JPH03265105A - Soft magnetic laminate film - Google Patents

Soft magnetic laminate film

Info

Publication number
JPH03265105A
JPH03265105A JP2063809A JP6380990A JPH03265105A JP H03265105 A JPH03265105 A JP H03265105A JP 2063809 A JP2063809 A JP 2063809A JP 6380990 A JP6380990 A JP 6380990A JP H03265105 A JPH03265105 A JP H03265105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
soft magnetic
magnetic alloy
crystal grains
layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2063809A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2710441B2 (en
Inventor
Naoya Hasegawa
直也 長谷川
Masaji Saito
正路 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2063809A priority Critical patent/JP2710441B2/en
Publication of JPH03265105A publication Critical patent/JPH03265105A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2710441B2 publication Critical patent/JP2710441B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it a high saturation magnetic flux density film by laminating a soft magnetic alloy metals of texture being FexMzCw and Fe layers alternately, and making the soft magnetic alloy metal consist of minute crystal grains whose average grain diameter is specified, and making one part of it contain the carbide crystal phase of the element M. CONSTITUTION:Soft magnetic alloy metals 4 shown by the composition formula of FexMzCw and Fe layers 3 are stacked alternately. The magnetic alloy metal 4 entirely consists of minute grains whose average diameter is 0.08mum or less, and one part of it contains the crystal phase of the carbide of the element M. But, M is the element metal consisting of at least one kind among Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W or their mixture, and the composition ratio among x, z, and w meets the relations of 50<=x<=96, 2<=z<=30, 0.5<=w<=25 by atom% and x+z+w=100. This way, a film, which exhibits high saturation magnetic flux density and high permeability even if it is heat-treated in nonmagnetic field, can be gotten.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、磁気ヘッド等に適した飽和磁束密度の高い
軟磁性積層膜に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a soft magnetic laminated film with a high saturation magnetic flux density suitable for magnetic heads and the like.

[従来の技術] 磁気記録の分野においては、記録密度を高ぬるために磁
気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されているが
、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密度
(B s)の高いものが要求されている。
[Prior Art] In the field of magnetic recording, in order to increase the recording density, the coercive force of recording media such as magnetic tapes is being promoted. ) is required.

従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料(膜)として、F 
e−S i−A I合金(センダスト)が代表的なもの
であるが、近年、強磁性金属元素であるCoを主体とす
る非晶質の合金膜が開発されている。
As a conventional soft magnetic material (film) with high saturation magnetic flux density, F
The e-S i-A I alloy (Sendust) is a typical example, but in recent years, amorphous alloy films mainly composed of Co, a ferromagnetic metal element, have been developed.

また最近の試みとして、Feを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜(F e−C、F e−S i等)により
、Feの結晶磁気異方性の影響(軟磁性に対する悪影響
)を結晶の微細化により軽減し、高飽和磁束密度でかつ
軟磁気特性の優れた膜を得た例がある。
In addition, recent attempts have been made to reduce the effects of Fe's magnetocrystalline anisotropy (adverse effect on soft magnetism) by using alloy films (Fe-C, Fe-Si, etc.) consisting of fine crystals containing Fe as the main component. There is an example in which a film with high saturation magnetic flux density and excellent soft magnetic properties was obtained by reducing the magnetic flux by miniaturization.

[発明が解決しようとする課題] ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽量
化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、悪
環境のもとで使用されたりすることが多くなっている。
[Problem to be solved by the invention] Incidentally, devices incorporating magnetic heads tend to be smaller and lighter, and are often exposed to vibrations caused by movement or used in adverse environments. It has become.

そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって磁気
テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、湿度
や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性や、
耐振動性等が高いことが要求されている。そのため、ギ
ャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着で行う
ことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの製造工
程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ることが必要
である。
Therefore, magnetic heads must not only have excellent magnetic properties and wear resistance against magnetic tape, but also durability in humid and corrosive atmospheres, that is, environmental resistance.
High vibration resistance is required. Therefore, it is necessary to perform gap formation, assembly into a case, etc. by glass welding, and the material of the magnetic head needs to be able to withstand the high temperatures of the glass welding process in the head manufacturing process.

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セン
ダストからなるものは、飽和磁束密度が約10000G
(ガウス)程度であり、今後−層の高密度化の要求に対
しては不充分である。また、Co系のアモルファス合金
膜では13000G以上の高い飽和磁束密度のものも得
られているが、従来のアモルファス合金の飽和磁束密度
を高くしようとすると、アモルファス形成元素であるT
i。
However, among the conventional soft magnetic alloy films, those made of sendust have a saturation magnetic flux density of about 10,000G.
(Gauss), which is insufficient to meet future demands for higher density layers. In addition, some Co-based amorphous alloy films have a high saturation magnetic flux density of 13,000 G or more, but when trying to increase the saturation magnetic flux density of conventional amorphous alloys, the amorphous forming element T
i.

Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、W等の添加量を少なく
する必要があるが、添加量を少なくすると、アモルファ
ス構造の安定性が低下し、ガラス溶着に必要な温度(約
500℃以上)には耐え得ない問題がある。
It is necessary to reduce the amount of Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W, etc. added, but if the amount added is reduced, the stability of the amorphous structure will decrease, and the temperature required for glass welding (approximately 500°C or higher) will decrease. has an intolerable problem.

更に、上述したFeを主成分とする微細結晶からなる合
金膜(F e−C、F e−9i等)は、高温で結晶成
長を起こし、軟磁気特性が劣化する(Fe−Cの場合、
400℃が最高)ために、やはりガラス溶着に適したも
のとは言い難い。
Furthermore, the alloy films (Fe-C, Fe-9i, etc.) made of fine crystals mainly composed of Fe described above undergo crystal growth at high temperatures, resulting in deterioration of soft magnetic properties (in the case of Fe-C,
400° C.), it is difficult to say that it is suitable for glass welding.

