JPH03266432A - 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置Info
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- JPH03266432A JPH03266432A JP6410290A JP6410290A JPH03266432A JP H03266432 A JPH03266432 A JP H03266432A JP 6410290 A JP6410290 A JP 6410290A JP 6410290 A JP6410290 A JP 6410290A JP H03266432 A JPH03266432 A JP H03266432A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- -1 acryl Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置に関
する。
する。
（従来の技術）
半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置にはブラシス
クラビング、超音波スクラビングなどが用いられている
。ブラシスクラビングは、ウェハ面上を回転するブラシ
を移動させ、ウェハを洗浄するようになっている。また
超音波スクラビングは、洗浄液に超音波振動を与えその
洗浄液の入ったノズルから液を噴射し、ウェハを洗浄す
るようになっている。また、両者を並用していることも
ある。
クラビング、超音波スクラビングなどが用いられている
。ブラシスクラビングは、ウェハ面上を回転するブラシ
を移動させ、ウェハを洗浄するようになっている。また
超音波スクラビングは、洗浄液に超音波振動を与えその
洗浄液の入ったノズルから液を噴射し、ウェハを洗浄す
るようになっている。また、両者を並用していることも
ある。
しかしながら、最近、微細化が進むにつれ、これまで問
題にされなかった１μｍ以下の半導体基板付着微粒子が
半導体プロセスで多々の工程不良を引き起こしている。
題にされなかった１μｍ以下の半導体基板付着微粒子が
半導体プロセスで多々の工程不良を引き起こしている。
例えば、露光工程において、半導体基板裏面に微粒子が
付着していると、露光ステージに搬送されてきた時に、
半導体基板の部分的な変形により露光不良となってしま
う。また、この微粒子がステージ上に残ってしまった場
合には、裏面に微粒子が付着していない半導体基板の場
合にも露光不良が発生してしまう。
付着していると、露光ステージに搬送されてきた時に、
半導体基板の部分的な変形により露光不良となってしま
う。また、この微粒子がステージ上に残ってしまった場
合には、裏面に微粒子が付着していない半導体基板の場
合にも露光不良が発生してしまう。
ブラシや超音波を用いた半導体基板の洗浄方法およびそ
の洗浄装置では、このような微粒子の洗浄率が悪いとい
う欠点があった。
の洗浄装置では、このような微粒子の洗浄率が悪いとい
う欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、ブラシや超音波を用いた半導体基板の洗浄
方法および洗浄装置では、微細化が進んだ場合１μｍ以
下の微粒子の洗浄率が悪いという欠点があった。
方法および洗浄装置では、微細化が進んだ場合１μｍ以
下の微粒子の洗浄率が悪いという欠点があった。
本発明は、以上の点に鑑み、微細化が進んだ場合に問題
となる微粒子の洗浄効率を向上することを目的とする半
導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置を提供すること
にある。
となる微粒子の洗浄効率を向上することを目的とする半
導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置を提供すること
にある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明による半導体基板の洗浄方法は、外表面に粘着層
を設けた洗浄体に半導体基板を吸引する工程と、前記洗
浄体と前記半導体基板とを相対的に移動し接離する工程
とを有する。
を設けた洗浄体に半導体基板を吸引する工程と、前記洗
浄体と前記半導体基板とを相対的に移動し接離する工程
とを有する。
また、本発明による半導体基板の洗浄装置は、外表面に
粘着層を設けた洗浄体と、半導体基板を前記洗浄体に吸
引させる吸引手段と、前記洗浄体と前記半導体基板とを
相対的に移動し接離する駆動手段とを備えたことを特徴
とする。
粘着層を設けた洗浄体と、半導体基板を前記洗浄体に吸
引させる吸引手段と、前記洗浄体と前記半導体基板とを
相対的に移動し接離する駆動手段とを備えたことを特徴
とする。
（作 用）
このような方法および装置では、外表面に粘着層を設け
た洗浄体と半導体基板とを相対的に移動し接離を行うこ
とにより、半導体基板表面の微粒子を除去する。
た洗浄体と半導体基板とを相対的に移動し接離を行うこ
とにより、半導体基板表面の微粒子を除去する。
（実施例）
以下本発明の実施例を第１図、第２図、第３図を参照し
て説明する。第１図は、本発明に係わる半導体基板の洗
浄装置の実施例の断面図、第２図はその上面図である。
て説明する。第１図は、本発明に係わる半導体基板の洗
浄装置の実施例の断面図、第２図はその上面図である。
この装置では、回転ローラ１２からウェハ１１に２つ以
上接触するような間隔で回転ローラ１２を複数設置する
。回転ローラ１２の表面には、ウェハ１１表面の微粒子
を除去するために低不純物アクリル系粘着剤１４を塗布
してあり、かつウェハ吸引用の細孔１３がある。
上接触するような間隔で回転ローラ１２を複数設置する
。回転ローラ１２の表面には、ウェハ１１表面の微粒子
を除去するために低不純物アクリル系粘着剤１４を塗布
してあり、かつウェハ吸引用の細孔１３がある。
そして、回転ローラ１２上をウェハ１１が移動するよう
になっている。
になっている。
本発明に係わる半導体基板の洗浄方法を第１図、第２図
を用いて説明する。ベルト搬送領域より半導体基板洗浄
領域の回転ローラ１２上ヘウエハを導入する。回転ロー
ラ１２はベルト１５により駆動する。
を用いて説明する。ベルト搬送領域より半導体基板洗浄
領域の回転ローラ１２上ヘウエハを導入する。回転ロー
ラ１２はベルト１５により駆動する。
回転ローラＩ２表面には、低不純物アクリル系粘着剤１
４が塗布しである。また、この回転ローラ１２の表面に
は細孔１３があり、ウェハ１１を吸引しているため、適
度の圧力が加わり、ウェハ１１に付着した微粒子は回転
ローラ１２へ吸着されながら移動する。
４が塗布しである。また、この回転ローラ１２の表面に
は細孔１３があり、ウェハ１１を吸引しているため、適
度の圧力が加わり、ウェハ１１に付着した微粒子は回転
ローラ１２へ吸着されながら移動する。
各々の回転ローラ１２を等速で回転することにより、ウ
ェハ１１が回転ローラ１２上を移動する。このとき、ウ
ェハ１１表面の微粒子が回転ローラ１２表面に塗布した
接着剤１４により除去され、次の処理領域へ搬送される
。
ェハ１１が回転ローラ１２上を移動する。このとき、ウ
ェハ１１表面の微粒子が回転ローラ１２表面に塗布した
接着剤１４により除去され、次の処理領域へ搬送される
。
第３図は、本発明の実施例に係わる半導体基板の洗浄装
置の要部断面図である。ベルト１５が駆動することによ
り中空になっている回転軸１６のまわりを回転する。こ
の回転軸■６の上部に設けられたくぼみ部１７に吸引口
が数カ所設けられていて、回転ローラ１２に設けられて
いる細孔１３がくぼみ部１７上にきたときにウェハ１１
が吸引される。回転ローラ１２表面には低不純物アクリ
ル系粘着剤１４が塗布しである。
置の要部断面図である。ベルト１５が駆動することによ
り中空になっている回転軸１６のまわりを回転する。こ
の回転軸■６の上部に設けられたくぼみ部１７に吸引口
が数カ所設けられていて、回転ローラ１２に設けられて
いる細孔１３がくぼみ部１７上にきたときにウェハ１１
が吸引される。回転ローラ１２表面には低不純物アクリ
ル系粘着剤１４が塗布しである。
本発明の実施例によれば、低不純物アクリル系粘着剤１
４を用いることにより、第４図に示すように微細化が進
んだ場合に問題となる１μｍ以下の微粒子の洗浄効率を
向上し、また、第５図に示すように露光工程においても
露光不良を大幅に減らすことができる。また、ウェハを
搬送しながら洗浄するため、洗浄部を搬送部分にとりこ
むことができ、高速で搬送できる。それに加え、洗浄液
を用いないため、乾燥工程が不用となる。
４を用いることにより、第４図に示すように微細化が進
んだ場合に問題となる１μｍ以下の微粒子の洗浄効率を
向上し、また、第５図に示すように露光工程においても
露光不良を大幅に減らすことができる。また、ウェハを
搬送しながら洗浄するため、洗浄部を搬送部分にとりこ
むことができ、高速で搬送できる。それに加え、洗浄液
を用いないため、乾燥工程が不用となる。
なお、低不純物アクリル系粘着剤１４については、たと
えばパッシングの際ウェハ裏面にフィルムをはるために
用いられている。粘着テープ（日立化成ＨＡ Ｅ −１
５０３）などの粘着剤を用いてもよい。
えばパッシングの際ウェハ裏面にフィルムをはるために
用いられている。粘着テープ（日立化成ＨＡ Ｅ −１
５０３）などの粘着剤を用いてもよい。
マタ、ローラー１２の材質については、ウレタンゴムな
ど弾力性があり耐摩耗性にすぐれているゴムが適してい
る。
ど弾力性があり耐摩耗性にすぐれているゴムが適してい
る。
［発明の効果］
以上の結果から、本発明を用いることによって、微細化
が進んだ場合に問題となる１μｍ以下の微粒子の洗浄効
率を向上することができる。
が進んだ場合に問題となる１μｍ以下の微粒子の洗浄効
率を向上することができる。
第１図は本発明の実施例に係る半導体基板の洗浄装置の
断面図、第２図は本発明の実施例に係わる半導体基板の
洗浄装置の上面図、第３図は本発明の実施例に係わる半
導体基板の洗浄装置の要部断面図、第４図は本発明及び
従来技術に係わる微粒子半径に対する洗浄効率を示した
図、第５）し 図は本発明及び従来技術に係わるデザインルーメに対す
る露光不良発生開度を示した図である。 １１・・・ウェハ、１２・・・回転ローラ、１３・・・
細孔、１４・・・粘着剤、４工、５１・・・本発明、４
２．５２・・・従来技術。
断面図、第２図は本発明の実施例に係わる半導体基板の
洗浄装置の上面図、第３図は本発明の実施例に係わる半
導体基板の洗浄装置の要部断面図、第４図は本発明及び
従来技術に係わる微粒子半径に対する洗浄効率を示した
図、第５）し 図は本発明及び従来技術に係わるデザインルーメに対す
る露光不良発生開度を示した図である。 １１・・・ウェハ、１２・・・回転ローラ、１３・・・
細孔、１４・・・粘着剤、４工、５１・・・本発明、４
２．５２・・・従来技術。
Claims (3)
- （１）外表面に粘着層を設けた洗浄体に半導体基板を吸
引する工程と、前記洗浄体と前記半導体基板とを相対的
に移動し接離する工程とを有する半導体基板の洗浄方法
。 - （２）外表面に粘着層を設けた洗浄体と、半導体基板を
前記洗浄体に吸引させる吸引手段と、前記洗浄体と前記
半導体基板とを相対的に移動し接離する駆動手段とを備
えたことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - （３）洗浄体が回転ローラであることを特徴とする請求
項（２）記載の半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6410290A JPH03266432A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6410290A JPH03266432A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266432A true JPH03266432A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13248378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6410290A Pending JPH03266432A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106291A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Nec Corp | 半導体洗浄装置 |
| US5972051A (en) * | 1993-06-17 | 1999-10-26 | Vlsi Technology, Inc | Method and apparatus for removing particles from semiconductor wafer edges using a particle withdrawing means |
| JP2009519591A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 基板の表面を処理する装置および方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6410290A patent/JPH03266432A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972051A (en) * | 1993-06-17 | 1999-10-26 | Vlsi Technology, Inc | Method and apparatus for removing particles from semiconductor wafer edges using a particle withdrawing means |
| JPH07106291A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Nec Corp | 半導体洗浄装置 |
| JP2009519591A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 基板の表面を処理する装置および方法 |
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