JPH03256377A - 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 - Google Patents
積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03256377A JPH03256377A JP2052842A JP5284290A JPH03256377A JP H03256377 A JPH03256377 A JP H03256377A JP 2052842 A JP2052842 A JP 2052842A JP 5284290 A JP5284290 A JP 5284290A JP H03256377 A JPH03256377 A JP H03256377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- piezoelectric actuator
- actuator element
- laminated piezoelectric
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 abstract description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はサブミクロンオーダーの超精密位置決め、高速
位置決めに使用される積層型圧電アクチュエータ素子及
びその製造方法に関する。
位置決めに使用される積層型圧電アクチュエータ素子及
びその製造方法に関する。
［従来の技術］
圧電アクチュエータ素子は第６図（Ａ）及び（Ｂ）に示
されるような構造になっている。すなわち、変位を取り
出す方向（以下、変位方向と記載する）以外の西側面を
外装樹脂で被覆し、変位方向の両端面はサブミクロンの
変位を取り出すためのにセラミックスが露出したセラミ
ックス露出部を有する構造となっている。一般に、その
セラミックスは素子内で変位する圧電セラミックスと同
一組成である。
されるような構造になっている。すなわち、変位を取り
出す方向（以下、変位方向と記載する）以外の西側面を
外装樹脂で被覆し、変位方向の両端面はサブミクロンの
変位を取り出すためのにセラミックスが露出したセラミ
ックス露出部を有する構造となっている。一般に、その
セラミックスは素子内で変位する圧電セラミックスと同
一組成である。
積層型圧電アクチュエータ素子とほぼ同じ内部構造をも
つ積層セラミックス電子部品であるセラミックス積層コ
ンデンサーが粉体塗装法により素子全体をエポキシ樹脂
などの防湿性の樹脂でＩＩＩＩＩ厚程度の肉厚に被覆す
ることにより十分な耐湿性をもっているのに対して、積
層型圧電アクチュエータ素子は変位方向以外の四側面の
みを樹脂で外装し、その両端にセラミックスを露出した
構造のため著しく耐湿性が悪いという欠点がある。
つ積層セラミックス電子部品であるセラミックス積層コ
ンデンサーが粉体塗装法により素子全体をエポキシ樹脂
などの防湿性の樹脂でＩＩＩＩＩ厚程度の肉厚に被覆す
ることにより十分な耐湿性をもっているのに対して、積
層型圧電アクチュエータ素子は変位方向以外の四側面の
みを樹脂で外装し、その両端にセラミックスを露出した
構造のため著しく耐湿性が悪いという欠点がある。
これはセラミックス露出部のセラミックスが充分に緻密
でないため、それを通して水分が進入することに原因が
ある。また、全体を樹脂で被覆していないために、上下
面のセラミックスと外装樹脂との密着が悪く、その隙間
から水分が進入するためである。しかしながら、変位方
向の露出したセラミックスはサブミクロンの変位を取り
出すため、また、積層型圧電アクチュエータ素子は変位
方向の寸法精度が必要なため柔らかい樹脂を外装被覆す
ることができない。
でないため、それを通して水分が進入することに原因が
ある。また、全体を樹脂で被覆していないために、上下
面のセラミックスと外装樹脂との密着が悪く、その隙間
から水分が進入するためである。しかしながら、変位方
向の露出したセラミックスはサブミクロンの変位を取り
出すため、また、積層型圧電アクチュエータ素子は変位
方向の寸法精度が必要なため柔らかい樹脂を外装被覆す
ることができない。
［発明が解決しようとする課題］
従って、本発明は積層型圧電アクチュエータ素子のサブ
ミクロンの変位を取り出す際に、障害になることなく、
また、変位方向の寸法精度を損なうことなく、素子の耐
湿性を改善することを目的とする。
ミクロンの変位を取り出す際に、障害になることなく、
また、変位方向の寸法精度を損なうことなく、素子の耐
湿性を改善することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
すなわち、本発明は積層型圧電アクチュエータ素子にお
いて、該素子の樹脂で外装されていない変位方向の露出
したセラミックスが薄膜形成法により形成された有機樹
脂または無機物質の被膜を有することを特徴とする積層
型圧電アクチュエータ素子に係る。
いて、該素子の樹脂で外装されていない変位方向の露出
したセラミックスが薄膜形成法により形成された有機樹
脂または無機物質の被膜を有することを特徴とする積層
型圧電アクチュエータ素子に係る。
更に、本発明は積層型圧電アクチュエータ素子の製造方
法において、該素子の樹脂で外装されていない変位方向
の露出したセラミックスに薄膜形成法により有機物質ま
たは無機物質の被膜を形成することを特徴とする積層型
圧電アクチュエータ素子の製造方法に係る。
法において、該素子の樹脂で外装されていない変位方向
の露出したセラミックスに薄膜形成法により有機物質ま
たは無機物質の被膜を形成することを特徴とする積層型
圧電アクチュエータ素子の製造方法に係る。
［作 用］
本発明は積層型アクチュエータ素子をエポキシ樹脂など
の外装材で両端のセラミックスを除いて被覆する前に、
有機物質例えばテフロン樹脂、シリコン樹脂、エポキシ
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等または無機物質例
えば酸化アルミニウム、酸化珪素等を積層型圧電アクチ
ュエータ素子の変位方向の両端面に薄膜形成法例えばス
パッタリングにより被膜を形成させることによって、積
層型圧電アクチュエータ素子のサブミクロンの変位を取
り出す際に障害になることなく、また、変位方向の寸法
精度を損なうことなく、素子の耐湿性を改善するもので
ある。
の外装材で両端のセラミックスを除いて被覆する前に、
有機物質例えばテフロン樹脂、シリコン樹脂、エポキシ
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等または無機物質例
えば酸化アルミニウム、酸化珪素等を積層型圧電アクチ
ュエータ素子の変位方向の両端面に薄膜形成法例えばス
パッタリングにより被膜を形成させることによって、積
層型圧電アクチュエータ素子のサブミクロンの変位を取
り出す際に障害になることなく、また、変位方向の寸法
精度を損なうことなく、素子の耐湿性を改善するもので
ある。
特に、本発明は小型の積層型圧電アクチュエータ素子を
作成することができる積層型圧電アクチュエータが内部
電極とセラミックス誘電体グリーンシートを一体焼結し
てなる積層型圧電アクチュエータ素子に有効である。
作成することができる積層型圧電アクチュエータが内部
電極とセラミックス誘電体グリーンシートを一体焼結し
てなる積層型圧電アクチュエータ素子に有効である。
［実 施 例］
以下、図を使用して本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
まず、一体焼戒可能な積層型圧電アクチュエータ用材料
として好適であるＰ ｂ（Ｚ ｒ、Ｔ ｉ）Ｏａに第３
威分として複合ペロブスカイト化合物を加え、ストロン
チウムで変性したセラミックス粉体をサンドミルで粉砕
し１ミクロン以下の粒径にする。
として好適であるＰ ｂ（Ｚ ｒ、Ｔ ｉ）Ｏａに第３
威分として複合ペロブスカイト化合物を加え、ストロン
チウムで変性したセラミックス粉体をサンドミルで粉砕
し１ミクロン以下の粒径にする。
得られた粉末にバインダー、分散剤、活性剤、消泡剤を
加え、真空脱泡したのちドクターブレード法を用いてグ
リーンシートを作製する。得られたグリーンシートの厚
みは５５ミクロンであった。
加え、真空脱泡したのちドクターブレード法を用いてグ
リーンシートを作製する。得られたグリーンシートの厚
みは５５ミクロンであった。
次に、このシート上にスクリーン印刷法を用いて内部電
極層（白金）を印刷した。その後、７×１４ｍｍの大き
さに切断後、内部電極の印刷していないグリーンシート
を３０枚、内部電極の印刷しであるグリーンシートを７
０枚、更に、内部電極の印刷していないグリーンシート
を３０枚積層し、加熱圧着し、脱脂し、１２００℃で焼
成して第１図に示すような積層焼結体を得た。このとき
積層体の内部電極間隔は３５ミクロンであり、内部電極
の厚みは５ミクロンであった。
極層（白金）を印刷した。その後、７×１４ｍｍの大き
さに切断後、内部電極の印刷していないグリーンシート
を３０枚、内部電極の印刷しであるグリーンシートを７
０枚、更に、内部電極の印刷していないグリーンシート
を３０枚積層し、加熱圧着し、脱脂し、１２００℃で焼
成して第１図に示すような積層焼結体を得た。このとき
積層体の内部電極間隔は３５ミクロンであり、内部電極
の厚みは５ミクロンであった。
この焼結体の上下面すなわち積層型圧電アクチュエータ
素子の変位方向に当たる面を研磨したのち、薄膜形成法
により有機樹脂の被膜を形成する。
素子の変位方向に当たる面を研磨したのち、薄膜形成法
により有機樹脂の被膜を形成する。
本実施例では、プレーナーマグネトロンタイプのＲＦの
スパッタリング装置を使用し、テフロン樹脂をターゲッ
トとし、Ａｒ雰囲気中（０，５Ｐａ）、１００Ｗでスパ
ッタリングを行った。このとき、テフロン樹脂の成膜速
度は１ミクロン／時間で、１０時間スパッタリングを行
い、１０ミクロンの膜厚を得た（第２図）。
スパッタリング装置を使用し、テフロン樹脂をターゲッ
トとし、Ａｒ雰囲気中（０，５Ｐａ）、１００Ｗでスパ
ッタリングを行った。このとき、テフロン樹脂の成膜速
度は１ミクロン／時間で、１０時間スパッタリングを行
い、１０ミクロンの膜厚を得た（第２図）。
次に、この焼結体の西側面を軽く研磨し、内部電極層を
露出させた後、内部電極層を除去し、得られた溝部に絶
縁樹脂を含浸し、硬化させて絶縁体層を形威し、軽く研
磨して切断後（第３図）、外部電極を形成しく第４図）
、シリコン樹脂で外装して縦３１１Ｉ１１×横３輪醜×
高さ５１の積層型圧電アクチュエータ素子を得た（第５
図）。
露出させた後、内部電極層を除去し、得られた溝部に絶
縁樹脂を含浸し、硬化させて絶縁体層を形威し、軽く研
磨して切断後（第３図）、外部電極を形成しく第４図）
、シリコン樹脂で外装して縦３１１Ｉ１１×横３輪醜×
高さ５１の積層型圧電アクチュエータ素子を得た（第５
図）。
このようにして作製された圧電アクチュエータ素子の絶
縁抵抗を調べたところ７０Ｖで１００ＭΩ以上であり、
充分に絶縁されていること、また、変位を測定したとこ
ろ７０Ｖで４ミクロン変位し、充分変位することが分か
った。
縁抵抗を調べたところ７０Ｖで１００ＭΩ以上であり、
充分に絶縁されていること、また、変位を測定したとこ
ろ７０Ｖで４ミクロン変位し、充分変位することが分か
った。
更に、耐湿試験として、この素子を４０℃、相対湿度９
０％の雰囲気に２４時間放置後、絶縁抵抗を調べたとこ
ろ、７０Ｖで１００ＭΩ以上あり、充分耐湿性があるこ
とが判明した。これに対してフェノール樹脂を含浸して
いない素子は絶縁抵抗が数Ωまで低下しており、圧電ア
クチュエータ素子としての機能を果たさない。
０％の雰囲気に２４時間放置後、絶縁抵抗を調べたとこ
ろ、７０Ｖで１００ＭΩ以上あり、充分耐湿性があるこ
とが判明した。これに対してフェノール樹脂を含浸して
いない素子は絶縁抵抗が数Ωまで低下しており、圧電ア
クチュエータ素子としての機能を果たさない。
実施例２
実施例１と同様の操作により得られた第１図に示すよう
な焼結体の上下面すなわち積層型圧電アクチュエータ素
子の変位方向に当たる面を実施例１と同様に研磨したの
ち、薄膜形成法により無機樹脂の被膜を形成する。本実
施例では、プレーナーマグネトロンタイプＲＦスパッタ
リング装置を使用し、アルミナをターゲットとし、Ａ
ｒ ／ ０２（０□分圧１．１％）雰囲気中（０，３Ｐ
ａ）、４００Ｗでスパッタリングを行った。このとき、
アルミナの成膜速度は１ミクロン／時間で、１０時間ス
パッタリングを行い、１０ミクロンの膜厚を得た（第２
図）、また、別の積層焼結体に同じ条件でシリカをター
ゲットとしたスパッタリングを行い、成膜速度１ミクロ
ン／１５分で１５０分スパッタリングを行い１０ミクロ
ンの膜厚を得た。
な焼結体の上下面すなわち積層型圧電アクチュエータ素
子の変位方向に当たる面を実施例１と同様に研磨したの
ち、薄膜形成法により無機樹脂の被膜を形成する。本実
施例では、プレーナーマグネトロンタイプＲＦスパッタ
リング装置を使用し、アルミナをターゲットとし、Ａ
ｒ ／ ０２（０□分圧１．１％）雰囲気中（０，３Ｐ
ａ）、４００Ｗでスパッタリングを行った。このとき、
アルミナの成膜速度は１ミクロン／時間で、１０時間ス
パッタリングを行い、１０ミクロンの膜厚を得た（第２
図）、また、別の積層焼結体に同じ条件でシリカをター
ゲットとしたスパッタリングを行い、成膜速度１ミクロ
ン／１５分で１５０分スパッタリングを行い１０ミクロ
ンの膜厚を得た。
以下、実施例１と同様の操作により第５億に示すような
アルミナ被膜またはシリカ被膜を有する縦３論−×横３
ｍｓ＋Ｘ高さ５■の積層型圧電アクチュエータ素子を得
た。
アルミナ被膜またはシリカ被膜を有する縦３論−×横３
ｍｓ＋Ｘ高さ５■の積層型圧電アクチュエータ素子を得
た。
このようにして作製された積層型圧電アクチュエータ素
子の絶縁抵抗を調べたところそれぞれ７０Ｖで１００Ｍ
Ω以上あり、充分に絶縁されていること、また、変位を
測定したところ７０Ｖで４ミクロン変位し、充分変位す
ることが分かった。
子の絶縁抵抗を調べたところそれぞれ７０Ｖで１００Ｍ
Ω以上あり、充分に絶縁されていること、また、変位を
測定したところ７０Ｖで４ミクロン変位し、充分変位す
ることが分かった。
更に、耐湿試験として、これらの素子を４０℃、相対湿
度９０％の雰囲気に２４時間放置後、絶縁抵抗を調べた
ところ、７０Ｖで１００ＭΩ以上あり、充分耐湿性があ
ることが判明した。
度９０％の雰囲気に２４時間放置後、絶縁抵抗を調べた
ところ、７０Ｖで１００ＭΩ以上あり、充分耐湿性があ
ることが判明した。
これに対して、上下面にセラミックスの露出している素
子は、絶縁抵抗が数Ωまで低下しており、圧電アクチュ
エータ素子としての機能を果たさない。
子は、絶縁抵抗が数Ωまで低下しており、圧電アクチュ
エータ素子としての機能を果たさない。
なお、上述の実施例においては、
Ｐ ｂ（Ｚ ｒ、Ｔ ｉ）Ｏｓに第３戒分として複合へ
ロブスカイト化合物を加え、ストロンチウムで変性した
セラミックス粉体を使用した積層型圧電アクチュエータ
素子について説明したが、材質はこれに限定されるもの
ではないことを理解されたい。
ロブスカイト化合物を加え、ストロンチウムで変性した
セラミックス粉体を使用した積層型圧電アクチュエータ
素子について説明したが、材質はこれに限定されるもの
ではないことを理解されたい。
また、本発明の積層型圧電アクチュエータ素子の樹脂被
膜は上述の実施例では１０ミクロンとしたが、通常５〜
３０ミクロン程度の厚さとすることができる。
膜は上述の実施例では１０ミクロンとしたが、通常５〜
３０ミクロン程度の厚さとすることができる。
［発明の効果］
変位に関係のない露出したセラミックス上下面にのみ薄
膜形成法により有機物質または無機物質の被膜を形成す
ることによって、寸法精度を損なうことのない素子を作
製することができる。
膜形成法により有機物質または無機物質の被膜を形成す
ることによって、寸法精度を損なうことのない素子を作
製することができる。
第１図は積層焼結体の模式図であり、第２図はフェノー
ル樹脂を含浸した後の積層焼結体の模式図であり、第３
図はフェノール樹脂を含浸した後の積層焼結体の切断部
分を破線で示した図であり、第４図は外部電極を形成し
、リード線を半田付けした素子の模式図であり、第５図
は外装被覆をした後の素子の模式図であり、第６図（Ａ
）及び（Ｂ）は従来品の圧電アクチュエータ素子の模式
図である。
ル樹脂を含浸した後の積層焼結体の模式図であり、第３
図はフェノール樹脂を含浸した後の積層焼結体の切断部
分を破線で示した図であり、第４図は外部電極を形成し
、リード線を半田付けした素子の模式図であり、第５図
は外装被覆をした後の素子の模式図であり、第６図（Ａ
）及び（Ｂ）は従来品の圧電アクチュエータ素子の模式
図である。
Claims (2)
- １．積層型圧電アクチュエータ素子において、該素子の
樹脂で外装されていない変位方向の露出したセラミック
スが薄膜形成法により形成された有機物質または無機物
質の被膜を有することを特徴とする積層型圧電アクチュ
エータ素子。 - ２．積層型圧電アクチュエータ素子の製造方法において
、該素子の樹脂で外装されていない変位方向の露出した
セラミックスに、薄膜形成法により有機物質または無機
物質の被膜を形成することを特徴とする積層型圧電アク
チュエータ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052842A JPH03256377A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052842A JPH03256377A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256377A true JPH03256377A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12926099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052842A Pending JPH03256377A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03256377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7358646B2 (en) * | 2001-12-10 | 2008-04-15 | Denso Corporation | Piezoelectric actuator |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP2052842A patent/JPH03256377A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7358646B2 (en) * | 2001-12-10 | 2008-04-15 | Denso Corporation | Piezoelectric actuator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2965602B2 (ja) | 積層型変位素子 | |
| KR20050055596A (ko) | 압전 자기 디바이스의 제조방법 | |
| JP3045531B2 (ja) | 積層型変位素子 | |
| JP3024763B2 (ja) | 積層型変位素子 | |
| JPH03256377A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 | |
| JP2901687B2 (ja) | 積層型圧電アクチュエータ素子及びその製造方法 | |
| JPH03283581A (ja) | 積層圧電アクチュエータ素子 | |
| JPH053349A (ja) | 積層型圧電アクチユエータおよびその製造方法 | |
| JP4067491B2 (ja) | 圧電／電歪デバイスの製造方法 | |
| JPH11186625A (ja) | 圧電素子 | |
| JP4211419B2 (ja) | 積層型圧電体素子 | |
| JPH08181032A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0387076A (ja) | 圧電アクチュエータ及びその製造方法 | |
| JPH03155180A (ja) | 積層型変位素子 | |
| JP2001168406A (ja) | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPS5827302A (ja) | 抵抗を含むチツプ形素子 | |
| JP2007096052A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP3245933B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JP3189419B2 (ja) | 抵抗体 | |
| US20050249928A1 (en) | Ceramic element comprising a homogenous ceramic layer, and method for the production of said ceramic element | |
| JPH01146379A (ja) | 電歪効果素子組立体 | |
| JPH10302928A (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPH06296049A (ja) | 積層型圧電電歪装置 | |
| JPH02220407A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH0414207A (ja) | 複合部品 |