JP2710441B2 - Soft magnetic laminated film - Google Patents
Soft magnetic laminated filmInfo
- Publication number
- JP2710441B2 JP2710441B2 JP2063809A JP6380990A JP2710441B2 JP 2710441 B2 JP2710441 B2 JP 2710441B2 JP 2063809 A JP2063809 A JP 2063809A JP 6380990 A JP6380990 A JP 6380990A JP 2710441 B2 JP2710441 B2 JP 2710441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soft magnetic
- layer
- film
- magnetic alloy
- alloy layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、磁気ヘッド等に適した飽和磁束密度の高
い軟磁性積層膜に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a soft magnetic laminated film having a high saturation magnetic flux density suitable for a magnetic head or the like.
[従来の技術] 磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために
磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されている
が、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密
度(Bs)の高いものが要求されている。[Prior Art] In the field of magnetic recording, a recording medium such as a magnetic tape has been promoted to have a high coercive force in order to increase a recording density. However, as a material of a magnetic head corresponding thereto, a saturation magnetic flux density (Bs) is required. High things are required.
従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料(膜)として、Fe
-Si-Al合金(センダスト)が代表的なものであるが、近
年、強磁性金属元素であるCoを主体とする非晶質の合金
膜が開発されている。As a conventional soft magnetic material (film) with a high saturation magnetic flux density, Fe
A typical example is a -Si-Al alloy (Sendust). In recent years, an amorphous alloy film mainly composed of Co, which is a ferromagnetic metal element, has been developed.
また最近の試みとして、Feを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜(Fe−C,Fe-Si等)により、Feの結晶磁気
異方性の影響(軟磁性に対する悪影響)を結晶の微細化
により軽減し、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。Further, as a recent attempt, the influence of the magnetocrystalline anisotropy of Fe (the adverse effect on soft magnetism) has been reduced by using an alloy film (Fe-C, Fe-Si, etc.) composed of fine crystals containing Fe as the main component. In some cases, a film having a high saturation magnetic flux density and excellent soft magnetic properties is obtained.
[発明が解決しようとする課題] ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽
量化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、
悪環境のもとで使用されたりすることが多くなってい
る。そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、
湿度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性
や、耐振動性等が高いことが要求されている。そのた
め、ギャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着
で行うことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの
製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ること
が必要である。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, devices incorporating a magnetic head tend to be reduced in size and weight, and are subject to vibration accompanying movement,
It is increasingly used in adverse environments. Therefore, the magnetic head has excellent magnetic properties and, of course, excellent wear resistance to the magnetic tape,
It is required to have high durability in a humidity or corrosive atmosphere, that is, high environmental resistance, vibration resistance, and the like. For this reason, it is necessary to perform the gap formation, the incorporation into the case, and the like by glass welding, and the material of the magnetic head needs to be able to withstand the high temperature of the glass welding step in the head manufacturing process.
しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セ
ンダストからなるものは、飽和磁束密度が約10000G(ガ
ウス)程度であり、今後一層の高密度化の要求に対して
は不充分である。また、Co系のアモルファス合金膜では
13000G以上の高い飽和磁束密度のものも得られている
が、従来のアモルファス合金の飽和磁束密度を高くしよ
うとすると、アモルファス形成元素であるTi,Zr,Hf,Nb,
Ta,Mo,W等の添加量を少なくする必要があるが、添加量
を少なくすると、アモルファス構造の安定性が低下し、
ガラス溶着に必要な温度(約500℃以上)には耐え得な
い問題がある。However, among the conventional soft magnetic alloy films, those made of sendust have a saturation magnetic flux density of about 10,000 G (Gauss), which is insufficient for a demand for higher density in the future. In addition, Co-based amorphous alloy films
Although high saturation magnetic flux density of more than 13000G has been obtained, when trying to increase the saturation magnetic flux density of conventional amorphous alloys, the amorphous forming elements Ti, Zr, Hf, Nb,
It is necessary to reduce the addition amount of Ta, Mo, W, etc., but if the addition amount is reduced, the stability of the amorphous structure decreases,
There is a problem that it cannot withstand the temperature required for glass welding (about 500 ° C. or higher).
更に、上述したFeを主成分とする微細結晶からなる合
金膜(Fe−C,Fe-Si等)は、高温で結晶成長を起こし、
軟磁気特性が劣化する(Fe−Cの場合、400℃が最高)
ために、やはりガラス溶着に適したものとは言い難い。Furthermore, the alloy film (Fe-C, Fe-Si, etc.) composed of fine crystals containing Fe as a main component causes crystal growth at a high temperature,
Soft magnetic properties deteriorate (400 ° C is the highest for Fe-C)
Therefore, it is hard to say that it is suitable for glass welding.
このような背景から本願発明者らは、特願平1-278220
号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合金膜を
特許出願している。Against this background, the present inventors have filed Japanese Patent Application No. 1-278220.
Patents have filed a patent application for a soft magnetic alloy film that solves the above problem.
特願平1-278220号明細書において特許出願している軟
磁性合金膜の1つは、組成式が、FexMzCwで示され、組
成比xは原子%で50〜96、zは2〜30、wは0.5〜25、
x+z+w=100なる関係を満足するものであった。One of the soft magnetic alloy films for which a patent application is filed in Japanese Patent Application No. 1-278220 is a composition formula represented by FexMzCw, wherein the composition ratio x is 50 to 96 in atomic%, z is 2 to 30, w is 0.5 to 25,
The relationship x + z + w = 100 was satisfied.
