JPH0645878B2 - 硫化亜鉛薄膜の製造法 - Google Patents
硫化亜鉛薄膜の製造法Info
- Publication number
- JPH0645878B2 JPH0645878B2 JP615285A JP615285A JPH0645878B2 JP H0645878 B2 JPH0645878 B2 JP H0645878B2 JP 615285 A JP615285 A JP 615285A JP 615285 A JP615285 A JP 615285A JP H0645878 B2 JPH0645878 B2 JP H0645878B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adduct
- zns
- thin film
- substrate
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は硫化亜鉛（ＺｎＳ）薄膜の製造法に関する。さ
らに詳しくは、有機金属の気相分解法（ＭＯＣＶＤ法）
を用いた硫化亜鉛薄膜の製造法に関する。
らに詳しくは、有機金属の気相分解法（ＭＯＣＶＤ法）
を用いた硫化亜鉛薄膜の製造法に関する。
ＭＯＣＶＤ法は良質の化合物半導体薄膜の製造が可能で
しかも量産性に富むことから、オプトエレクトロニクス
用の材料及びデバイス製造分野において注目されている
技術である。このMOCVD法を用いて、短波長発光素子材
料として有望なＺｎＳ薄膜を作成する試みがなされてい
るもののいまだデバイス化が可能なレベルの薄膜形成は
実現していない。これは、亜鉛ソースに用いるジアルキ
ル亜鉛が極めて反応性の高いことに起因する。即ち、ガ
ス状のジアルキル亜鉛は硫化水素（Ｈ２Ｓ）と混合する
やいなや室温においてもすみやかに反応し、ＺｎＳを生
じる。気相中にて生成したZnSは粒塊となつてあたかも
雪が積るが如く成長基板の上に堆積する。基板表面に堆
積したＺｎＳ粒塊は、基板表面で進行する結晶成長過程
に悪影響を及ぼすため、ジアルキル亜鉛／Ｈ２Ｓ系で得
られるＺｎＳ薄膜の結晶品位はあまり高くなかつた。
しかも量産性に富むことから、オプトエレクトロニクス
用の材料及びデバイス製造分野において注目されている
技術である。このMOCVD法を用いて、短波長発光素子材
料として有望なＺｎＳ薄膜を作成する試みがなされてい
るもののいまだデバイス化が可能なレベルの薄膜形成は
実現していない。これは、亜鉛ソースに用いるジアルキ
ル亜鉛が極めて反応性の高いことに起因する。即ち、ガ
ス状のジアルキル亜鉛は硫化水素（Ｈ２Ｓ）と混合する
やいなや室温においてもすみやかに反応し、ＺｎＳを生
じる。気相中にて生成したZnSは粒塊となつてあたかも
雪が積るが如く成長基板の上に堆積する。基板表面に堆
積したＺｎＳ粒塊は、基板表面で進行する結晶成長過程
に悪影響を及ぼすため、ジアルキル亜鉛／Ｈ２Ｓ系で得
られるＺｎＳ薄膜の結晶品位はあまり高くなかつた。
最近、ジアルキル亜鉛又は硫化水素のうち少なくとも一
方を反応性の低いものと代替することで気相中でのＺｎ
Ｓ生成を抑制しようという試みがなされている。これを
以下に述べる。
方を反応性の低いものと代替することで気相中でのＺｎ
Ｓ生成を抑制しようという試みがなされている。これを
以下に述べる。
1. ジアルキル亜鉛との反応性がＨ2Ｓより低い環状硫
黄化合物を硫黄ソースに用いる。
黄化合物を硫黄ソースに用いる。
（J.Crystal Growth 66(1984)26−34） 2. ジアルキル亜鉛と一般式ＲＳＲ′（Ｒ、Ｒ′はアル
キル基）で表わされるチオエーテルとの等モル混合によ
つて得られる付加体(H2Sとの反応性がジアルキル亜鉛よ
り低い)を亜鉛ソースに用いる。（例えば、第４５回応
用物理学会講演原稿集Ｐ６３３講演番号１２ｐ−Ｓ−４
参照） これらの対策を施すことによりジアルキル亜鉛／Ｈ２Ｓ
系で問題となつた気相中でのＺｎＳ生成を大幅に低減で
き、得られる単結晶膜の結晶品位向上が見られている。
キル基）で表わされるチオエーテルとの等モル混合によ
つて得られる付加体(H2Sとの反応性がジアルキル亜鉛よ
り低い)を亜鉛ソースに用いる。（例えば、第４５回応
用物理学会講演原稿集Ｐ６３３講演番号１２ｐ−Ｓ−４
参照） これらの対策を施すことによりジアルキル亜鉛／Ｈ２Ｓ
系で問題となつた気相中でのＺｎＳ生成を大幅に低減で
き、得られる単結晶膜の結晶品位向上が見られている。
しかし前述の従来技術では次の様な問題点を有する。1.