このような背景から本願発明者らは、特願平l−278
220号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合
金膜を特許出願している。
Against this background, the inventors of the present invention have proposed patent application No. 1-278
No. 220, etc., patent applications have been filed for soft magnetic alloy films that solve the above-mentioned problems.

特願平1−278220号明細書において特許出願して
いる軟磁性合金膜の1つは、組成式が、Fex MzC
wで示され、組成比Xは原子%で50〜96、Zは2〜
301.は0.5〜25、X+z 十w = 100な
る関係を満足するものであった。
One of the soft magnetic alloy films for which a patent application has been filed in Japanese Patent Application No. 1-278220 has a composition formula of Fex MzC.
It is represented by w, the composition ratio X is 50 to 96 atomic %, and Z is 2 to 96.
301. was 0.5 to 25, satisfying the relationship: X+z 10w=100.

また、他の1つは、組成式が、FexTyMzCWで示
され、組成比Xは原子%で5θ〜96、yは0.1−1
0.2は2〜301.は0.5〜25、X + y +
 z + ’w = 100なる関係を満足するもので
あった。
The other one has a compositional formula of FexTyMzCW, where the compositional ratio X is 5θ~96 in atomic % and y is 0.1-1.
0.2 is 2-301. is 0.5 to 25, X + y +
The relationship z + 'w = 100 was satisfied.

この特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組酸のも
のは18000G程度の高い飽和磁束密度を有し、従来
の各種材料に比較すると高い熱安定性を備え、十分な耐
食性と耐環境性を有しているものであった。ところが、
この軟磁性合金膜では、飽和磁束密度20000G前後
のものは得られず、特に高い記録特性が要求される磁気
ヘッド用としては対応できない問題があった。
The soft magnetic alloy film provided in this patent application has a high saturation magnetic flux density of about 18,000G in the case of partially assembled acid, has higher thermal stability than various conventional materials, and has sufficient corrosion resistance and environmental resistance. It had a sexual nature. However,
With this soft magnetic alloy film, a saturation magnetic flux density of around 20,000 G cannot be obtained, and there is a problem that it cannot be used as a magnetic head that requires particularly high recording characteristics.

本発明は上述の問題点を解決し、軟磁気特性に優れ、そ
の特性が熱的に安定であり、信頼性の高いガラス溶着が
できるとともに、20000G前後の高い飽和磁束密度
を示し、無磁場熱処理によっても十分に高い磁気特性を
得ることができる軟磁性積層膜を提供することを目的と
するものである。
The present invention solves the above-mentioned problems, has excellent soft magnetic properties, is thermally stable, can perform highly reliable glass welding, exhibits a high saturation magnetic flux density of around 20,000G, and is heat treated in a non-magnetic field. The object of the present invention is to provide a soft magnetic laminated film that can obtain sufficiently high magnetic properties even when

[課題を解決するための手段〕 請求項1に記載した発明は前記課題を解決するために、
FezMzCvyなる組成式で示される軟磁性合金層と
Fe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金層は
全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒からな
り、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含む
ことを特徴とするものである。ただし前記組成式におい
てMはTiZ r、Hf、V 、N b、T a、Mo
、Wのうち、少なくとも1種からなる金属元素又はその
混合物であり、組成比X 、Z 、wは原子%で50≦
x≦96.2≦2≦30.0.5≦7≦25、x+z+
w=100なる関係を満足するものとする。
[Means for solving the problem] In order to solve the problem, the invention described in claim 1 has the following features:
Soft magnetic alloy layers shown by the composition formula FezMzCvy and Fe layers are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is entirely composed of fine crystal grains with an average grain size of 0.08 μm or less. It is characterized by partially containing a crystalline phase of carbide of element M. However, in the above compositional formula, M is TiZ r, Hf, V , N b, Ta, Mo
, W, or a mixture thereof, and the composition ratios X, Z, and w are 50≦at.%.
x≦96.2≦2≦30.0.5≦7≦25, x+z+
It is assumed that the relationship w=100 is satisfied.

請求項2に記載した発明は前記課題を解決するためlこ
’、FexTyMzCwなる組成式で示される軟磁性合
金層とFe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合
金層は全体か平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒
、9らなり、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶
相を含むものである。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention as set forth in claim 2 has a structure in which soft magnetic alloy layers represented by the composition formula FexTyMzCw and Fe layers are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is formed by laminating the entire or average layer. It consists of 9 fine crystal grains with a grain size of 0.08 μm or less, and a part of the fine crystal grains contains a crystal phase of carbide of element M.

ただし前記組成式において、MはTi、Zr、Hf、V
Nb、Ta、Mo、Wのうち、少なくとも1種からなる
金属元素又はその混合物、TはCo、Niのうち、少な
くとも1種を示し、組成比X 、)’ 、Z 、wは原
子%で50≦x≦96.0.1≦y≦20.2≦2≦3
0.0.5≦w≦25、x+Z+、−100なる関係を
満足するものとする。
However, in the above compositional formula, M is Ti, Zr, Hf, V
A metal element or a mixture thereof consisting of at least one of Nb, Ta, Mo, and W, T represents at least one of Co and Ni, and the composition ratios X, )', Z, and w are 50 at %. ≦x≦96.0.1≦y≦20.2≦2≦3
It is assumed that the following relationships are satisfied: 0.0.5≦w≦25, x+Z+, -100.

請求項3に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項1または2に記載の軟磁性合金層が平均結晶粒径
0.08μm以下の微細な結晶粒と非晶質相との混在し
た組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結
晶相を含むものである。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 3 has the following features:
The soft magnetic alloy layer according to claim 1 or 2 has a structure in which fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less and an amorphous phase are mixed, and a part of the fine crystal grains contains element M. It contains a carbide crystal phase.

請求項4に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項1,2または3に記載したFe層と軟磁性合金層
との界面において、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾配
をつけてなるものである。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 4 has the following features:
At the interface between the Fe layer and the soft magnetic alloy layer according to claim 1, 2 or 3, a concentration gradient of the constituent elements of the soft magnetic alloy layer is provided.

以下に本発明を更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.