また、他の1つは、組成式が、FexTyMzCwで示され、
組成比xは原子%で50〜96、yは0.1〜10、zは2〜3
0、wは0.5〜25、x+y+z+w=100なる関係を満足
するものであった。In another one, the composition formula is represented by FexTyMzCw,
The composition ratio x is 50 to 96 in atomic%, y is 0.1 to 10, z is 2 to 3
0 and w satisfied the relationship of 0.5 to 25 and x + y + z + w = 100.
この特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組成の
ものは18000G程度の高い飽和磁束密度を有し、従来の各
種材料に比較すると高い熱安定性を備え、十分な耐食性
と耐環境性を有しているものであった。ところが、この
軟磁性合金膜では、飽和磁束密度20000G前後のものは得
られず、特に高い記録特性が要求される磁気ヘッド用と
しては対応できない問題があった。The soft magnetic alloy film provided in this patent application has a high saturation magnetic flux density of about 18000G in some compositions, high thermal stability compared to various conventional materials, sufficient corrosion resistance and environmental resistance It was what had. However, with this soft magnetic alloy film, a film having a saturation magnetic flux density of about 20,000 G cannot be obtained, and there is a problem that it cannot be used for a magnetic head that requires particularly high recording characteristics.
本発明は上述の問題点を解決し、軟磁気特性に優れ、
その特性が熱的に安定であり、信頼性の高いガラス溶着
ができるとともに、20000G前後の高い飽和磁束密度を示
し、無磁場熱処理によっても十分に高い磁気特性を得る
ことができる軟磁性積層膜を提供することを目的とする
ものである。The present invention solves the above-mentioned problems, and has excellent soft magnetic properties,
The soft magnetic laminated film whose characteristics are thermally stable, high reliability glass welding can be performed, high saturation magnetic flux density of around 20,000G can be obtained, and sufficiently high magnetic characteristics can be obtained even without magnetic field heat treatment. It is intended to provide.
[課題を解決するための手段] 請求項1に記載した発明は前記課題を解決するため
に、FexMzCwなる組成式で示される軟磁性合金膜とFe層
とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金層は全体が
平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒からなり、微細結
晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴
とするものである。ただし前記組成式においてMはTi,Z
r,Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種からなる金
属元素又はその混合物であり、組成比x,z,wは原子%で5
0≦x≦96、2≦z≦30、0.5≦w≦25、x+z+w=10
0なる関係を満足するものとする。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the invention described in claim 1 is configured such that a soft magnetic alloy film represented by a composition formula of FexMzCw and an Fe layer are alternately laminated, and The magnetic alloy layer is entirely formed of fine crystal grains having an average grain size of 0.08 μm or less, and includes a crystal phase of a carbide of the element M in a part of the fine crystal grains. Where M is Ti, Z
Among r, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W, a metal element composed of at least one kind or a mixture thereof, and the composition ratio x, z, w is 5% by atomic%
0 ≦ x ≦ 96, 2 ≦ z ≦ 30, 0.5 ≦ w ≦ 25, x + z + w = 10
It is assumed that the relationship of 0 is satisfied.
請求項2に記載した発明は前記課題を解決するため
に、FexTyMzCwなる組成式で示される軟磁性合金層とFe
層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金層は全体
が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒からなり、微細
結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むものであ
る。ただし前記組成式において、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,T
a,Mo,Wのうち、少なくとも1種からなる金属元素又はそ
の混合物、TはCo,Niのうち、少なくとも1種を示し、
組成比x,y,z,wは原子%で50≦x≦96、0.1≦y≦20、2
≦z≦30、0.5≦w≦25、x+z+w=100なる関係を満
足するものとする。In order to solve the above-mentioned problem, the invention described in claim 2 includes a soft magnetic alloy layer represented by a composition formula of FexTyMzCw and Fe
The soft magnetic alloy layer is composed of fine crystal grains having an average grain size of 0.08 μm or less as a whole, and includes a crystal phase of a carbide of the element M in a part of the fine crystal grains. However, in the above composition formula, M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, T
a, Mo, W, at least one metal element or a mixture thereof, T represents at least one of Co, Ni,
The composition ratios x, y, z, and w are expressed in atomic% as 50 ≦ x ≦ 96, 0.1 ≦ y ≦ 20, 2
It is assumed that the following relationship is satisfied: ≦ z ≦ 30, 0.5 ≦ w ≦ 25, and x + z + w = 100.
請求項3に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項1または2に記載の軟磁性合金層が平均結晶
粒径0.08μm以下の微細な結晶粒と非晶質相との混在し
た組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結
晶相を含むものである。According to a third aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, the soft magnetic alloy layer according to the first or second aspect includes a mixture of fine crystal grains having an average crystal grain size of 0.08 μm or less and an amorphous phase. It has a structure and includes a crystal phase of a carbide of the element M in a part of fine crystal grains.
請求項4に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項1,2または3に記載したFe層と軟磁性合金層
との界面において、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾配
がつけてなるものである。According to a fourth aspect of the present invention, in order to solve the above-described problem, a concentration gradient of constituent elements of the soft magnetic alloy layer is provided at an interface between the Fe layer and the soft magnetic alloy layer according to the first, second, or third aspect. It is.
以下に本発明を更に詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
第1図は本発明の軟磁性積層膜の一実施例を示すもの
で、この実施例の積層膜1は、基板2の上に、純鉄から
なるFe層3と、Fe−M−C系あるいはFe−T−N−C系
の軟磁性合金層4とを交互に積層してなるものである。
なお、積層膜1においてその最上部には軟磁性合金膜4
が形成されている。また、前記積層膜1の厚さ方向の濃
度分布は第2図に示すようになっている。FIG. 1 shows an embodiment of a soft magnetic laminated film according to the present invention. A laminated film 1 of this embodiment comprises a substrate 2, a Fe layer 3 made of pure iron, and a Fe-MC system. Alternatively, it is formed by alternately laminating Fe-TNC-based soft magnetic alloy layers 4.
