JP2635416B2 - Soft magnetic alloy film - Google Patents

Soft magnetic alloy film

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JP2635416B2
JP2635416B2 JP19601489A JP19601489A JP2635416B2 JP 2635416 B2 JP2635416 B2 JP 2635416B2 JP 19601489 A JP19601489 A JP 19601489A JP 19601489 A JP19601489 A JP 19601489A JP 2635416 B2 JP2635416 B2 JP 2635416B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は磁気ヘッド等に適した軟磁性合金膜に関す
る。
The present invention relates to a soft magnetic alloy film suitable for a magnetic head or the like.

[従来の技術] 磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために
磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されている
が、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密
度(Bs)の高いものが要求されている。
[Prior Art] In the field of magnetic recording, a recording medium such as a magnetic tape has been promoted to have a high coercive force in order to increase a recording density. However, as a material of a magnetic head corresponding thereto, a saturation magnetic flux density (Bs) is required. High things are required.

従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料(膜)として、Fe
−Si−Al合金(センダスト)が代表的のものであるが、
近年、強磁性金属元素であるCoを主体とする非晶質の合
金膜が開発されている。
As a conventional soft magnetic material (film) with a high saturation magnetic flux density, Fe
-Si-Al alloy (Sendust) is typical,
In recent years, amorphous alloy films mainly composed of Co, which is a ferromagnetic metal element, have been developed.

また最近の試みとして、Feを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜(Fe−C,Fe−Si等)により、Feの結晶磁気
異方性の影響(軟磁性に対する悪影響)を結晶の微細化
により軽減し、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。
Further, as a recent attempt, the influence of the magnetocrystalline anisotropy of Fe (the adverse effect on soft magnetism) has been reduced by using an alloy film (Fe-C, Fe-Si, etc.) composed of fine crystals containing Fe as the main component. In some cases, a film having a high saturation magnetic flux density and excellent soft magnetic properties is obtained.

[発明が解決しようとする課題] ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽
量化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、
悪環境のもとで使用されたりすることが多くなってい
る。そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、
温度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性
や、耐振動性等が高いことが要求されている。そのた
め、ギャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着
で行うことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの
製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ること
が必要である。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, devices incorporating a magnetic head tend to be reduced in size and weight, and are subject to vibration accompanying movement,
It is increasingly used in adverse environments. Therefore, the magnetic head has excellent magnetic properties and, of course, excellent wear resistance to the magnetic tape,
It is required to have high durability in a temperature or corrosive atmosphere, that is, high environmental resistance and vibration resistance. For this reason, it is necessary to perform the gap formation, the incorporation into the case, and the like by glass welding, and the material of the magnetic head needs to be able to withstand the high temperature of the glass welding step in the head manufacturing process.

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セ
ンダストからなるものは、飽和磁束密度が約10000G(ガ
ウス)程度であり、今後一層の高密度化の要求に対して
は不充分である。また、Co系のアモルファス合金膜は13
000G以上の高い飽和磁束密度のものも得られているが、
従来のアモルファス合金の飽和磁束密度を高くしようと
するとアルモファス形成元素であるTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,
W等の添加量を少なくする必要があるが、添加量を少な
くすると、アルモファス構造の安定性が低下し、ガラス
溶着に必要な温度(約500℃以上)には耐え得ない問題
がある。
However, among the conventional soft magnetic alloy films, those made of sendust have a saturation magnetic flux density of about 10,000 G (Gauss), which is insufficient for a demand for higher density in the future. In addition, the Co-based amorphous alloy film is 13
Although a high saturation magnetic flux density of 000G or more has been obtained,
In order to increase the saturation magnetic flux density of conventional amorphous alloys, the aluminum-forming elements Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo,
It is necessary to reduce the addition amount of W and the like, but if the addition amount is reduced, the stability of the aluminum structure is lowered, and there is a problem that it cannot withstand the temperature required for glass welding (about 500 ° C. or higher).

更に、上述したFeを主成分とする微細結晶からなる合
金膜(Fe−C,Fe−Si等)は、高温で結晶成長を起こし、
軟磁気特性が劣化するために、やはりガラス溶着に適し
たものとは言い難い。
Further, the above-mentioned alloy film (Fe-C, Fe-Si, etc.) composed of fine crystals containing Fe as a main component causes crystal growth at a high temperature,
Since the soft magnetic properties are deteriorated, it is still difficult to say that it is suitable for glass welding.

本発明は上述の問題点を解決するもので、その磁気特
性が熱的に安定であって高い飽和磁束密度を有し、磁歪
が小さく、耐食性に優れるとともに、過電流損失による
透磁率の低下が少ない軟磁性合金膜を提供するものであ
る。
The present invention solves the above-mentioned problems, and its magnetic properties are thermally stable, have a high saturation magnetic flux density, have small magnetostriction, are excellent in corrosion resistance, and decrease in magnetic permeability due to overcurrent loss. An object of the present invention is to provide a small number of soft magnetic alloy films.

[課題を解決するための手段] 請求項1に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCoxPdyMzCwで示され、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,
Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種を示し、組成比x,y,z,w
が原子%で50≦x≦96、0.1≦y≦20、2≦z≦25、0.5
≦w≦25、x+y+z+w=100なる関係を満足すると
ともに、組織全体が基本的に平均粒径0.05μm以下の微
細な結晶粒からなり、その一部に元素Mの炭化物の結晶
相を含むものである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the problems, the invention described in claim 1 has a composition formula represented by CoxPdyMzCw, and M is Ti, Zr, Hf, V, Nb,
At least one of Ta, Mo, and W is shown, and the composition ratio is x, y, z, w
Is in atomic%, 50 ≦ x ≦ 96, 0.1 ≦ y ≦ 20, 2 ≦ z ≦ 25, 0.5
≦ w ≦ 25, x + y + z + w = 100, and the entire structure is basically composed of fine crystal grains having an average grain size of 0.05 μm or less, and a part thereof includes a crystal phase of a carbide of the element M.

請求項2に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCoxPdyMzCwで示され、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,
Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種を示し、組成比x,y,z,w
が原子%で50≦x≦96、0.1≦y≦20、2≦z≦25、0.5
≦w≦25、x+y+z+w=100なる関係を満足すると
ともに、組織全体が基本的に平均粒径0.05μm以下の微
細な結晶粒と非晶質相からなり、組織の一部に元素Mの
炭化物を含ませたものである。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 2 has a composition formula represented by CoxPdyMzCw, and M is Ti, Zr, Hf, V, Nb,
At least one of Ta, Mo, and W is shown, and the composition ratio is x, y, z, w
Is in atomic%, 50 ≦ x ≦ 96, 0.1 ≦ y ≦ 20, 2 ≦ z ≦ 25, 0.5
≦ w ≦ 25, x + y + z + w = 100, and the whole structure basically consists of fine crystal grains with an average particle size of 0.05 μm or less and an amorphous phase. It is included.

以下に本発明を更に詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

前記合金膜の生成方法としては、合金膜をスパッタ、
蒸着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装置と
しては、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネトロンス
パッタ、3極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向タ
ーゲット式スパッタ、等の既存のものを使用することが
できる。また、Cを膜中に添加する方法としては、ター
ゲット板上にグラファイトのペレットを配置して複合タ
ーゲットとし、これをスパッタする方法、あるいは、C
を含まないターゲット(Co−Pd−M系)を用い、Ar等の
不活性ガス中にメタン(CH4)等の炭化水素ガスを混合
したガス雰囲気でスパッタする反応性スパッタ法等を用
いることができ、反応性スパッタ法では膜中のC濃度の
制御が容易であるので所望のC濃度の優れた膜を得るこ
とができる。
As a method of forming the alloy film, the alloy film is sputtered,
It is manufactured by a thin film forming apparatus such as evaporation. As the sputtering apparatus, existing apparatuses such as RF bipolar sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, tripolar sputtering, ion beam sputtering, and facing target type sputtering can be used. As a method of adding C into the film, a method of arranging graphite pellets on a target plate to form a composite target and sputtering it, or a method of adding C
The use of a target (Co-Pd-M system) that does not contain, be used methane (CH 4) a reactive sputtering method for sputtering a hydrocarbon gas in mixed gas atmosphere such as such as an inert gas such as Ar In the reactive sputtering method, it is easy to control the C concentration in the film, so that a film having a desired C concentration can be obtained.

このようにして作製したままの膜はアモルファス相を
かなりの割合で含んだものであり、不安定であるので、
400〜700℃程度に加熱する熱処理を施すことによって微
結晶を析出させる。そして、この熱処理を静磁界中ある
いは回転磁界中で行うことにより、より優れた軟磁気特
性が得られる。また、この熱処理は磁性ヘッドの製造工
程におけるガラス溶着工程と兼ねて行うことができる。
Since the film thus produced contains an amorphous phase in a considerable proportion and is unstable,
Microcrystals are precipitated by performing a heat treatment of heating to about 400 to 700 ° C. By performing this heat treatment in a static magnetic field or a rotating magnetic field, more excellent soft magnetic characteristics can be obtained. Further, this heat treatment can be performed also as a glass welding step in the manufacturing process of the magnetic head.

なお、前記微結晶の析出工程は、完全に行われる必要
ははなく、微結晶が相当数(好ましくは50%以上)析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。
The step of depositing the microcrystals does not need to be performed completely, and it is sufficient that a considerable number (preferably 50% or more) of the microcrystals are precipitated. Therefore, the remaining amorphous component does not hinder the improvement of the characteristics.

以下、前記のように成分を限定した理由について述べ
る。
Hereinafter, the reasons for limiting the components as described above will be described.

Coは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト(Bs≒5000G)以上の飽和磁束密度を得
るためには、x≧50%が必要となる。また、良好な軟磁
気特性を得るためには、x≦96%でなければならない。
Co is a main component and is an element bearing magnetism. In order to obtain a saturation magnetic flux density of at least ferrite (Bs ≒ 5000G) or more, x ≧ 50% is required. Further, in order to obtain good soft magnetic characteristics, x ≦ 96% must be satisfied.

元素Mは軟磁気特性を良好にするために必要であり、
Cと結合して炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟磁
気特性を維持するためには、z≧2%とする必要がある
が、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、z
≦25%とする必要がある。
Element M is necessary for improving soft magnetic properties,
Combines with C to form carbide fine crystals. In order to maintain good soft magnetic characteristics, it is necessary to satisfy z ≧ 2%. However, if the amount is too large, the saturation magnetic flux density decreases.
≤ 25%.

Cは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向
上させるために必要であり、また、元素Mと結合して炭
化物の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性及び熱的
安定性を維持するには、w≧0.5%とする必要がある。
また、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、
w≦25%とする必要がある。
C is required for improving soft magnetic properties and improving heat resistance, and combines with the element M to form carbide microcrystals. In order to maintain good soft magnetic properties and thermal stability, it is necessary that w ≧ 0.5%.
Also, if it is too large, the saturation magnetic flux density decreases, so
It is necessary to set w ≦ 25%.

元素Mの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイト
として働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きがあ
るとともに、膜中に均一に分散させることで、Coの微結
晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止する
働きがある。つまり、Coの結晶粒が成長して大きくなる
と結晶磁気異方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性が
悪化するが、元素Mの炭化物の微結晶がCoの粒成長の障
壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防止する。
The fine crystals of the carbide of element M act as pinning sites for the magnetic domain walls, have the function of improving the high-frequency characteristics of magnetic permeability, and are uniformly dispersed in the film, so that microcrystals of Co grow by heat treatment and become soft magnetic. It has the function of preventing damage. In other words, when the crystal grains of Co grow and grow, the adverse effect of the magnetocrystalline anisotropy increases and the soft magnetic properties deteriorate, but the fine crystals of the carbide of the element M act as a barrier for the growth of Co grains. Prevent deterioration of magnetic properties.

そして、金属組織が基本的に0.05μm以下の微結晶か
らなっているから、非晶質に比べて熱的安定性に優れて
おり、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高くする
ことができる。
And, since the metal structure is basically composed of microcrystals of 0.05 μm or less, it is excellent in thermal stability as compared with amorphous, can reduce the number of added elements, and can increase the saturation magnetic flux density. .

元素Pdは、磁歪の調整の目的で添加する元素である。
熱処理を施して得られるCoxPdyMzCw系合金においてPd濃
度が低い場合、磁歪は10-6台の負の値であるが、Pdの添
加量が増加すると磁歪は正の値になる。磁気ヘッドへの
加工に伴う加工歪みや、ガラス溶着に伴う熱歪みによる
磁気特性の劣化を最小限に抑えるには、磁歪が零である
ことが望ましく、そのためには、磁歪を正の方向に変化
させる効果のあるPdの添加が有効である。また、添加す
る量の上限は磁歪が+10-5台以上とならないようにしな
ければならない。なお、Pdの添加量が20%を超える値で
あると、飽和磁束密度の低下が大きくなるので好ましく
ない。
Element Pd is an element added for the purpose of adjusting magnetostriction.
When the Pd concentration is low in the CoxPdyMzCw-based alloy obtained by performing the heat treatment, the magnetostriction is a negative value of the order of 10 −6 , but the magnetostriction becomes a positive value when the added amount of Pd increases. It is desirable that the magnetostriction be zero in order to minimize the processing distortion due to the processing of the magnetic head and the deterioration of the magnetic characteristics due to the thermal distortion caused by the glass welding. Addition of Pd, which has the effect of causing Pd to be effective, is effective. Also, the upper limit of the amount to be added must be such that the magnetostriction does not exceed +10 -5 . If the amount of Pd exceeds 20%, the saturation magnetic flux density is undesirably reduced.

[作用] 上記軟磁性合金膜においては、その組成がCoを主体と
して、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が制限され
ているから、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素
MとPd及びCが含まれているとともに、金属組織が微細
な結晶粒からなっており、結晶磁気異方性による軟磁性
への悪影響が軽減されるので、良好な軟磁気特性が得ら
れる。なお、元素Mの炭化物が析出してCoを主成分とす
る結晶粒の成長を抑えるので、ガラス溶着工程において
600℃以上に加熱されても、結晶粒が粗大化することが
ない。
[Function] In the above soft magnetic alloy film, a high saturation magnetic flux density can be obtained because the composition of the soft magnetic alloy film is mainly composed of Co and addition of a component for lowering the saturation magnetic flux density is restricted. In addition, since the element M, Pd and C are contained, and the metal structure is made of fine crystal grains, and the adverse effect on the soft magnetism due to the magnetocrystalline anisotropy is reduced, good soft magnetic properties are obtained. can get. In addition, since the carbide of the element M precipitates and suppresses the growth of the crystal grains containing Co as a main component, in the glass welding step,
Even when heated to 600 ° C. or higher, the crystal grains do not become coarse.

[実施例] RF2極スパッタ装置を用いて種々の組成の合金膜を形
成した。膜の形成には、Co86Ta8Hf6(添字は原子%)な
る組成の合金ターゲットを用い、ArガスとCH4ガスの混
合ガス雰囲気中でスパッタすることによってCを膜中に
分布させた。
[Examples] Alloy films of various compositions were formed using an RF bipolar sputtering apparatus. For forming the film, C was distributed in the film by sputtering using an alloy target having a composition of Co 86 Ta 8 Hf 6 (subscript: atomic%) in a mixed gas atmosphere of Ar gas and CH 4 gas. .

第1図にCo79.4Ta7.3Hf5.08.3なる組成の膜にPdを
添加していった時の磁歪定数の変化を示した。この膜は
成膜したままの状態では非晶質であり、磁歪はPdの添加
とともに負の方向に大きくなるが、550℃(20分間保
持)のアニールによって微結晶とすることにより磁歪が
Pd濃度の増加とともに正の方向に変化するようになっ
た。これによりPdが10〜18at%で10-7台の小さい磁歪定
数が得られることが判明した。
FIG. 1 shows a change in magnetostriction constant when Pd was added to a film having a composition of Co 79.4 Ta 7.3 Hf 5.0 C 8.3 . This film is amorphous when formed, and the magnetostriction increases in the negative direction with the addition of Pd. However, the magnetostriction is reduced by annealing at 550 ° C. (holding for 20 minutes).
It began to change in the positive direction as the Pd concentration increased. Thus, it was found that a small magnetostriction constant of the order of 10 -7 was obtained when Pd was 10 to 18 at%.

第2図にPd濃度に対する保磁力(Hc)の変化を示す。
Pd添加により若干保磁力が増加するもの10eを超えるこ
とはなく、良好な軟磁気特性が維持できた。
FIG. 2 shows a change in coercive force (Hc) with respect to the Pd concentration.
Although the coercive force was slightly increased by the addition of Pd, it did not exceed 10 e, and good soft magnetic characteristics could be maintained.

第3図に、550℃のアニールにより微結晶組織とした
膜の場合において、Pdの濃度に対する膜の電気抵抗(比
抵抗)を示した。Pd添加のないCo79.4Ta7.3Hf5.08.3
なる組成の膜では76μΩ・cmであるが、磁歪が+4×10
-7になるようにPdを約14at%添加すると比抵抗は120μ
Ω・cmまで増加した。比抵抗が増加することにより過電
流損失が軽減され、高い周波数帯域における透磁率が改
善される。またPdの添加により耐食性も改善される。
FIG. 3 shows the electrical resistance (resistivity) of the film with respect to the Pd concentration in the case of the film having a microcrystalline structure obtained by annealing at 550 ° C. Co without Pd addition 79.4 Ta 7.3 Hf 5.0 C 8.3
Is 76 μΩ · cm for a film having the following composition, but the magnetostriction is + 4 × 10
When about 14at% of Pd is added to become -7 , the specific resistance becomes 120μ
Ω · cm. By increasing the specific resistance, the overcurrent loss is reduced, and the magnetic permeability in a high frequency band is improved. The addition of Pd also improves the corrosion resistance.

次頁の第1表に本発明の合金膜の代表的な磁気特性を
測定した結果を記載し、これと比較して従来のセンダス
ト合金およびPd添加のないCoTaHfC系の膜の代表的な磁
気特性の測定結果を記載した。
Table 1 on the next page shows the results of measurement of typical magnetic properties of the alloy films of the present invention. In comparison with the results, typical magnetic properties of conventional Sendust alloy and CoTaHfC-based films without Pd addition are shown. The measurement results of are described.

第表1から明らかなように、本発明の合金膜はセンダ
スト合金膜よりも高い飽和磁束密度を示し、小さい磁歪
定数と高い比抵抗を示すことが明らかになった。なお、
第1表に記載のCoTaHfC系の軟磁性合金膜は、本発明者
らが特願平1−55571号明細書において特許出願してい
る発明に係るものである。前記した先の特許出願におい
ては、CoxTyMzCw系(TはFe,Ni,Mnのうち1種以上を示
す。)において、50≦x≦96、0.1≦y≦20、2≦z≦2
5、0.1≦w≦20と限定している。本発明では、前記元素
TとしてPdを用い、磁気特性の向上をなしている。
As is clear from Table 1, the alloy film of the present invention exhibited a higher saturation magnetic flux density than the Sendust alloy film, and exhibited a small magnetostriction constant and a high specific resistance. In addition,
The CoTaHfC-based soft magnetic alloy films shown in Table 1 relate to the invention filed by the present inventors in Japanese Patent Application No. 1-55571. In the above-mentioned prior patent application, 50 ≦ x ≦ 96, 0.1 ≦ y ≦ 20, 2 ≦ z ≦ 2 in the CoxTyMzCw system (T represents one or more of Fe, Ni and Mn).
5, 0.1 ≦ w ≦ 20. In the present invention, Pd is used as the element T to improve the magnetic properties.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明は、Coを主成分とする微結
晶粒からなる軟磁性合金膜であり、飽和磁束密度を低下
させる成分の添加が制限されているから、センダスト合
金膜よりも高い飽和磁束密度が得られる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, the present invention is a soft magnetic alloy film composed of fine crystal grains containing Co as a main component, and the addition of a component that lowers the saturation magnetic flux density is limited. A higher saturation magnetic flux density than the alloy film can be obtained.

また、元素M(Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W)及びCとい
う軟磁性を良好とする成分が添加されるとともに、金属
組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気異方性による軟
磁性への悪影響が軽減されるので、良好な軟磁性特性が
得られる。更に、微細結晶粒からなるとともに、添加さ
れた元素MがCと炭化物を形成するから、ガラス溶着工
程において600℃以上に加熱されても、結晶粒が粗大化
することがなく、上記の特性を維持するので、高密度記
録に要求される高い性能を有する磁気ヘッドの素材とし
て好適である。
In addition, the elements M (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W) and C, which improve the soft magnetism, are added, and the metal structure is composed of fine crystal grains. Since the adverse effect on the soft magnetism due to anisotropy is reduced, good soft magnetic properties can be obtained. Further, since the element M is formed of fine crystal grains and the added element M forms a carbide with C, the crystal grains do not become coarse even when heated to 600 ° C. or more in the glass welding step, and the above-described characteristics are obtained. Since it is maintained, it is suitable as a material for a magnetic head having high performance required for high-density recording.

更に、Pdの添加により良好な耐食性が得られ、磁気ヘ
ッドの信頼性が向上するとともに、Pdの添加により比抵
抗が上昇するので、高周波において過電流損失により生
じる透磁率の低下を軽減できる効果がある。
Furthermore, the addition of Pd provides good corrosion resistance, improves the reliability of the magnetic head, and increases the specific resistance due to the addition of Pd, thereby reducing the decrease in magnetic permeability caused by overcurrent loss at high frequencies. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図ないし第3図は実施例で製造した種々の軟磁性合
金膜の特性を示すもので、第1図はCo−Pd−Ta−Hf−C
系の合金膜におけるPd含有量と磁歪定数の関係を示すグ
ラフ、第2図は同系合金膜におけるPd濃度と保磁力の関
係を示すグラフ、第3図は同系合金におけるPd濃度と比
抵抗の関係を示すグラフである。
1 to 3 show the characteristics of various soft magnetic alloy films manufactured in the examples, and FIG. 1 shows Co-Pd-Ta-Hf-C.
2 is a graph showing the relationship between the Pd content and the magnetostriction constant in the alloyed alloy film, FIG. 2 is a graph showing the relationship between the Pd concentration and the coercive force in the alloyed film, and FIG. 3 is the relationship between the Pd concentration and the specific resistance in the alloyed film. FIG.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】組成式がCoxPdyMzCwで示され、MはTi,Zr,
Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種を示し、組成
比x,y,z,wが原子%で 50≦x≦96 0.1≦y≦20 2≦z≦25 0.5≦w≦25 x+y+z+w=100 なる関係を満足するとともに、組織全体が基本的に平均
粒径0.05μm以下の微細な結晶粒からなり、その一部に
元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性
合金膜。
A composition formula is represented by CoxPdyMzCw, wherein M is Ti, Zr,
At least one of Hf, V, Nb, Ta, Mo, W is shown, and the composition ratio x, y, z, w is atomic% and 50 ≦ x ≦ 96 0.1 ≦ y ≦ 20 2 ≦ z ≦ 25 0.5 ≦ w ≦ 25 x + y + z + w = 100, and the entire structure is basically composed of fine crystal grains having an average grain size of 0.05 μm or less, and a part thereof includes a crystal phase of a carbide of the element M. Soft magnetic alloy film.
【請求項2】組成式がCoxPdyMzCwで示され、MはTi,Zr,
Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち、少なくとも1種を示し、組成
比x,y,z,wが原子%で 50≦x≦96 0.1≦y≦20 2≦z≦25 0.5≦w≦25 x+y+z+w=100 なる関係を満足するとともに、組織全体が基本的に平均
粒径0.05μm以下の微細な結晶粒と非晶質相からなり、
組織の一部に元素Mの炭化物を含むことを特徴とする軟
磁性合金膜。
2. The composition formula is represented by CoxPdyMzCw, wherein M is Ti, Zr,
At least one of Hf, V, Nb, Ta, Mo, W is shown, and the composition ratio x, y, z, w is atomic% and 50 ≦ x ≦ 96 0.1 ≦ y ≦ 20 2 ≦ z ≦ 25 0.5 ≦ w ≦ 25 x + y + z + w = 100, and the whole structure basically consists of fine crystal grains having an average grain size of 0.05 μm or less and an amorphous phase,
A soft magnetic alloy film characterized in that a part of the structure contains a carbide of the element M.
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