第1図は本発明の軟磁性積層膜の一実施例を示すもので
、この実施例の積層膜1は、基板2の上に、純鉄からな
るFe層3と、Fe−M−C系あるいはF e−T −
N−C系の軟磁性合金層4とを交互に積層してなるもの
である。なお、積層膜1においてその最上部には軟磁性
合金膜4が形成されている。
FIG. 1 shows an embodiment of the soft magnetic laminated film of the present invention. The laminated film 1 of this embodiment has an Fe layer 3 made of pure iron on a substrate 2, and an Fe layer 3 made of pure iron, and an Fe-M-C based Or Fe-T-
It is formed by alternately laminating NC-based soft magnetic alloy layers 4. Note that a soft magnetic alloy film 4 is formed at the top of the laminated film 1.

また、前記積層膜1の厚さ方向の濃度分布は第2図に示
すようになっている。
Further, the concentration distribution in the thickness direction of the laminated film 1 is as shown in FIG.

前記軟磁性合金層4の一例は、pexMzCwなる組成
式で示され、全体が平均粒径0.08μ印以下の微細な
結晶粒からなり、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の
結晶相を含むものである。ただし前記組成式においてM
はTi、Zr、Hf、V 、NbT a、Mo、Wのう
ち、少なくとも1種からなる金属元素又はその混合物で
あり、組成比x 、z 、wは原子%で50≦x≦96
.2≦Z≦30,0.5≦w≦25、x + z + 
w = 100なる関係を満足するものとする。
An example of the soft magnetic alloy layer 4 is represented by the composition formula pexMzCw, and is entirely composed of fine crystal grains with an average grain size of 0.08 μm or less, and a portion of the fine crystal grains includes a crystal phase of carbide of element M. This includes: However, in the above compositional formula, M
is a metal element consisting of at least one of Ti, Zr, Hf, V, NbTa, Mo, and W, or a mixture thereof, and the composition ratios x, z, and w are 50≦x≦96 in atomic %.
.. 2≦Z≦30, 0.5≦w≦25, x + z +
It is assumed that the relationship w = 100 is satisfied.

また、前記軟磁性合金層4の他の1つの例は、FexT
yMzCwなる組成式で示され、全体が平均粒径0,0
8μm以下の微細な結晶粒からなり、微細結晶粒の一部
に元素Mの炭化物の結晶相を含むものである。ただし前
記組成式において、MはTi、Zr、Hf、V、Nb、
Ta、Mo、Wのうち、少なくとも1種からなる金属元
素又はその混合物、TはGo、Niのうち、少なくとも
1種を示し、組成比X 、1/ 、Z +Wは原子%で
50≦x≦96.0.1≦y≦20.2≦2≦30.0
.5≦w≦25.8十z + w = I 00なる関
係を満足するものとする。
Further, another example of the soft magnetic alloy layer 4 is FexT
It is represented by the composition formula yMzCw, and the entire average particle size is 0.0.
It consists of fine crystal grains of 8 μm or less, and includes a crystal phase of carbide of element M in a part of the fine crystal grains. However, in the above compositional formula, M is Ti, Zr, Hf, V, Nb,
A metal element or a mixture thereof consisting of at least one of Ta, Mo, and W, T represents at least one of Go and Ni, and the composition ratio X, 1/, Z + W is 50≦x≦ in atomic % 96.0.1≦y≦20.2≦2≦30.0
.. It is assumed that the relationship 5≦w≦25.80z+w=I00 is satisfied.

前記軟磁性積層膜を成膜する方法としては、スパッタ、
蒸着等のHM形成装置により作製する。
Methods for forming the soft magnetic laminated film include sputtering,
It is produced using an HM forming apparatus such as vapor deposition.

スパッタ装置としては、RF2極スパッタ、DCスパッ
タ、マグネトロンスパッタ、3極スパツタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット式スパッタ、等の既存のも
のを使用することができるが、同一真空槽内に2基以上
のターゲットを装着可能で、真空を破らずに多層膜の作
製が可能な形式の装置を用いることか好ましい。
Existing sputtering equipment such as RF two-pole sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, three-pole sputtering, ion beam sputtering, and facing target sputtering can be used, but two or more sputtering equipment can be used in the same vacuum chamber. It is preferable to use an apparatus to which a target can be attached and which can produce a multilayer film without breaking the vacuum.

第3図は前記積層膜1を製造する場合に用いて好適な成
膜装置の一例を示すもので、図中5は支持軸6によって
回転自在支持された基板ホルダ、7.8は基板ホルダ5
の上方に設けられたカソードであって、カソード7.8
の間には隔壁9が設けられ、装置全体が図示路の真空容
器に収納されている。そして、基板ホルダ5の上面には
基板lOが設置されるとともに、カソード7の下面には
純鉄製のターゲット11が設けられ、カソード8の下面
にはグラファイト板などのベレット12とHfなどの元
素Mからなるベレット13とを備えた純鉄製のターゲッ
ト14が設けられている。
FIG. 3 shows an example of a film forming apparatus suitable for manufacturing the laminated film 1. In the figure, 5 is a substrate holder rotatably supported by a support shaft 6, and 7.8 is a substrate holder 5.
a cathode provided above the cathode 7.8;
A partition wall 9 is provided between them, and the entire device is housed in a vacuum container along the path shown. A substrate lO is installed on the upper surface of the substrate holder 5, a target 11 made of pure iron is provided on the lower surface of the cathode 7, and a pellet 12 such as a graphite plate and an element M such as Hf are provided on the lower surface of the cathode 8. A target 14 made of pure iron is provided with a pellet 13 made of.

前記構成の装置によって積層膜lを形成するには、両方
のカソード7.8でスパッタを行って各ターゲットから
スパッタ粒子を発生させるとともjこ、基板ホルダ5を
所定時間毎に180°回転させて基板IOをカソード7
の下方側とカソード8の下方側の両方を交互に往来させ
ることによって行う。
In order to form the laminated film l using the apparatus having the above configuration, sputtering is performed with both cathodes 7 and 8 to generate sputtered particles from each target, and the substrate holder 5 is rotated 180 degrees at predetermined intervals. Connect the board IO to cathode 7
This is done by alternately moving both the lower side of the cathode 8 and the lower side of the cathode 8 back and forth.