In the laminated film 1, the soft magnetic alloy film 4
Are formed. The concentration distribution in the thickness direction of the laminated film 1 is as shown in FIG.
前記軟磁性合金層4の一例は、FexMzCwなる組成式で
示され、全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒か
らなり、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を
含むものである。ただし前記組成式においてMはTi,Zr,
Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種からなる金属
元素又はその混合物であり、組成比x,z,wは原子%で50
≦x≦96、2≦z≦30、0.5≦w≦25、x+z+w=100
なる関係を満足するものとする。An example of the soft magnetic alloy layer 4 is represented by a composition formula of FexMzCw, and is entirely composed of fine crystal grains having an average particle size of 0.08 μm or less, and includes a crystal phase of a carbide of the element M in a part of the fine crystal grains. It is a thing. Where M is Ti, Zr,
Among Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W, a metal element or a mixture of at least one of them, and the composition ratio x, z, w is 50 atomic%.
≦ x ≦ 96, 2 ≦ z ≦ 30, 0.5 ≦ w ≦ 25, x + z + w = 100
Satisfies the following relationship:
また、前記軟磁性合金層4の他の1つの例は、FexTyM
zCwなる組成式で示され、全体が平均粒径0.08μm以下
の微細な結晶粒からなり、微細結晶粒の一部に元素Mの
炭化物の結晶相を含むものである。ただし前記組成式に
おいて、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくと
も1種からなる金属元素又はその混合物、TはCo,Niの
うち、少なくとも1種を示し、組成比x,y,z,wは原子%
で50≦x≦96、0.1≦y≦20、2≦z≦30、0.5≦w≦2
5、x+z+w=100なる関係を満足するものとする。Another example of the soft magnetic alloy layer 4 is FexTyM
It is represented by a composition formula of zCw, which is composed entirely of fine crystal grains having an average particle diameter of 0.08 μm or less, and includes a crystal phase of a carbide of the element M in a part of the fine crystal grains. In the above formula, M represents at least one metal element or a mixture thereof among Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W, and T represents at least one of Co and Ni. , Composition ratio x, y, z, w is atomic%
50 ≦ x ≦ 96, 0.1 ≦ y ≦ 20, 2 ≦ z ≦ 30, 0.5 ≦ w ≦ 2
5. It is assumed that the relationship x + z + w = 100 is satisfied.
前記軟磁性積層膜を成膜する方法としては、スパッ
タ、蒸着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装
置としては、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネトロ
ンスパッタ、3極スパッタ、イオンビームスパッタ、対
向ターゲット式スパッタ、等の既存のものを使用するこ
とができるが、同一真空槽内に2基以上のターゲットを
装着可能で、真空を破らずに多層膜の作製が可能な形式
の装置を用いることが好ましい。As a method of forming the soft magnetic laminated film, the soft magnetic laminated film is formed by a thin film forming apparatus such as sputtering and vapor deposition. As the sputtering device, existing devices such as RF bipolar sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, tripolar sputtering, ion beam sputtering, and facing target type sputtering can be used, but two or more sputtering systems can be used in the same vacuum chamber. It is preferable to use an apparatus that can mount a target and can form a multilayer film without breaking a vacuum.
第3図は前記積層膜1を製造する場合に用いて好適な
成膜装置の一例を示すもので、図中5は支持軸6によっ
て回転自在支持された基板ホルダ、7,8は基板ホルダ5
の上方に設けられたカソードであって、カソード7,8の
間には隔壁9が設けられ、装置全体が図示略の真空容器
に収納されている。そして、基板ホルダ5の上面には基
板10が設置されるとともに、カソード7の下面には純鉄
製のターゲット11が設けられ、カソード8の下面にはグ
ラファイト板などのペレット12とHfなどの元素Mからな
るペレット13とを備えた純鉄製のターゲット14が設けら
れている。FIG. 3 shows an example of a film forming apparatus suitable for use in manufacturing the laminated film 1. In FIG. 3, reference numeral 5 denotes a substrate holder rotatably supported by a support shaft 6, and 7, 8 denote substrate holders.
, A partition 9 is provided between the cathodes 7 and 8, and the entire apparatus is housed in a vacuum vessel (not shown). A substrate 10 is provided on the upper surface of the substrate holder 5, a target 11 made of pure iron is provided on a lower surface of the cathode 7, and a pellet 12 such as a graphite plate and an element M such as Hf are provided on a lower surface of the cathode 8. And a target 14 made of pure iron and provided with a pellet 13 made of.
前記構成の装置によって積層膜1を形成するには、両
方のカソード7,8でスパッタを行って各ターゲットから
スパッタ粒子を発生させるとともに、基板ホルダ5を所
定時間毎に180°回転させて基板10をカソード7の下方
側とカソード8の下方側の両方を交互に往来させること
によって行う。In order to form the laminated film 1 by the apparatus having the above-described configuration, sputtering is performed on both the cathodes 7 and 8 to generate sputter particles from each target, and the substrate 10 is rotated by 180 ° at predetermined time intervals to rotate the substrate 10. By alternately moving the lower side of the cathode 7 and the lower side of the cathode 8 alternately.
以上の操作によって基板10の上には、カソード7から
スパッタされた粒子によってFe層3が形成され、カソー
ド8からスパッタされた粒子によって軟磁性合金層4が
形成され、この繰り返しによって第1図に示す積層膜1
が形成される。By the above operation, the Fe layer 3 is formed on the substrate 10 by the particles sputtered from the cathode 7, and the soft magnetic alloy layer 4 is formed by the particles sputtered from the cathode 8. Laminated film 1 shown
Is formed.
基板ホルダ5の交互回転によって基板1上に所定の厚
さの積層膜1を形成したならば、成膜操作を停止する。When the laminated film 1 having a predetermined thickness is formed on the substrate 1 by alternately rotating the substrate holder 5, the film forming operation is stopped.
このようにして作製したままの積層膜1における各軟
磁性合金層[Fe−(T)−M−C膜]は、一応の軟磁気
特性を示すが、これらの軟磁性合金膜はアモルファス相
をかなりの割合で含んだものであり、飽和磁束密度が十
分には高くなく、軟磁気特性も十分ではなく、不安定で
あるので、400〜700℃程度に加熱する熱処理を施すこと
によって微細結晶を析出させる。そして、この熱処理を
静磁場あるいは回転磁場中で行うことにより、優れた軟
磁気特性が得られる。また、この熱処理は磁気ヘッドの
製造工程におけるガラス溶着工程を兼ねて行うことがで
きる。Each soft magnetic alloy layer [Fe- (T) -MC film] in the laminated film 1 as produced in this way exhibits a certain soft magnetic property, but these soft magnetic alloy films have an amorphous phase. It contains a considerable proportion, and the saturation magnetic flux density is not high enough, the soft magnetic properties are not enough, and it is unstable. Precipitate. By performing this heat treatment in a static magnetic field or a rotating magnetic field, excellent soft magnetic characteristics can be obtained. Further, this heat treatment can be performed also as a glass welding step in the manufacturing process of the magnetic head.
なお、前記微細結晶の析出工程は、完全に行なわれる
必要はなく、微細結晶が相当数(好ましくは50%以上)
析出していれば良いので、アモルファス成分が一部残留
していても差し支えなく、残留したアモルファス成分が
特性向上の障害となることはない。The step of depositing the fine crystals does not need to be performed completely, and a considerable number of fine crystals (preferably 50% or more)
As long as it is deposited, the amorphous component may remain partially, and the remaining amorphous component does not hinder the improvement of the characteristics.
また、Cを膜中に添加する方法として、前記のように
ターゲット板にグラファイトのペレット12を配置して複
合ターゲットとし、これをスパッタする方法の他に、C
を含まないターゲット(Fe−M系あるいはFe−T−M
系)を用い、Ar等の不活性ガス中にメタン(CH4)等の
炭化水素ガスを混合したガス雰囲気でスパッタする反応
性スパッタ法等を用いることもできる。この反応性スパ
ッタ法では膜中のC濃度の制御が容易であるがFe層3を
成膜する際にはCH4ガスの供給を停止してから成膜する
必要がある。As a method for adding C into the film, as described above, in addition to the method of arranging graphite pellets 12 on a target plate to form a composite target and sputtering it,
(Fe-M or Fe-T-M)
And a reactive sputtering method or the like in which sputtering is performed in a gas atmosphere in which a hydrocarbon gas such as methane (CH 4 ) is mixed in an inert gas such as Ar. In this reactive sputtering method, it is easy to control the C concentration in the film, but when forming the Fe layer 3, it is necessary to stop the supply of the CH 4 gas before forming the film.
以下、軟磁性合金層4の成分を限定した理由について
述べる。なお、Feと元素Tと元素MとCの成分限定理由
は特願平1-278220号の場合と大略同一である。Hereinafter, the reason for limiting the components of the soft magnetic alloy layer 4 will be described. The reasons for limiting the components of Fe, element T, elements M and C are substantially the same as in Japanese Patent Application No. 1-278220.
Feは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト(Bs 5000G)以上の飽和磁束密度を得る
ためには、x≧50%が必要である。また、良好な軟磁気
特性を得るためには、x≦96%でなければならない。Fe is a main component and is an element bearing magnetism. In order to obtain a saturation magnetic flux density of at least ferrite (Bs 5000G) or more, x ≧ 50% is required. Further, in order to obtain good soft magnetic characteristics, x ≦ 96% must be satisfied.
元素T(即ちCo,Ni)は、磁歪の調整の目的で添加す
る元素である。Fe−M−C膜の場合、熱処理温度が低い
と磁歪が正になり、熱処理温度が高いと磁歪が負にな
る。高い熱処理温度(ガラス溶着温度)を必要とする場
合、磁歪を正にする効果のあるNi,Coを適量添加するこ
とにより、磁歪をほぼ零にすることができる。なお、熱
処理温度が適当な場合、元素Tの添加は特に必要ない
が、Tの添加は正の磁歪が+10-5台以上まで大きくなら
ないようにyの値を調整しなくてはならない。ここでy
の値について、特願平1-278220号においては、0.1≦y
≦10であったものを、この発明において0.1≦y≦20ま
で拡大しているのは、Fe層3の磁歪が負で大きい値を持
つために、積層膜1の全体の磁歪を+10-5台にまで大き
くしないためのyの許容量が増加するためである。The element T (that is, Co, Ni) is an element added for the purpose of adjusting magnetostriction. In the case of the Fe-MC film, when the heat treatment temperature is low, the magnetostriction becomes positive, and when the heat treatment temperature is high, the magnetostriction becomes negative. When a high heat treatment temperature (glass welding temperature) is required, the magnetostriction can be made almost zero by adding an appropriate amount of Ni and Co, which have the effect of making the magnetostriction positive. When the heat treatment temperature is appropriate, the addition of element T is not particularly necessary, but the addition of T must adjust the value of y so that the positive magnetostriction does not increase to the order of +10 -5 or more. Where y
In the Japanese Patent Application No. 1-278220, 0.1 ≦ y
≦ 10 is expanded to 0.1 ≦ y ≦ 20 in the present invention because the magnetostriction of the Fe layer 3 is negative and large, so that the entire magnetostriction of the laminated film 1 is +10 −5. This is because the allowable amount of y for not increasing the size to the stage increases.