においては環状硫黄化合物が分解しにくいため、十分な
成長速度を得るには成長温度を高くする必要がある。成
長温度が高いと格子欠陥の内包や不純物のとり込みが即
進される．2.においては、基板を含む加熱帯に導入され
た付加体が解離して生じるジアルキル亜鉛とＨ２Ｓとが
反応してＺｎＳを生成するため、成長温度はジアルキル
亜鉛／Ｈ２Ｓ系と同じであるが、用いる付加体の熱的安
定性に問題がある。例えば、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）と
ジエチル硫黄（ＤＥＳ）の等モル混合によつて得られる
付加体ＤＥＺ−ＤＥＳは、ガス状態でＨ２Ｓと混合して
も室温付近ではＺｎＳを生じることはないが、加熱帯に
入ると同時に付加帯の解離とＺｎＳの生成が進行するた
め、成長温度が３００℃と比較的低い場合にも加熱帯に
おいてＺｎＳ微粒子の生成している様子が肉眼で確認で
きる。ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体を用いて得られるＺｎＳ薄
膜は上述の様に、加熱帯内部の気相中で生じたＺｎＳ微
粒子の影響を受けるために（４００）回折Ｘ線ピークの
ロツキングカーブ平値幅が、０．２５゜程度のものしか
得られていない。また、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）とＤＥ
Ｓによつて得られる付加体ＤＭＺ−ＤＥＳは、３０℃に
おいて減圧蒸留をした場合、わずかではあるが時間とと
もに沸点が変化する。これは、付加体の一部が３０℃に
おいて解離していることを示唆しており、解離によつて
生じたＤＭＺがＨ２Ｓと反応することを考えれば好まし
くない。そこで、本発明は、上述の様な問題点を解決す
るもので、ジアルキル亜鉛・ジアルキル硫黄からなる付
加体よりも解離しにくい付加体を用い、さらに結晶品位
の高いＺｎＳ膜を製造するところにある。
においては環状硫黄化合物が分解しにくいため、十分な
成長速度を得るには成長温度を高くする必要がある。成
長温度が高いと格子欠陥の内包や不純物のとり込みが即
進される．2.においては、基板を含む加熱帯に導入され
た付加体が解離して生じるジアルキル亜鉛とＨ２Ｓとが
反応してＺｎＳを生成するため、成長温度はジアルキル
亜鉛／Ｈ２Ｓ系と同じであるが、用いる付加体の熱的安
定性に問題がある。例えば、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）と
ジエチル硫黄（ＤＥＳ）の等モル混合によつて得られる
付加体ＤＥＺ−ＤＥＳは、ガス状態でＨ２Ｓと混合して
も室温付近ではＺｎＳを生じることはないが、加熱帯に
入ると同時に付加帯の解離とＺｎＳの生成が進行するた
め、成長温度が３００℃と比較的低い場合にも加熱帯に
おいてＺｎＳ微粒子の生成している様子が肉眼で確認で
きる。ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体を用いて得られるＺｎＳ薄
膜は上述の様に、加熱帯内部の気相中で生じたＺｎＳ微
粒子の影響を受けるために（４００）回折Ｘ線ピークの
ロツキングカーブ平値幅が、０．２５゜程度のものしか
得られていない。また、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）とＤＥ
Ｓによつて得られる付加体ＤＭＺ−ＤＥＳは、３０℃に
おいて減圧蒸留をした場合、わずかではあるが時間とと
もに沸点が変化する。これは、付加体の一部が３０℃に
おいて解離していることを示唆しており、解離によつて
生じたＤＭＺがＨ２Ｓと反応することを考えれば好まし
くない。そこで、本発明は、上述の様な問題点を解決す
るもので、ジアルキル亜鉛・ジアルキル硫黄からなる付
加体よりも解離しにくい付加体を用い、さらに結晶品位
の高いＺｎＳ膜を製造するところにある。
本発明に係る硫化亜鉛薄膜の製造法においてはジアルキ
ル亜鉛とジメチルセレンの等モル混合によつて得られる
付加体を亜鉛ソースとし、Ｈ２Ｓを硫黄ソースとして用
いることを特徴としている。
ル亜鉛とジメチルセレンの等モル混合によつて得られる
付加体を亜鉛ソースとし、Ｈ２Ｓを硫黄ソースとして用
いることを特徴としている。
ジメチルセレンは化学的にかなり安定な化合物であるた
め、ジメチルセレンの分解によるＺｎＳ膜中へのＳｅの
