JPH03261915A - 液晶配向剤 - Google Patents
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶配向剤に関し、特に液晶の配向性が良好で
プレチルト角が大きい液晶配向剤に関する。 ゛ 〔従来の技術〕 従来、正の誘電異方性を有するネマチック型液晶を、ポ
リイごドなどからなる液晶配向膜を有する透明電極付き
基板でサンドインチし、液晶分子の長軸が基板間で90
度連続的に捩じれるようにしてなるTN型配列セルを有
する液晶表示素子(TN型表示素子)が知られている。
プレチルト角が大きい液晶配向剤に関する。 ゛ 〔従来の技術〕 従来、正の誘電異方性を有するネマチック型液晶を、ポ
リイごドなどからなる液晶配向膜を有する透明電極付き
基板でサンドインチし、液晶分子の長軸が基板間で90
度連続的に捩じれるようにしてなるTN型配列セルを有
する液晶表示素子(TN型表示素子)が知られている。
このTN型表示素子における液晶の配向は、ラビング処
理が施された液晶配向膜により形成されている。
理が施された液晶配向膜により形成されている。
このTN型表示素子は、コントラストおよび視角依存性
に劣るため、最近、コントラストおよび視角依存性に優
れた液晶表示素子である5BE(Super tsyi
sted Birefringency Effect
)表示素子や、 S H(Super Homeotr
opic)表示素子が開発されている。SBE表示素子
は、液晶としてネマチック型液晶に光学活性物質である
カイラル剤をブレンドしたものを用い、液晶分子の長軸
を基板間で180度以上連続的に捩じることにより生じ
る複屈折効果を利用するものである。その際液晶配向膜
のプレチルト角は少なくとも3度が必要である。またS
H表示素子は、液晶分子の長軸方向の誘電異方性が負の
液晶を垂直配向させ、電圧印加により分子を倒して単純
マトリクス駆動で動作させるものである。
に劣るため、最近、コントラストおよび視角依存性に優
れた液晶表示素子である5BE(Super tsyi
sted Birefringency Effect
)表示素子や、 S H(Super Homeotr
opic)表示素子が開発されている。SBE表示素子
は、液晶としてネマチック型液晶に光学活性物質である
カイラル剤をブレンドしたものを用い、液晶分子の長軸
を基板間で180度以上連続的に捩じることにより生じ
る複屈折効果を利用するものである。その際液晶配向膜
のプレチルト角は少なくとも3度が必要である。またS
H表示素子は、液晶分子の長軸方向の誘電異方性が負の
液晶を垂直配向させ、電圧印加により分子を倒して単純
マトリクス駆動で動作させるものである。
しかしながら、従来のSBE表示素子は、ポリイミドな
どからなる液晶配向膜を用いて作製した場合には、液晶
配向膜のプレチルト角が3度以下であるため、液晶を基
板間で180度以上捩じることができず、所要の表示機
能を得ることが困難である。
どからなる液晶配向膜を用いて作製した場合には、液晶
配向膜のプレチルト角が3度以下であるため、液晶を基
板間で180度以上捩じることができず、所要の表示機
能を得ることが困難である。
このため、現在のSBE表示素子の場合は、液晶配向膜
のプレチルト角を3度以上とするために、二酸化ケイ素
を斜方蒸着して形成した液晶配向膜を用いる必要があり
、そのため製造工程が煩雑であるなどの問題があった。
のプレチルト角を3度以上とするために、二酸化ケイ素
を斜方蒸着して形成した液晶配向膜を用いる必要があり
、そのため製造工程が煩雑であるなどの問題があった。
また従来のSH表示素子は、液晶を垂直配向させるため
に、二酸化ケイ素を斜方蒸着した基板を用いたり、基板
をフッ素系の界面活性剤や長鎖アルキル基を有するカッ
プリング剤で処理することが必要である。斜方蒸着する
場合には製造工程が煩雑で大量生産できず、また界面活
性剤やカップリング剤を用いる場合ムこは信頼性が乏し
いという問題があった。
に、二酸化ケイ素を斜方蒸着した基板を用いたり、基板
をフッ素系の界面活性剤や長鎖アルキル基を有するカッ
プリング剤で処理することが必要である。斜方蒸着する
場合には製造工程が煩雑で大量生産できず、また界面活
性剤やカップリング剤を用いる場合ムこは信頼性が乏し
いという問題があった。
本発明の目的は、液晶の配向性が良好でプレチルト角が
大きく、SBEおよびSH表示素子の液晶配向膜用とし
て特に好適に用いることができる液晶配向剤を提供する
ことにある。
大きく、SBEおよびSH表示素子の液晶配向膜用とし
て特に好適に用いることができる液晶配向剤を提供する
ことにある。
(課題を解決するための手段〕
本発明は、下記一般式(1)で表される構造単位および
/または一般式(n)で表される構造単位を有する重合
体を含有することを特徴とする液晶配向剤に関する。
/または一般式(n)で表される構造単位を有する重合
体を含有することを特徴とする液晶配向剤に関する。
〔式中、R1よ3価または4価の有機基、R2は4価の
有機基、R3はアルキル基、BsおよびR1は水素原子
、水酸基またはアルキル基、R’ 、R6およびR丁は ○HR9RI。
有機基、R3はアルキル基、BsおよびR1は水素原子
、水酸基またはアルキル基、R’ 、R6およびR丁は ○HR9RI。
−0−CH,−CH−−0−C−N−−N−1
および−〇−から選ばれる有機基(ここでR9およびR
1’は水素原子またはアルキル基を示す)、aは1また
は2、b、cおよびdは0またはlを意味する。〕 c式中、R11は3価または4価の有機基、R12は4
価の有機基、R1ffはアルキル基、R14はU および−〇−から選ばれる有機基(ここでRtsおよび
RI6は水素原子またはアルキル基を示す)、eは1ま
たは2、fは0または1を意味する。〕一般式(I)中
のR1よ、3価または4価の有機基を示し、lまたは2
個のカルボキシル基を有するジアミン化合物からアミノ
基およびカルボキシル基を除いた残基を挙げることがで
きる。
1’は水素原子またはアルキル基を示す)、aは1また
は2、b、cおよびdは0またはlを意味する。〕 c式中、R11は3価または4価の有機基、R12は4
価の有機基、R1ffはアルキル基、R14はU および−〇−から選ばれる有機基(ここでRtsおよび
RI6は水素原子またはアルキル基を示す)、eは1ま
たは2、fは0または1を意味する。〕一般式(I)中
のR1よ、3価または4価の有機基を示し、lまたは2
個のカルボキシル基を有するジアミン化合物からアミノ
基およびカルボキシル基を除いた残基を挙げることがで
きる。
このジアミン化合物としては、例えば3.4−ジアミノ
安息香酸、3.5−ジアミノ安息香酸、3.31−ジカ
ルボキシ−4,41−ジアミノビフェニル、3,3g−
ジカルボキシ−4,4′ジアミノジフエニルメタン、3
.31−ジカルボキシ−4,41−ジアミノジフェニル
エーテル、3.31−ジカルボキシ−4,4′−シアミ
ノジフェニルスルフィド、3.3’−ジカルボキシ−4
,41−ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(
3−カルボキシ−4−アミノフェニル)プロパン、2.