以上の操作によって基板lOの上には、カソード7から
スパッタされた粒子によってFe層3が形成され、カソ
ード8からスパッタされた粒子によって軟磁性合金層4
が形成され、この繰り返しによって第1図に示す積層膜
Iが形成される。
Through the above operations, an Fe layer 3 is formed on the substrate IO by particles sputtered from the cathode 7, and a soft magnetic alloy layer 4 is formed by particles sputtered from the cathode 8.
is formed, and by repeating this process, a laminated film I shown in FIG. 1 is formed.

基板ホルダ5の交互回転によって基板l上に所定の厚さ
の積層膜1を形成したならば、成膜操作を停止する。
Once the laminated film 1 of a predetermined thickness is formed on the substrate l by alternately rotating the substrate holder 5, the film forming operation is stopped.

このようにして作製したままの積層膜lにおける各軟磁
性合金層[F e−(T )−M−C膜]は、一応の軟
磁気特性を示すが、これらの軟磁性合金膜はアモルファ
ス相をかなりの割合で含んだものであり、飽和磁束密度
が十分には高くなく、軟磁気特性も十分ではなく、不安
定であるので、400〜700℃程度に加熱する熱処理
を施すことによって微細結晶を析出させる。そして、こ
の熱処理を静磁場あるいは回転磁場中で行うことにより
、優れた軟磁気特性が得られる。また、この熱処理は磁
気ヘッドの製造工程におけるガラス溶着工程を兼ねて行
うことができる。
Each soft magnetic alloy layer [Fe-(T)-MC film] in the laminated film l produced in this manner exhibits some soft magnetic properties, but these soft magnetic alloy films have an amorphous phase. It contains a considerable proportion of is precipitated. By performing this heat treatment in a static magnetic field or a rotating magnetic field, excellent soft magnetic properties can be obtained. Further, this heat treatment can also be performed as a glass welding step in the manufacturing process of the magnetic head.

なお、前記微細結晶の析出工程は、完全に行なわれる必
要はなく、微細結晶が相当数(好ましくは50%以上)
析出していれば良いので、アモルファス成分が一部残留
していても差し支えなく、残留したアモルファス成分が
特性向上の障害となることはない。
Note that the step of precipitating the fine crystals does not need to be performed completely, and a considerable number of fine crystals (preferably 50% or more) is required.
Since it is sufficient that the amorphous component is precipitated, there is no problem even if some of the amorphous component remains, and the remaining amorphous component does not become an obstacle to improving the properties.

また、Cを膜中に添加する方法として、前記のようにタ
ーゲツト板にグラファイトのベレット12を配置して複
合ターゲットとし、これをスパッタする方法の他に、C
を含まないターゲット(Fe−M系あるいはF e−T
−M系)を用い、Ar等の不活性ガス中にメタン(CH
,)等の炭化水素ガスを混合したガス雰囲気でスパッタ
する反応性スパッタ法等を用いることもできる。この反
応性スパッタ法では膜中のC濃度の制御が容易であるが
Fe層3を成膜する際にはCH,ガスの供給を停止して
から成膜する必要がある。
In addition, as a method of adding C to the film, in addition to the method of placing a graphite pellet 12 on the target plate to form a composite target as described above and sputtering this, there is also a method of adding C to the film.
(Fe-M system or Fe-T
-M system) in an inert gas such as Ar, methane (CH
It is also possible to use a reactive sputtering method in which sputtering is performed in a gas atmosphere containing a mixture of hydrocarbon gases such as , ), etc. This reactive sputtering method allows easy control of the C concentration in the film, but when forming the Fe layer 3, it is necessary to stop the supply of CH and gas before forming the film.

以下、軟磁性合金層4の成分を限定した理由について述
べる。なお、Feと元素Tと元素MとCの成分限定理由
は特願平1−278220号の場合と大略同一である。
The reasons for limiting the components of the soft magnetic alloy layer 4 will be described below. The reasons for limiting the components of Fe, element T, element M, and C are almost the same as in the case of Japanese Patent Application No. 1-278220.

Feは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト(Bs  5000G)以上の飽和磁束
密度を得るためには、X≧50%が必要である。また、
良好な軟磁気特性を得るためには、X596%でなけれ
ばならない。
Fe is the main component and is an element responsible for magnetism, and in order to obtain a saturation magnetic flux density at least higher than ferrite (Bs 5000G), it is necessary that X≧50%. Also,
In order to obtain good soft magnetic properties, it must be X596%.

元素T(即ちCo、Ni)は、磁歪の調整の目的で添加
する元素である。Fe−M−C膜の場合、熱処理温度が
低いと磁歪が正になり、熱処理温度が高いと磁歪が負に
なる。高い熱処理温度(ガラス溶着温度)を必要とする
場合、磁歪を正にする効果のあるNi、Coを適量添加
することにより、磁歪をほぼ零にすることができる。な
お、熱処理温度が適当な場合、元素Tの添加は特に必要
ないが、Tの添加は正の磁歪が+10−5台以上まで大
きくならないようにyの値を調整しなくてはならない。
Element T (ie, Co, Ni) is an element added for the purpose of adjusting magnetostriction. In the case of a Fe-MC film, when the heat treatment temperature is low, the magnetostriction becomes positive, and when the heat treatment temperature is high, the magnetostriction becomes negative. When a high heat treatment temperature (glass welding temperature) is required, the magnetostriction can be made almost zero by adding an appropriate amount of Ni or Co, which has the effect of making the magnetostriction positive. Note that if the heat treatment temperature is appropriate, addition of element T is not particularly necessary, but when adding T, the value of y must be adjusted so that the positive magnetostriction does not increase to +10-5 or more.