元素Mは軟磁気特性を良好にするために必要であり、
またCと結合して炭化物の微細結晶を形成する。良好な
軟磁気特性を維持するためには、z≧2%とする必要が
あるが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうの
で、z≦30%とする必要がある。Element M is necessary for improving soft magnetic properties,
Further, it combines with C to form carbide fine crystals. In order to maintain good soft magnetic characteristics, it is necessary to satisfy z ≧ 2%. However, if the amount is too large, the saturation magnetic flux density decreases. Therefore, it is necessary to satisfy z ≦ 30%.
Cは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向
上させるために必要であり、Cと元素Mと結合して炭化
物の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性、及び、熱
的安定性を維持するためには、w≧0.5%とする必要が
あるが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうの
で、w≦25%とする必要がある。C is necessary for improving soft magnetic properties and improving heat resistance, and combines with C and the element M to form carbide fine crystals. In order to maintain good soft magnetic properties and thermal stability, it is necessary that w ≧ 0.5%. However, if it is too large, the saturation magnetic flux density decreases. There is.
元素Mの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイト
として働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きがあ
るとともに、膜中に均一に分散させることで、Feの微細
結晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止す
る働きがある。つまり、Feの結晶粒が成長して大きくな
ると結晶磁気異方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性
が悪化するが、元素Mの炭化物の微細結晶がFeの粒成長
の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防止す
る。The fine crystals of the carbide of the element M act as pinning sites for the domain wall, have the function of improving the high-frequency characteristics of magnetic permeability, and are dispersed uniformly in the film, so that the fine crystals of Fe grow by heat treatment and become soft magnetic. It has the function of preventing damage. In other words, when the Fe crystal grains grow and become large, the adverse effect of the magnetocrystalline anisotropy increases and the soft magnetic properties deteriorate, but the fine crystals of the carbide of the element M act as barriers for the Fe grain growth. Prevent deterioration of magnetic properties.
上記軟磁性合金層4においてはその組成がFeに富む微
細な結晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の
添加が制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子1
個あたりの磁気モーメントおよびキュリー温度が高くな
っており、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素M
及びCが含まれているとともに、金属組織が基本的に0.
08μm以下の微細な結晶粒からなっており、結晶磁気異
方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良好な
軟磁気特性が得られる。更に、元素Mの炭化物が析出し
てFeを主成分とする結晶粒の成長を抑えるので、ガラス
溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化するこ
とがない。In the soft magnetic alloy layer 4, the composition is mainly composed of fine crystals rich in Fe, and the addition of a component for lowering the saturation magnetic flux density is restricted.
Since the magnetic moment and Curie temperature per unit are high, a high saturation magnetic flux density can be obtained. The element M
And C, and the metal structure is basically 0.
Since it is composed of fine crystal grains of not more than 08 μm and the adverse effect on soft magnetism due to crystal magnetic anisotropy is reduced, good soft magnetic properties can be obtained. Further, since the carbide of the element M precipitates to suppress the growth of crystal grains containing Fe as a main component, the crystal grains do not become coarse even when heated in the glass welding step.
前記ように製造された積層膜1にあっては、飽和磁束
密度が21.5kGのFe層3と最高18kGの飽和磁束密度を有す
る軟磁性合金膜1とを交互に積層しているために、全体
で20000Gを越える極めて高い飽和磁束密度を得ることが
できる。また、Fe−(T)−M−C系の軟磁性合金層4
は、膜自体微細結晶を主体とし、軟磁気特性が優れてい
ること、および、Fe層3中の結晶粒は上下から軟磁性合
金層4,4により挟まれて膜厚方向には成長し難いのでFe
層3の結晶粒も微細となり、Fe層3の軟磁気特性も良好
であることにより、積層膜1は優れた難磁気特性を有す
る。In the laminated film 1 manufactured as described above, since the Fe layer 3 having a saturation magnetic flux density of 21.5 kG and the soft magnetic alloy film 1 having a maximum saturation magnetic flux density of 18 kG are alternately laminated, Thus, an extremely high saturation magnetic flux density exceeding 20,000 G can be obtained. Further, the Fe- (T) -MC soft magnetic alloy layer 4
Is that the film itself is mainly composed of fine crystals and has excellent soft magnetic properties, and the crystal grains in the Fe layer 3 are hardly grown in the film thickness direction by being sandwiched between the soft magnetic alloy layers 4 and 4 from above and below. So Fe
Since the crystal grains of the layer 3 are also fine and the soft magnetic properties of the Fe layer 3 are good, the laminated film 1 has excellent hard magnetic properties.
なお、Fe層3の軟磁気特性を良好にするために、Fe層
3の1層あたりの厚さは2000Å以下とすることが好まし
い。また、軟磁性合金層4の層の厚さについては、特に
制限はないが、Fe層3に対してあまり厚くすると高い飽
和磁束密度を得難い、また、Fe層3および難磁性合金層
4のいずれをも薄くしすぎると熱処理による両者の層間
の原子拡散により各成分の濃度が膜厚方向でほぼ均一に
混じってしまい、積層化の効果が出ない。なお、層厚の
下限は約50Åである。In order to improve the soft magnetic properties of the Fe layer 3, it is preferable that the thickness of one Fe layer 3 be 2000 mm or less. The thickness of the soft magnetic alloy layer 4 is not particularly limited. However, if the thickness is too large with respect to the Fe layer 3, it is difficult to obtain a high saturation magnetic flux density. If the thickness is too small, the concentration of each component is almost uniformly mixed in the film thickness direction due to atomic diffusion between the two layers due to the heat treatment, and the effect of lamination is not obtained. The lower limit of the layer thickness is about 50 °.