混入は問題としないでよい。
め、ジメチルセレンの分解によるＺｎＳ膜中へのＳｅの
混入は問題としないでよい。
第１図には本発明で用いるＭＯＣＶＤ装置の概略図を示
す。透明石英製の反応管の内部にはＳｉＣコーテイン
グを施したグラフアイト製サセプターがセツトされて
おり、サセプターの上には基板がセツトされてい
る。サセプターの内部には熱電対の先端が埋め込ま
れており、基板温度のモニターを行なう。反応管の周
囲には抵抗加熱、高周波、赤外線などからなる加熱炉
を設け、基板加熱を行なう．反応管はバルブ、及
びを介してそれぞれ廃ガス処理系、排気システム
へと接続されている。、には、純化装置より精製さ
れたキヤリアーガスが、マスフローコントローラにより
流量制御されて流れている。キヤリヤーガスはＨ２、Ｈ
ｅいずれでもよい。ボンベにはキヤリアーガス２％程
度に希釈したＨ２Ｓが充填されており、マスフローコン
トローラによつて直接供給量が制御できる。バブラー
にはジアルキル亜鉛とジメチルセレン等モル混合によ
つて形成される付加体が、又バブラーにはジメチルセ
レン（ＤＭＳｅ）が封入されている。付加体、ＤＭＳｅ
の供給はキヤリアーガスによるバブリングで気化させて
おこなう。従つて供給量はバブリングガスの流量とバブ
リング温度によつて制御できる。各原料ガスは、配管
を流れるキヤリアーガスにより希釈されて反応炉へ至
る。
す。透明石英製の反応管の内部にはＳｉＣコーテイン
グを施したグラフアイト製サセプターがセツトされて
おり、サセプターの上には基板がセツトされてい
る。サセプターの内部には熱電対の先端が埋め込ま
れており、基板温度のモニターを行なう。反応管の周
囲には抵抗加熱、高周波、赤外線などからなる加熱炉
を設け、基板加熱を行なう．反応管はバルブ、及
びを介してそれぞれ廃ガス処理系、排気システム
へと接続されている。、には、純化装置より精製さ
れたキヤリアーガスが、マスフローコントローラにより
流量制御されて流れている。キヤリヤーガスはＨ２、Ｈ
ｅいずれでもよい。ボンベにはキヤリアーガス２％程
度に希釈したＨ２Ｓが充填されており、マスフローコン
トローラによつて直接供給量が制御できる。バブラー
にはジアルキル亜鉛とジメチルセレン等モル混合によ
つて形成される付加体が、又バブラーにはジメチルセ
レン（ＤＭＳｅ）が封入されている。付加体、ＤＭＳｅ
の供給はキヤリアーガスによるバブリングで気化させて
おこなう。従つて供給量はバブリングガスの流量とバブ
リング温度によつて制御できる。各原料ガスは、配管
を流れるキヤリアーガスにより希釈されて反応炉へ至
る。
成長を常圧で行なう時はバルブを開いて反応ガスを
廃ガス処理系へ導く。減圧で行なう時はバルブを閉
じ、バルブとロータリーポンプの排気量、反応ガス
流量により反応炉内の真空度を調節しつつ成長を行な
う。ロータリーポンプを出た反応ガスは廃ガス処理系
へと導かれる。
廃ガス処理系へ導く。減圧で行なう時はバルブを閉
じ、バルブとロータリーポンプの排気量、反応ガス
流量により反応炉内の真空度を調節しつつ成長を行な
う。ロータリーポンプを出た反応ガスは廃ガス処理系
へと導かれる。
〔実施例１〕 以下にはＺｎＳ単結晶膜のGaAs、GaP、Ｓｉ基板上へ成
長する際のプロセスについて説明する。
長する際のプロセスについて説明する。
付加体としては、ジメチル亜鉛とジメチルセレンの等モ
ル混合によつて得られるDMZ−DMSeを用いた。
ル混合によつて得られるDMZ−DMSeを用いた。
ＤＭＺ−ＤＭＳｅは常圧において沸点６７．２℃を示す
液体であることからＤＭＺ−ＤＥＳよりは熱的に安定な
付加体と考えられる。
液体であることからＤＭＺ−ＤＥＳよりは熱的に安定な
付加体と考えられる。
1. 基板の熱エツチングによる表面清浄化あらかじめ化
学エツチングにより表面処理を施した、GaAs、GaP、Ｓ
ｉ基板を反応管内にセツトし系内を真空引きする。続
いてキヤリアガスを導入し、再度真空引きをする。この
操作により系内の残留酸素や残留水分を除去する。キヤ
リアガスを毎分１〜２程度流しながら、GaAs、GaP基
板の場合には５００〜６００℃、Ｓｉ基板では９００〜
１０００℃に加熱する。この熱エツチングにより基板表
面に残留する酸化膜を除去できる。５〜１０分間の熱エ
ツチングを施した後基板温度を成長温度に設定する。
学エツチングにより表面処理を施した、GaAs、GaP、Ｓ
ｉ基板を反応管内にセツトし系内を真空引きする。続
いてキヤリアガスを導入し、再度真空引きをする。この
操作により系内の残留酸素や残留水分を除去する。キヤ
リアガスを毎分１〜２程度流しながら、GaAs、GaP基
板の場合には５００〜６００℃、Ｓｉ基板では９００〜
１０００℃に加熱する。この熱エツチングにより基板表
面に残留する酸化膜を除去できる。５〜１０分間の熱エ
ツチングを施した後基板温度を成長温度に設定する。
2. 結晶成長 ボンベからＨ２Ｓを、又バブラーのバブリング開始
により付加体をそれぞれ反応炉へ供給する。これに伴
ない基板上にＺｎＳの成長がおこる。代表的な成長条件
を次に示す。
により付加体をそれぞれ反応炉へ供給する。これに伴
ない基板上にＺｎＳの成長がおこる。代表的な成長条件
を次に示す。
キヤリアーガス（Ｈｅ）：総流量４．５／ｍｉｎ、−
２０℃における付加体のバブリングガス流量：２５ml、
Ｈ２又はＨｅベース２％、Ｈ２Ｓの供給量：100ml／mi
n、成長温度：300〜550℃ 以上の条件のとき、成長温度、成長基板の種類によらず
０．８〜１．０μｍ／ｈｒとほぼ一定であつた。成長膜
のＩＭＡ（イオンマイクロアナライザー）による分析で
は、Ｓｅは検出されなかった。450℃において成長した
厚さ２μｍのＺｎＳの(400)回折Ｘ線ロツキングカーブ
半値幅は０．１５〜０．２０゜を示した。ＤＭＺ−ＤＭ
Ｓｅの利用によりＤＥＺ−ＤＥＳを亜鉛ソースとしたと
きに比べて結晶性の向上が見られた。
２０℃における付加体のバブリングガス流量：２５ml、
Ｈ２又はＨｅベース２％、Ｈ２Ｓの供給量：100ml／mi
n、成長温度：300〜550℃ 以上の条件のとき、成長温度、成長基板の種類によらず
０．８〜１．０μｍ／ｈｒとほぼ一定であつた。成長膜
のＩＭＡ（イオンマイクロアナライザー）による分析で
は、Ｓｅは検出されなかった。450℃において成長した
厚さ２μｍのＺｎＳの(400)回折Ｘ線ロツキングカーブ
半値幅は０．１５〜０．２０゜を示した。ＤＭＺ−ＤＭ
Ｓｅの利用によりＤＥＺ−ＤＥＳを亜鉛ソースとしたと
きに比べて結晶性の向上が見られた。
上記のＺｎＳ成長中においてはＤＥＺ−ＤＥＳ付加体を
用いたときの様な、加熱帯内部の気相中におけるＺｎＳ
微粒子の生成は観測されなかつた。ＤＭＺ−ＤＭＳｅ付
加体が、ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体に比べて安定であること
を示している。
用いたときの様な、加熱帯内部の気相中におけるＺｎＳ
微粒子の生成は観測されなかつた。ＤＭＺ−ＤＭＳｅ付
加体が、ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体に比べて安定であること
を示している。
〔実施例２〕 上述のプロセスに従つて成長を行なうとき成長温度が５
００℃付近になると成長膜表面のモホロジーがやや悪く
なつて来た。また、成長中わずかではあるが加熱帯内部
の気相中においてＺｎＳ微粒子の生成が見られた。これ
は、成長温度が高くなると第１図において、加熱炉の
出力が増大するため、反応炉に導入された反応ガス
は、基板近傍するまでに加熱されてしまう。このため上
述の様に気相中でのＺｎＳの生成がおこり、生成した微
粒子が成長膜の中にとり込まれるために表面モホロジー
の劣化がおきていると思われる。
００℃付近になると成長膜表面のモホロジーがやや悪く
なつて来た。また、成長中わずかではあるが加熱帯内部
の気相中においてＺｎＳ微粒子の生成が見られた。これ
は、成長温度が高くなると第１図において、加熱炉の
出力が増大するため、反応炉に導入された反応ガス
は、基板近傍するまでに加熱されてしまう。このため上
述の様に気相中でのＺｎＳの生成がおこり、生成した微
粒子が成長膜の中にとり込まれるために表面モホロジー
の劣化がおきていると思われる。
成長温度が高いときには、付加体の他にジメチルセレン
を供給することで前述の問題は解決できる。つまり次式
で表わされる付加体の解離平衡。例えば、ＤＭＺ−ＤＭ
Ｓｅの場合 ＤＭＺ−ＤＭＳｅＤＭＺ＋ＤＭＳｅ において、ＤＭＳｅを過剰に供給することにより、熱平
衡を付加体形成の方向に移動することができるからであ
る。これにより、付加体の解離を抑制することができ
る。〔実施例１〕の成長条件で成長温度５００℃のと
き、バブラーに封入したＤＭＳｅを０℃、２５ml／mi
nのバブリングによつて供給した。ＤＭＳｅの供給量は
付加体のおよそ四倍量に相当している。ＤＭＳｅの導入
により、気相中でのＺｎＳの生成は抑制でき、表面モホ
ロジーの劣化も改善できた。成長温度がさらに高いとき
は、ＤＭＳｅの供給量を増やすことで同様の効果が得ら
れた。ＩＭＡによればＺｎＳ膜中へのＳｅのとり込みは
ないことがわかつた。
を供給することで前述の問題は解決できる。つまり次式
で表わされる付加体の解離平衡。例えば、ＤＭＺ−ＤＭ
Ｓｅの場合 ＤＭＺ−ＤＭＳｅＤＭＺ＋ＤＭＳｅ において、ＤＭＳｅを過剰に供給することにより、熱平
衡を付加体形成の方向に移動することができるからであ
る。これにより、付加体の解離を抑制することができ
る。〔実施例１〕の成長条件で成長温度５００℃のと
き、バブラーに封入したＤＭＳｅを０℃、２５ml／mi
nのバブリングによつて供給した。ＤＭＳｅの供給量は
付加体のおよそ四倍量に相当している。ＤＭＳｅの導入
により、気相中でのＺｎＳの生成は抑制でき、表面モホ
ロジーの劣化も改善できた。成長温度がさらに高いとき
は、ＤＭＳｅの供給量を増やすことで同様の効果が得ら
れた。ＩＭＡによればＺｎＳ膜中へのＳｅのとり込みは
ないことがわかつた。
〔実施例３〕 〔実施例１、２〕に示したプロセスと同様にして非晶質
基板例えば、ガラス、石英、あるいは、ＩＴＯの様な透
明電極、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3などの絶縁膜の上へのＺｎＳ膜形成が可能であ
る。弱アルカリ性の洗浄液にて筆洗いをした後、純水、
アルコール、ダイフロン中での超音波洗浄を順次行なつ
た非晶質基板上に〔実施例１〕に示したプロセス及び成
長条件に従つてＺｎＳ膜の成長を行なつた。９０minの
成長によつて得られたＺｎＳ膜の厚さは約７０００Å、
成長速度は０．５μｍ／ｈｒとなつた。成長速度がＧａ
Ａｓ、ＧａＰ、Ｓｉ基板に比べて小さいのは、加熱源と
して赤外線炉を用いたためと考えられている。つまり透
明石英の赤外線吸収係数が小さいので、熱伝対モニター
による設定温度が同じでも、基板表面の実際温度がＧａ
Ａｓ、ＧａＰ基板に比べて低くなつているためと思われ
る。得られたＺｎＳ膜の電子線回折パターンは、濃淡を
有する同心円を呈しており多結晶膜であることを示して
いる。
基板例えば、ガラス、石英、あるいは、ＩＴＯの様な透
明電極、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3などの絶縁膜の上へのＺｎＳ膜形成が可能であ
る。弱アルカリ性の洗浄液にて筆洗いをした後、純水、
アルコール、ダイフロン中での超音波洗浄を順次行なつ
た非晶質基板上に〔実施例１〕に示したプロセス及び成
長条件に従つてＺｎＳ膜の成長を行なつた。９０minの
成長によつて得られたＺｎＳ膜の厚さは約７０００Å、
成長速度は０．５μｍ／ｈｒとなつた。成長速度がＧａ
Ａｓ、ＧａＰ、Ｓｉ基板に比べて小さいのは、加熱源と
して赤外線炉を用いたためと考えられている。つまり透
明石英の赤外線吸収係数が小さいので、熱伝対モニター
による設定温度が同じでも、基板表面の実際温度がＧａ
Ａｓ、ＧａＰ基板に比べて低くなつているためと思われ
る。得られたＺｎＳ膜の電子線回折パターンは、濃淡を
有する同心円を呈しており多結晶膜であることを示して
いる。
以上の実施例はＤＭＺ−ＤＭＳｅ付加体について示した
が、ＤＥＺ−ＤＭＳｅ付加体においても成長条件が同じ
場合にはＤＭＺ−ＤＭＳｅと同様の結果が得られ、形成
したＺｎＳ薄膜の結晶性も同レベルであつた。
が、ＤＥＺ−ＤＭＳｅ付加体においても成長条件が同じ
場合にはＤＭＺ−ＤＭＳｅと同様の結果が得られ、形成
したＺｎＳ薄膜の結晶性も同レベルであつた。
実施例はヘテロエピタキシヤル成長及び、非晶質基板上
への成長についてのべたが、本発明はこの様な範囲に限
定されず、例えば、ＺｎＳ上へのＺｎＳホモエピタキシ
ヤル成長や、その他ＺｎＳ薄膜の成長には応用が可能で
ある。
への成長についてのべたが、本発明はこの様な範囲に限
定されず、例えば、ＺｎＳ上へのＺｎＳホモエピタキシ
ヤル成長や、その他ＺｎＳ薄膜の成長には応用が可能で
ある。
以上述べた様に本発明によれば、ジアルキル亜鉛とジメ
チルセレンの等モル混合によつて得られる付加体を亜鉛
ソースとしたことにより、従来、付加体の熱的安定性の
乏しさに起因していた気相中でのＺｎＳの生成が抑制で
きた。これにより得られるＺｎＳ薄膜の結晶性が向上し
た。
チルセレンの等モル混合によつて得られる付加体を亜鉛
ソースとしたことにより、従来、付加体の熱的安定性の
乏しさに起因していた気相中でのＺｎＳの生成が抑制で
きた。これにより得られるＺｎＳ薄膜の結晶性が向上し
た。
本発明が短波長発光素子材料として有望なZnSの良質な
薄膜を製造する際に寄与するところは極めて大きいと確
信する。
薄膜を製造する際に寄与するところは極めて大きいと確
信する。
第１図には本発明で用いるＭＯＣＶＤシステムの概略図
を示す。 １……透明石英製反応管、２……ＳｉＣコーテイングを
施したグラフアイト製サセプタ、３……基板、４……熱
電対、５……反応管内の真空度を調節するバルブ、６、
７……バルブ、８……ロータリーポンプ、９……廃ガス
処理システム、１０……高真空排気系、１１……抵抗加
熱、赤外線、高周波などによる加熱炉、１２……高精度
ニードルバルブ、１３……付加体の入つたバブラー、１
４……ジメチルセレンの入つたバブラー、１５……配管
系、１６……硫化水素の入つたボンベ、１７……マスフ
ローコントローラー、１８……配管系、１９、２０……
バルブ
を示す。 １……透明石英製反応管、２……ＳｉＣコーテイングを
施したグラフアイト製サセプタ、３……基板、４……熱
電対、５……反応管内の真空度を調節するバルブ、６、
７……バルブ、８……ロータリーポンプ、９……廃ガス
処理システム、１０……高真空排気系、１１……抵抗加
熱、赤外線、高周波などによる加熱炉、１２……高精度
ニードルバルブ、１３……付加体の入つたバブラー、１
４……ジメチルセレンの入つたバブラー、１５……配管
系、１６……硫化水素の入つたボンベ、１７……マスフ
ローコントローラー、１８……配管系、１９、２０……
バルブ
Claims (3)
- 【請求項１】有機金属の気相熱分解法により、基板上に
硫化亜鉛薄膜を形成する硫化亜鉛薄膜の製造法におい
て、 ジアルキル亜鉛とジメチルセレンとの等モル混合によっ
て形成される付加体を亜鉛ソースとし、 硫化水素を硫黄ソースとして用いることを特徴とする硫
化亜鉛薄膜の製造法。 - 【請求項２】該付加体と硫化水素を気相中で均一に混合
した後に、該基板を含む加熱領域へ供給することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の硫化亜鉛薄膜の製造
法。 - 【請求項３】該付加体をジメチルセレンと気相中で均一
に混合した後に、硫化水素と均一に混合し、該基板を含
む加熱領域へ供給することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の硫化亜鉛薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615285A JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615285A JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166968A JPS61166968A (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0645878B2 true JPH0645878B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11630555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP615285A Expired - Lifetime JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645878B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077092A (en) * | 1989-06-30 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for deposition of zinc sulfide films |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP615285A patent/JPH0645878B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61166968A (ja) | 1986-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| Takahashi et al. | Low‐temperature growth of 3 C‐SiC on Si substrate by chemical vapor deposition using hexamethyldisilane as a source material | |
| Wright et al. | The use of heterocyclic compounds in the organometallic chemical vapour deposition of epitaxial ZnS, ZnSe and ZnO | |
| Nagasawa et al. | Atomic level epitaxy of 3C-SiC by low pressure vapour deposition with alternating gas supply | |
| EP0200766B1 (en) | Method of growing crystalline layers by vapour phase epitaxy | |
| JPS63188938A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH0645878B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の製造法 | |
| JPH0645879B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の製造法 | |
| EP0204724B1 (en) | Method for deposition of gallium arsenide from vapor phase gallium-arsenic complexes | |
| Kaufmann et al. | Metalorganic chemical vapour deposition of oriented ZnO films | |
| US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| KR100385634B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의제조방법 | |
| Pernot et al. | Photo‐assisted chemical vapor deposition of gallium sulfide thin films | |
| JPS61151092A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPS58209117A (ja) | 化合物半導体膜の製造方法 | |
| JPS63188933A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 | |
| JP2706337B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS59164697A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH0670968B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の製造法 | |
| JP2678736B2 (ja) | 有機亜鉛化合物 | |
| JPS63319296A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPS61166972A (ja) | セレン化亜鉛薄膜の製造法 | |
| JPS6390833A (ja) | ２族および６族からなる化合物薄膜の製造方法 | |
| CN117551980A (zh) | 一类二维过渡金属硒化物及其制备方法 | |
| JPH0670967B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |