JPH07106291A - 半導体洗浄装置 - Google Patents
半導体洗浄装置Info
- Publication number
- JPH07106291A JPH07106291A JP5273121A JP27312193A JPH07106291A JP H07106291 A JPH07106291 A JP H07106291A JP 5273121 A JP5273121 A JP 5273121A JP 27312193 A JP27312193 A JP 27312193A JP H07106291 A JPH07106291 A JP H07106291A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- acrylic emulsion
- semiconductor
- wafer
- water
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体洗浄装置において、半導体ウェーハ上
の金属配線の損傷防止、微細なパーティクルの除去、お
よび、ウェーハに付着した粘着材の水洗除去を可能とす
る。 【構成】 回動自在な一対のローラ１１の表面に、アク
リル酸−２−エチルヘキシルを含む乳液を乾燥させてな
るアクリルエマルジョン１３を形成する。粘着力の強い
アクリルエマルジョンは、半導体ウェーハ１０上の微細
なパーティクルを除去する。ノズル２１から純水を半導
体ウェーハ１０表面に吹き付け、半導体ウェーハ１０表
面に付着したアクリルエマルジョン１３１を除去する。
の金属配線の損傷防止、微細なパーティクルの除去、お
よび、ウェーハに付着した粘着材の水洗除去を可能とす
る。 【構成】 回動自在な一対のローラ１１の表面に、アク
リル酸−２−エチルヘキシルを含む乳液を乾燥させてな
るアクリルエマルジョン１３を形成する。粘着力の強い
アクリルエマルジョンは、半導体ウェーハ１０上の微細
なパーティクルを除去する。ノズル２１から純水を半導
体ウェーハ１０表面に吹き付け、半導体ウェーハ１０表
面に付着したアクリルエマルジョン１３１を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体洗浄装置、詳しく
はデバイス作製前、またはデバイス作製後の半導体ウェ
ーハ表面に付着したパーティクル等を除去する半導体洗
浄装置に関する。
はデバイス作製前、またはデバイス作製後の半導体ウェ
ーハ表面に付着したパーティクル等を除去する半導体洗
浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロプロセッサ、メモリ等の半導体
集積回路の集積度の向上に伴い、半導体ウェーハ表面に
付着したパーティクル等の微細なゴミをいかに有効に除
去するかが重要な課題となっている。そこで、パーティ
クルを除去するための半導体洗浄装置として、以下に述
べるように種々のタイプのものが案出されてきた。
集積回路の集積度の向上に伴い、半導体ウェーハ表面に
付着したパーティクル等の微細なゴミをいかに有効に除
去するかが重要な課題となっている。そこで、パーティ
クルを除去するための半導体洗浄装置として、以下に述
べるように種々のタイプのものが案出されてきた。
【０００３】第１の従来の半導体洗浄装置は薬液による
洗浄およびリンスのための水洗を行うものである。使用
される薬液には、アンモニア、過酸化水素、水を１：
１：５の割合の水溶液を８０℃に加熱したもの、塩酸、
過酸化水素、水を１：１：６の割合の水溶液を８０℃に
加熱したもの、フッ化水素の水溶液等が一般的である。
この第１の半導体洗浄装置にあっては、電離した薬液が
半導体ウェーハ表面と同極性に帯電したパーティクルを
斥力によってウェーハから引き離すとともに、薬液がパ
ーティクルを溶解することによって、洗浄が行われる。
洗浄およびリンスのための水洗を行うものである。使用
される薬液には、アンモニア、過酸化水素、水を１：
１：５の割合の水溶液を８０℃に加熱したもの、塩酸、
過酸化水素、水を１：１：６の割合の水溶液を８０℃に
加熱したもの、フッ化水素の水溶液等が一般的である。
この第１の半導体洗浄装置にあっては、電離した薬液が
半導体ウェーハ表面と同極性に帯電したパーティクルを
斥力によってウェーハから引き離すとともに、薬液がパ
ーティクルを溶解することによって、洗浄が行われる。
【０００４】第２の従来の半導体洗浄装置としては、粘
着性ゴムローラを用いてゴミ等を除去するものが、特開
昭６３−２０４７２８号公報に開示されている。この半
導体洗浄装置は、ゴムローラを半導体パッケージ表面等
に接触させ、パッケージ表面のゴミをゴムローラに吸着
させるものである。
着性ゴムローラを用いてゴミ等を除去するものが、特開
昭６３−２０４７２８号公報に開示されている。この半
導体洗浄装置は、ゴムローラを半導体パッケージ表面等
に接触させ、パッケージ表面のゴミをゴムローラに吸着
させるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来の半導体洗浄装置にあっては、ウェーハ表面に
アルミニウム等の金属配線が設けられている場合には、
金属配線が電界薬液により腐食してしまうため、この半
導体洗浄装置を使用することはできない。また、上記金
属配線がシリコン酸化膜で覆われているとしても、薬液
がシリコン酸化膜に浸透し、金属配線を腐食してしま
う。
１の従来の半導体洗浄装置にあっては、ウェーハ表面に
アルミニウム等の金属配線が設けられている場合には、
金属配線が電界薬液により腐食してしまうため、この半
導体洗浄装置を使用することはできない。また、上記金
属配線がシリコン酸化膜で覆われているとしても、薬液
がシリコン酸化膜に浸透し、金属配線を腐食してしま
う。
【０００６】上記第２の従来の半導体洗浄装置にあって
は、ゴムの粘着性が弱いことから、微細なパーティクル
を除去することは極めて困難であるという問題が生じて
いた。また、ゴムは水に溶けないため、ウェーハ表面に
粘着材であるゴムが付着した場合、ゴムを水洗で除去す
ることができなかった。
は、ゴムの粘着性が弱いことから、微細なパーティクル
を除去することは極めて困難であるという問題が生じて
いた。また、ゴムは水に溶けないため、ウェーハ表面に
粘着材であるゴムが付着した場合、ゴムを水洗で除去す
ることができなかった。
【０００７】
【発明の目的】そこで、本発明は、半導体洗浄装置にお
いて、半導体ウェーハ上の金属配線の損傷防止、微細な
パーティクルの除去、および、ウェーハに付着した粘着
材の水洗除去を可能とすることを目的としている。
いて、半導体ウェーハ上の金属配線の損傷防止、微細な
パーティクルの除去、および、ウェーハに付着した粘着
材の水洗除去を可能とすることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る半導体洗浄装置は、半導体ウェーハ表面に当接するこ
とにより、当該半導体ウェーハ表面のパーティクルを吸
着可能なアクリルエマルジョンを備えたことを特徴とす
る半導体洗浄装置である。
る半導体洗浄装置は、半導体ウェーハ表面に当接するこ
とにより、当該半導体ウェーハ表面のパーティクルを吸
着可能なアクリルエマルジョンを備えたことを特徴とす
る半導体洗浄装置である。
【０００９】請求項２記載の発明に係る半導体洗浄装置
は、半導体ウェーハ表面に当接することにより、当該半
導体ウェーハ表面のパーティクルを吸着可能なアクリル
エマルジョンと、上記アクリルエマルジョンが付着した
上記半導体ウェーハ表面を水洗する水洗手段と、を備え
たことを特徴とする半導体洗浄装置である。
は、半導体ウェーハ表面に当接することにより、当該半
導体ウェーハ表面のパーティクルを吸着可能なアクリル
エマルジョンと、上記アクリルエマルジョンが付着した
上記半導体ウェーハ表面を水洗する水洗手段と、を備え
たことを特徴とする半導体洗浄装置である。
【００１０】請求項３記載の発明に係る半導体洗浄装置
は、回動自在なローラと、上記ローラおよび半導体ウェ
ーハ表面間に介在するアクリルエマルジョンと、上記ア
クリルエマルジョンが付着した上記半導体ウェーハ表面
を水洗する水洗手段と、を備えたことを特徴とする半導
体洗浄装置である。
は、回動自在なローラと、上記ローラおよび半導体ウェ
ーハ表面間に介在するアクリルエマルジョンと、上記ア
クリルエマルジョンが付着した上記半導体ウェーハ表面
を水洗する水洗手段と、を備えたことを特徴とする半導
体洗浄装置である。
【００１１】請求項４記載の発明に係る半導体洗浄装置
は、回動自在な一対の対向するローラと、上記ローラお
よび半導体ウェーハ表面間に介在するアクリルエマルジ
ョンと、上記アクリルエマルジョンが付着した上記半導
体ウェーハ表面を水洗する水洗手段と、を備えたことを
特徴とする半導体洗浄装置である。
は、回動自在な一対の対向するローラと、上記ローラお
よび半導体ウェーハ表面間に介在するアクリルエマルジ
ョンと、上記アクリルエマルジョンが付着した上記半導
体ウェーハ表面を水洗する水洗手段と、を備えたことを
特徴とする半導体洗浄装置である。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明に係る半導体洗浄装置にあ
っては、アクリルエマルジョンが半導体ウェーハ表面に
当接する。アクリルエマルジョンの粘着力はゴム等に比
べて強いため、半導体ウェーハ表面の微細なパーティク
ルを有効に除去することが可能である。
っては、アクリルエマルジョンが半導体ウェーハ表面に
当接する。アクリルエマルジョンの粘着力はゴム等に比
べて強いため、半導体ウェーハ表面の微細なパーティク
ルを有効に除去することが可能である。
【００１３】請求項２記載の発明に係る半導体洗浄装置
にあっては、アクリルエマルジョンが半導体ウェーハ表
面のパーティクルを除去した後、水洗手段が半導体ウェ
ーハ表面に付着したアクリルエマルジョンを水洗する。
アクリルエマルジョンは水により乳液化し、固形分であ
るアクリルが半導体ウェーハから剥がれ易い。従って、
半導体ウェーハ表面に、アクリルエマルジョンが付着し
たとしても、これを容易に除去することが可能となる。
にあっては、アクリルエマルジョンが半導体ウェーハ表
面のパーティクルを除去した後、水洗手段が半導体ウェ
ーハ表面に付着したアクリルエマルジョンを水洗する。
アクリルエマルジョンは水により乳液化し、固形分であ
るアクリルが半導体ウェーハから剥がれ易い。従って、
半導体ウェーハ表面に、アクリルエマルジョンが付着し
たとしても、これを容易に除去することが可能となる。
【００１４】請求項３記載の発明に係る半導体洗浄装置
にあっては、回動自在なローラが、アクリルエマルジョ
ンを半導体ウェーハ表面に圧接させる。従って、アクリ
ルエマルジョンが半導体ウェーハ表面の凹部に入り込
み、凹部に位置するパーティクルを有効に除去すること
ができる。
にあっては、回動自在なローラが、アクリルエマルジョ
ンを半導体ウェーハ表面に圧接させる。従って、アクリ
ルエマルジョンが半導体ウェーハ表面の凹部に入り込
み、凹部に位置するパーティクルを有効に除去すること
ができる。
【００１５】請求項４記載の発明に係る半導体洗浄装置
にあっては、回動自在なローラが一対設けられている。
従って、半導体ウェーハの両面に均一に圧力が加わるた
め、半導体ウェーハの反りを防止することが可能とな
る。また、半導体ウェーハの両面を同時に洗浄できる。
にあっては、回動自在なローラが一対設けられている。
従って、半導体ウェーハの両面に均一に圧力が加わるた
め、半導体ウェーハの反りを防止することが可能とな
る。また、半導体ウェーハの両面を同時に洗浄できる。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る半導体
洗浄装置を示す図である。この半導体洗浄装置は、半導
体ウェーハ１０表面のパーティクルを除去するパーティ
クル除去部１と、半導体ウェーハ１０表面に付着したア
クリルエマルジョン１３１を水洗する水洗部２とを有し
て構成されている。
ら説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る半導体
洗浄装置を示す図である。この半導体洗浄装置は、半導
体ウェーハ１０表面のパーティクルを除去するパーティ
クル除去部１と、半導体ウェーハ１０表面に付着したア
クリルエマルジョン１３１を水洗する水洗部２とを有し
て構成されている。
【００１７】パーティクル除去部１は一対のローラ１１
等を備えて構成されている。ローラ１１は、回動自在な
回転体１２、および、回転体１２の周面に形成されたア
クリルエマルジョン１３を有し、半導体ウェーハ１０を
挟持しながら搬送するものである。アクリルエマルジョ
ン１３は、アクリル酸−２−エチルヘキシルを含む乳液
を乾燥させたものであり、強い粘着力、親水性を有する
ものである。なお、アクリル酸−２−エチルヘキシルの
他、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
ブチル等を用いてもよい。
等を備えて構成されている。ローラ１１は、回動自在な
回転体１２、および、回転体１２の周面に形成されたア
クリルエマルジョン１３を有し、半導体ウェーハ１０を
挟持しながら搬送するものである。アクリルエマルジョ
ン１３は、アクリル酸−２−エチルヘキシルを含む乳液
を乾燥させたものであり、強い粘着力、親水性を有する
ものである。なお、アクリル酸−２−エチルヘキシルの
他、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
ブチル等を用いてもよい。
【００１８】水洗部２は、一対のノズル２１を備えて構
成されている。ノズル２１は、純水２２を半導体ウェー
ハ１０に向けて放出し、ローラ１１から半導体ウェーハ
１０表面に付着したアクリルエマルジョン１３１を洗浄
するものである。アクリルエマルジョン１３１は純水２
２により乳液化し、固形分であるアクリル酸−２−エチ
ルヘキシルが半導体ウェーハ１０から剥がれ易くなる。
よって、半導体ウェーハ１０表面に付着したアクリルエ
マルジョン１３１を容易に洗浄することができるもので
ある。
成されている。ノズル２１は、純水２２を半導体ウェー
ハ１０に向けて放出し、ローラ１１から半導体ウェーハ
１０表面に付着したアクリルエマルジョン１３１を洗浄
するものである。アクリルエマルジョン１３１は純水２
２により乳液化し、固形分であるアクリル酸−２−エチ
ルヘキシルが半導体ウェーハ１０から剥がれ易くなる。
よって、半導体ウェーハ１０表面に付着したアクリルエ
マルジョン１３１を容易に洗浄することができるもので
ある。
【００１９】このように構成された半導体洗浄装置にお
いて、半導体ウェーハ１０がパーティクル除去部１に搬
送されると、一対のローラ１１は、半導体ウェーハ１を
挟持しながら互いに逆方向に回転する。アクリルエマル
ジョン１３は半導体ウェーハ１０表面に圧接され、半導
体ウェーハ１０表面のパーティクルを吸着する。アクリ
ルエマルジョン１３は強い粘着力を有することから、半
導体ウェーハ１０表面の微細なパーティクルを有効に吸
着することができるものである。また、一対のローラ１
１により半導体ウェーハ１０を挟持しているため、半導
体ウェーハ１０の両面を同時に洗浄でき、半導体ウェー
ハ１０の反りの発生を防止することも可能である。さら
に、アクリルエマルジョン１３は半導体ウェーハ１０表
面に圧接するため、デバイスを形成後の半導体ウェーハ
１０の凹部に位置するパーティクルをも有効に除去する
ことができる。
いて、半導体ウェーハ１０がパーティクル除去部１に搬
送されると、一対のローラ１１は、半導体ウェーハ１を
挟持しながら互いに逆方向に回転する。アクリルエマル
ジョン１３は半導体ウェーハ１０表面に圧接され、半導
体ウェーハ１０表面のパーティクルを吸着する。アクリ
ルエマルジョン１３は強い粘着力を有することから、半
導体ウェーハ１０表面の微細なパーティクルを有効に吸
着することができるものである。また、一対のローラ１
１により半導体ウェーハ１０を挟持しているため、半導
体ウェーハ１０の両面を同時に洗浄でき、半導体ウェー
ハ１０の反りの発生を防止することも可能である。さら
に、アクリルエマルジョン１３は半導体ウェーハ１０表
面に圧接するため、デバイスを形成後の半導体ウェーハ
１０の凹部に位置するパーティクルをも有効に除去する
ことができる。
【００２０】この後、半導体ウェーハ１０は、ローラ１
１の回転とともに、水洗部２へと搬送され、ノズル２１
から純水２２を吹き付けられる。上述したように、アク
リルエマルジョン１３１は水により乳液化し易くなるこ
とから、半導体ウェーハ１０表面に付着したアクリルエ
マルジョン１３１を容易に洗浄することができるもので
ある。
１の回転とともに、水洗部２へと搬送され、ノズル２１
から純水２２を吹き付けられる。上述したように、アク
リルエマルジョン１３１は水により乳液化し易くなるこ
とから、半導体ウェーハ１０表面に付着したアクリルエ
マルジョン１３１を容易に洗浄することができるもので
ある。
【００２１】図２は、本発明の第２実施例に係る半導体
洗浄装置を示す図である。この半導体洗浄装置は、水洗
部の構造は上記第１実施例と同様であるが、パーティク
ル除去部の構成は第１実施例と異なっている。すなわ
ち、第２実施例に係るパーティクル除去部３は、対向し
合う一対のローラ３１、粘着シート３３を有して構成さ
れている。一対のローラ３１は、半導体ウェーハ１０、
粘着シート３３を挟持しながら互いに逆方向に回転し、
半導体ウェーハ１０を図中右方向に搬送するものであ
る。
洗浄装置を示す図である。この半導体洗浄装置は、水洗
部の構造は上記第１実施例と同様であるが、パーティク
ル除去部の構成は第１実施例と異なっている。すなわ
ち、第２実施例に係るパーティクル除去部３は、対向し
合う一対のローラ３１、粘着シート３３を有して構成さ
れている。一対のローラ３１は、半導体ウェーハ１０、
粘着シート３３を挟持しながら互いに逆方向に回転し、
半導体ウェーハ１０を図中右方向に搬送するものであ
る。
【００２２】粘着シート３３は帯状をなし、柔軟性を有
する基材３３表面にアクリルエマルジョン３４を塗布し
たものである。粘着シート３２はローラ３１によって半
導体ウェーハ１０に圧接され、アクリルエマルジョン３
４が半導体ウェーハ１０表面のパーティクルを吸着する
ものである。そして、粘着シート３２は回転ローラ３１
の回転とともに搬送される構成となっている。従って、
半導体ウェーハ１０表面には、粘着シート３２の新しい
面が常に接触するため、粘着シート３２に吸着されたパ
ーティクルが半導体ウェーハ１０表面に再付着すること
もない。
する基材３３表面にアクリルエマルジョン３４を塗布し
たものである。粘着シート３２はローラ３１によって半
導体ウェーハ１０に圧接され、アクリルエマルジョン３
４が半導体ウェーハ１０表面のパーティクルを吸着する
ものである。そして、粘着シート３２は回転ローラ３１
の回転とともに搬送される構成となっている。従って、
半導体ウェーハ１０表面には、粘着シート３２の新しい
面が常に接触するため、粘着シート３２に吸着されたパ
ーティクルが半導体ウェーハ１０表面に再付着すること
もない。
【００２３】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れることなく、本発明の趣旨の範囲で変更実施可能であ
る。例えば、上記水洗部２は、アクリルエマルジョンが
水に溶け易い性質を利用したものであれば、その種類を
問わない。
れることなく、本発明の趣旨の範囲で変更実施可能であ
る。例えば、上記水洗部２は、アクリルエマルジョンが
水に溶け易い性質を利用したものであれば、その種類を
問わない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、粘着力の強いアクリルエマルジョンを利用すること
により半導体ウェーハ上の微細なパーティクルを除去す
ることが可能となる。また、薬液を使用しないため、半
導体ウェーハ上に形成された金属配線が腐食することも
ない。さらに、アクリルエマルジョンは親水性に富むた
め、半導体ウェーハ上に付着したアクリルエマルジョン
を容易に水洗することが可能となる。
ば、粘着力の強いアクリルエマルジョンを利用すること
により半導体ウェーハ上の微細なパーティクルを除去す
ることが可能となる。また、薬液を使用しないため、半
導体ウェーハ上に形成された金属配線が腐食することも
ない。さらに、アクリルエマルジョンは親水性に富むた
め、半導体ウェーハ上に付着したアクリルエマルジョン
を容易に水洗することが可能となる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体洗浄装置を表
す図である。
す図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る半導体洗浄装置を表
す図である。
す図である。
２ 水洗部（水洗手段） １０ 半導体ウェーハ １１ 回転ローラ（ローラ） １３、３４ アクリルエマルジョン
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ表面に当接することによ
り、当該半導体ウェーハ表面のパーティクルを吸着可能
なアクリルエマルジョンを備えたことを特徴とする半導
体洗浄装置。 - 【請求項２】 半導体ウェーハ表面に当接することによ
り、当該半導体ウェーハ表面のパーティクルを吸着可能
なアクリルエマルジョンと、 上記アクリルエマルジョンが付着した上記半導体ウェー
ハ表面を水洗する水洗手段と、を備えたことを特徴とす
