JPH03265518A - 超伝導体 - Google Patents
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- JPH03265518A JPH03265518A JP2067475A JP6747590A JPH03265518A JP H03265518 A JPH03265518 A JP H03265518A JP 2067475 A JP2067475 A JP 2067475A JP 6747590 A JP6747590 A JP 6747590A JP H03265518 A JPH03265518 A JP H03265518A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器(電動機や発電機など)、磁気分離機、磁気浮
上列車、核磁気共鳴断層撮影診断装置、磁気推進船、電
子線露光装置、単結晶製造装置、各種実験装置等のマグ
ネットコイル用材料として適し、また、送電線、電気エ
ネルギー貯蔵器、変圧器、整流器などの電力損失が問題
になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、5QU
ID素子、超電導トランジスタなどの各種素子として適
し、さらにまた、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料などの
各種機能材料として適した超伝導体に関する。
電気機器(電動機や発電機など)、磁気分離機、磁気浮
上列車、核磁気共鳴断層撮影診断装置、磁気推進船、電
子線露光装置、単結晶製造装置、各種実験装置等のマグ
ネットコイル用材料として適し、また、送電線、電気エ
ネルギー貯蔵器、変圧器、整流器などの電力損失が問題
になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、5QU
ID素子、超電導トランジスタなどの各種素子として適
し、さらにまた、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料などの
各種機能材料として適した超伝導体に関する。
〈従来の技術〉
従来、Pb2Sr、(Y、Ca)Cu、0.や、Pt)
o、S r2.(Y、Ca)Cu2o、等の、いわゆる
pb系酸化物セラミックス超伝導体が知られている。こ
れらの超伝導体は、超伝導転移温度が液体窒素温度以上
であるといわれている。そうして、これらの超伝導体は
、構成元素の酸化物を所望のモル比で混合し、焼成し、
粉砕し、再び混合し、所望の形状に成形した後、焼成し
、冷却する方法や、耐熱性基体上に、構成元素の酸化物
であって、かつ、元素が所望のモル比を満足している薄
膜を形成し、焼成し、冷却する方法等によって作られて
いるが、超伝導特性が、製造条件、特に、成形体や薄膜
を焼成するときの雰囲気の酸素分圧に大きく左右され、
酸素分圧を1%以下に厳密に制御しなければ超伝導特性
が大きく低下し、場合によっては超伝導体にならないと
いう問題がある。たとえば、原料組成がPb25r2Y
0.5Cao、s Cu30.なる混合粉末を上述した
方法で成形体となし、それを20%の酸素分圧下で焼成
しても、超伝導体は得られない。
o、S r2.(Y、Ca)Cu2o、等の、いわゆる
pb系酸化物セラミックス超伝導体が知られている。こ
れらの超伝導体は、超伝導転移温度が液体窒素温度以上
であるといわれている。そうして、これらの超伝導体は
、構成元素の酸化物を所望のモル比で混合し、焼成し、
粉砕し、再び混合し、所望の形状に成形した後、焼成し
、冷却する方法や、耐熱性基体上に、構成元素の酸化物
であって、かつ、元素が所望のモル比を満足している薄
膜を形成し、焼成し、冷却する方法等によって作られて
いるが、超伝導特性が、製造条件、特に、成形体や薄膜
を焼成するときの雰囲気の酸素分圧に大きく左右され、
酸素分圧を1%以下に厳密に制御しなければ超伝導特性
が大きく低下し、場合によっては超伝導体にならないと
いう問題がある。たとえば、原料組成がPb25r2Y
0.5Cao、s Cu30.なる混合粉末を上述した
方法で成形体となし、それを20%の酸素分圧下で焼成
しても、超伝導体は得られない。
〈発明が解決しようとする課題〉
この発明の目的は、製造条件に左右されにくい超伝導体
を提供するにある。
を提供するにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、下記一般式で
表される超伝導体を提供する。
表される超伝導体を提供する。
Pb、Sr、β、Ce、Cu30゜
ただし、
β: La、、NdXSm、Eu、Gd、Dy。
HoおよびYから選ばれた元素
1、 9<p<2. 1
3.9<q+r+s<4.1
0≦s<0.8
2、 ol<y p Q−1,5r−2s0、 5
<2. 25 9、 5<y<1o、 5 以下においては、これを第1発明ということにする。
<2. 25 9、 5<y<1o、 5 以下においては、これを第1発明ということにする。
また、この発明は、下記一般式で表される超伝導体を提
供する。
供する。
P b + S r uβvCew Cu20xただし
、 β: La、Nd55m、EU、Gd、Dy。
、 β: La、Nd55m、EU、Gd、Dy。
HOおよびYから選ばれた元素
0、4<t<0.6
4.0<u+v+w<5.0
0≦s<0.8
2、 01<x−t−u−1,5v−2w<2.25
8、 5<x<9. 5
以下においては、これを第2発明ということにする。
上記において、元素βは、ただ1種を選択してもよく、
2種以上を選択してもよい。2種以上の元素を選択する
ときは、Nd、Sm、Eu、Gdが°80%以上を占め
るようにするとよい。
2種以上を選択してもよい。2種以上の元素を選択する
ときは、Nd、Sm、Eu、Gdが°80%以上を占め
るようにするとよい。
第1、第2発明の超伝導体は、それぞれ第1図および第
2図に示すような結晶構造を有する。これらの結晶構造
は、それぞれ第3図および第4図に示すようなX線回折
パターンによって確認できる。これら第3図および第4
図に示す超伝導体は、それぞれ、Pb2Sr2Gd、、
Ceo、、、Cu30、 、P bo、5 S r2,
5 Ndl、5 Ceo、5 Cu2O3で表されるも
のである。なお、第3図および第4図における横軸の2
6は回折角(度)であり、縦軸の■は強度である。
2図に示すような結晶構造を有する。これらの結晶構造
は、それぞれ第3図および第4図に示すようなX線回折
パターンによって確認できる。これら第3図および第4
図に示す超伝導体は、それぞれ、Pb2Sr2Gd、、
Ceo、、、Cu30、 、P bo、5 S r2,
5 Ndl、5 Ceo、5 Cu2O3で表されるも
のである。なお、第3図および第4図における横軸の2
6は回折角(度)であり、縦軸の■は強度である。
第1、第2発明の超伝導体は、以下において説明するよ
うな条件のときに得られる。
うな条件のときに得られる。
すなわち、まず、第1発明の一般式におけるplq、r
、sの関係を満足するように各構成元素の酸化物または
その前駆体の粉末を混合し、粉砕し、700〜1000
℃で焼成し、粉砕し、再び混合し、所望の形状に成形し
、成形体を炉に入れて900〜1050℃で1〜40時
間焼成する。これをさらに300〜700℃、1気圧以
上で熱処理する。成形体の焼成時における雰囲気の酸素
分圧が低いと第1図に示す構造のものとなり、高いと第
2図に示す構造のものとなる。
、sの関係を満足するように各構成元素の酸化物または
その前駆体の粉末を混合し、粉砕し、700〜1000
℃で焼成し、粉砕し、再び混合し、所望の形状に成形し
、成形体を炉に入れて900〜1050℃で1〜40時
間焼成する。これをさらに300〜700℃、1気圧以
上で熱処理する。成形体の焼成時における雰囲気の酸素
分圧が低いと第1図に示す構造のものとなり、高いと第
2図に示す構造のものとなる。
さて、第1発明の超伝導体は、構造が理想的に実現され
たときPb2Sr2β2−@CemCu30.。となる
が、通常は、酸素量の過不足があるから、Pb、Sr、
βrCe s Cu 30y という−般式において
、1.9<p<2.1.9. 5<7<10.5.3.
9<q+r+s<4.1という組成範囲が許される。ま
た、Ceの固溶限界から、0≦s<0.8という制限が
加わる。
たときPb2Sr2β2−@CemCu30.。となる
が、通常は、酸素量の過不足があるから、Pb、Sr、
βrCe s Cu 30y という−般式において
、1.9<p<2.1.9. 5<7<10.5.3.
9<q+r+s<4.1という組成範囲が許される。ま
た、Ceの固溶限界から、0≦s<0.8という制限が
加わる。
第1発明の超伝導体は、電荷は正孔で与えられ、従来の
銅複合酸化物系超伝導体と同じく、正孔濃度がCu1個
あたり0.01以上、0.25以下のときにのみ超伝導
体となる。そうして、正孔濃度は、y T)−q−1,
5r−2s−0,5−2で与えられるから、2.01<
y−p−q−1゜5r−2s−0,5<2.25である
。
銅複合酸化物系超伝導体と同じく、正孔濃度がCu1個
あたり0.01以上、0.25以下のときにのみ超伝導
体となる。そうして、正孔濃度は、y T)−q−1,
5r−2s−0,5−2で与えられるから、2.01<
y−p−q−1゜5r−2s−0,5<2.25である
。
元素βの選択であるが、構造を安定にするためには、N
dXSm、EuXGd、Dyが好ましい。
dXSm、EuXGd、Dyが好ましい。
一方、2. 01<y−p−q−1,5r−2s −0
,5<2.25という制限を容易に満たすためには、y
が大きいのがよい。これから、9.5<y<10.5な
る制限が加わる。
,5<2.25という制限を容易に満たすためには、y
が大きいのがよい。これから、9.5<y<10.5な
る制限が加わる。
次に、第2発明の超伝導体は、構造が理想的に実現され
たとき、P bo、s S r 2.5’β2−sCe
@Cu2O,となるが、通常は、酸素量の過不足がある
から、Pb、3ruβv Ce w Cu 20 xと
いう一般式において、0.4<t<0.6.8゜5<x
<9.5.4.0<u+v+w<5.0という組成範囲
が許される。また、Ceの固溶限界から、0≦s<Q、
3という制限が加わる。
たとき、P bo、s S r 2.5’β2−sCe
@Cu2O,となるが、通常は、酸素量の過不足がある
から、Pb、3ruβv Ce w Cu 20 xと
いう一般式において、0.4<t<0.6.8゜5<x
<9.5.4.0<u+v+w<5.0という組成範囲
が許される。また、Ceの固溶限界から、0≦s<Q、
3という制限が加わる。
この第2発明の超伝導体においても、電荷は正孔で与え
られ、第1発明の超伝導体と同じく、正孔濃度がCu1
個あたり0.01以上、0.25以下のときにのみ超伝
導体となる。そうして、正孔濃度は、x−t−u−1,
5v−2w−2で与えられるから、2. 01<x−t
−u−1,5y2w<2.25である。
られ、第1発明の超伝導体と同じく、正孔濃度がCu1
個あたり0.01以上、0.25以下のときにのみ超伝
導体となる。そうして、正孔濃度は、x−t−u−1,
5v−2w−2で与えられるから、2. 01<x−t
−u−1,5y2w<2.25である。
元素βの選択であるが、これも第1発明と同様、構造を
安定にするためには、Nd55m、Eu。
安定にするためには、Nd55m、Eu。
Gd、Dyが好ましい。一方、2.01<x−t−u−
1,5v−2w<2.25という制限を容易に満たすた
めには、Xが大きいのがよい。これから、8.5<x<
9.5なる制限が加わる。
1,5v−2w<2.25という制限を容易に満たすた
めには、Xが大きいのがよい。これから、8.5<x<
9.5なる制限が加わる。
この発明の超伝導体は、テープ状、線状、繊維状、シー
ト状など、いろいろな形態にして用いることができる。
ト状など、いろいろな形態にして用いることができる。
また、炭素繊維や、セラミックスや金、銀などの金属か
らなる補強線材上に形成して用いることもできる。さら
に銀シースなどの補強用の中空材料に詰めて用いること
もできる。さらにまた、銅などのマトリクスを用いて多
芯線構造の超伝導線材とすることもできる。また、51
1M g OXL a G 803などの基板上に薄膜
として形成し、いろいろな素子として、あるいは、LS
Iの配線として用いることができる。
らなる補強線材上に形成して用いることもできる。さら
に銀シースなどの補強用の中空材料に詰めて用いること
もできる。さらにまた、銅などのマトリクスを用いて多
芯線構造の超伝導線材とすることもできる。また、51
1M g OXL a G 803などの基板上に薄膜
として形成し、いろいろな素子として、あるいは、LS
Iの配線として用いることができる。
この発明の超伝導体は、いろいろな方法によって製造す
ることができる。たとえば、よく知られた粉末混合法に
よることができる。また、電子ビーム蒸着法やレーザー
蒸着法などの各種蒸着法によったり、マグネトロンスパ
ッタ法などの各種スパッタ法によったり、ハロゲン化物
や有機金属などを用いる化学的気相成長法によったり、
硝酸塩や有機酸などを用いる霧化法によったり、アルコ
キシドなどを用いる塗布法によったりすることができる
。
ることができる。たとえば、よく知られた粉末混合法に
よることができる。また、電子ビーム蒸着法やレーザー
蒸着法などの各種蒸着法によったり、マグネトロンスパ
ッタ法などの各種スパッタ法によったり、ハロゲン化物
や有機金属などを用いる化学的気相成長法によったり、
硝酸塩や有機酸などを用いる霧化法によったり、アルコ
キシドなどを用いる塗布法によったりすることができる
。
〈実 施 例〉
実施例l
PbO1SrCO3、Gd2O3、CeOおよびCuO
の各粉末を、Pb:Sr:Gd:Ce:Cuが2:2:
1.5:0.5:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A I 203の容器に入れ、空気
中にて800℃で10時間焼成した。
の各粉末を、Pb:Sr:Gd:Ce:Cuが2:2:
1.5:0.5:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A I 203の容器に入れ、空気
中にて800℃で10時間焼成した。
次に、得られた焼成体をメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット
状に成形し、成形体を分圧比P (0゜):P(N2)
が1:99である酸素と窒素の混合ガス中にて980℃
で12時間焼成し、さらに50気圧の酸素分圧下にて5
00℃で10時間熱処理し、徐冷した。
状に成形し、成形体を分圧比P (0゜):P(N2)
が1:99である酸素と窒素の混合ガス中にて980℃
で12時間焼成し、さらに50気圧の酸素分圧下にて5
00℃で10時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第1図に示す結晶構造を有す
るPb2S r2Gd、、、Ce、、、Cu30□o、
o工なる超伝導体の超伝導転移温度は、18にであった
。
るPb2S r2Gd、、、Ce、、、Cu30□o、
o工なる超伝導体の超伝導転移温度は、18にであった
。
実施例2
実施例1において、ペレット状の成形体を分圧比P (
O□):P(N2)が20 : 80である酸素と窒素
の混合ガス中にて980℃で12時間焼成し、さらに5
0気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理し、
徐冷した。
O□):P(N2)が20 : 80である酸素と窒素
の混合ガス中にて980℃で12時間焼成し、さらに5
0気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理し、
徐冷した。
このようにして得られた、第2図に示す結晶構造の、P
bo、s S r2.5 Gd15Ceo、s Cu2
09o2なる超伝導体の超伝導転移温度は、16にであ
った。
bo、s S r2.5 Gd15Ceo、s Cu2
09o2なる超伝導体の超伝導転移温度は、16にであ
った。
実施例3
PbO1SrCO3、Eu2O3、CeOおよびCuO
の各粉末を、Pb:Sr:Eu:Ce:Cuが2:2:
1.6:0.4:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A1□03の容器に入れ、空気中に
て850℃で5時間焼成した。
の各粉末を、Pb:Sr:Eu:Ce:Cuが2:2:
1.6:0.4:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A1□03の容器に入れ、空気中に
て850℃で5時間焼成した。
次に、得られた焼成体をメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット
状に成形し、酸素分圧が0. ITorr、以下の減
圧下にて975℃で12時間焼成し、さらに100気圧
の酸素分圧下にて550℃で12時間熱処理し、徐冷し
た。
状に成形し、酸素分圧が0. ITorr、以下の減
圧下にて975℃で12時間焼成し、さらに100気圧
の酸素分圧下にて550℃で12時間熱処理し、徐冷し
た。
このようにして得られた、第1図に示す結晶構造を有す
るPb2 S r2 Eu16Ceo4Cu30、。。
るPb2 S r2 Eu16Ceo4Cu30、。。
6なる超伝導体の超伝導転移温度は、21にであった。
実施例4
実施例3において、ペレット状の成形体を空気中にて9
75℃で12時間焼成し、さらに100気圧の酸素分圧
下にて550℃で12時間熱処理し、徐冷した。
75℃で12時間焼成し、さらに100気圧の酸素分圧
下にて550℃で12時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第2図に示す結晶構造の、P
bo5Sr25Eu□6Ceo4Cu209o4なる超
伝導体の超伝導転移温度は、17にであった。
bo5Sr25Eu□6Ceo4Cu209o4なる超
伝導体の超伝導転移温度は、17にであった。
実施例5
PbO1SrCO3、Sm2O3、CeOおよびCuO
の各粉末を、Pb:Sr:Sm:Ce:Cuが2:2:
1.7:0,3:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A1□03の容器に入れ、空気中に
て900℃で5時間焼成した。
の各粉末を、Pb:Sr:Sm:Ce:Cuが2:2:
1.7:0,3:3になるように計りとり、これをメノ
ウ乳鉢で粉砕した後A1□03の容器に入れ、空気中に
て900℃で5時間焼成した。
次に、得られた焼成体をメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット
状に成形し、成形体を分圧比p(02):P(N2)が
2:98である酸素と窒素の混合ガス中にて990℃で
10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧下にて5
00℃で10時間熱処理し、徐冷した。
状に成形し、成形体を分圧比p(02):P(N2)が
2:98である酸素と窒素の混合ガス中にて990℃で
10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧下にて5
00℃で10時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第1図に示す結晶構造を有す
るPb2Sr2 Sm1.、Ceo3Cu30□。1o
なる超伝導体の超伝導転移温度は、23にであった。
るPb2Sr2 Sm1.、Ceo3Cu30□。1o
なる超伝導体の超伝導転移温度は、23にであった。
実施例6
実施例5において、ペレット状の成形体を分圧比P (
O□):P(N2)が80 : 20である酸素と窒素
の混合ガス中にて990℃で10時間焼成し、さらに4
00気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理し
、徐冷した。
O□):P(N2)が80 : 20である酸素と窒素
の混合ガス中にて990℃で10時間焼成し、さらに4
00気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理し
、徐冷した。
このようにして得られた、第2図に示す結晶構造の、P
bo、5 S r2.53m17Ceo、3 Cu2
091□なる超伝導体の超伝導転移温度は、21にであ
った。
bo、5 S r2.53m17Ceo、3 Cu2
091□なる超伝導体の超伝導転移温度は、21にであ
った。
実施例7
PbO,S rcO3、Nd203、CeOおよびCu
Oの各粉末を、Pb:Sr:Nd:Ce:Cuが2:2
:1.4:0.6:3になるように計りとり、これをメ
ノウ乳鉢で粉砕した後Al2O3の容器に入れ、空気中
にて800℃で12時間焼成した。
Oの各粉末を、Pb:Sr:Nd:Ce:Cuが2:2
:1.4:0.6:3になるように計りとり、これをメ
ノウ乳鉢で粉砕した後Al2O3の容器に入れ、空気中
にて800℃で12時間焼成した。
次に、得られた焼成体をメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット
状に成形し、成形体を分圧比P(02):P(N2)が
1:99である酸素と窒素の混合ガス中にて950℃で
10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧下にて5
00°Cで10時間熱処理し、徐冷した。
状に成形し、成形体を分圧比P(02):P(N2)が
1:99である酸素と窒素の混合ガス中にて950℃で
10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧下にて5
00°Cで10時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第1図に示す結晶構造を有す
るPb2Sr2Nd、、a Ceo、b Cu3010
□3なる超伝導体の超伝導転移温度は、19にであった
。
るPb2Sr2Nd、、a Ceo、b Cu3010
□3なる超伝導体の超伝導転移温度は、19にであった
。
実施例8
実施例7において、ペレット状の成形体を分圧比P (
02):P (N2)が50 : 50である酸素と窒
素の混合ガス中にて950℃で10時間焼成し、さらに
400気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理
し、徐冷した。
02):P (N2)が50 : 50である酸素と窒
素の混合ガス中にて950℃で10時間焼成し、さらに
400気圧の酸素分圧下にて500℃で10時間熱処理
し、徐冷した。
このようにして得られた、第2図に示す結晶構造の、、
Pbo5S r25Ndx4Ceo、6 Cu209□
4なる超伝導体の超伝導転移温度は、16にであった。
Pbo5S r25Ndx4Ceo、6 Cu209□
4なる超伝導体の超伝導転移温度は、16にであった。
実施例9
PbO,S rCO3,5rn2o3、Dy203、C
eOおよびCuOの粉末を、Pb:Sr:Sm:Dy:
Ce:Cuが2:1.9:1.4:0.3:0.4:3
になるように計りとり、これをメノウ乳鉢で粉砕した後
Al2O3の容器に入れ、空気中にて800℃で12時
間焼成した。
eOおよびCuOの粉末を、Pb:Sr:Sm:Dy:
Ce:Cuが2:1.9:1.4:0.3:0.4:3
になるように計りとり、これをメノウ乳鉢で粉砕した後
Al2O3の容器に入れ、空気中にて800℃で12時
間焼成した。
次に、得られた焼成体をメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット
状に成形し、成形体を分圧比P(0□):P(N2)が
0.5:99.5である酸素と窒素の混合ガス中にて9
50℃で10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧
下にて500℃で10時間熱処理し、徐冷した。
状に成形し、成形体を分圧比P(0□):P(N2)が
0.5:99.5である酸素と窒素の混合ガス中にて9
50℃で10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧
下にて500℃で10時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第1図に示す結晶構造の、P
b、S r、、、Sm、、、Dy、、3Ce04Cu3
01o工、なる超伝導体の超伝導転移温度は、20にで
あった。
b、S r、、、Sm、、、Dy、、3Ce04Cu3
01o工、なる超伝導体の超伝導転移温度は、20にで
あった。
実施例10
実施例9において、ペレット状の成形体を空気中にて9
50℃で10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧
下にて500℃で10時間熱処理し、徐冷した。
50℃で10時間焼成し、さらに400気圧の酸素分圧
下にて500℃で10時間熱処理し、徐冷した。
このようにして得られた、第2図に示す結晶構造をもっ
た、Pbo5S r2.s Sm、4Dyo3Ceo4
Cu20,17なる超伝導体の超伝導転移温度は、15
にであった。
た、Pbo5S r2.s Sm、4Dyo3Ceo4
Cu20,17なる超伝導体の超伝導転移温度は、15
にであった。
〈発明の効果〉
この発明の超伝導体は、実施例にも示したように、製造
条件、特に、成形体等を焼成するときの雰囲気の酸素分
圧に左右されにくい。
条件、特に、成形体等を焼成するときの雰囲気の酸素分
圧に左右されにくい。
第1図および第2図は、この発明の超伝導体の結晶構造
のモデル図、第3図および第4図は、この発明の超伝導
体の一例についてそのX線回折パターンを示すグラフで
ある。
のモデル図、第3図および第4図は、この発明の超伝導
体の一例についてそのX線回折パターンを示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式で表される超伝導体。 Pb_pSr_qβ_rCe_sCu_3O_yただし
、 β:La、Nd、Sm、EU、Gd、Dy、Hoおよび
Yから選ばれた元素 1.9<p<2.1 3.9<q+r+s<4.1 0≦s<0.8 2.01<y−p−q−1.5r−2s− 0.5<2.25 9.5<y<10.52 (2)下記一般式で表される超伝導体。 Pb_tSr_uβ_vCe_wCu_2O_xただし
、 β:La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Hoおよび
Yから選ばれた元素 0.4<t<0.6 4.0<u+v+w<5.0 0≦s<0.8 2.01<x−t−u−1.5v−2w< <2.25 8.5<x<9.5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2067475A JPH03265518A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2067475A JPH03265518A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 超伝導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03265518A true JPH03265518A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13346028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2067475A Pending JPH03265518A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 超伝導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03265518A (ja) |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2067475A patent/JPH03265518A/ja active Pending
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