Fe層3は熱処理後は負の磁歪を示す。このため、軟磁
性合金層4をM,C濃度比の調整あるいはT濃度の調整に
より正磁歪に調節することで、膜全体の平均の磁歪を小
さくすることが好ましい。また、磁歪の調整は、熱処理
温度あるいはFe層3と軟磁性合金膜4との層厚比を変え
ることによっても可能であり、種々の用途に応じた設定
が可能である。The Fe layer 3 shows negative magnetostriction after the heat treatment. Therefore, it is preferable that the average magnetostriction of the entire film is reduced by adjusting the soft magnetic alloy layer 4 to have a positive magnetostriction by adjusting the M / C concentration ratio or the T concentration. The magnetostriction can also be adjusted by changing the heat treatment temperature or the layer thickness ratio between the Fe layer 3 and the soft magnetic alloy film 4, and can be set according to various uses.
第4図は請求項4に記載した発明の一実施例を示すも
のであって、この実施例の積層膜21は、純鉄からなるFe
層23と先の実施例と同等の軟磁性合金層24との間に、Fe
層23と軟磁性合金層24の中間濃度の拡散層25を介在させ
た構成である。この拡散層25は、Fe層23側に向かうにつ
れて元素T,MとCなどの添加元素の濃度が徐々に減少
し、軟磁性合金層24側に向かうにつれて元素M,TとCな
どの添加元素の濃度が徐々に増加するように濃度勾配が
つけられている。従ってこの実施例の積層膜21では厚さ
方向の濃度分布は第5図に示すようになっている。FIG. 4 shows one embodiment of the invention described in claim 4, wherein the laminated film 21 of this embodiment is made of pure iron.
Between the layer 23 and the soft magnetic alloy layer 24 equivalent to the previous embodiment,
In this configuration, a diffusion layer 25 having an intermediate concentration between the layer 23 and the soft magnetic alloy layer 24 is interposed. In the diffusion layer 25, the concentrations of the additional elements such as the elements T, M and C gradually decrease toward the Fe layer 23, and the additional elements such as the elements M, T and C decrease toward the soft magnetic alloy layer 24. The concentration gradient is set so that the concentration gradually increases. Accordingly, in the laminated film 21 of this embodiment, the concentration distribution in the thickness direction is as shown in FIG.
前記構成の積層膜21を得るには、第1図に示す構成の
積層膜1を所要時間熱処理してFe層3と軟磁性合金層と
の間に元素拡散を生じさせることで得ることができる。In order to obtain the laminated film 21 having the above structure, the laminated film 1 having the structure shown in FIG. 1 can be obtained by heat-treating the laminated film 1 for a required time to cause element diffusion between the Fe layer 3 and the soft magnetic alloy layer. .
この構成の積層膜においても先に記載した実施例と同
等の効果をえることができる。The same effect as that of the embodiment described above can be obtained in the laminated film having this configuration.
[実施例] (1) 成膜 第3図に示すRF2極スパッタ装置を用いて、純鉄製の
ターゲットを備えたカソードとグラファイトペレットお
よびHfペレットを付けた鉄製ターゲットを備えたカソー
ドの両方を同時に放電させるとともに、基板ホルダを回
転させることにより、基板を両カソードの間を行き来す
るように移動させてFe層とFeHfC層とを交互に積層させ
た多層膜を形成した。この多層膜において、Fe層1層あ
たりの膜厚と、FeHfC層1層あたりの膜厚とそれらの積
層数は第1表に示す通りであり、全体の膜厚は5〜6μ
mとした。この積層膜においてFeHfC膜の組成は、Fe
83.5Hf5.9C10.6であった。Example (1) Film formation Using the RF bipolar sputtering apparatus shown in FIG. 3, both the cathode provided with a pure iron target and the cathode provided with an iron target provided with graphite pellets and Hf pellets were simultaneously discharged. At the same time, by rotating the substrate holder, the substrate was moved back and forth between the two cathodes to form a multilayer film in which Fe layers and FeHfC layers were alternately laminated. In this multilayer film, the film thickness per Fe layer, the film thickness per FeHfC layer, and the number of layers thereof are as shown in Table 1, and the total film thickness is 5 to 6 μm.
m. The composition of the FeHfC film in this laminated film is Fe
83.5 Hf 5.9 C 10.6 .
(2) 熱処理および測定 成膜後、成膜したままの状態での磁気特性の測定と、
無磁場熱処理後の磁気特性の測定を行った。その結果を
第1表に示す。(2) Heat treatment and measurement After film formation, measurement of the magnetic properties of the film as it is,
The magnetic properties after the magnetic field-free heat treatment were measured. Table 1 shows the results.
第1表に示す試料a,b,cの積層膜においては、Fe層とF
eHfC層の各々について1層あたりの厚さを59Å、115
Å、210Åと変させたが、いずれも熱処理後に20000G以
上の高い飽和磁束密度と良好な軟磁気特性を示した。特
に1層あたり、210Åの厚さで合計275層積層した試料c
の積層膜は、550℃(20分保持)の熱処理後に3140とい
う高い透磁率を示し、熱処理温度を650℃に上げても透
磁率2520という優れた熱安定性を示した。しかし、この
試料cの積層膜の磁歪定数は−1.9×10-6と若干負に大
きい。これは、Fe層に対してFeHfC層の厚さを厚くする
ことによって小さくすることができ、第1表の試料dに
示すように10-7台のλsが得られる。また、磁歪定数λ
sの調整はFeHfC層の組成を変える(FeHfC層のλsがよ
り正になるようにする)ことによって可能であり、第2
表に示すようにC濃度を増やすこと、あるいは元素T
(CoあるいはNi)を添加することにより同様に10-7台の
λsとすることが可能である。 In the laminated film of the samples a, b and c shown in Table 1, the Fe layer and the F layer
For each of the eHfC layers, the thickness per layer is 59 mm, 115
Å, 210Å, but both exhibited high saturation magnetic flux density of 20,000 G or more and good soft magnetic properties after heat treatment. In particular, sample c with a total thickness of 275 layers with a thickness of 210mm per layer
The laminated film showed a high magnetic permeability of 3140 after heat treatment at 550 ° C. (holding for 20 minutes), and exhibited excellent thermal stability of 2520 even when the heat treatment temperature was raised to 650 ° C. However, the magnetostriction constant of the laminated film of this sample c is -1.9 × 10 -6, which is slightly large. This can be reduced by increasing the thickness of the FeHfC layer with respect to the Fe layer. As shown in the sample d in Table 1, 10-7 λs can be obtained. Also, the magnetostriction constant λ
The s can be adjusted by changing the composition of the FeHfC layer (to make the λs of the FeHfC layer more positive).
As shown in the table, increasing the C concentration or the element T
By adding (Co or Ni), it is possible to similarly set λs of the order of 10 −7 .
[発明の効果] 以上詳述したようにこの発明はの積層膜に用いられて
いる軟磁性合金層は、Feを主成分とする微細な結晶粒か
らなっているので、従来のアモルファス合金膜とは異な
り、無磁場中で熱処理を行っても高い飽和磁束密度と高
い透磁率を発揮する膜を得ることができ、磁場をかけて
熱処理する場合よりも工程の簡略化をなしえる。また、
前記軟磁性合金層には元素M(Ti,Zr,V,Hf,Nb,Ta,Mo,
W)及びCという軟磁性を良好とする成分が添加される
とともに、金属組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気
異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良好
な軟磁気特性が得られる。[Effects of the Invention] As described in detail above, the soft magnetic alloy layer used in the laminated film according to the present invention is composed of fine crystal grains containing Fe as a main component. In contrast, a film exhibiting high saturation magnetic flux density and high magnetic permeability can be obtained even when heat treatment is performed in the absence of a magnetic field, and the process can be simplified as compared with the case where heat treatment is performed by applying a magnetic field. Also,
The soft magnetic alloy layer contains an element M (Ti, Zr, V, Hf, Nb, Ta, Mo,
W) and C are added as components for improving soft magnetism, and the metal structure is composed of fine crystal grains. Is obtained.
更に、前記軟磁性合金層は微細な結晶粒からなるとと
もに、添加された元素MがCと炭化物を形成するから、
ガラス溶着工程において加熱されても、結晶粒が粗大化
することがなく、上記の特性を維持する。Further, since the soft magnetic alloy layer is composed of fine crystal grains and the added element M forms carbide with C,
Even when heated in the glass welding step, the crystal grains do not become coarse and the above characteristics are maintained.
更にまた、上記組成に加えて元素T(Co,Ni)を添加
し、磁歪を調整することにより、磁気ヘッド製造工程等
で生じる種々の歪による軟磁気特性の劣化を防ぐことが
できるものである。Furthermore, by adding the element T (Co, Ni) in addition to the above composition and adjusting the magnetostriction, it is possible to prevent the deterioration of the soft magnetic properties due to various strains generated in the magnetic head manufacturing process and the like. .
即ち、本発明の軟磁性積層膜は、前述の如く優れた軟
磁気特性を有する軟磁性合金層と、優れた飽和磁束密度
を有するFe層とを積層したものであるために、Fe−
(T)−M−C系の軟磁性合金膜単独の優れた軟磁気特
性と耐熱性を維持しながら、20000G以上の優れた飽和磁
束密度が得られる。That is, since the soft magnetic laminated film of the present invention is obtained by laminating a soft magnetic alloy layer having excellent soft magnetic properties as described above and an Fe layer having excellent saturation magnetic flux density,
An excellent saturation magnetic flux density of 20,000 G or more can be obtained while maintaining excellent soft magnetic properties and heat resistance of the (T) -MC based soft magnetic alloy film alone.
従って本発明の軟磁性積層膜は、20000G以上の飽和磁
束密度が要求される高密度記録用の磁気ヘッドの素材と
して好適である。Therefore, the soft magnetic laminated film of the present invention is suitable as a material for a magnetic head for high density recording requiring a saturation magnetic flux density of 20,000 G or more.
第1図は本発明の一実施例の積層膜を示す断面図、第2
図は第1図に示す積層膜の厚さ方向の濃度分布を示す線
図、第3図は第1図に示す積層膜を製造するのに用いて
好適なスパッタ装置の一例を示す構成図、第4図は本発
明の他の実施例の積層膜を示す断面図、第5図は第4図
に示す積層膜の濃度分布を示す線図である。 1……積層膜、2……基板、3……Fe層、4……軟磁性
合金層、5……基板ホルダ、7,8……カソード、10……
基板、11……ターゲット、12,13……ペレット、14……
ターゲット。FIG. 1 is a sectional view showing a laminated film according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a concentration distribution in the thickness direction of the laminated film shown in FIG. 1; FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a sputtering apparatus suitable for producing the laminated film shown in FIG. FIG. 4 is a sectional view showing a laminated film according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing a concentration distribution of the laminated film shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated film, 2 ... Substrate, 3 ... Fe layer, 4 ... Soft magnetic alloy layer, 5 ... Substrate holder, 7,8 ... Cathode, 10 ...
Substrate, 11 Target, 12, 13 Pellets, 14
target.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 5/31 G11B 5/31 C ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Agency reference number FI Technical display location G11B 5/31 G11B 5/31 C
Claims (4)
層とFe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金層
は全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒からな
り、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含む
ことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,
Wのうち、少なくとも1種からなる金属元素又はその混
合物であり、組成比x,z,wは原子%で 50≦x≦96 2≦z≦30 0.5≦w≦25 x+z+w=100 なる関係を満足するものとする。A soft magnetic alloy layer represented by a composition formula of FexMzCw and an Fe layer are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is entirely formed of fine crystal grains having an average grain size of 0.08 μm or less, A soft magnetic laminated film characterized in that a part of fine crystal grains contains a crystal phase of a carbide of the element M. However, in the above composition formula, M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo,
W is a metal element of at least one of W or a mixture thereof, and the composition ratio x, z, w satisfies the relationship of 50 ≦ x ≦ 96 2 ≦ z ≦ 30 0.5 ≦ w ≦ 25 x + z + w = 100 in atomic%. It shall be.
金膜とFe層とが交互に積層されてなり、前記軟磁性合金
層は全体が平均粒径0.08μm以下の微細な結晶粒からな
り、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含む
ことを特徴とする軟磁性積層膜。 ただし前記組成式において、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,
Wのうち、少なくとも1種からなる金属元素又はその混
合物、TはCo,Niのうち、少なくとも1種を示し、組成
比x,y,z,wは原子%で 50≦x≦96 0.1≦y≦20 2≦z≦30 0.5≦w≦25 x+z+w=100 なる関係を満足するものとする。2. A soft magnetic alloy film represented by a composition formula of FexTyMzCw and an Fe layer are alternately laminated, and the soft magnetic alloy layer is entirely composed of fine crystal grains having an average grain size of 0.08 μm or less, A soft magnetic laminated film characterized in that a part of fine crystal grains contains a crystal phase of a carbide of the element M. However, in the above composition formula, M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo,
Among W, at least one metal element or a mixture thereof, and T represents at least one of Co and Ni, and the composition ratio x, y, z, w is 50 ≦ x ≦ 96 0.1 ≦ y in atomic%. ≤20 2≤z≤30 0.5≤w≤25 x + z + w = 100
平均結晶粒径0.08μm以下の微細な結晶粒と非晶質相と
の混在した組織を有し、微細結晶粒の一部に元素Mの炭
化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性積層膜。3. The soft magnetic alloy layer according to claim 1, wherein the soft magnetic alloy layer has a structure in which fine crystal grains having an average crystal grain size of 0.08 μm or less and an amorphous phase are mixed, and a part of the fine crystal grains is formed. A soft magnetic layered film containing a crystal phase of a carbide of element M.
性合金層との界面に、軟磁性合金層の構成元素の濃度勾
配がつけられてなることを特徴とする軟磁性積層膜。4. A soft magnetic laminate characterized in that an interface between the Fe layer and the soft magnetic alloy layer according to claim 1, 2 or 3, is provided with a concentration gradient of constituent elements of the soft magnetic alloy layer. film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2063809A JP2710441B2 (en) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | Soft magnetic laminated film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2063809A JP2710441B2 (en) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | Soft magnetic laminated film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03265105A JPH03265105A (en) | 1991-11-26 |
JP2710441B2 true JP2710441B2 (en) | 1998-02-10 |
Family
ID=13240074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2063809A Expired - Fee Related JP2710441B2 (en) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | Soft magnetic laminated film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2710441B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734236B1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-07-02 | 치앙 천-리앙 판 | Soft magnet structure |
US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
US20200203071A1 (en) * | 2017-04-27 | 2020-06-25 | Evatec Ag | Soft magnetic multilayer desposition apparatus, methods of manufacturing and magnetic multilayer |
US11631535B1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-18 | Western Digital Technologies, Inc. | Longitudinal sensor bias structures and method of formation thereof |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2063809A patent/JP2710441B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03265105A (en) | 1991-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2635402B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JPS63119209A (en) | Soft magnetic thin-film | |
WO2008026439A1 (en) | Magnetic thin film | |
EP0304927B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
JP2710441B2 (en) | Soft magnetic laminated film | |
JP2710440B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JP2771674B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JP2710453B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JP2675178B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JP2635421B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JP2635416B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JPH0817032A (en) | Magnetic recording medium and its production | |
JP2761267B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JPS63106916A (en) | Magnetic recording medium | |
JPH0727822B2 (en) | Fe-Co magnetic multilayer film and magnetic head | |
JP3056401B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JPS61110328A (en) | Vertical magnetic recording medium and its production | |
JP3236277B2 (en) | Method for manufacturing soft magnetic alloy film | |
JP2771664B2 (en) | Soft magnetic alloy film | |
JPH02152209A (en) | Soft magnetic film | |
KR920004220B1 (en) | Magnetic media | |
JP2551008B2 (en) | Soft magnetic thin film | |
KR920008436B1 (en) | Magnetic medium | |
KR940007049B1 (en) | Soft-magnetic materials | |
JPH05182169A (en) | Magnetic disk and its production |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |