JPH03263316A - 硫化亜鉛層をデポジットする方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は全般的に基板に被膜をデボジッ１〜′？する
方法と装置、特に真空処理装置内で、ジメチル亜鉛ガス
と硫化水素ガスの反応を用いて、基板に硫化亜鉛被膜を
デポジッ１〜８ｊる方法と装置に関する。

従来の技術及び問題点 赤外線焦点平面アレイ検出器を製造する時、重要な構成
部品の１つは、半導体基板の上にデポジットされる硫化
亜鉛被膜である。砕化亜鉛（ＺｎＳ）被膜が、検出器を
形成する金属−絶縁体一半導体（Ｍｉｓ）構造の絶縁体
として作用する。更に、ＭＯＣＶ’Ｄ　　ＺｎＳ被膜が
、赤外線装置構造を製造する時のレベル間絶縁体及び反
射防止被覆として使われる。ＺｎＳ被膜の厚さを制御す
ることがＩＲ装置の性能の決め手になる。これは、検出
素子の静電容量が硫化亜鉛被膜の厚さに反比例するから
である。従って、硫化亜鉛デボジッシ」ン方法は被膜の
厚さの例外的な制御並びに信頼性を持たせる必要がある
。更に、スライス−レベル処理が開発されたことにより
、大量生産では、スライス全体に亘る被膜の厚さの一様
性が必要になつている。

従来、硫化亜鉛皮膜は物理的な気相成長（ＰＶＤ）方法
によってデボジッ１〜されでいた。硫化亜鉛の電気的及
び光学的な性質は赤外線検出器に使うのによく適してい
るが、従来開発された被膜デボジツション用のＰＶＤｈ
法でできる被膜は、固有の高い欠陥密度があると共に段
のカバーがよくなく、その為集梢回路（ＩＣ＞の製造に
はあまり適していなかった。

ＰＶＤｈ法を使う時、蒸発器又はスパッタリング装部が
一般的に利用されるが、これは蒸発帯の室壁に粒子の累
積ど云う様な望ましくない副作用を生ずる。この為、反
応器の壁から粒子の過度の剥落が生ずるど共に、成長中
のＺｎＳ被膜に粒子がはいり込むことに通じ、それが処
理１１の半導体基板を汚染する。最終的には、この様な
粒子汚染は製画の劣化又は電気的な短絡又は開路による
故障をＨイく。

最近になって、硫化亜鉛被膜のデボジッションは、硫化
水素及びジメチル亜鉛ブＪスを組合わせることによ・す
、金属有機化学反応気相成長（ＭＯＣＶＤ）方法を用い
て行なわれる様になった。Ｍ○ＣＶＤ方法は前進である
けれども、赤外線検出器を製造するのに使うのに必要な
低いデボジッション温度で、−様な被膜のデボジツシ１
ンを達成づることかできる様な装置又は方法は開発され
ていない。従来ＭＯＣＶＤでＺｎＳ被膜のデボジツショ
ンに利用できたのは、２５０°Ｃと５００°Ｃの間の基
板温度で硝化水素及びジメチル亜鉛を使って、非常に品
質の高いエピタキシャルの７ｎＦｉを作るもので・あっ
た。この場合の反応ガスがト１２又は１−１　ｅの担体
ガス中に希釈されている。エピタキシャル級のＺｎＳ被
膜に要求される基板温度により、主に口Ｑ　Ｃｄ　Ｔ−
ｅからＩＩＱが失われる為に、焦点ｊｌ１面装置で赤外
線検出々Ａ料どしで普通に使われる口ｃ＋ｃｄＴｅ基板
の重大な劣化を摘く。そこで、汚染を極く少なくＬｒ（
１００’Ｃ未満）低い温度でジメチル亜鉛ガス及び硫化
水素ガスを用いて硫化亜鉛皮膜を容易にデポジットする
ことができ、しかも赤外線焦点平面検出器の大量生産に
利用づることができる様な装置と方法に対する要望が生
じた。こ）での説明はＭ−１−Ｓ検出器構造に焦点を合
わぜるが、Ｍ　ＯＣＶ　ｌ）低温７「１Ｓ皮膜を使うこ
とは、この様な構造に限らない。この技術は、これに限
らないが、フォトダイオード及び光Ｓ電体を含むこの他
の形式のＩＲ検出器にも応用し得る。

問題点を解決づ−る為の手段及び作用 この発明では、従来の物理的な気相成長＜　１）　ＶＤ
〉技術に伴う欠点並び問題を実施的に除去するか或いは
少なくでる様な、硫化亜鉛皮膜をデポジットづる金属有
機化学反応気相成長（Ｍ　ＯＣＬ）　Ｖ　）方法及び関
連する装置を提供する。

この発明の−・而では、真空室内に入っている選ばれた
基板の表面に硫化亜鉛層をデポジットする装Ｖ１と方法
を提供づる。真空にポンプでぴくことにより、汚染の慣
れのあるガスを室から除去した後、大気圧未満の圧力で
硫化水素ガスをガス分数リングを介して室内に入れる。

所望の化学反応を行なわせる為、］−１２８分散リング
とＩｉ″ｉｌ軸の２番目のガス分散リングを用いで、室
の中にジメチル亜鉛ガスを循環ざ吐て、硫化水素と反応
させて、単板の表面の上に硫化亜鉛層を形成する。この
硫化亜鉛層の厚さは、ジメチル亜鉛ガスと硫化水素ガス
の間の反応デポジッシ］ン簡間を監視することによって
制御り゛ることができる。単板の表向の上に所望の厚さ
の硫化亜鉛被膜が得られた後、ジメチル亜鉛の流れを停
止するが、口２Ｓの流れが、引続いて反応器から、過剰
の反応ガス及び生成ガ反応器を約１０−３トルの真空に
ひき、行毎な硫化水素ブースを装置から駆逐する。Ｚｎ
Ｓ被膜を持つ基板を取出す前に、反応器に大気圧で窒素
ガスを入れる。この装置及び方法は赤外線焦点平面アレ
イ検出器等の製造に特に有利である。

この発明は、ＭＯＣＶＤ方法を提案するものであるが、
基板の上に硫化亜鉛層を形成する為に使ねれた従来のＰ
ＶＤ方法に比べて、スループットが増加すること、同形
性が優れていること、プロセスが簡単であること、デボ
ジツシ］ン材料の−様性に関する品質管理、並びに基板
の面の汚染が少なくなる点で、技術的な利点を有する。

粒子状汚染が減少することは、被膜の成長の間、上下逆
さに保持された基板の上で被膜を処理する為である。こ
の為、気相中ぐ核となり得る様なＺｎＳ分子又は成長区
域内にあるその他のどんな異物かが、成長中の被膜の上
に沈積する確率が大幅に低下する。上下逆さの基板を用
いた反応器を使うことにより、この様な「粒子状」のも
のがはいり込むことは大幅に少なくなる。

この発明のその他の面並びに利点は、以Ｆ図面について
詳しく説明するところからよく理解されよう。

実　　施　　例 第１図には、この発明に従って形成された集積回路装置
が簡略拡大断面図で示されており、全体を１０で示しで
ある。装＠１０は電荷作像マトリクス（ＣＩＭ）を構成
し、この発明の方法に従って、粒子状汚染を減らしなが
ら、低温で硫化亜鉛被膜が形成される。

第１図は、ダイオード１４をその中に形成した基板１２
を含む電荷作像マトリクス装置１０を示す。基板１２は
、例えば水銀カドミウム・テルル（口ａｃｄＴｅ）で構
成することができる。最初、硫化亜鉛層１６を基板１２
及びダイオード１４の表面の上にデポジットする。第１
の導電層１８を周知の任意の方法により、第１の硫化亜
鉛層１６の上に形成する。第１の導電＠１８は金、銀、
銅、アルミニウム又はその任意の合金又は業界で知られ
たこの他の任意の適当なｊＡ利であってよい。第１の層
１６のデボジツションと同様に、硫化亜鉛の第２の図２
０１３＜ＷＪ化亜鉛の第１の冶１６の上にデポジットさ
れて、第１の導電層１８を圓１６及び２０の間に埋込む
。第２の導電層２２が第２の硫化亜鉛層２０の上に形成
される。同様に、第３の硫化亜鉛＠２４が第２の導電＠
２２の上にデポジットされる。同様に、第３の導電層２
６が公知の方法で第３の硫化亜鉛層２４の上に形成され
る。

最後に、電荷作像マトリクス装置１０を完成する為、最
後の第４の硫化亜鉛層２８が装＠１０の露出面の上にデ
ポジットされる。層１６．２０．２４．２８を合わせた
全体が反射防止被覆を構成する。

これから分る様に、赤外線検出器用の誘電体被膜は、口
ｏｃｄＴｅを基本とした検出器の収集能力を高める為に
使われる反射防止被覆にする為に、赤外線に対して透明
でな１プればならない。従って、重なる導体の隔離を必
要とする赤外線装置は、良好な絶縁体としての完全さを
持っていなければならない。この発明の方法は、硫化亜
鉛層を低い温度で大量生産することができる様にづる。

粒子状汚染の大幅な低下が認められた。

第２図は、やはりこの発明に従って形成された電荷結合
装置（ＣＯＤ）３０を示す。装置１０と同じく、装嵌３
０は複数個の導電層を相互接続する基板の上にデボジツ
１〜された複数個の硝化亜鉛皮膜で形成される。具体的
に云うと、基板１２の露出面に第１の硫化亜鉛層１６が
デポジットされる。次に、第１の硫化亜鉛層１６の上に
導電材料１８が形成される。この方法を繰返しで、最後
に導電層２２及び導電層２６が第２の硫化亜鉛層２０１
第３の硫化亜鉛層２４及び第４の硫化亜鉛層２８の間に
夫々隔離される様にする。

次に集積回路の基板に硫化亜鉛被膜をデポジットするこ
の発明の詳細な説明する。真空処理装置内でジメチル亜
鉛（Ｄ　Ｍ　Ｚ　＞ガス及び硫化水素（目２Ｓ）ガスを
使って硫化亜鉛（ＺｎＳ）被膜をデポジットすることは
、口ｇｃｄＴｅを基本とした赤外線焦点平面を大量生産
するのに受入れることのできる低温方法である。絶縁体
並びに亦外線反国防止被覆として使われる複数個の硫化
亜鉛層は、大面栢焦点平面アレイの歩留まりを大幅に改
善する様な、粒子状物質のない環境内でデボジッ１〜す
ることができる。

第３図には、低温真空装置内で硝化亜鉛被膜を形成する
この発明の方法が示されている。方法４０は、真空室を
真空にひき、パージし、反応さけ、パージし、真空にし
て加圧する工程を含む。最初、真空にひく工程３２で基
板又はスライスを室の中に入れ、室を真空にひいて、巻
込まれた全てのガ０ ス４２を除去する。室が完全に真空にひかれた後パージ
工程３４によって硫化水素ガス４４を１気圧未満の圧力
で室内に強制的に送込み、室全体に亘ってガス４４が完
全に露出する様にする。好ましい実施例では、パージ工
程３４は１５０乃至５００ミリ１−ルで、室を２分間硫
化水素で加圧することで構成され、こうしてスライスを
所９１の反応状態で安定化させる。室内で十分な加圧が
行なわれた後、反応工程３６が、室全体に亘り、硫化水
素の他に、ジメチル亜鉛ガス４６を流れざ仕ることによ
って開始される。未反応ガス（ジメチル亜鉛及び硫化水
素〉及び反応牛或物（メタン又はその他反応から生成し
た炭化水素）が、適当な通路を介して室から除去される
。硫化亜鉛被膜の成長速度は、この方法の反応■稈３６
の間、室を通るジメチル亜鉛ガス４６の流量を制御する
ことによって決定される。この為、ジメチル亜鉛ガス／
Ｉ６の流れを締切ることにより、被膜の成長が終了する
。方法のこの点に於りるガスの組成は未反応のジメチル
亜鉛、未反応の硫化水素、及び硫化亜鉛１ 被膜が基板の表面の上に形成される時に副産物として生
成するメタン（又はその他の炭化水素）で構成される。

硫化亜鉛被膜はＭＯＣＶＤ反応器内で次の反応に従って
デポジッ［・される。

（０口　）Ｚｒｚ−口２Ｓ−Ｚ　ｎ　Ｓ　＋　２０口４
２ デボジッション後のパージ工程３８では、硫化水素ガス
４４が室の中を流れて、全てのジメチル亜鉛ガス４６が
室から駆逐される様に保証する。

その後、反応室を真空にひいて、全ての毒性硫化水素ガ
ス４４が、オペレータがスライスを自動装置から取出す
前に、室から駆逐される様に保証する。装置からスライ
スを取出す為、装置を加圧しなければならない。室は窒
素ガス４８を用いて加圧する。−旦反応器が大気圧に加
圧されたら、スライスは［１−ドロック内のカセットか
ら取出すことができるが、これは後で説明する。この代
わりに、工程５の後、第３図に示した手順を使って、別
の基板をロード［１ツク内に配置したカセットから反応
器の中に移し、その上にＺｎＳ被膜をデポ２ ジッ１〜づることができる。全ての基板を処理した時、
工程６で、反応器の加Ｌ［を行なって、ＺｎＳで被覆さ
れた基板を取出す。

第４図は、選ばれた基板の表面の−Ｌに硫化亜鉛層をデ
ポジブ１〜リ−る真空空袋ｆｉｆｆ５０を示す。ハウジ
ング５２が真空「］−ドロック集成体を形成し、これが
周動支持体５６内に積み重ねられた複数個〈２５個まで
〉のスライス５４を収容している。

ハウジング５２を真空にひいて、そう云うガスが関心の
ある反応に干渉したり或いは汚染するのを除去づる為に
、全てのガスを吸出づ。真空にひいた後、普通の自動取
扱集成体５８が１つのスライス５４を矢印６０の方向に
処理室集成体６２まで運ぶ。スライス５４の表面の汚染
の範囲を少なくする為、スライスは処理室集成体６２内
では反転する。−旦スライス５４が処理室集成体６２内
に配置されたら、ヒータ基板６６がスライス５４の裏側
と接触する。ヒータ基板６６の温度を監視し、ホットプ
レート内に配置した熱雷対プ１コープによって制御する
。ヒータ・シュラウド６４がヒータ３ 基板６６を覆って保護する。

硫化亜鉛被膜を形成するのに必要な２種類のガスは、ガ
ス配管６８．７２を介して全集成体６２内に導入する。

好ましい実施例では、硫化水素ガスは配管６８から供給
し、ジメチル亜鉛ガスは配管７２から供給する。第１の
分散リング７０及び第２の分散リング７４が、夫々配管
６８．７２から１ｉｆｔ化水素ガス及びジメチル亜鉛ガ
スを均一に分散する。

装置５０の内部に圧力計を用いて、反応器の内部圧力を
監視すると共に制御する。云うまでもないが、硫化水素
ガスは人間にとって毒性があるから、反応器からのガス
の洩れをなくづ為の大計りな予防措置を講じなりればな
らない。装置の真空ポンプはポンプ弁集成体８０の下方
に配置される。

分散リング７０．７４からスライス５４へ、そして内側
ライナ８２を介してポンプ弁集成体８０の下方に配置さ
れた真空ポンプ（図に示してない）へガスが流れる。全
集成体６２内で第３図について述べｌこ工程を実行して
、スライス５４の上に硫４ 化亜鉛層をデポジツ１〜する。

第４図に示す様な装置５０を利用する時、低い基板湿度
でジメチル亜鉛ガス及びＷＩＩ化水素ガスを用いて、同
形に且つ一様に硫化亜鉛被膜をデポジットすることが可
能である。基板に対する砕化亜鉛のデボジッション速度
が、室内ぐのジメチル亜鉛に対するｑ【化亜鉛の相幻的
な容積、室の圧力及び基板湿度によって制御される。こ
の方法の重要なパラメータには、基板湿度、圧力、ジメ
チル亜鉛の流量及び伏化水素の流出が含まれる。

例 直径１００ｍの単・結晶シリコン・つ王−ハを用いてこ
の発明に従って実験を行なった。第４図の反応器内でＺ
ｎＳ被膜をデポジットした。特徴を調べる為の実験で、
３因子の３レベル「ボックス・ベーンケン」統計段別を
用いて、３０個のシリコン・ウェーハを処理した。テク
ノメトリックス誌２．４５５　（１９６０年）所載のＧ
、Ｅ、Ｐ。

ボックス及びＧ、Ｗ、ベーンケンの論文参照。基板ヒー
タの温度（Ｔ）、処理室の圧力（Ｐ）及び５ ジメチル亜鉛の流＠（Ｚ）を３つの因子として選んだ。

硫化水素の流量は一定の６＝１のロ２Ｓ：ＤＭＺ比にな
る様に定めた。デボジツション時間は５．０分に定めた
。パラメータの範囲及び実験の仕様が下記の表■にまと
められており、被膜の平均の厚さ（Ｔａｖｑ＞及び厚さ
の非一様性（ＮＵ）応答も一緒に示しである。実験は３
つの温度レベルに対応する３つのブロックに分けて行な
った。然し各々のブロックの中でのその運転の順序は完
全に不規則にした。

　６ 表 ■ パラメータ 温度（°Ｃ） 圧力（ミリＩ・ル〉 ＤＭＺ流ｌ（ｓｃｃｍ） 因子 Ｚ 　　　　０ −Ｉ Ｑ−１〜１ ＋１　　　０ −１ １　　１−１ ０ 　　　０ 　　　０ →−１−１ −１１−１ 　　　０ −１ ０＋１ １−１　　　０ １” ０ ００ レベル ４１０　＋１ ０ ００ 応 Ｔａｖｃ＋　　＜Ａ） ５１ ２６ ６２ ０７５ ２７１ ５９０ １４３ １４８ １３６ ０６７ ８１９ １５８ ８３６ ３７１ ９２０ ７ ”　）　１　” ０ ００ 答 ＮＵ（％） ９．６ ５．４ ５・、０ ２．７ １２．２ ６．５ ３．６ ５．９ ５、４ ８．６ ３．１ ３．１ １３．５ ２．９ ５．７ この発明の上に述べた実施例では、不規則にしたパラメ
ータに一：す、被膜の平均の厚さ（Ｔ−ａ　ｖｇ）は約
６５１入と約５９２ＯＡの間の範囲であり、厚さの非一
様性（ＮＵ）は約２．７％と約１３．５％の間であった
。パラメータの設定を注意深く選ぶことにより、２００
ＯＡの被膜（直径１ＱＱｍｍの基板に百って）の被膜の
厚さの非一様性を２％未満にすることが日常的に達成で
きる。

この発明の好ましい実施例並びにその利点を以上説明し
たが、この発明がそれに制限されず、特許請求の範囲の
記載のみによって限定されることを承知されたい。

以」−の説明に関連しく更に下記の項を開示する。

（１）　　真空室内にある基板の表面に硫化亜鉛層をデ
ポジツｌ−！Ｊ−る方法に於いで、該室を真空にひき、
該室を砕化水素ガスでパージし、前記室を通る硫化水素
ガスとジメチル亜鉛ガスを反応させて、荊記単板の表面
に蝋化亜りＦｌを形成する工程を含む方法。

（２）　　（１）項に記載した方法に於いて、室を硫　
８ 化水素ガスで再びパージし、室を真空にひき、窒素ガス
を用いて室を加圧する工程を含む方法。

（３）　　（１）項に記載した方法に於いて、真空にひ
く工程が約１ミリ！−ルまで真空にひくことを含む方法
。

（４）　　（１）項に記載した方法に於いて、パージす
る工程が、硫化水素ガスを用いて室を１乃至５分間約１
５０乃至５００ミリトルまで加圧することを含む方法。

（５）　　（１）項に記載した方法に於いて、デボジツ
１〜された層の厚さが、ジメチル亜鉛と硫化水素の間の
反応の持続時間によって決定される方法。

（６）　　（１）項に記載した方法に於いて、室内で基
板を反転して、基板の表面に対する汚染の範囲を減少づ
ることを含む方法。

（７）　　（１）項に記載した方法に於いて、ジメチル
亜鉛ガスに対する硫化水素ガスの比が約６＝１である方
法。

（８）　　真空室内に入っている基板の表面に硫化亜鉛
層をデポジットする方法に於いて、室を約１９ ミリトルまで真空にひいて汚染物を駆逐し、流化水素ガ
スを室に導入して、室を２分間約１５０７”１至５００
ミリトルに加圧し、ジメチル亜鉛ガスを室に導入して硫
化水素ど反応させて、基板の表面の上に硝化亜鉛層を形
威し、室を通るジメチル亜鉛ガスの流量を制御すること
により、硫化亜鉛ガスとジメチル亜鉛ガスの間の化学反
応を制御し、ジメチル亜鉛の流れを止めたま）、硫化亜
鉛ガスを室内に流し続けて、残っているジメチル亜鉛ガ
スを駆逐し、真空室から全てのガスを真空にひくことに
よって除去し、窒素ガスを用いて室を加圧する工程を含
む方法。

（９）　　（８）項に記載した方法に於いて、基板の表
面に対する汚染の範囲を少なくする為に、室内で基板を
反転することを含む方法。

（１０）基板の表面に硝化亜鉛層をデポジットする装置
に於いて、前記基板を保持する真空室と、該室に接続さ
れていて、該室に硫化水素を供給する第１のガス源と、
前記室に接続されていて、該室にジメチル亜鉛ガスを供
給する第２の室と、硫０ 化亜鉛層をデポジッ１〜した後、ガスを引出す為の真空
配管とを右する装置。

（１１）　　（１０）項に記載した装置に於いて、室を
パージする窒素源を有する装置。

（１２）　　（１０）項に記載した装置に於いて、室を
約１ミリトルまで真空にひくことができる装置。

（１３）　　（１０１項に記載した装置に於いて、基板
の温度を２５°Ｃ乃至１００℃に制御することができる
装置。

（１４）　　レベル間誘電体及び反射防止被覆を持つ装
置に於いて、基板上での低温化学反応気相成長によって
形成された第１の硝化亜鉛層ど、該第１の層に接続され
た導電層と、該導電層上での化学反応気相成長によって
形成された第２の硫化亜鉛病とを右ｉｊる装置。

（１５）　　（１４）項に記載した装置に於いて、第１
及び第２のｔｌｉ！を化亜＠１層が金属打機化学反応気
相成長によって成長ざＵられた賀首。

＋１６）　　（１４）項に記載した装置に於いて、第１
及び第２の居が電磁波スペクトルの赤外線波長領域１ で透明である装置。

（１７）　　（１４）項に記載した装置に於いて、第１
及び第２の層の厚さが約１５００Å乃至約７０００Ａで
ある装置。

（１８）　　（１４）項に記載した装置に於いて、Ｓ電
層の厚さが約１０００Å乃至２００ＯＡである装置。

（１９）　　（１４）項に記載した装置に於いて、導電
層が金、銀、銅、アルミニウム又はその合金で構成し得
る装置。

（２０）　　（１４）項に記載した装置に於いて、赤外
線検出装置が複数個のレベル間誘電体及び反射防止被覆
層及び複数個の導電層を持つことができる装置。

（２１）　　（２０）項に記載した装置に於いて、複数
個の層が電荷結合装置を形成する装置。

（２２）　　（２０）項に記載した装置に於いて、複数
個の層が電荷作像マトリクスを形成する装置。

（２３）真空処理反応器（５０〉内でジメチル亜鉛（４
６）及び硫化水素（４４）を用いた硫化亜鉛被膜（１６
）のデボジッションが、赤外線焦点２ 平面の人出生産に用いることのできる低温方法になる。

硫化亜鉛層（１６）が、物理的な気相成長によるＺｎＳ
被膜に比べて汚染のない絶縁体亜びに赤外線反射防止被
覆として使われるａ硫化亜鉛層（１６）は、室（６２）
を真空にひき、所望の７ｎＳ被膜のＪ「スざに達するま
で１．特定の操作条ｆ１のもとで硅化水素ガス（４４）
及びジメチル亜鉛ガス（４６）を混合することによって
形成される。

硫化亜鉛（１６）の被膜の成長速度が、温度、圧力並び
に硫化水素ガス（４４）及びジメチル亜鉛ガス（４６）
の相対的なａｍを変えることによって制御される。

【図面の簡単な説明】

第１図は集積回路の一例を示づ゛断面図で、この発明に
よる硫化亜鉛被膜のデボジツション工程を示す。第２図
は別の実施例の例を示す断面図で、この発明の硫化亜鉛
方法に於Ｕるデボジッション工程を示す。第３図は金属
有機化学反応気相成長（ＭＯＣＶＤ）反応の間に行なわ
れる硫化亜鉛のデボジッション工程を示すブロックで示
しＩこ方法３ の流れ図、第４図はこの発明の特定の実施例の斜視図で
、ロードロックと、反応室と、硫化亜鉛被膜を形成する
のに必要な関連する構造とを示す。 主な符号の説明 ５２：ハウジング ５４ニスライス ６２：処理室集成体 ６８．７２：ガス配管

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空室内にある基板の表面に硫化亜鉛層をデポジ
   ットする方法に於いて、該室を真空にひき、該室を硫化
   水素ガスでパージし、前記室を通る硫化水素ガスとジメ
   チル亜鉛ガスを反応させて、前記基板の表面に硫化亜鉛
   層を形成する工程を含む方法。
2. （２）基板の表面に硫化亜鉛層をデポジットする装置に
   於いて、前記基板を保持する真空室と、該室に接続され
   ていて、該室に硫化水素を供給する第１のガス源と、前
   記室に接続されていて、該室にジメチル亜鉛ガスを供給
   する第２の室と、硫化亜鉛層をデポジットした後、ガス
   を引出す為の真空配管とを有する装置。