2−ビス(4−(3−カルボキシ−4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕フロノくン、2.3−ジアミノプロピオ
ン酸、2,4−ジアミノブタン酸、2,5−ジアミノペ
ンタン酸などが挙げられ、これらの化合物のうち3.4
−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、3,
31−ジカルボキシ−4,41−シア逅ノビフェニル、
3.31−ジカルボキシ−4,49−シア藁ノジフェニ
ルメタン、3.3′−ジカルボキシ−4,4′−ジアミ
ノビフェニルエーテJしが好ましい。
安息香酸、3.5−ジアミノ安息香酸、3.31−ジカ
ルボキシ−4,41−ジアミノビフェニル、3,3g−
ジカルボキシ−4,4′ジアミノジフエニルメタン、3
.31−ジカルボキシ−4,41−ジアミノジフェニル
エーテル、3.31−ジカルボキシ−4,4′−シアミ
ノジフェニルスルフィド、3.3’−ジカルボキシ−4
,41−ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(
3−カルボキシ−4−アミノフェニル)プロパン、2.
2−ビス(4−(3−カルボキシ−4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕フロノくン、2.3−ジアミノプロピオ
ン酸、2,4−ジアミノブタン酸、2,5−ジアミノペ
ンタン酸などが挙げられ、これらの化合物のうち3.4
−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、3,
31−ジカルボキシ−4,41−シア逅ノビフェニル、
3.31−ジカルボキシ−4,49−シア藁ノジフェニ
ルメタン、3.3′−ジカルボキシ−4,4′−ジアミ
ノビフェニルエーテJしが好ましい。
一般式(1)中のRzは、4価の有機基を示し、テトラ
カルボン酸二無水物から酸無水物基を除し)た残基を挙
げることができる。
カルボン酸二無水物から酸無水物基を除し)た残基を挙
げることができる。
このテトラカルボン酸二無水物としては、例えばブタン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,3゜4−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、l。
テトラカルボン酸二無水物、1,2,3゜4−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、l。
2.3.4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物
、2,3.5−1−リカルボキシシクロベンチル酢酸二
無水物、3,5.6−)リカルボキシーノルボルナンー
2−酢酸二無水L 5− (2゜5−ジオキソテトラヒ
ドロフリル)−3−メチル−シクロヘキセンジカルボン
酸二無水物、ビシクロ(2,2,2)−オクト−7−ニ
ンーテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族および脂環
式テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物
、3.3”、4.4″−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、3.3’、4.4’−ビフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、1,4゜5.8−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、2.3,6.7−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−
ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3.3
’、4.4’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3’、4.4’−テトラフェニルシ
ランテトラカルボン酸二無水物、1,2,3.4フラン
テトラカルボン酸二無水物、4.41ビス(3,4−ジ
カルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィドニ無水物
、4. 4 ” −ヒフ、 (3゜4−ジカルボキシフ
ェノキシ)ジフェニルスルホンニ無水物、4.49−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルプロ
パンニ無水物、3.3’、4.4”−ノく−フルオロイ
ソブロビ1ノデンテトラカルポン酸二無水物、3.3’
、4゜41−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフインオキサイド
ニ無水物、p−フェニレン−ビス−(トリフェニルフタ
ル酸)二無水物、m−フェニレン−ビス−(トリフェニ
ルフタル酸)二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)
−4,4”−ジフェニルエーテルニ無水物、ビス(トリ
フェニルフタル酸)−4,4”−ジフェニルメタンニ無
水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げるこ
とができ、これらのうち2,3.5−)リカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物、1,2.3.4−シクロブタンテトラカルボン
酸二無水物が好ましく、2,3゜5−トリカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物が特に好ましい。
、2,3.5−1−リカルボキシシクロベンチル酢酸二
無水物、3,5.6−)リカルボキシーノルボルナンー
2−酢酸二無水L 5− (2゜5−ジオキソテトラヒ
ドロフリル)−3−メチル−シクロヘキセンジカルボン
酸二無水物、ビシクロ(2,2,2)−オクト−7−ニ
ンーテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族および脂環
式テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物
、3.3”、4.4″−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、3.3’、4.4’−ビフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、1,4゜5.8−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、2.3,6.7−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−
ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3.3
’、4.4’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3’、4.4’−テトラフェニルシ
ランテトラカルボン酸二無水物、1,2,3.4フラン
テトラカルボン酸二無水物、4.41ビス(3,4−ジ
カルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィドニ無水物
、4. 4 ” −ヒフ、 (3゜4−ジカルボキシフ
ェノキシ)ジフェニルスルホンニ無水物、4.49−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルプロ
パンニ無水物、3.3’、4.4”−ノく−フルオロイ
ソブロビ1ノデンテトラカルポン酸二無水物、3.3’
、4゜41−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフインオキサイド
ニ無水物、p−フェニレン−ビス−(トリフェニルフタ
ル酸)二無水物、m−フェニレン−ビス−(トリフェニ
ルフタル酸)二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)
−4,4”−ジフェニルエーテルニ無水物、ビス(トリ
フェニルフタル酸)−4,4”−ジフェニルメタンニ無
水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げるこ
とができ、これらのうち2,3.5−)リカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物、1,2.3.4−シクロブタンテトラカルボン
酸二無水物が好ましく、2,3゜5−トリカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物が特に好ましい。
一般式(I)中のR3としては、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウン
デシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基
、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、
エイコシル基、ヘンエイコシル基、トコシル基、トリデ
シル基などのアルキル基、シクロヘキシル基などの脂環
式アルキル基が挙げられ、これらのうち炭素数6以上の
アルキル基が好ましい。
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウン
デシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基
、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、
エイコシル基、ヘンエイコシル基、トコシル基、トリデ
シル基などのアルキル基、シクロヘキシル基などの脂環
式アルキル基が挙げられ、これらのうち炭素数6以上の
アルキル基が好ましい。
また上記アルキル基中の水素原子は、ハロゲン原子に置
き換えられていてもよく、例えばパーフルオロメチル基
、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パ
ーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフ
ルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフル
オロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロ
デシル基、パーフルオロラウリル基、パーフルオロテト
ラデシル基、パーフルオロヘキサデシル基、パーフルオ
ロオクタデシル基、パークロロオクチル基、パーブロモ
オクチル基などが挙げられ、これらハロゲン置換アルキ
ル基では炭素数2以上のフッ素置換アルキル基が好まし
い。
き換えられていてもよく、例えばパーフルオロメチル基
、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パ
ーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフ
ルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフル
オロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロ
デシル基、パーフルオロラウリル基、パーフルオロテト
ラデシル基、パーフルオロヘキサデシル基、パーフルオ
ロオクタデシル基、パークロロオクチル基、パーブロモ
オクチル基などが挙げられ、これらハロゲン置換アルキ
ル基では炭素数2以上のフッ素置換アルキル基が好まし
い。
一般式(I)中のRsおよびR1は、同一または異なる
水酸基もしくはアルキル基を示し、該アルキル基として
は上述したR3と同様のアルキル基が挙げられる。
水酸基もしくはアルキル基を示し、該アルキル基として
は上述したR3と同様のアルキル基が挙げられる。
一般式(1)中のR4、R6およびR7は、同一または
異なる および−O−から選ばれる有機基を示し、式中のR9お
よびRIGは水素原子またはアルキル基であり、該アル
キル基としては上述したR3と同様のアルキル基が挙げ
られる。
異なる および−O−から選ばれる有機基を示し、式中のR9お
よびRIGは水素原子またはアルキル基であり、該アル
キル基としては上述したR3と同様のアルキル基が挙げ
られる。
一般式(II)中のR”は、3価または4価の有機基を
示し、上述した一般式(1)中のR1と同様の有機基が
挙げられる。
示し、上述した一般式(1)中のR1と同様の有機基が
挙げられる。
一般式(If)中のR”は、4価の有機基を示し、上述
した一般式(I)中のRtと同様の有機基が挙げられる
。
した一般式(I)中のRtと同様の有機基が挙げられる
。
一般式(If)中のR′2は、アルキル基を示し、一般
式(1)中のR3と同様のアルキル基を挙げることがで
きる。
式(1)中のR3と同様のアルキル基を挙げることがで
きる。
一般式(II)中のR14は、
OHRIS R16
および−〇−から遍ばれる有機基を示し、式中のRIS
およびR1&は水素原子またはアルキル基であり、該ア
ルキル基としては一般式(I)中のR3と同様のアルキ
ル基を挙げることができる。
およびR1&は水素原子またはアルキル基であり、該ア
ルキル基としては一般式(I)中のR3と同様のアルキ
ル基を挙げることができる。
本発明に用いられる一般式(I)で表される構造単位を
有する重合体(以下、「重合体I」という)は、R1の
説明で述べた1または2個のカルボキシル基を含有する
ジアミン化合物(以下、単に「ジアミン化合物(A)」
という)の少なくとも1種と、R2の説明で述べたテト
ラカルボン酸二無水物の少なくとも1種とを反応させて
得られる重合体(以下、「特定重合体IJという)に、
エポキシ化合物、イソシアネート化合物、アミン化合物
およびアルコール化合物から選ばれる少なくとも1種の
アルキル化剤を反応させることによって得られる。
有する重合体(以下、「重合体I」という)は、R1の
説明で述べた1または2個のカルボキシル基を含有する
ジアミン化合物(以下、単に「ジアミン化合物(A)」
という)の少なくとも1種と、R2の説明で述べたテト
ラカルボン酸二無水物の少なくとも1種とを反応させて
得られる重合体(以下、「特定重合体IJという)に、
エポキシ化合物、イソシアネート化合物、アミン化合物
およびアルコール化合物から選ばれる少なくとも1種の
アルキル化剤を反応させることによって得られる。
なお、アミン化合物とジアミン化合物(A)を反応させ
る場合、反応性を高めるためシアもン化合物(A)と塩
化チオニルなどを予め反応させ、カルボキシル基を酸ク
ロライド化することもできる。
る場合、反応性を高めるためシアもン化合物(A)と塩
化チオニルなどを予め反応させ、カルボキシル基を酸ク
ロライド化することもできる。
特定重合体Iの合或は、有機溶媒中で塩基性触媒の存在
下で行うのが好ましく、反応温度は、通常、0〜150
℃、好ましくはo〜1oo′cである。
下で行うのが好ましく、反応温度は、通常、0〜150
℃、好ましくはo〜1oo′cである。
特定重合体■の台底に用いられるシア果ン化合物(A)
とテトラカルボン酸二無水物の使用割合は、ジアミン化
合物(A)中のア逅ノ基1モルに対してテトラカルボン
酸二無水物の酸無水物基を0.2〜2モルとするのが好
ましく、より好ましくは0.3〜1.2モルである。
とテトラカルボン酸二無水物の使用割合は、ジアミン化
合物(A)中のア逅ノ基1モルに対してテトラカルボン
酸二無水物の酸無水物基を0.2〜2モルとするのが好
ましく、より好ましくは0.3〜1.2モルである。
上記有機溶媒としては、反応で生成する重合体を溶解さ
せるものであれば特に制塵はなく、例えばN−メチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、T
−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホ
スホルトリアミドなどの非プロトン系極性溶媒、m−ク
レゾール、キシレノール、フェノール、ハロゲン化フェ
ノールなどのフェノール系溶媒を挙げることができる。
せるものであれば特に制塵はなく、例えばN−メチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、T
−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホ
スホルトリアミドなどの非プロトン系極性溶媒、m−ク
レゾール、キシレノール、フェノール、ハロゲン化フェ
ノールなどのフェノール系溶媒を挙げることができる。
有機溶媒の使用量は、通常、ジアミン化合物(^)およ
びテトラカルボン酸二無水物の総量が反応溶液全量に対
して0.1〜30重量%となるようにするのが好ましい
。
びテトラカルボン酸二無水物の総量が反応溶液全量に対
して0.1〜30重量%となるようにするのが好ましい
。
上記塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリブチルアミンなどの有機触媒や、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムな
どの無機触媒を挙げることができる。
リエチルアミン、トリブチルアミンなどの有機触媒や、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムな
どの無機触媒を挙げることができる。
本発明に用いられる一般式(II)で表される構造単位
を有する重合体(以下、「重合体■」という)は、特定
重合体■の加熱によるイミド化、または脱水剤とイミド
化触媒との存在下でイミド化して得られる重合体く以下
、「特定重合体■」という)の、重合体■の台底の項で
述べたアルキル化剤の少なくとも1種を用いてアルキル
化することにより得られる。
を有する重合体(以下、「重合体■」という)は、特定
重合体■の加熱によるイミド化、または脱水剤とイミド
化触媒との存在下でイミド化して得られる重合体く以下
、「特定重合体■」という)の、重合体■の台底の項で
述べたアルキル化剤の少なくとも1種を用いてアルキル
化することにより得られる。
前記の特定重合体Iの加熱により脱水閉環するイミド化
反応の反応温度は、通常60〜200℃、好ましくは1
00〜170℃である。反応温度が60℃未満ではイく
ド化反応の進行が遅れ、また200℃を超えるとポリイ
よド化合物の分子量が大きく低下することがある。
反応の反応温度は、通常60〜200℃、好ましくは1
00〜170℃である。反応温度が60℃未満ではイく
ド化反応の進行が遅れ、また200℃を超えるとポリイ
よド化合物の分子量が大きく低下することがある。
前記脱水剤とイミド化触媒の存在下によるイミド化触媒
は、前記した有機溶媒中で行うことができ、反応温度は
通常0〜180℃、好ましくは60〜150℃である。
は、前記した有機溶媒中で行うことができ、反応温度は
通常0〜180℃、好ましくは60〜150℃である。
上記脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無
水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができ
る。またイミド化触媒としては、例えばピリジン、コリ
ジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの3級アξンを
用いることができるが、これらに限定されるものではな
い、脱水剤の使用量は、特定重合体■の繰り返し単位1
モルに対して1.6〜20モル%とするのが好ましく、
またイミド化触媒の使用量は、使用する脱水剤1モルに
対し、0.5〜10モル%とするのが好ましい。
水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができ
る。またイミド化触媒としては、例えばピリジン、コリ
ジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの3級アξンを
用いることができるが、これらに限定されるものではな
い、脱水剤の使用量は、特定重合体■の繰り返し単位1
モルに対して1.6〜20モル%とするのが好ましく、
またイミド化触媒の使用量は、使用する脱水剤1モルに
対し、0.5〜10モル%とするのが好ましい。
本発明において、前記特定重合体Iおよび■の合成に用
いられるジアミン化合物(A)には、0〜95モル%の
割合で他のシアくン化合物を併用することができる。該
ジアミン化合物として、パラフェニレンシアくン、メタ
フェニレンジアミン、4.4′−シアミノジフェニルメ
タン、4.4′−ジアミノジフェニルエタン、ベンジジ
ン、4゜41−シア逅ノジフェニルスルフィド、4.4
’−ジアミノジフェニルスルホン、4.4″−ジアミノ
ジフェニルエーテル、1.5−ジアミノナフタレン、3
.31−ジメチル−4,4°−ジアミノビフェニル、3
.4”−ジアミノベンズアニリド、3,41−ジアミノ
ジフェニルエーテル、3゜3”−ジアミノベンゾフェノ
ン、3.4’−ジアミノベンゾフェノン、4.4”−ジ
アミノベンゾフェノン、2.2−ビス(4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン
、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スル
ホン、1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン
、1.3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1
.3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、9.9
−ビス(4−アミノフェニル)−10−ヒドロ−アン)
−7セン、9.9−ビス(4−アミノフェニル)フルオ
レン、4.41−メチレン−ビス(2−クロロアニリン
)、2.2”、5.5”−テトラクロロ−4,4Iシア
ごノビフェニル、2,21−ジクロロ−4゜41−ジア
ミノ−5,51−ジメトキシビフェニル、3.31−ジ
メトキシ−4,4′−ジアミノビフェニルなどの芳香族
シアξン;ジアミノテトラフヱニルチオフェンなどのへ
テロ原子を有する芳香族シアミン;1.1’−メタキシ
リレンシアξン、1.3−プロパンジアミン、テトラメ
チレンシア逅ン、ペンタメチレンシアミン、ヘキサメチ
レンシアミン、ヘプタメチレンシアミン、オクタメチレ
ンジア逅ン、ノナメチレンジアミン、4゜49−ジメチ
ルへブタメチレンジアミン、1. 4−ジアミノシクロ
ヘキサン、イソホロンシア稟ン、テトラヒドロジシクロ
ペンタジエニレンジアくン、ヘキサヒドロ−4,7−メ
タノインダニレンシメチレンジアミン、トリシクロ(6
,2,1,0”・7〕−ウンデシレンジメチルジアごン
などの脂肪族または脂環式ジアミノ; (式中、Rはメチル基、エチル基、プロピル基すどのア
ルキル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基ま
たはフェニル基などのアリール基のような炭素数1〜1
2の炭化水素基を示し、pは1〜3、qは1〜20を示
す)などで表されるシアごノオルガノシロキサン等が挙
げられる。これらは単独でまたは2種以上を組合わせて
使用できる。
いられるジアミン化合物(A)には、0〜95モル%の
割合で他のシアくン化合物を併用することができる。該
ジアミン化合物として、パラフェニレンシアくン、メタ
フェニレンジアミン、4.4′−シアミノジフェニルメ
タン、4.4′−ジアミノジフェニルエタン、ベンジジ
ン、4゜41−シア逅ノジフェニルスルフィド、4.4
’−ジアミノジフェニルスルホン、4.4″−ジアミノ
ジフェニルエーテル、1.5−ジアミノナフタレン、3
.31−ジメチル−4,4°−ジアミノビフェニル、3
.4”−ジアミノベンズアニリド、3,41−ジアミノ
ジフェニルエーテル、3゜3”−ジアミノベンゾフェノ
ン、3.4’−ジアミノベンゾフェノン、4.4”−ジ
アミノベンゾフェノン、2.2−ビス(4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン
、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スル
ホン、1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン
、1.3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1
.3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、9.9
−ビス(4−アミノフェニル)−10−ヒドロ−アン)
−7セン、9.9−ビス(4−アミノフェニル)フルオ
レン、4.41−メチレン−ビス(2−クロロアニリン
)、2.2”、5.5”−テトラクロロ−4,4Iシア
ごノビフェニル、2,21−ジクロロ−4゜41−ジア
ミノ−5,51−ジメトキシビフェニル、3.31−ジ
メトキシ−4,4′−ジアミノビフェニルなどの芳香族
シアξン;ジアミノテトラフヱニルチオフェンなどのへ
テロ原子を有する芳香族シアミン;1.1’−メタキシ
リレンシアξン、1.3−プロパンジアミン、テトラメ
チレンシア逅ン、ペンタメチレンシアミン、ヘキサメチ
レンシアミン、ヘプタメチレンシアミン、オクタメチレ
ンジア逅ン、ノナメチレンジアミン、4゜49−ジメチ
ルへブタメチレンジアミン、1. 4−ジアミノシクロ
ヘキサン、イソホロンシア稟ン、テトラヒドロジシクロ
ペンタジエニレンジアくン、ヘキサヒドロ−4,7−メ
タノインダニレンシメチレンジアミン、トリシクロ(6
,2,1,0”・7〕−ウンデシレンジメチルジアごン
などの脂肪族または脂環式ジアミノ; (式中、Rはメチル基、エチル基、プロピル基すどのア
ルキル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基ま
たはフェニル基などのアリール基のような炭素数1〜1
2の炭化水素基を示し、pは1〜3、qは1〜20を示
す)などで表されるシアごノオルガノシロキサン等が挙
げられる。これらは単独でまたは2種以上を組合わせて
使用できる。
また特定重合体■の台底に用いる有機溶媒には、貧溶媒
であるアルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル
類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、例えばメチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、1.4−ブタンジオール、トリエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル
、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、ジエ
チルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エ
チレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール
−n−プロピルエーテル、エチレングリコール−1−プ
ロピルエーテル、エチレングリコール−n−ブチルエー
テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロ
ルメタン、1,2−ジクロルエタン、1、 4−’;ク
ロルブタン、トリクロルエタン、クロルベンセン、O−
ジクロルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどを、生成重合体を析出
させない程度に混合することができる。
であるアルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル
類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、例えばメチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、1.4−ブタンジオール、トリエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル
、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、ジエ
チルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エ
チレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール
−n−プロピルエーテル、エチレングリコール−1−プ
ロピルエーテル、エチレングリコール−n−ブチルエー
テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロ
ルメタン、1,2−ジクロルエタン、1、 4−’;ク
ロルブタン、トリクロルエタン、クロルベンセン、O−
ジクロルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレンなどを、生成重合体を析出
させない程度に混合することができる。
特定重合体Iおよび特定重合体■の固有粘度〔ηink
=(j! B η、。t ) /C,C=0.5 g
/di、30℃、N−メチル−2−ピロリドン中〕は、
通常、0.05〜10d1/g、好ましくは0.05〜
5di/gである。
=(j! B η、。t ) /C,C=0.5 g
/di、30℃、N−メチル−2−ピロリドン中〕は、
通常、0.05〜10d1/g、好ましくは0.05〜
5di/gである。
前記のように、特定重合体Iに前記アルキル化剤を反応
させることにより一般式(1)中のR3、R5およびR
1を導入することができ、重合体Iを得ることができる
。また特定重合体■にアルキル化剤を反応させることに
より一般式(n)中のR13を導入することができ、重
合体■を得ることができる。
させることにより一般式(1)中のR3、R5およびR
1を導入することができ、重合体Iを得ることができる
。また特定重合体■にアルキル化剤を反応させることに
より一般式(n)中のR13を導入することができ、重
合体■を得ることができる。
アルキル化剤の使用割合は、特定重合体Iまたは特定重
合体■中のカルボキシル基に対して通常0.1モル%以
上、好ましくは1〜100モル%である。このアルキル
化剤の使用割合によって液晶配向剤に要求される液晶の
プレチルト角を調節することができる。
合体■中のカルボキシル基に対して通常0.1モル%以
上、好ましくは1〜100モル%である。このアルキル
化剤の使用割合によって液晶配向剤に要求される液晶の
プレチルト角を調節することができる。
アルキル化剤としては、前記のようにエポキシ化合物、
イソシアネート化合物、アミン化合物およびアルコール
化合物から選ばれる少なくとも1種を用いることができ
る。
イソシアネート化合物、アミン化合物およびアルコール
化合物から選ばれる少なくとも1種を用いることができ
る。
エポキシ化合物としては、1,2−エポキシプロパン、
1,2−エポキシブタン、1.2−エポキシベンクン、
工、2−エポキシヘキサン、1゜2−エポキシへブタン
、1,2−エポキシオクタン、1,2−エポキシノナン
、1,2−エポキシデカン、1.2−エポキシウンデカ
ン、1.2−エポキシドデカン、1.2−エポキシトリ
デカン、1.2−エポキシテトラデカン、1.2−エポ
キシペンタデカン、1.2−エポキシヘキサデカン、1
.2−エポキシオクタデカン、1.2−エポキシエイコ
サン、1.2−エポキシヘンエイコサン、1.2−エポ
キシドコサン、1.2−エポキシトリコサン、l、2−
エポキシシクロヘキサン、7゜8−エポキシ−2−メチ
ルオクタデカンなどが挙げられ、これらのうち炭素数8
以上のアルキル基を含有するエポキシ化合物が好ましい
。
1,2−エポキシブタン、1.2−エポキシベンクン、
工、2−エポキシヘキサン、1゜2−エポキシへブタン
、1,2−エポキシオクタン、1,2−エポキシノナン
、1,2−エポキシデカン、1.2−エポキシウンデカ
ン、1.2−エポキシドデカン、1.2−エポキシトリ
デカン、1.2−エポキシテトラデカン、1.2−エポ
キシペンタデカン、1.2−エポキシヘキサデカン、1
.2−エポキシオクタデカン、1.2−エポキシエイコ
サン、1.2−エポキシヘンエイコサン、1.2−エポ
キシドコサン、1.2−エポキシトリコサン、l、2−
エポキシシクロヘキサン、7゜8−エポキシ−2−メチ
ルオクタデカンなどが挙げられ、これらのうち炭素数8
以上のアルキル基を含有するエポキシ化合物が好ましい
。
イソシアネート化合物としては、n−プロピルイソシア
ネート、n−ブチルイソシアネート、n−ペンチルイソ
シアネート、n−ヘキシルイソシアネート、n−へブチ
ルイソシアネート、n−オクタデルイソシアネート、n
−ノニルイソシアネート、n−デシルイソシアネート、
n−ウンデシルイソシアネート、n−ドデシルイソシア
ネート、n−)リゾシルイソシアネート、n−テトラデ
シルイソシアネート、n−ペンタデシルイソシアネート
、n−ヘキサデシルイソシアネート、n−オクタデシル
イソシアネート、n−エイコシルイソシアネート、n−
ヘンエイコシルイソシアネート、n−トコシルイソシア
ネート、n−トコシルイソシアネート、n−シクロヘキ
シルイソシアネートなどが挙げられ、これらのうち炭素
数7以上のアルキル基を有するイソシアネート化合物が
好ましい。
ネート、n−ブチルイソシアネート、n−ペンチルイソ
シアネート、n−ヘキシルイソシアネート、n−へブチ
ルイソシアネート、n−オクタデルイソシアネート、n
−ノニルイソシアネート、n−デシルイソシアネート、
n−ウンデシルイソシアネート、n−ドデシルイソシア
ネート、n−)リゾシルイソシアネート、n−テトラデ
シルイソシアネート、n−ペンタデシルイソシアネート
、n−ヘキサデシルイソシアネート、n−オクタデシル
イソシアネート、n−エイコシルイソシアネート、n−
ヘンエイコシルイソシアネート、n−トコシルイソシア
ネート、n−トコシルイソシアネート、n−シクロヘキ
シルイソシアネートなどが挙げられ、これらのうち炭素
数7以上のアルキル基を有するイソシアネート化合物が
好ましい。
アミン化合物としては、n−プロピルアミン、n−ブチ
ルアミン、n−ペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、
n−へブチルアミン、n−オクチルアミノ、n−ノニル
アミンn−デシルアくン、n−ウンデシルアミン、n−
ドデシルアミン、n−トリデシルアミン、n−テトラデ
シルアミン、n−ペンタデシルアミン、n−ヘキサデシ
ルアミン、n−オクタデシルアミン、n−エイコシルア
ミン、n−ヘンエイコシルアミン、n−トコジルアミン
、n−トコジルアミン、n−シクロヘキシルアミンなど
が挙げられ、これらのうち炭素数6以上のアルキル基を
有するアミン化合物が好ましい。
ルアミン、n−ペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、
n−へブチルアミン、n−オクチルアミノ、n−ノニル
アミンn−デシルアくン、n−ウンデシルアミン、n−
ドデシルアミン、n−トリデシルアミン、n−テトラデ
シルアミン、n−ペンタデシルアミン、n−ヘキサデシ
ルアミン、n−オクタデシルアミン、n−エイコシルア
ミン、n−ヘンエイコシルアミン、n−トコジルアミン
、n−トコジルアミン、n−シクロヘキシルアミンなど
が挙げられ、これらのうち炭素数6以上のアルキル基を
有するアミン化合物が好ましい。
アルコール化合物としては、n−プロピルアルコール、
n−ブチルアルコール、n−ペンチルアルコール、n−
ヘキシルアルコール、n−へブチルアルコール、n−オ
クチルアルコール、n−ノニルアルコール、n−デシル
アルコール、n−ウンデシルアルコール、n−ドデシル
アルコール、n−トリデシルアルコール、n−テトラデ
シルアルコール、n−ペンタデシルアルコール、n−ヘ
キサデシルアルコール、n−オクタデシルアルコール、
n−エイコシルアルコール、n−ヘンエイコシルアルコ
ール、n−トコシルアルコール、n−トコシルアルコー
ル、n−シクロヘキシルアルコール、2−ドデシルアル
コールなどが挙げられ、これらのうち炭素数6以上のア
ルキル基を有するアルコール化合物が好ましい。
n−ブチルアルコール、n−ペンチルアルコール、n−
ヘキシルアルコール、n−へブチルアルコール、n−オ
クチルアルコール、n−ノニルアルコール、n−デシル
アルコール、n−ウンデシルアルコール、n−ドデシル
アルコール、n−トリデシルアルコール、n−テトラデ
シルアルコール、n−ペンタデシルアルコール、n−ヘ
キサデシルアルコール、n−オクタデシルアルコール、
n−エイコシルアルコール、n−ヘンエイコシルアルコ
ール、n−トコシルアルコール、n−トコシルアルコー
ル、n−シクロヘキシルアルコール、2−ドデシルアル
コールなどが挙げられ、これらのうち炭素数6以上のア
ルキル基を有するアルコール化合物が好ましい。
本発明の液晶配向剤は、一般式(I)で表される構造単
位および/または一般式(II)で表される構造単位を
有する重合体を含有するが、これらの重合体の他に基板
との接着性を改善する目的で、官能性シラン含有化合物
またはチタネートを含有することができる。
位および/または一般式(II)で表される構造単位を
有する重合体を含有するが、これらの重合体の他に基板
との接着性を改善する目的で、官能性シラン含有化合物
またはチタネートを含有することができる。
官能性シラン含有化合物としては、3−アミノプロピル
トリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノ
エチル)−3−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、
N−(2−アミノエチル)−3−アミノ−プロピルトリ
エトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミ
ノ−プロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイド−
プロピルトリメトキシシラン、3−ウレイド−プロピル
トリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−ア
ごノルプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカル
ボニル−3−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N
−トリメトキシシリルプロピル−トリエチレントリアミ
ン、N−トリエトキシシリルプロピル−トリエチレント
リアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−ド
リアザブカン、10−1−リエトキシシリル1.4.7
−ドリアザブカン、9−トリメトキシシリル−3,6−
ジアザツニルアセテート、9−ドリエトキシシリル−3
,6−ジアザツニルアセテート、N−ベンジル−3−ア
ミノ−プロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3
−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N−フェニル
−3−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、N−フェ
ニル−3−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N−
ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロビルトリメト
キシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノ
−プロピルトリエトキシシランなどが挙げられ、これら
は単独でまたは2種以上併用することができる。
トリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノ
エチル)−3−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、
N−(2−アミノエチル)−3−アミノ−プロピルトリ
エトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミ
ノ−プロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイド−
プロピルトリメトキシシラン、3−ウレイド−プロピル
トリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−ア
ごノルプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカル
ボニル−3−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N
−トリメトキシシリルプロピル−トリエチレントリアミ
ン、N−トリエトキシシリルプロピル−トリエチレント
リアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−ド
リアザブカン、10−1−リエトキシシリル1.4.7
−ドリアザブカン、9−トリメトキシシリル−3,6−
ジアザツニルアセテート、9−ドリエトキシシリル−3
,6−ジアザツニルアセテート、N−ベンジル−3−ア
ミノ−プロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3
−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N−フェニル
−3−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、N−フェ
ニル−3−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、N−
ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロビルトリメト
キシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノ
−プロピルトリエトキシシランなどが挙げられ、これら
は単独でまたは2種以上併用することができる。
上記チタネートとしては、
(R”O)T i (QC−R”)3、1
(R”O) T i (OR”)!、(R”O) T
1(OXR”)s等で示されるモノアルキルチタネー
ト〔式中、R1?は炭素数1〜4のアルキル基、R目は
ビニル基、α−アルキル置換ビニル基、炭素数が6以上
のアルキル基、アラルキル基、アリル基またはその誘導
体、R19は炭素数が6以上のアルキル基、アラルキル
基、アリール基またはそまたは(R”O)−T 1(O
R”)a−で示されるジまたはトリアルキルチタネート
〔式中、nは2または3、Rzoはアルキル基、特に炭
素数1〜4のアルキル基、またアルコキシ基(R”O−
)は、該(RlIQ )基とチタンの結合に比べて加
水分解され難いものであり、R1は、トリエタノールア
ミン残基、アシル基、アシロイル基、アクリロイル基、
メタクリロイル基、アルキルベンゼンスルフォニル基、
炭素数が6以上、好ましくは10以上のアルキル基また
はこれらの誘導体を示し、互いに同一でも異なっていて
もよい〕が挙げられる。
1(OXR”)s等で示されるモノアルキルチタネー
ト〔式中、R1?は炭素数1〜4のアルキル基、R目は
ビニル基、α−アルキル置換ビニル基、炭素数が6以上
のアルキル基、アラルキル基、アリル基またはその誘導
体、R19は炭素数が6以上のアルキル基、アラルキル
基、アリール基またはそまたは(R”O)−T 1(O
R”)a−で示されるジまたはトリアルキルチタネート
〔式中、nは2または3、Rzoはアルキル基、特に炭
素数1〜4のアルキル基、またアルコキシ基(R”O−
)は、該(RlIQ )基とチタンの結合に比べて加
水分解され難いものであり、R1は、トリエタノールア
ミン残基、アシル基、アシロイル基、アクリロイル基、
メタクリロイル基、アルキルベンゼンスルフォニル基、
炭素数が6以上、好ましくは10以上のアルキル基また
はこれらの誘導体を示し、互いに同一でも異なっていて
もよい〕が挙げられる。
上記モノアルキルチタネートとして、例えばイソプロピ
ルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ
ラウリルチタネート、イソプロピルトリミリスチルチタ
ネート、イソプロビルジメタクリロイルイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリ(ドデシルベンゼンス
ルフォニル)チタネート、イソプロピルイソステアロイ
ルジアクリロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジイ
ソオクチルフォスファイト)チタネート、イソプロピル
トリメタクリロイルチタネート、イソプロピルトリ (
ジオクチルピロフォスファイト)チタネート、イソプロ
ピルトリアクロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジ
オクチルフォスファイト)チタネート、ブチルトリイソ
ステアロイルチタネート、エチルトリイソステアロイル
チタネートなどが挙げられる。また上記ジまたはトリア
ルキルチタネートとして、例えばビス(トリエタノール
アミン)ジイソプロピルチタネート、ビス(トリエタノ
ールアミン)ジブチルチタネート、ビス(トリエタノー
ルアミン)ジエチルチタネート、ビス(トリエタノール
アミン)ジメチルチタネート、ジイソプロピルジラウリ
ルチタネート、ジイソプロピルラウリルミリスチルチタ
ネート、ジイソプロピルジステアロイルチタネート、ジ
イソプロピルステアロイルメタクリロイルチタネート、
ジイソプロピルジアクリロイルチタネート、ジイソプロ
ピルジドデシルベンゼンスルフォニルチタネート、ジイ
ソプロピルイソステアロイル−4−アミノベンゾイルチ
タネート、トリイソプロピルアクリロイルチタネート、
トリエチルメタクリロイルチタネート、トリイソプロピ
ルミリスチルチタネート、トリブチルドデシルベンゼン
スルフォニルチタネート、トリイソプロピルステアロイ
ルチタネート、トリイソプロピルイソステアロイルチタ
ネートなどが挙げることができる。これらのチタネート
は単独でまたは2種以上併用することができる。
ルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ
ラウリルチタネート、イソプロピルトリミリスチルチタ
ネート、イソプロビルジメタクリロイルイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリ(ドデシルベンゼンス
ルフォニル)チタネート、イソプロピルイソステアロイ
ルジアクリロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジイ
ソオクチルフォスファイト)チタネート、イソプロピル
トリメタクリロイルチタネート、イソプロピルトリ (
ジオクチルピロフォスファイト)チタネート、イソプロ
ピルトリアクロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジ
オクチルフォスファイト)チタネート、ブチルトリイソ
ステアロイルチタネート、エチルトリイソステアロイル
チタネートなどが挙げられる。また上記ジまたはトリア
ルキルチタネートとして、例えばビス(トリエタノール
アミン)ジイソプロピルチタネート、ビス(トリエタノ
ールアミン)ジブチルチタネート、ビス(トリエタノー
ルアミン)ジエチルチタネート、ビス(トリエタノール
アミン)ジメチルチタネート、ジイソプロピルジラウリ
ルチタネート、ジイソプロピルラウリルミリスチルチタ
ネート、ジイソプロピルジステアロイルチタネート、ジ
イソプロピルステアロイルメタクリロイルチタネート、
ジイソプロピルジアクリロイルチタネート、ジイソプロ
ピルジドデシルベンゼンスルフォニルチタネート、ジイ
ソプロピルイソステアロイル−4−アミノベンゾイルチ
タネート、トリイソプロピルアクリロイルチタネート、
トリエチルメタクリロイルチタネート、トリイソプロピ
ルミリスチルチタネート、トリブチルドデシルベンゼン
スルフォニルチタネート、トリイソプロピルステアロイ
ルチタネート、トリイソプロピルイソステアロイルチタ
ネートなどが挙げることができる。これらのチタネート
は単独でまたは2種以上併用することができる。
上記官能性シラン含有化合物またはチタネートを、本発
明の液晶配向剤を塗布する前に基板上に前処理すること
によっても基板と液晶配向剤で形成された薄膜との接着
性を高めることができる。
明の液晶配向剤を塗布する前に基板上に前処理すること
によっても基板と液晶配向剤で形成された薄膜との接着
性を高めることができる。
本発明の液晶配向剤を用いて得られる液晶表示素子は、
例えば次の方法によって製造することができる。
例えば次の方法によって製造することができる。
まず透明導電膜が設けられた基板の透明導電膜側に、本
発明の液晶配向剤をロールコータ−法、スピンナー法、
印刷法などで塗布し、80〜200°C1好ましくは1
20〜200°Cの温度で加熱して塗膜を形成させる。
発明の液晶配向剤をロールコータ−法、スピンナー法、
印刷法などで塗布し、80〜200°C1好ましくは1
20〜200°Cの温度で加熱して塗膜を形成させる。
この塗膜の膜厚は、通常、0.001〜1μm、好まし
くは0.005〜0.5μmである。
くは0.005〜0.5μmである。
Claims (1)
- (1)下記一般式( I )で表される構造単位および/
または一般式(II)で表される構造単位を有する重合体
を含有することを特徴とする液晶配向剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は3価または4価の有機基、R^2は4
価の有機基、R^3はアルキル基、R^5およびR^8
は水素原子、水酸基またはアルキル基、R^4、R^6
およびR^7は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 および−O−から選ばれる有機基(ここでR^9および
R^1^0は水素原子またはアルキル基を示す)、aは
1または2、b、cおよびdは0または1を意味する。 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^1^1は3価または4価の有機基、R^1
^2は4価の有機基、R^1^3はアルキル基、R^1
^4は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、 および−O−から選ばれる有機基(ここでR^1^5お
よびR^1^6は水素原子またはアルキル基を示す)、
eは1または2、fは0または1を意味する。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6200790A JPH03261915A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 液晶配向剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6200790A JPH03261915A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 液晶配向剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03261915A true JPH03261915A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13187670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6200790A Pending JPH03261915A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 液晶配向剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03261915A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0984315A1 (en) * | 1998-03-19 | 2000-03-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Liquid crystal-aligning agent |
WO2009093709A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
WO2009093711A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向剤、及び液晶表示素子 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6200790A patent/JPH03261915A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0984315A1 (en) * | 1998-03-19 | 2000-03-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Liquid crystal-aligning agent |
US6235867B1 (en) | 1998-03-19 | 2001-05-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Aligning agents for liquid crystal |
EP0984315A4 (en) * | 1998-03-19 | 2004-03-10 | Sumitomo Bakelite Co | ALIGNMENT AGENTS FOR LIQUID CRYSTALS |
WO2009093709A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
WO2009093711A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 液晶配向剤、及び液晶表示素子 |
KR20100103550A (ko) * | 2008-01-25 | 2010-09-27 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 액정 배향제, 및 액정 표시 소자 |
JP5177150B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2013-04-03 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
JP5651953B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2015-01-14 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、及び液晶表示素子 |
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