ここでyの値について、特願平1−278220号にお
いては、0,1≦y≦w0であったものを、この発明に
おいて0,1≦y≦20まで拡大しているのは、Fe層
3の磁歪が負で大きい値を持ったぬに、積層H1の全体
の磁歪を+10−5台にまで大きくしないためのyの許
容量が増加するためである。
Here, regarding the value of y, in Japanese Patent Application No. 1-278220, 0,1≦y≦w0 is expanded to 0,1≦y≦20 in this invention. This is because the permissible amount of y is increased to prevent the overall magnetostriction of the laminated layer H1 from increasing to the +10-5 range, even though the magnetostriction of No. 3 has a negative and large value.

元素Mは軟磁気特性を良好にするために必要であり、ま
たCと結合して炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟
磁気特性を維持するためには、2層2%とする必要があ
るが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、
2630%とする必要がある。
Element M is necessary to improve soft magnetic properties, and also combines with C to form fine carbide crystals. In order to maintain good soft magnetic properties, it is necessary to make the two layers 2%, but if it is too large, the saturation magnetic flux density will decrease, so
It needs to be 2630%.

Cは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向上
させるために必要であり、Cは元素Mと結合して炭化物
の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性、及び、熱的
安定性を維持するためには1.50.5%とする必要が
あるが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので
、1層25%とする必要がある。
C is necessary to improve soft magnetic properties and heat resistance, and C combines with element M to form fine crystals of carbide. In order to maintain good soft magnetic properties and thermal stability, it is necessary to set the content to 1.50.5%, but if it is too large, the saturation magnetic flux density will decrease, so it is set to 25% for each layer. There is a need.

元素Mの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイトと
して働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きがある
とともに、膜中に均一に分散させることで、Feの微細
結晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止す
る働きがある。つまり、Peの結晶粒が成長して大きく
なると結晶磁気異方性の悪影響か大きくなり、軟磁気特
性が悪化するが、元素Mの炭化物の微細結晶がFeの粒
成長の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防
止する。
The carbide microcrystals of element M act as pinning sites for the domain wall and improve the high-frequency characteristics of magnetic permeability.By uniformly dispersing them in the film, the microcrystals of Fe grow through heat treatment and become soft magnetic. It has the function of preventing damage to the In other words, as the crystal grains of Pe grow and become larger, the negative effect of magnetocrystalline anisotropy increases and the soft magnetic properties deteriorate. Prevents deterioration of magnetic properties.

上記軟磁性合金層4においてはその組成がFeに富む微
細な結晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の
添加が制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子1
個あたりの磁気モーメントおよびキュリー温度が高くな
っており、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素M
及びCが含まれているとともに、金属組織が基本的に0
.08μm以下の微細な結晶粒からなっており、結晶磁
気異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良
好な軟磁気特性が得られる。更に、元素Mの炭化物が析
出してFeを主成分とする結晶粒の成長を抑えるので、
ガラス溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化
することがない。
The composition of the soft magnetic alloy layer 4 is mainly composed of fine crystals rich in Fe, and the addition of components that reduce the saturation magnetic flux density is limited.
The magnetic moment and Curie temperature per piece are high, and a high saturation magnetic flux density can be obtained. Also, element M
and C are included, and the metal structure is basically 0.
.. It is made up of fine crystal grains of 0.08 μm or less, and the adverse effect of magnetocrystalline anisotropy on soft magnetism is reduced, so good soft magnetic properties can be obtained. Furthermore, since the carbide of element M precipitates and suppresses the growth of crystal grains mainly composed of Fe,
Even when heated in the glass welding process, crystal grains do not become coarse.

前記のように製造された積層膜Iにあっては、飽和磁束
密度が21.5kGの20層3と最高18kGの飽和磁
束密度を有する軟磁性合金膜lとを交互に積層している
ために、全体で20000Gを越える極めて高い飽和磁
束密度を得ることができる。また、F e−(T )−
M−C系の軟磁性合金層4は、膜自体微細結晶を主体と
し、軟磁気特性が優れていること、および、Fe層層中
中結晶粒は上下から軟磁性合金層4.4により挾まれて
膜厚方向には成長し難いので20層3の結晶粒も微細と
なり、20層3の軟磁気特性も良好であることにより、
積層膜Iは優れた軟磁気特性を有する。
In the laminated film I manufactured as described above, 20 layers 3 having a saturation magnetic flux density of 21.5 kG and soft magnetic alloy films I having a maximum saturation magnetic flux density of 18 kG are alternately laminated. In total, an extremely high saturation magnetic flux density of over 20,000G can be obtained. Also, Fe-(T)-
The MC-based soft magnetic alloy layer 4 is mainly composed of fine crystals and has excellent soft magnetic properties, and the medium crystal grains in the Fe layer are sandwiched between the soft magnetic alloy layers 4.4 from above and below. Since it is difficult to grow in the film thickness direction, the crystal grains of the 20 layer 3 are also fine, and the soft magnetic properties of the 20 layer 3 are also good.
Laminated film I has excellent soft magnetic properties.

なお、20層3の軟磁気特性を良好にするために、20
層3の1層あたりの厚さは2000Å以下とすることが
好ましい。また、軟磁性合金層4の層の厚さについては
、特に制限はないが、20層3に対してあまり厚くする
と高い飽和磁束密度を得難い。また、20層3および軟
磁性合金層4のいずれをも薄くしすぎると熱処理による
両者の層間の原子拡散により各成分の濃度が膜厚方向で
ほぼ均一に混じってしまい、積層化の効果が出ない。な
お、層厚の下限は約50人である。
In addition, in order to improve the soft magnetic properties of the 20 layer 3, the 20
The thickness of each layer of layer 3 is preferably 2000 Å or less. Further, there is no particular restriction on the thickness of the soft magnetic alloy layer 4, but if it is too thick compared to the 20 layer 3, it will be difficult to obtain a high saturation magnetic flux density. Furthermore, if both the 20 layer 3 and the soft magnetic alloy layer 4 are made too thin, the concentration of each component will be mixed almost uniformly in the film thickness direction due to atomic diffusion between the two layers due to heat treatment, which will reduce the effect of lamination. do not have. Note that the lower limit of the layer thickness is about 50 people.

20層3は熱処理後は負の磁歪を示す。このため、軟磁
性合金層4をM、C濃度比の調整あるいはT#度の調整
により正磁歪に調節することで、膜全体の平均の磁歪を
小さくすることが好ましい。
20 layer 3 exhibits negative magnetostriction after heat treatment. Therefore, it is preferable to reduce the average magnetostriction of the entire film by adjusting the soft magnetic alloy layer 4 to have positive magnetostriction by adjusting the M and C concentration ratio or by adjusting the T# degree.

また、磁歪の調整は、熱処理温度あるいは20層3と軟
磁性合金膜4との層厚比を変えることによっても可能で
あり、種々の用途に応じた設定が可能である。
The magnetostriction can also be adjusted by changing the heat treatment temperature or the layer thickness ratio of the 20 layer 3 and the soft magnetic alloy film 4, and can be set according to various uses.

第4図は請求項4に記載した発明の一実施例を示すもの
であって、この実施例の積層膜21は、純鉄からなるF
eFfi23と先の実施例と同等の軟磁性合金層24と
の間に、Fe層23と軟磁性合金層24の中間濃度の拡
散層25を介在させた構成である。この拡散層25は、
Fe層23側に向かうにつれて元素T、MとCなどの添
加元素の濃度が徐々に減少し、軟磁性合金層24側に向
かうにつれて元素M、TとCなどの添加元素の濃度が徐
々に増加するように濃度勾配がつけられている。
FIG. 4 shows an embodiment of the invention as set forth in claim 4, and the laminated film 21 of this embodiment is made of F made of pure iron.
This is a configuration in which a diffusion layer 25 with an intermediate concentration between the Fe layer 23 and the soft magnetic alloy layer 24 is interposed between the eFfi 23 and the soft magnetic alloy layer 24 equivalent to the previous embodiment. This diffusion layer 25 is
The concentration of added elements such as elements T, M, and C gradually decreases toward the Fe layer 23 side, and the concentration of added elements such as elements M, T, and C gradually increases toward the soft magnetic alloy layer 24 side. A concentration gradient is set so that

従ってこの実施例の積層膜21では厚さ方向の濃度分布
は第5図に示すようになっている。
Therefore, in the laminated film 21 of this embodiment, the concentration distribution in the thickness direction is as shown in FIG.

前記構成の積層膜21を得るには、第1図に示す構成の
積層膜lを所要時間熱処理して20層3と軟磁性合金層
4との間に元素拡散を生じさけることで得ることができ
る。
The laminated film 21 having the above structure can be obtained by heat-treating the laminated film 1 having the structure shown in FIG. can.

この構成の積層膜においても先に記載した実施例と同等
の効果をえることができる。
Even in the laminated film having this structure, effects similar to those of the previously described embodiment can be obtained.

[実施例コ (1)成膜 第3図に示1”RF2極スパッタ装置を用い、純鉄製の
ターゲットを備えたカソードとグラファイトペレットお
よびHfベレットを付けた鉄製ターゲットを備えたカソ
ードの両方を同時に放電させるとともに、基板ホルダを
回転させることにより、基板を両力ソードの間を行き来
するように移動させてFe層とFeHfC層とを交互に
積層させた多層膜を形成した。この多層膜において、F
e層1層あたりの膜厚と、FeHf0層1層あたりの膜
厚とそれらの積層数は第1表に示す通りであり、全体の
膜厚は5〜6μmとした。この積層膜においFeHfC
膜の組成は、F ess、sHfs、sC+o、eであ
った。
[Example (1) Film Formation] Using a 1" RF two-pole sputtering apparatus shown in FIG. 3, both the cathode equipped with a pure iron target and the cathode equipped with an iron target attached with graphite pellets and Hf pellets were simultaneously sputtered. At the same time as discharging, the substrate holder was rotated to move the substrate back and forth between the bipolar swords to form a multilayer film in which Fe layers and FeHfC layers were alternately laminated. In this multilayer film, F
The film thickness per e-layer, the film thickness per FeHf0 layer, and the number of layers thereof are shown in Table 1, and the total film thickness was 5 to 6 μm. In this laminated film, FeHfC
The composition of the film was F ess, sHfs, sC+o, e.

(2)熱処理および測定 成膜後、成膜したままの状態での磁気特性の測定と、無
磁場熱処理後の磁気特性の測定を行った。
(2) Heat treatment and measurement After film formation, magnetic properties were measured in the as-formed state, and magnetic properties were measured after non-magnetic field heat treatment.

その結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(以下、余白) 第1表に示す試料a、b、cの積層膜においては、Fe
層とFeHfC層の各々について1層あたりの厚さを5
9人、115人、210人と変化させたが、いずれも熱
処理後に20000G以上の高い飽和磁束密度と良好な
軟磁気特性を示した。特に1層あたり、210Aの厚さ
で合計275層積層した試料Cの積層膜は、550℃(
20分保持)の熱処理後に3140という高い透磁率を
示し、熱処理温度を650℃に上げても透磁率2520
という優れた熱安定性を示した。しかし、この試料Cの
積層膜の磁歪定数は−1,9XI(I’と若干負に大き
い。これは、Fe層に対してFeHfC層の厚さを厚く
することによって小さくすることかでき、第1表の試料
dに示すようにlo−7台のλSが得られる。また、磁
歪定数λSの調整はFeHfC層の組成を変える(F 
eHfC層のλSがより正になるようにする)ことによ
って可能であり、第2表に示すようにC濃度を増やすこ
と、あるいは元素T(CoあるいはNi)を添加するこ
とにより同様にlo−7台のλSとすることが可能であ
る。
(Hereinafter, blank space) In the laminated films of samples a, b, and c shown in Table 1, Fe
The thickness per layer is 5 for each layer and FeHfC layer.
Although the number of participants was changed to 9, 115, and 210, all of them exhibited a high saturation magnetic flux density of 20,000 G or more and good soft magnetic properties after heat treatment. In particular, the laminated film of sample C, which had a total of 275 layers laminated with a thickness of 210A per layer, was heated at 550°C (
It shows a high magnetic permeability of 3140 after heat treatment (held for 20 minutes), and even when the heat treatment temperature is raised to 650℃, the magnetic permeability remains 2520.
It showed excellent thermal stability. However, the magnetostriction constant of the laminated film of sample C is -1.9XI (I', which is slightly negative). As shown in sample d in Table 1, λS on the order of lo-7 can be obtained.Also, adjusting the magnetostriction constant λS changes the composition of the FeHfC layer (F
This is possible by making λS of the eHfC layer more positive), and by increasing the C concentration as shown in Table 2, or by adding element T (Co or Ni), lo-7 can be similarly achieved. It is possible to set the value of λS to .

[発明の効果] 以上詳述したようにこの発明の積層膜に用いられている
軟磁性合金層は、Feを主成分とする微細な結晶粒から
なっているので、従来のアモルファス合金膜とは異なり
、無磁場中で熱処理を行っても高い飽和磁束密度と高い
透磁率を発揮する膜を得ることができ、磁場をかけて熱
処理する場合よりも工程の簡略化をなしえる。また、前
記軟磁性合金層には元素M(Ti、Zr、V、Hf、N
b、Ta、M。
[Effects of the Invention] As detailed above, the soft magnetic alloy layer used in the laminated film of the present invention is composed of fine crystal grains containing Fe as a main component, so it is different from conventional amorphous alloy films. In contrast, even if heat treatment is performed in the absence of a magnetic field, a film exhibiting high saturation magnetic flux density and high magnetic permeability can be obtained, and the process can be simplified compared to when heat treatment is performed by applying a magnetic field. Further, the soft magnetic alloy layer contains elements M (Ti, Zr, V, Hf, N
b, Ta, M.

W)及びCという軟磁性を良好とする成分が添加される
とともに、金属組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気
異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良好
な軟磁気特性が得られる。
Components W) and C that improve soft magnetic properties are added, and the metal structure consists of fine crystal grains, which reduces the negative effect of magnetocrystalline anisotropy on soft magnetism, resulting in good soft magnetic properties. is obtained.

更に、前記軟磁性合金層は微細な結晶粒からなるととも
に、添加された元素MがCと炭化物を形成するから、ガ
ラス溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化す
ることがなく、上記の特性を維持する。
Furthermore, since the soft magnetic alloy layer is composed of fine crystal grains and the added element M forms a carbide with C, the crystal grains do not become coarse even when heated in the glass welding process, and the above-mentioned maintain the characteristics of

更にまた、上記組成に加えて元素T(Co、Ni)を添
加し、磁歪を調整することにより、磁気ヘット製造工程
等で生じる種々の歪による軟磁気特性の劣化を防ぐこと
ができるものである。
Furthermore, by adding elements T (Co, Ni) in addition to the above composition and adjusting the magnetostriction, it is possible to prevent deterioration of the soft magnetic properties due to various strains occurring in the manufacturing process of the magnetic head, etc. .

即ち、本発明の軟磁性積層膜は、前述の如く優れた軟磁
気特性を有する軟磁性合金層と、優れた飽和磁束密度を
有するFe層とを積層したものであるために、F e−
(T IM−C系の軟磁性合金膜単独の優れた軟磁気特
性と耐熱性を維持しながら、20000G以上の優れた
飽和磁束密度が得られる。
That is, since the soft magnetic laminated film of the present invention is a laminated layer of a soft magnetic alloy layer having excellent soft magnetic properties as described above and an Fe layer having an excellent saturation magnetic flux density, Fe-
(It is possible to obtain an excellent saturation magnetic flux density of 20,000 G or more while maintaining the excellent soft magnetic properties and heat resistance of the TIM-C-based soft magnetic alloy film alone.

従って本発明の軟磁性積層膜は、20000G以上の飽
和磁束密度が要求される高密度記録用の磁気ヘッドの素
材として好適である。
Therefore, the soft magnetic laminated film of the present invention is suitable as a material for a magnetic head for high-density recording, which requires a saturation magnetic flux density of 20,000 G or more.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の積層膜を示す断面図、第2
図は第1図に示す積層膜の厚さ方向の濃度分布を示す線
図、第3図は第1図に示す積層膜を製造するのに用いて
好適なスパッタ装置の一例を示す偕成図、第4図は本発
明の他の実施例の積層膜を示す断面図、第5図は第4図
に示す積層膜の濃度分布を示す線図である。 1・積層膜、2・・基板、3・・・Fe層、4・・軟磁
性合金層、5・基板ホルダ、7,8・・・カソード、I
O・・基板、1トターゲット、12.13・・・ペレッ
ト、14・・・ターゲット。
FIG. 1 is a sectional view showing a laminated film according to an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a diagram showing the concentration distribution in the thickness direction of the laminated film shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a construction diagram showing an example of a sputtering apparatus suitable for use in manufacturing the laminated film shown in Fig. 1. FIG. 4 is a sectional view showing a laminated film according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the concentration distribution of the laminated film shown in FIG. 4. 1. Laminated film, 2. Substrate, 3. Fe layer, 4. Soft magnetic alloy layer, 5. Substrate holder, 7, 8. Cathode, I
O...Substrate, 1 target, 12.13...Pellet, 14...Target.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)FexMzCwなる組成式で示される軟磁性合金
層とFe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金
層は全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒か
らなり、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を
含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、MはTi,Zr,Hf,V
,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種からな
る金属元素又はその混合物であり、組成比x,z,wは
原子%で 50≦x≦96 2≦z≦30 0.5≦w≦25 x+z+w=100 なる関係を満足するものとする。 (2)FexTyMzCwなる組成式で示される軟磁性
合金層とFe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性
合金層は全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶
粒からなり、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶
相を含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、MはTi,Zr,Hf,V
,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種からな
る金属元素又はその混合物、TはCo,Niのうち、少
なくとも1種を示し、組成比x,y,z,wは原子%で 50≦x≦96 0.1≦y≦20 2≦z≦30 0.5≦w≦25 x+z+w=100 なる関係を満足するものとする。 (3)請求項1または2に記載の軟磁性合金層が平均結
晶粒径0.08μm以下の微細な結晶粒と非晶質相との
混在した組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化
物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性積層膜。 (4)請求項1,2または3に記載したFe層と軟磁性
合金層との界面に、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾配
がっけられてなることを特徴とする軟磁性積層膜。
[Scope of Claims] (1) Soft magnetic alloy layers represented by the composition formula FexMzCw and Fe layers are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is entirely composed of fine grains with an average grain size of 0.08 μm or less. A soft magnetic laminated film comprising crystal grains and containing a crystal phase of carbide of element M in a part of the fine crystal grains. However, in the above compositional formula, M is Ti, Zr, Hf, V
, Nb, Ta, Mo, and W, or a mixture thereof, and the composition ratios x, z, and w are in atomic %: 50≦x≦96 2≦z≦30 0.5≦w It is assumed that the following relationship is satisfied: ≦25 x+z+w=100. (2) Soft magnetic alloy layers represented by the composition formula FexTyMzCw and Fe layers are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is entirely composed of fine crystal grains with an average grain size of 0.08 μm or less. A soft magnetic laminated film characterized in that part of the crystal grains contains a crystal phase of carbide of element M. However, in the above compositional formula, M is Ti, Zr, Hf, V
, Nb, Ta, Mo, W, T represents at least one of Co, Ni, and the composition ratio x, y, z, w is 50 atomic%. It is assumed that the following relationships are satisfied: ≦x≦96 0.1≦y≦20 2≦z≦30 0.5≦w≦25 x+z+w=100. (3) The soft magnetic alloy layer according to claim 1 or 2 has a structure in which fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less and an amorphous phase are mixed, and a part of the fine crystal grains A soft magnetic laminated film characterized by containing a crystalline phase of carbide of element M. (4) A soft magnetic laminated film characterized in that a concentration gradient of constituent elements of the soft magnetic alloy layer is formed at the interface between the Fe layer and the soft magnetic alloy layer according to claim 1, 2 or 3. .
JP2063809A 1990-03-14 1990-03-14 Soft magnetic laminated film Expired - Fee Related JP2710441B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2063809A JP2710441B2 (en) 1990-03-14 1990-03-14 Soft magnetic laminated film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2063809A JP2710441B2 (en) 1990-03-14 1990-03-14 Soft magnetic laminated film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03265105A true JPH03265105A (en) 1991-11-26
JP2710441B2 JP2710441B2 (en) 1998-02-10

Family

ID=13240074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2063809A Expired - Fee Related JP2710441B2 (en) 1990-03-14 1990-03-14 Soft magnetic laminated film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2710441B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100734236B1 (en) * 2005-08-05 2007-07-02 치앙 천-리앙 판 Soft magnet structure
EP1850334A1 (en) * 2006-04-27 2007-10-31 Heraeus, Inc. Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target
JP2020517832A (en) * 2017-04-27 2020-06-18 エヴァテック・アーゲー Soft magnetic multilayer deposition apparatus, method of manufacture, and magnetic multilayer
US20230111296A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-13 Western Digital Technologies, Inc. Longitudinal Sensor Bias Structures and Method of Formation Thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100734236B1 (en) * 2005-08-05 2007-07-02 치앙 천-리앙 판 Soft magnet structure
EP1850334A1 (en) * 2006-04-27 2007-10-31 Heraeus, Inc. Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target
JP2020517832A (en) * 2017-04-27 2020-06-18 エヴァテック・アーゲー Soft magnetic multilayer deposition apparatus, method of manufacture, and magnetic multilayer
US20230111296A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-13 Western Digital Technologies, Inc. Longitudinal Sensor Bias Structures and Method of Formation Thereof
US11631535B1 (en) * 2021-10-07 2023-04-18 Western Digital Technologies, Inc. Longitudinal sensor bias structures and method of formation thereof
US12027308B2 (en) 2021-10-07 2024-07-02 Western Digital Technologies, Inc. Longitudinal sensor bias structures and method of formation thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2710441B2 (en) 1998-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2635402B2 (en) Soft magnetic alloy film
JPS63119209A (en) Soft magnetic thin-film
JP2710441B2 (en) Soft magnetic laminated film
JP2710440B2 (en) Soft magnetic alloy film
JPH0817032A (en) Magnetic recording medium and its production
KR960012245B1 (en) Soft magnetic alloy coating
JP2675178B2 (en) Soft magnetic alloy film
JPS63293707A (en) Multi-layered fe-co magnetic film and magnetic head
JP2771674B2 (en) Soft magnetic alloy film
JP2635416B2 (en) Soft magnetic alloy film
JP2635421B2 (en) Soft magnetic alloy film
JPH05114530A (en) Manufacture of soft magnetic alloy film and manufacture of magnetic head
JPH02152209A (en) Soft magnetic film
JPH09306736A (en) Perpendicular magnetization film, manufacture thereof, and magneto-optical recording medium
KR920001939B1 (en) Soft magnetic compound metal and magnetic head thereof
KR100193703B1 (en) Manufacturing method of soft magnetic alloy film, magnetic head and soft magnetic alloy film
JPH05267057A (en) Soft magnetic thin film
JP2761267B2 (en) Soft magnetic alloy film
JP3238216B2 (en) Soft magnetic thin film
JPS61110328A (en) Vertical magnetic recording medium and its production
JP3056401B2 (en) Soft magnetic alloy film
JP2771664B2 (en) Soft magnetic alloy film
JPH0613236A (en) Soft magnetic thin film
JPS5975610A (en) Iron base magnetic alloy thin film and manufacture thereof
JPH06124846A (en) Manufacture of soft magnetic film, manufacture of soft magnetic multi layer film and magnetic head

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees