JPH03238426A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH03238426A JPH03238426A JP3394190A JP3394190A JPH03238426A JP H03238426 A JPH03238426 A JP H03238426A JP 3394190 A JP3394190 A JP 3394190A JP 3394190 A JP3394190 A JP 3394190A JP H03238426 A JPH03238426 A JP H03238426A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
光非線形性をもつ光半導体装置の改良に関し、光非線形
性をもつ積層部分に電子・正孔の再結合を促進し得る構
成をもたせ、光半導体装置の動作を更に高速化すること
を目的とし、 広い禁制帯幅をもつ第一の物質からなり且つキャリヤが
トンネリングできる程度の厚さをもつバリヤ層、及び、
該バリヤ層に挟まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯
幅をもつ第二の物質からなり且つ二次元励起子が存在し
得る厚さをもつ第一のウェル層、及び、前記第二の物質
からなると共に前記第一のウェル層内に生成される電子
についての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い
電子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在
するよう厚くなされると共に不純物或いは空格子及び格
子間原子に依る点欠陥からなる再結合センタが選択的に
導入され且つ前記バリヤ層の外側に接して形成された第
二のウェル層の所要層数を積層してなる積層部分を備え
てなるよう構成する。
性をもつ積層部分に電子・正孔の再結合を促進し得る構
成をもたせ、光半導体装置の動作を更に高速化すること
を目的とし、 広い禁制帯幅をもつ第一の物質からなり且つキャリヤが
トンネリングできる程度の厚さをもつバリヤ層、及び、
該バリヤ層に挟まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯
幅をもつ第二の物質からなり且つ二次元励起子が存在し
得る厚さをもつ第一のウェル層、及び、前記第二の物質
からなると共に前記第一のウェル層内に生成される電子
についての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い
電子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在
するよう厚くなされると共に不純物或いは空格子及び格
子間原子に依る点欠陥からなる再結合センタが選択的に
導入され且つ前記バリヤ層の外側に接して形成された第
二のウェル層の所要層数を積層してなる積層部分を備え
てなるよう構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は、光非線形性をもつ光半導体装置の改良に関す
る。
る。
現在、光・光スイフチ、光双安定装置、光・光メモリな
どを実現させる為、光非線形性をもつ光半導体装置、即
ち、励起子や自由な電子・正札対が励起されると光の吸
収係数や屈折率が変化する性質をもつ光半導体装置が現
れているが、未だ多くの改良すべき点が存在する。
どを実現させる為、光非線形性をもつ光半導体装置、即
ち、励起子や自由な電子・正札対が励起されると光の吸
収係数や屈折率が変化する性質をもつ光半導体装置が現
れているが、未だ多くの改良すべき点が存在する。
〔従来の技術］
第２図は本発明者等が開発した光非線形性をもつ積層部
分を有する光半導体装置（要すれば、特願平１−１２６
２３９号を参照）を説明する為の要部切断側面図及びエ
ネルギ・ハンド・ダイヤグラムを表している。
分を有する光半導体装置（要すれば、特願平１−１２６
２３９号を参照）を説明する為の要部切断側面図及びエ
ネルギ・ハンド・ダイヤグラムを表している。
図に於いて、Ｗｌは第一のウェル層、Ｗ２は第二のウェ
ル層、ＰＢはバリヤ層、Ｅｅは伝導帯の底、Ｅｖは価電
子帯の頂、Ｅ、はフェルミ・レヘル、Ｅ９１は第一のウ
ェル層Ｗ１に於けるエネルギ・バンド・ギャップ、Ｅ９
□はバリヤ層ＰＢに於けるエネルギ・ハンド・ギャップ
、Ｅ９３は第二のウェル層Ｗ２に於けるエネルギ・バン
ド・ギャップ、Ｌｌ、Ｌ３．ＬＬ’、Ｌ３’は準位をそ
れぞれ示している。
ル層、ＰＢはバリヤ層、Ｅｅは伝導帯の底、Ｅｖは価電
子帯の頂、Ｅ、はフェルミ・レヘル、Ｅ９１は第一のウ
ェル層Ｗ１に於けるエネルギ・バンド・ギャップ、Ｅ９
□はバリヤ層ＰＢに於けるエネルギ・ハンド・ギャップ
、Ｅ９３は第二のウェル層Ｗ２に於けるエネルギ・バン
ド・ギャップ、Ｌｌ、Ｌ３．ＬＬ’、Ｌ３’は準位をそ
れぞれ示している。
ここで、第一のウェル層Ｗｌ或いは第二のウェル層Ｗ２
は、例えば、ＧａＡｓのようにエネルギ・バンド・ギャ
ップＥ ９１或いはＥ９．が狭い物質で構成し、そして
、バリヤ層ＰＢは、例えば、ＡｌＧａＡｓのようにエネ
ルギ・ハンド・ギャップＥ９□が広い物質で構成する。
は、例えば、ＧａＡｓのようにエネルギ・バンド・ギャ
ップＥ ９１或いはＥ９．が狭い物質で構成し、そして
、バリヤ層ＰＢは、例えば、ＡｌＧａＡｓのようにエネ
ルギ・ハンド・ギャップＥ９□が広い物質で構成する。
また、第一のウェル層Ｗ１の層厚は二次元励起子が存在
し得る程度になっていて、第二のウェル層Ｗ２のそれは
第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子について最低の
エネルギ量子準位と比較して更に低い電子についてのエ
ネルギ量子準位が少なくとも一つ存在し得る程度になっ
ている。更にまた、バリヤ層ＰＢの層厚は第一のウェル
層Ｗｌから第二のウェル層Ｗ２へ電子がトンネリングで
きる程度になっている。
し得る程度になっていて、第二のウェル層Ｗ２のそれは
第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子について最低の
エネルギ量子準位と比較して更に低い電子についてのエ
ネルギ量子準位が少なくとも一つ存在し得る程度になっ
ている。更にまた、バリヤ層ＰＢの層厚は第一のウェル
層Ｗｌから第二のウェル層Ｗ２へ電子がトンネリングで
きる程度になっている。
前記したところから明らかなように、図示の光半導体装
置に於ける積層部分は、第一のウェル層Ｗｌをバリヤ層
ＰＢで挟んだ単一量子井戸（ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎ
ｔｕｍ ｗｅｌｌ：５ＱＷ）を第一のウェル層Ｗｌに
比較して厚い第二のウェル層Ｗ２を介して積層した多重
量子井戸（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ
：ＭＱＷ）で構成されている。
置に於ける積層部分は、第一のウェル層Ｗｌをバリヤ層
ＰＢで挟んだ単一量子井戸（ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎ
ｔｕｍ ｗｅｌｌ：５ＱＷ）を第一のウェル層Ｗｌに
比較して厚い第二のウェル層Ｗ２を介して積層した多重
量子井戸（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ
：ＭＱＷ）で構成されている。
図示の積層部分に励起光が入射すると、第一のウェル層
Ｗ１には二次元励起子或いは自由電子が励起され、そこ
での光の吸収率が急速に変化、即ち、小さくなる。従っ
て、そこに例えば半導体レーザ・ダイオードからのレー
ザ光が入射していたとすると、励起光が入射するまでは
遮断されていたものが瞬時にして透過する。また、励起
された自由電子、及び、励起子は、第一のウェル層Ｗｔ
内に生成される電子について最低のエネルギ量子準位と
比較して更に低い電子についてのエネルギ量子準位が少
なくとも一つ存在し得る程度の厚さになっていて、且つ
、第一のウェル層Ｗｌと同様にエネルギ・ハンド・ギャ
ップＥ９．が小さい第一のウェル層Ｗ２へ成る時間でト
ンネリングすることで光の吸収率が始状態へ復帰するも
のである。
Ｗ１には二次元励起子或いは自由電子が励起され、そこ
での光の吸収率が急速に変化、即ち、小さくなる。従っ
て、そこに例えば半導体レーザ・ダイオードからのレー
ザ光が入射していたとすると、励起光が入射するまでは
遮断されていたものが瞬時にして透過する。また、励起
された自由電子、及び、励起子は、第一のウェル層Ｗｔ
内に生成される電子について最低のエネルギ量子準位と
比較して更に低い電子についてのエネルギ量子準位が少
なくとも一つ存在し得る程度の厚さになっていて、且つ
、第一のウェル層Ｗｌと同様にエネルギ・ハンド・ギャ
ップＥ９．が小さい第一のウェル層Ｗ２へ成る時間でト
ンネリングすることで光の吸収率が始状態へ復帰するも
のである。
光の吸収率の始状態への復帰時間は前記トンネリング時
間に依存し、そのトンネリング時間は、第一のウェル層
Ｗ１に於ける層厚、バリヤ層ＰＢに於ける層厚、或いは
、構成物質を変えることで任意の時間を選定することが
できる。
間に依存し、そのトンネリング時間は、第一のウェル層
Ｗ１に於ける層厚、バリヤ層ＰＢに於ける層厚、或いは
、構成物質を変えることで任意の時間を選定することが
できる。
このようなことから、従来、問題になっていた光の吸収
率の変化、即ち、始状態への復帰時間を極めて短くする
ことが可能となり、従って、高速動作に対応できること
は云うまでもなく、光・光スィッチの動作持続時間に可
変性をもたせることができるようになった。
率の変化、即ち、始状態への復帰時間を極めて短くする
ことが可能となり、従って、高速動作に対応できること
は云うまでもなく、光・光スィッチの動作持続時間に可
変性をもたせることができるようになった。
〔発明が解決しようとする課題〕
第２図に見られる光半導体装置では、励起光の照射で第
一のウェル層Ｗ１に励起された自由電子或いは励起子が
第二のウェル層Ｗ２に短時間でトンネリングする構成に
なっていることから、光の吸収率変化が急速であり、高
速動作が可能になっているのであるが、動作パルスであ
る励起光の照射繰り返し数が多くなった場合、第二のウ
ェル層Ｗ２に電子が多量に滞留する状態となる。
一のウェル層Ｗ１に励起された自由電子或いは励起子が
第二のウェル層Ｗ２に短時間でトンネリングする構成に
なっていることから、光の吸収率変化が急速であり、高
速動作が可能になっているのであるが、動作パルスであ
る励起光の照射繰り返し数が多くなった場合、第二のウ
ェル層Ｗ２に電子が多量に滞留する状態となる。
このようになると、第一のウェル層Ｗ１から第二のウェ
ル層Ｗ２へのトンネル確率が低下することになり、高速
動作が不可能になってくる。従って、動作パルスの繰り
返し数が多い長時間の動作は続けることができない旨の
問題がある。
ル層Ｗ２へのトンネル確率が低下することになり、高速
動作が不可能になってくる。従って、動作パルスの繰り
返し数が多い長時間の動作は続けることができない旨の
問題がある。
本発明は、光非線形性をもつ積層部分に電子・正札の再
結合を促進し得る構成をもたせ、光半導体装置の動作を
更に高速化しようとする。
結合を促進し得る構成をもたせ、光半導体装置の動作を
更に高速化しようとする。
［課題を解法するための手段〕
第１図は本発明の詳細な説明する為の光半導体装置の要
部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・ハンド・
ダイヤグラムを表し、第２図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同し意味を持つものとする。
部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・ハンド・
ダイヤグラムを表し、第２図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同し意味を持つものとする。
図に於いて、Ｒ１１Ｃは第二のウェル層Ｗ２内に導入さ
れた再結合センタを示している。
れた再結合センタを示している。
図示の再結合センタＲＩＩＣは、第二のウェル層Ｗ２に
不純物を導入したり、或い−は、空格子や格子間原子に
依る点欠陥を選択的に導入することで実現できる。
不純物を導入したり、或い−は、空格子や格子間原子に
依る点欠陥を選択的に導入することで実現できる。
この再結合センタＲＲＣが第二のウェルｌ１Ｗ２に滞留
する電子の正孔との再結合を促進することは勿論である
。
する電子の正孔との再結合を促進することは勿論である
。
このようなことから、本発明の光半導体装置に於いては
、広い禁制帯幅をもつ第一の物質（例えばＡｆＧａＡｓ
）からなり且つキャリヤがトンネル確率できる程度の厚
さをもつバリヤＩＩ（例えばバリヤ層ＰＢ）、及び、該
バリヤ層に挟まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯幅
をもつ第二の物ｉｔ（例えばＧａＡｓ）からなり且つ二
次元励起子が存在し得る厚さをもつ第一のウェル層（例
えば第一のウェル層Ｗ１）、及び、前記第二の物質から
なると共に前記第一のウェル層内に生成される電子につ
いての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電子
についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在する
よう厚くなされると共に不純物（例えば、酸素、鉄、ク
ロムなど）或いは空格子及び格子間原子（例えばＡｓ）
に依る点欠陥かあなる再結合センタ（例えば再結合セン
タＲＲｃ）が選択的に導入され且つ前記バリヤ層の外側
に接して形成された第二のウェル層（例えば第二のウェ
ル層Ｗ２）の所要層数を積層してなる積層部分を備える
。
、広い禁制帯幅をもつ第一の物質（例えばＡｆＧａＡｓ
）からなり且つキャリヤがトンネル確率できる程度の厚
さをもつバリヤＩＩ（例えばバリヤ層ＰＢ）、及び、該
バリヤ層に挟まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯幅
をもつ第二の物ｉｔ（例えばＧａＡｓ）からなり且つ二
次元励起子が存在し得る厚さをもつ第一のウェル層（例
えば第一のウェル層Ｗ１）、及び、前記第二の物質から
なると共に前記第一のウェル層内に生成される電子につ
いての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電子
についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在する
よう厚くなされると共に不純物（例えば、酸素、鉄、ク
ロムなど）或いは空格子及び格子間原子（例えばＡｓ）
に依る点欠陥かあなる再結合センタ（例えば再結合セン
タＲＲｃ）が選択的に導入され且つ前記バリヤ層の外側
に接して形成された第二のウェル層（例えば第二のウェ
ル層Ｗ２）の所要層数を積層してなる積層部分を備える
。
前記手段を採ることに依って、光の吸収率の変化、即ち
、光透過状態への遷移時間及び始状態への復帰時間が極
めて短いので、高速動作への対応や光・光スィッチの動
作持続時間に可変性をもたせるなどが可能であるのは勿
論のこと、繰り返しが多い動作を長時間に亙って継続し
ても高速性が劣化するなどの問題は起こらない。
、光透過状態への遷移時間及び始状態への復帰時間が極
めて短いので、高速動作への対応や光・光スィッチの動
作持続時間に可変性をもたせるなどが可能であるのは勿
論のこと、繰り返しが多い動作を長時間に亙って継続し
ても高速性が劣化するなどの問題は起こらない。
第１図について説明した光半導体装置をもとにして本発
明一実施例を説明する。
明一実施例を説明する。
（１）第一のウェルＮＷ１について
材料： ＧａＡｓ
厚さ＝２８〔人］
この厚さは、第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子に
ついての最低のエネルギ量子準位が第二のウェル層Ｗ２
内に生成される電子についてのエネルギ量子準位に於け
る少なくとも一つと比較して高くなる範囲として１４０
（入］以下に選択される。
ついての最低のエネルギ量子準位が第二のウェル層Ｗ２
内に生成される電子についてのエネルギ量子準位に於け
る少なくとも一つと比較して高くなる範囲として１４０
（入］以下に選択される。
戒長技術二分子線エピタキシャル戒長（ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法 （２）第二のウェル層Ｗ２について 材料： ＧａＡｓ 厚さ＝２８０ 〔入〕 この厚さは、第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子に
ついての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電
子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在す
る範囲として１４０〔入〕を越えるように選択される 成長技術：ＭＢＥ法 再結合センタ：不純物として酸素を導入酸素は鉄或いは
クロムなどに代替 可能 不純物量：約１ ｘ ｌ Ｑ ” ［ｃｍ−’］程度不
純物添加技術：ＭＢＥ成長と同時 （３）バリヤ層ＰＢについて 材料：Ａｉ！、ＧａＡｓ 厚さ＝１７［入］ この厚さは、電子がトンネリング可能な範囲で選択する 成長技術：ＭＢＥ法 同しく第１図について説明した光半導体装置をもとにし
て本発明に於ける他の実施例を説明するが、第二のウェ
ル層Ｗ２以外は前記実施例と同しである。
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法 （２）第二のウェル層Ｗ２について 材料： ＧａＡｓ 厚さ＝２８０ 〔入〕 この厚さは、第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子に
ついての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電
子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在す
る範囲として１４０〔入〕を越えるように選択される 成長技術：ＭＢＥ法 再結合センタ：不純物として酸素を導入酸素は鉄或いは
クロムなどに代替 可能 不純物量：約１ ｘ ｌ Ｑ ” ［ｃｍ−’］程度不
純物添加技術：ＭＢＥ成長と同時 （３）バリヤ層ＰＢについて 材料：Ａｉ！、ＧａＡｓ 厚さ＝１７［入］ この厚さは、電子がトンネリング可能な範囲で選択する 成長技術：ＭＢＥ法 同しく第１図について説明した光半導体装置をもとにし
て本発明に於ける他の実施例を説明するが、第二のウェ
ル層Ｗ２以外は前記実施例と同しである。
（１） 第二のウェルＩＷ２について材料： ＧａＡ
ｓ 厚さ：２８０Ｃ人〕 この厚さは、第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子に
ついての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電
子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在す
る範囲として１４０（入）を越えるように選択される 成長技術ｎＭＢＥ法 再結合センタ： ＧａＡｓ成長中、例えば、Ａｓ分子線
／ Ｇ ａ分子線＝５０〜１００ 程度とＡｓ分子線の量を多くする ことで■族の空格子或いは格子間 のＡｓのような点欠陥を導入する 〔発明の効果〕 本発明に依る光半導体装置に於いては、広い禁制帯幅を
もつ第一の物質からなり且つキャリヤがトンネリングで
きる程度の厚さをもつバリヤ層、及び、該バリヤ層に挟
まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯幅をもつ第二の
物質からなり且つ二次元励起子が存在し得る厚さをもつ
第一のウェル層、及び、前記第二の物質からなると共に
前記第一のウェル層内に生成される電子についての最低
のエネルギ量子準位と比較して更に低い電子についての
エネルギ量子準位が少なくとも一つ存在するよう厚くな
されると共に不純物或いは空格子及び格子間原子に依る
点欠陥からなる再結合センタが選択的に導入され且つ前
記バリヤ層の外側に接して形成された第二のウェル層の
所要層数を積層してなる積層部分を備える。
ｓ 厚さ：２８０Ｃ人〕 この厚さは、第一のウェル層Ｗｌ内に生成される電子に
ついての最低のエネルギ量子準位と比較して更に低い電
子についてのエネルギ量子準位が少なくとも一つ存在す
る範囲として１４０（入）を越えるように選択される 成長技術ｎＭＢＥ法 再結合センタ： ＧａＡｓ成長中、例えば、Ａｓ分子線
／ Ｇ ａ分子線＝５０〜１００ 程度とＡｓ分子線の量を多くする ことで■族の空格子或いは格子間 のＡｓのような点欠陥を導入する 〔発明の効果〕 本発明に依る光半導体装置に於いては、広い禁制帯幅を
もつ第一の物質からなり且つキャリヤがトンネリングで
きる程度の厚さをもつバリヤ層、及び、該バリヤ層に挟
まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯幅をもつ第二の
物質からなり且つ二次元励起子が存在し得る厚さをもつ
第一のウェル層、及び、前記第二の物質からなると共に
前記第一のウェル層内に生成される電子についての最低
のエネルギ量子準位と比較して更に低い電子についての
エネルギ量子準位が少なくとも一つ存在するよう厚くな
されると共に不純物或いは空格子及び格子間原子に依る
点欠陥からなる再結合センタが選択的に導入され且つ前
記バリヤ層の外側に接して形成された第二のウェル層の
所要層数を積層してなる積層部分を備える。
前記構成を採ることに依って、光の吸収率の変化、即ち
、光透過状態への遷移時間及び始状態への復帰時間が極
めて短いので、高速動作への対応や光・光スィッチの動
作持続時間に可変性をもたせるなどが可能であるのは勿
論のこと、繰り返しが多い動作を長時間に亙って継続し
ても高速性が劣化するなどの問題は起こらない。
、光透過状態への遷移時間及び始状態への復帰時間が極
めて短いので、高速動作への対応や光・光スィッチの動
作持続時間に可変性をもたせるなどが可能であるのは勿
論のこと、繰り返しが多い動作を長時間に亙って継続し
ても高速性が劣化するなどの問題は起こらない。
第１図は本発明の詳細な説明する為の光半導体装置の要
部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・ハンド・
ダイヤグラム、第２図は本発明者等が開発した光非線形
性をもつ積層部分を有する光半導体装置を説明する為の
要部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・バンド
・ダイヤグラムを表している。 図に於いて、Ｗｌは第一のウェル層、Ｗ２は第二のウェ
ル層、ＰＢはバリヤ層、ＥＣは伝導帯の底、Ｅｖは価電
子帯の頂、Ｅ、はフェルミ・レベル、Ｅｇ＋は第一のウ
ェル層Ｗ１に於けるエネルギ・ハンド・ギャップ、Ｅ９
□はバリヤ層ＰＢに於けるエネルギ・ハンド・ギャップ
、Ｅ９．は第二のウェル層Ｗ２に於けるエネルギ・ハン
ド・ギャップ、Ｌｌ、Ｌ３．ＬＬ’、Ｌ３’ は準位、
ＲＩＩＣは再結合センタをそれぞれ示している。
部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・ハンド・
ダイヤグラム、第２図は本発明者等が開発した光非線形
性をもつ積層部分を有する光半導体装置を説明する為の
要部切断側面図並びにそれに対応するエネルギ・バンド
・ダイヤグラムを表している。 図に於いて、Ｗｌは第一のウェル層、Ｗ２は第二のウェ
ル層、ＰＢはバリヤ層、ＥＣは伝導帯の底、Ｅｖは価電
子帯の頂、Ｅ、はフェルミ・レベル、Ｅｇ＋は第一のウ
ェル層Ｗ１に於けるエネルギ・ハンド・ギャップ、Ｅ９
□はバリヤ層ＰＢに於けるエネルギ・ハンド・ギャップ
、Ｅ９．は第二のウェル層Ｗ２に於けるエネルギ・ハン
ド・ギャップ、Ｌｌ、Ｌ３．ＬＬ’、Ｌ３’ は準位、
ＲＩＩＣは再結合センタをそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 広い禁制帯幅をもつ第一の物質からなり且つキャリヤが
トンネリングできる程度の厚さをもつバリヤ層、及び、 該バリヤ層に挟まれ該第一の物質に比較して狭い禁制帯
幅をもつ第二の物質からなり且つ二次元励起子が存在し
得る厚さをもつ第一のウェル層、及び、 前記第二の物質からなると共に前記第一のウェル層内に
生成される電子についての最低のエネルギ量子準位と比
較して更に低い電子についてのエネルギ量子準位が少な
くとも一つ存在するよう厚くなされると共に不純物或い
は空格子及び格子間原子に依る点欠陥からなる再結合セ
ンタが選択的に導入され且つ前記バリヤ層の外側に接し
て形成された第二のウェル層 の所要層数を積層してなる積層部分を備えてなることを
特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3394190A JPH03238426A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3394190A JPH03238426A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238426A true JPH03238426A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12400536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3394190A Pending JPH03238426A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238426A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492420A2 (en) * | 1990-12-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Limited | Non-linear optical device having an improved rate for recovery |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3394190A patent/JPH03238426A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492420A2 (en) * | 1990-12-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Limited | Non-linear optical device having an improved rate for recovery |
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