった。そして
、このような段差があると次工程でエッチバックしても
段差が付いてしまい、この段差により次層の配線Ｎ４４
ａ、４４ｂのカバレンジが悪くなり断線し易いという問
題があった。なお、絶縁膜４０表面の段差は薄く回転塗
布する程顕著になる傾向がある。

そこで、本発明は、回転塗布法により絶縁膜を形成する
際、金属リングと配線層間及び各々の配線層間に生じる
絶縁膜の段差を小さくして表面平坦化することができ、
次層の配線層のカバレンジを良くして断線し難くするこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することを目的
としている。

〔課題を解決するための手段〕

第１の発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成
のため、基板上全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
該第１の絶縁膜上のチップ領域に配線層を形成する工程
と、回転塗布法により基板上全面に配線層を覆うように
第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２の絶縁膜を工・
７チバツクすることにより該配線層と該チップ領域を除
く領域の該第１の絶縁膜とを露出させる工程と、露出さ
せた該第１の絶縁膜上を含む全面に第３の絶縁膜を形成
する工程と、該第３、第１の絶縁膜のスクライブライン
領域を含む部分をエツチングして該基板上に開口部を形
成する工程と、該開口部内の該第３、第１の絶縁膜側壁
部に金属リングを形成する工程とを含むものである。

第２の発明による半導体装置の製造方法は、上記目的達
成のため、基板上に、スクライブライン領域を含む領域
に開口部が設けられ、チップ領域を覆う第１の絶縁膜を
形成する工程と、該第１の絶縁膜上のチップ領域に配線
層を形成するとともに、該開口部内の該第１の絶縁膜側
壁部から該スクライブライン領域まで延在する金属層を
形成する工程と、回転塗布法により該配線層及び該金属
層を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２
の絶縁膜をエッチバックすることにより該配線層及び該
金属層を露出させる工程と、該金属層の該スクライブラ
イン領域を含む部分をエツチングすることにより該開口
部内の該第１の絶縁膜側壁部に金属リングを形成する工
程と、該第１の配線層及び該金属リング上を含むチップ
領域に第３の絶縁膜を形成する工程とを含むものである
。

〔作用〕

第１の発明は、第１図（ａ）〜（ｉ）に示すように、チ
ップ領域部の基板ｌ上にフィールド酸化膜２が形成され
るととともに、スクライブライン領域３ａ及びスクライ
ブライン領域３ａとフィールド酸化膜２間の領域３ｂの
基板１が露出され、フィールド酸化膜２と、スクライブ
ライン領域３ａ及び領域３ｂの基板１とが覆われるよう
に表面平坦化用の絶縁膜５が形成され、フィールド酸化
膜２に対応する絶縁膜５上に配線層７ａ、７ｂ、７ｃが
形成された後、回転塗布法により配線層７ａ、７ｂ、７
ｃと、スクライブライン領域３ａ及び領域３ｂの基板１
上に形成された絶縁膜５とが覆われるように絶縁膜８が
形成され、絶縁膜８がエッチバックされることにより配
線層７ａ、７ｂ、７ｃと、スクライブライン領域３ａ及
び領域３ｂの絶縁膜５とが露出され、第１の配線ｐＪｊ
　７　ａ、７ｂ、７ｃ、スクライブライン領域３ａ及び
領域３ｂの第２の絶縁膜５が覆われるように絶縁膜９が
形成され、配線層７ａ、７ｂ上の領域、及びスクライブ
ライン領域３ａと領域３ｂの一部との基板１上の領域に
おいて絶縁膜９．５がエツチングされることにより、第
１の配線層７ａ、７ｂ上にコンタクトホール１０ａ、１
０ｂが形成されるとともに、スクライブライン領域３ａ
及び領域３ｂの一部との基板１上に開口部１１が形成さ
れた後、コンタクトホール１０ａ、１０ｂ内の配線Ｎ７
　ａ、７ｂとコンタクトを取るように第２の配ｖＡ層１
２ａ、１２ｂが形成されるとともに、開口部１１内の絶
縁膜９．５側壁部に金属リング１３が形成される。

第２の発明では、第２図（ａ）〜（ｋ）に示すように、
チップ領域部の基板１上にフィールド酸化膜２が形成さ
れるとともに、スクライブライン領域３ａ、及びスクラ
イブライン領域３ａとフィールド酸化膜２間の領域３ｂ
の基板１が露出され、フィールド酸化膜２と、スクライ
ブライン領域３ａ及び領域３ｂの基＋、！ｉ、１とが覆
われるように表面平坦化用の絶縁ｖ５が形成され、スク
ライブライン領域３ａと領域３ｂの一部との基板１上の
領域において絶縁膜５がエツチングされることにより開
口部２１が形成され、フィールド酸化膜２に対応する絶
縁膜５上に配線層７ａ、７ｂ、７ｃが形成されるととも
に、開口部２１内の絶縁膜５側壁部から基板ｌ上に金属
層２２が形成された後、回転塗布法により配線層７ａ、
７ｂ、７ｃ及び金属Ｎ２２が覆われるように絶縁膜８が
形成される。次いで、絶縁膜８がエッヂバックされるこ
とにより配線層７ａ、７ｂ、７ｃ及び金属層２２が露出
され、スクライブライン領域３ａと領域３ｂの一部との
該基板１上の領域において金属Ｎ２２が工・ノチバソク
されることにより開口部２１内の第２の絶縁膜５側壁部
に金属リング１３が形成され、配線層７ａ、７ｂ、７ｃ
１金属層２２、及びスクライブライン領域３ａと領域３
ｂの一部との基板１が覆われるように絶縁膜９が形成さ
れ、配線層７ａ、７ｂ上の領域、及びスクライブライン
領域３ａの基板１上の領域において絶縁膜９がエンチン
グされることにより配線層７ａ、７ｂ上にコンタクトホ
ール１０ａ、１０ｂが形成されるとともに、スクライブ
ライン領域３ａの基板１上に開口部１４が形成された後
、コンタクトホール１０ａ、１０ｂ内の配線層７ａ、７
ｂとコンタクトを取るように配線層１２ａ、１２ｂが形
成される。

したがって、第１、第２の発明によれば回転塗布法によ
り絶縁膜を形成する際、金属リングと配′ｆｊＡ層間、
及び各々配線層間に生じる絶縁膜の段差を小さくして表
面平坦化することができるようになり、次層の配線層の
カハレソジを良くして断線し難くすることができるよう
になる。詳細については実施例で説明する。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ）〜（ｉ）は第１の発明に係る半導体装置の
製造方法の一実施例を説明する図である。

図示例の配線はＭＯＳトランジスタのゲート用配線に適
用する場合である。

この図において、１はＳｉ等からなる基板、２はフィー
ルド酸化膜、３ａはダイシングに必要なカンディング領
域となるスクライブライン領域、３ｂはスクライブライ
ン領域３ａとフィールド酸化膜２間の領域、４ａ、４ｂ
、４ｃはポリＳｉ等からなる配ＬＡＮ、５はＢＰＳＣ；
等からなる表面平坦化用の絶縁膜、６は配線層４ａ上に
形成されたコンタクトホール、７ａ、７ｂ、７ｃはＡ１
等からなる配線層、８はＳＯＧ等からなる絶縁膜、９は
ＰＳＧ等からなる絶縁膜、１０ａは配線層７ａ上に形成
されたコンタクトホール、１０ｂは配線層７ｂ上に形成
されたコンタク１−ホール、１１はスクライブライン領
域３ａと領域３ｂの一部との基板１上に形成された開口
部、１２ａ、１２ｂはＡ６等からなる配線層、１３はＡ
１等からなる金属リング、１４はスクライブライン領域
３ａの基板ｌ上に形成された開口部である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、ＬＯＣＯ３によすＳ
　ｉ　ｙ　Ｎａ膜をマスクとしてチップ周辺部のシリコ
ン基板１を酸化することにより膜厚が例えば６０００人
のフィールド酸化膜２を形成した後、例えばＲＩＥによ
り上記Ｓｉ、Ｎａ膜及びその下の５ｉ０２膜をエツチン
グすることにより基板１を露出させる。この時、ダイシ
ングに必要なカッティング領域となるスクライブライン
領域３ａの基板１、及びスクライブライン領域３ａとフ
ィールド酸化膜２間の領域３３ｂの基板３１が露出され
る。

次いで、例えばＣＶＤ法によりフィールド酸化膜２と、
スクライブライン領域３ａ及び領域３ｂの基板１とを覆
うようにポリＳｉを堆積した後、例えばＲＩＥによりポ
リＳｉを選択的にエツチングしてフィールド酸化膜２上
に配線層４ａ、４ｂ、４Ｃを形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りフィールド酸化膜２上に形成された配線層４ａ、４ｂ
、４ｃと、スクライブライン領域３ａ及び領域３ｂの基
板１とを覆うようにＢＰＳＧを堆積して膜厚が例えば４
０００人の表面平坦化用の絶縁膜５を形成した後、９０
０℃程度の熱処理により絶縁膜５をフローさせて表面平
坦化を行う。

次に、第１図（ｃ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配′４ｉＡ層４ａ上の領域において絶縁膜５ををエツチ
ングすることにより配線層４ａ上にコンタクトホール６
を形成する。この時、コンタクトポール６内に配線層４
ａが露出される。

次に、第１図（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法に
より全面に／ｌを堆積した後、例えばＲＩＢによりＡ１
を選択的にエツチングしてフィールド酸化膜２に対応す
る絶縁膜５上に配線層７ａ、７ｂ、７ｃを形成する。こ
の時、配線層７ａはコンタクトホール６内の配線層４ａ
とコンタクトされる。

次に、第１図（ｅ）に示すように、回転塗布法により配
線層７ａ、７ｂ、７ｃと、スクライブライン領域３ａ及
び領域３３ｂの基板１上に形成された絶縁膜５とを覆う
ようにＳＯＧを塗布及びベークによるキュアーをして絶
縁膜８を形成する。なお、ここでのＳＯＧの塗布時の流
れ方向は第１図（ｅ）に示すＹの如くスクライブライン
領域３ａから素子領域方向に流れていく場合である。

次に、第１図（ｆ）に示すように、例えばＲＩＥにより
絶縁膜８をエッチバックして配線層７ａ、７ｂ、７ｃと
、スクライブライン領域３ａ及び領域３ｂの絶縁膜５と
を露出させて表面平坦化を行う。

次に、第１図（ｇ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り配線層７ａ、７ｂ、７ｃと、スクライブライン領域３
ａ及び領域３ｂの絶縁膜５とを覆うようにＰＳＧを堆積
して膜厚が例えば３０００人の絶縁膜９を形成する。

次に、第１図（ｈ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配線層７ａ、７ｂ上の領域、及びスクライブライン領域
３ａ、と領域３ｂの一部との基板１上の領域において絶
縁膜９．５をエツチングすることにより配線層７ａ、７
ｂ上にコンタクトホール１０ａ、１０ｂを形成するとと
もに、スクライブライン領域３ａと領域３ｂの一部との
基板１上に開口部１１が形成する。

そして、例えばスパッタ法により全面にＡｌを堆積した
後、例えばＲＩＥによりＡｌを選択的にエツチングして
、コンタクトホールｌＱａ、１０ｂ内の配線Ｎ７　ａ、
７ｂとコンタク］・を取るように配線層１２ａ、１２ｂ
を形戸戊するとともに、開口部ｌｌ内の絶縁膜９．５側
壁部に金属リング１３を形成することにより、第１図（
ｉ）に示すような配線構造を得ることができる。この時
、スクライブライン領域３ａの基板１上に開口部１４が
形成され、この開口部１４内にスクライブライン領域３
ａの基板ｌが露出される。

すなわち、上記実施例では第１図（（１）、（ｅ）に示
すように、スクライブライン領域３ａと領域３ｂの一部
の基板１上に絶縁膜５を形成した状態で回転塗布法によ
りＳＯＧからなる絶縁膜８を形成するようにしている。

このため、回転塗布法によりＳＯＧからなる絶縁膜８を
形成する際、スクライブライン領域３ａとフィールド酸
化膜２間の領域３ｂ内に従来のような金属リングによる
大きな段差をなくすことができるため、各々の配線層７
ａ、７ｂ、７ｃ間に生しる絶縁膜８の段差を小さくする
ことができ、表面平坦化することができる。このため、
次層の配線層１２ａ、１２ｂのカバレンジを良くして断
線し難くすることができる。なお、ここでは金属リング
１３は配線層１２ａ、１２ｂを形成する際形成している
。

ところで、本発明においては、スクライブライン領域３
ａと領域３ｂの一部との露出された基板１上に金属層を
形成した状態で回転塗布法によりＳＯＧからなる絶縁膜
８を形成することによっても上記実施例と同様の効果を
得ることができる。

以下、具体的に図面を用いて説明する。

第２図（ａ）〜（ｋ）は第２の発明に係る半導体装置の
製造方法の一実施例を説明する図である。

この図において、第１図と同一符号は同一または相当部
分を示し、２１はスクライブライン領域３ａと領域３ｂ
の一部との基板１上に形成された開口部、２はＡ１等か
らなる金属層、２３はレジスト膜である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、ＬＯＧＯ３によＱＳ
ｉ、Ｎ、膜をマスクとしてチップ周辺部のシリコン基板
ｌを酸化することにより膜厚が例えば６０００大のフィ
ールド酸化膜２を形成した後、例えばＲＩＢにより上記
Ｓｉ、Ｎ、膜及びその下のＳｉＯ２膜をエツチングする
ことにより基板１を露出させる。この時、ダイシングに
必要なカッティング領域となるスクライブライン領域３
ａ、及びスクライブライン領域３ａとフィールド酸化膜
２間の領域３３ｂの基板ｌが露出される。次いで、例え
ばＣＶＤ法によりフィールド酸化膜２と、スクライブラ
イン領域３ａ及び領域３ｂの基板１とを覆うようにポリ
Ｓｉを堆積した後、例えばＲＩＥによりポリＳｔを選択
的にエツチングしてフィールド酸化膜２上に配線層４ａ
、４ｂ、４Ｃを形成する。

次に、第２図（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りフィールド酸化膜２上に形成された配線層４ａ、４ｂ
、４ｃと、スクライブライン領域３ａ及び領域３ｂの基
板ｌとを覆うようにＢＰＳＧを堆積して膜厚が例えば４
０００人の表面平坦化用の絶縁膜５を形成した後、９０
０℃程度の熱処理により絶縁膜５をフローさせて表面平
坦化を行う。

次に、第２図（ｃ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配線層４ａ上の領域、及びスクライブライン領域３ａと
領域３ｂの一部との基板１上の領域において絶縁膜５を
エツチングすることにより配線層４ａ上にコンタクトホ
ール６を形成するとともに、スクライブライン領域３ａ
と領域３ｂの一部との基板１上に開口部２１を形成する
。この時、コンタクトホール６内に配線層４ａが露出さ
れるとともに、開口部２１内にスクライブライン領域３
ａと領域３ｂの一部との基板ｌが露出される。

次に、第２図（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法に
より全面にＡ１を堆積した後、例えばＲＩＥによりＡＡ
を選択的にエツチングしてフィールド酸化膜２に対応す
る絶縁膜５上に配＆５ｉ層７ａ、７ｂ、７ｃを形成する
とともに、開口部２１内の絶縁膜５側壁部から基板１上
に金属層２２を形成する。

この時、配線層７ａはコンタクトホール６内の配し？ｊ
層４ａとコンタクトされる。

次に、第２図（ｅ）に示すように、回転塗布法により配
線Ｎ　７　ａ、７ｂ、７ｃ及び金属層２２を覆うように
ＳＯＧを塗布及びヘークによるキュアーをして絶縁ｒＰ
Ｊ、８を形成する。なお、ここでのＳＯＧの塗布の流れ
方向は第２図（ｅ）に示すＺの如くスクライブライン領
域３ａから素子領域方向に流れている場合である。

次に、第２図（ｆ）に示すように、例えばＲＩＥにより
絶縁膜８をエッチハックして配線層７ａ、７ｂ、７ｃ及
び金属層２２を露出さセて表面平坦化を行う。

次に、第２図（ｇ）に示すように、全面にレジストを塗
布してレジス１〜膜２３を形成した後、露光・現像によ
りスクライブライン領域３ａと領域３ｂの一部との金属
層２２上の領域においてレジスト膜２３をバクーニング
する。

次に、第２図（ｈ）に示すように、例えばＲＩＥにより
レジスト膜２３をマスクとしてスクライブライン領域３
ａと領域３ｂの一部との基４５．１上の領域において金
属層２２をエツチングすることにより開口部２１内の絶
縁膜５側壁部に金属リング１３を形成する。この時、ス
クライブライン領域３ａと領域３ｂの一部との基板ｌが
露出される。次いで、レジスト膜２３を除去する。

次に、第２図（ｉ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り配線層７ａ、７ｂ、７ｃ、金属層２２、及びスクライ
ブライン領域３ａと領域３ｂの一部との基板１を覆うよ
うにＰＳＧを堆積して膜厚が例えば３０００人の絶縁膜
９を形成する。

次に、第２図（ｊ）に示すように、例えばＲＩＥにより
配線層７ａ、７ｂ上の領域及びスクライブライン領域３
ａの基板ｌ上の領域において絶縁膜９をエツチングする
ことにより、配線層？　ａ　％７ｂ上にコンタクトホー
ル１０ａ、１０ｂを形成するとともに、スクライブライ
ン領域３ａの基板１上に開口部１４を形成する。

そして、例えばスパッタ法により全面にＡ１を堆積した
後、例えばＲＩＥによりＡｆｆを選択的にエツチングし
てコンタクトホールｌＱａ、１０ｂ内の配線層７ａ、７
ｂとコンタクトを取るように配線層１２ａ、１２ｂを形
成することにより、第２図（ｋ）に示すような配線層構
造を得ることができる。この時、開口部１４内にスクラ
イブライン領域３ａの基を反ｌが露出される。

すなわち、上記実施例では、第２図（ｄ）、（ｅ）に示
すように、開口部２１内の絶縁膜５側壁部からスクライ
ブライン領域３ａと領域３ｂの一部との基板１土に金属
層２２を形成した状態で回転塗布法によりＳＯＧからな
る絶縁膜８を形成するようにしている。このため、回転
塗布法によりＳＯＧからなる絶縁ｖ！、８を形成する際
、スクライブライン領域３ａとフィールド酸化膜２間の
領域３ｂ内に従来のような金属リングによる段差よりも
第２図（ｅ）に示す段差Ｅの如く、金属層２２の膜厚分
小さくすることができるため、金属リングとなる金属１
２２と配線層７ｃ間、及び各々の配線層７ａ、７ｂ、７
０間に生しる絶縁膜８の段差を小さくすることができ、
表面平坦化することができる。このため、次層の配線Ｎ
１２ａ、１２ｂのカバレンジを良くして１ｔＩｒ線し難
くすることができる。なお、ここでは、金属リング１３
は金属層２２をエツチングすることにより形成している
。

〔発明の効果〕本発明によれば、回転塗布法により絶縁膜を形成する際
、金属リングと配ｖＡＪＷ間、及び各々の配線層間に生
じる絶縁膜の段差を小さくして表面平坦化することがで
き、次層の配線層のカバレンジを良くして断線し難くす
ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の発明に係る半導体装置の製造方法の一実
施例の製造方法を説明する図、第２図は第２の発明に係
る半導体装置の製造方法の一実施例の製造方法を説明す
る図、第３図は従来例の製造方法を説明する図、第４図
は従来例の課題を説明する図である。 ■・・・・・・基板、２・・・・−・フィールド酸化膜、３ａ・・・・・・スクライブライン領域、３ｂ・・・・
・・領域、４　ａ、　　４　ｂｚ　　４　ｃ・・・・・・配線層、
５・・・・・・絶縁膜、６・・・・・・コンタクトホール、７ａ、７ｂ、７　ｃ−・＝配線層、８・・・・・・絶縁膜、９・・・・・・絶縁膜、１０ａ、１０ｂ・・・・・・コンタクトホール、１１・
・・・・・開口部、１２ａ、１２ｂ・・・・・・配線層、１３・・・・・・金属リング、１４・・−・・・開口部、２１・・・・・・開口部、２２・・・・・・金属層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板（１）上全面に第１の絶縁膜（５）を形成す
る工程と、該第１の絶縁膜（５）上のチップ領域に配線層（７ａ、
７ｂ、７ｃ）を形成する工程と、回転塗布法により基板
（１）上全面に配線層（７ａ、７ｂ、７ｃ）を覆うよう
に第２の絶縁膜（８）を形成する工程と、該第２の絶縁膜（８）をエッチバックすることにより該
配線層（７ａ、７ｂ、７ｃ）と該チップ領域を除く領域
（３ａ、３ｂ）の該第１の絶縁膜（５）とを露出させる
工程と、露出させた該第１の絶縁膜（５）上を含む全面に第３の
絶縁膜（９）を形成する工程と、該第３、第１の絶縁膜
（９、５）のスクライブライン領域（３ａ）を含む部分
をエッチングして該基板（１）上に開口部（１１）を形
成する工程と、該開口部（１１）内の該第３、第１の絶縁膜（９、５）
側壁部に金属リング（１３）を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）基板（１）上に、スクライブライン領域（３ａ）
を含む領域に開口部（２１）が設けられ、チップ領域を
覆う第１の絶縁膜（５）を形成する工程と、該第１の絶縁膜（５）上のチップ領域に配線層（７ａ、
７ｂ、７ｃ）を形成するとともに、該開口部（２１）内
の該第１の絶縁膜（５）側壁部から該スクライブライン
領域（３ａ）まで延在する金属層（２２）を形成する工
程と、回転塗布法により該配線層（７ａ、７ｂ、７ｃ）及び該
金属層（２２）を覆うように第２の絶縁膜（８）を形成
する工程と、該第２の絶縁膜（８）をエッチバックすることにより該
配線層（７ａ、７ｂ、７ｃ）及び該金属層（２２）を露
出させる工程と、該金属層（２２）の該スクライブライン領域（３ａ）を
含む部分をエッチングすることにより該開口部（２１）
内の該第１の絶縁膜（５）側壁部に金属リング（１３）
を形成する工程と、該第１の配線層（７ａ、７ｂ、７ｃ
）及び該金属リング（１３）上を含むチップ領域に第３
の絶縁膜（９）を形成する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。