る半導体洗浄装置。 - 【請求項３】 回動自在なローラと、 上記ローラおよび半導体ウェーハ表面間に介在するアク
リルエマルジョンと、 上記アクリルエマルジョンが付着した上記半導体ウェー
ハ表面を水洗する水洗手段と、を備えたことを特徴とす
る半導体洗浄装置。 - 【請求項４】 回動自在な一対の対向するローラと、 上記ローラおよび半導体ウェーハ表面間に介在するアク
リルエマルジョンと、 上記アクリルエマルジョンが付着した上記半導体ウェー
ハ表面を水洗する水洗手段と、を備えたことを特徴とす
る半導体洗浄装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273121A JP2600587B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体洗浄装置 |
| US08/317,196 US5483717A (en) | 1993-10-05 | 1994-10-03 | Cleaning system using acrylic emulsion for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273121A JP2600587B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106291A true JPH07106291A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2600587B2 JP2600587B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17523427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5273121A Expired - Fee Related JP2600587B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体洗浄装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5483717A (ja) |
| JP (1) | JP2600587B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0132274B1 (ko) * | 1994-05-16 | 1998-04-11 | 김광호 | 웨이퍼 연마 설비 |
| US5685043A (en) * | 1995-07-24 | 1997-11-11 | Xerox Corporation | Removal of particulates from cylindrical members |
| US5753563A (en) * | 1997-07-30 | 1998-05-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of removing particles by adhesive |
| US5954888A (en) * | 1998-02-09 | 1999-09-21 | Speedfam Corporation | Post-CMP wet-HF cleaning station |
| EP1875490B1 (en) * | 2005-04-20 | 2011-01-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for cleaning of circuit substrates |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03266432A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
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| US3079619A (en) * | 1958-06-30 | 1963-03-05 | Eastman Kodak Co | Lenses cleaning apparatus |
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