JPH07122818A - 面発光素子 - Google Patents
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- JPH07122818A JPH07122818A JP26684993A JP26684993A JPH07122818A JP H07122818 A JPH07122818 A JP H07122818A JP 26684993 A JP26684993 A JP 26684993A JP 26684993 A JP26684993 A JP 26684993A JP H07122818 A JPH07122818 A JP H07122818A
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- H01S5/18375—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on metal reflectors
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部直列抵抗を低減し、低消費電力化を図
る。 【構成】 光を放射する活性層９と、活性層９上面に形
成された第１クラッド層１１と、活性層９下面に形成さ
れた第２クラッド層９と、第１クラッド層１１の上面に
形成された上部反射膜１６と、第２クラッド層９の下面
に形成された下部反射膜１５とを備えた面発光素子にお
いて、活性層１０をアンドープ材料で構成し、第１クラ
ッド層１１をｐ型ドープ材料で構成し、第１クラッド層
１１上面に正孔を注入するｐ型電極１７を形成した。 【効果】 正孔の注入時における素子内部の高い直列抵
抗を低減でき、低消費電力化が図れ、高集積化が容易と
なる。
る。 【構成】 光を放射する活性層９と、活性層９上面に形
成された第１クラッド層１１と、活性層９下面に形成さ
れた第２クラッド層９と、第１クラッド層１１の上面に
形成された上部反射膜１６と、第２クラッド層９の下面
に形成された下部反射膜１５とを備えた面発光素子にお
いて、活性層１０をアンドープ材料で構成し、第１クラ
ッド層１１をｐ型ドープ材料で構成し、第１クラッド層
１１上面に正孔を注入するｐ型電極１７を形成した。 【効果】 正孔の注入時における素子内部の高い直列抵
抗を低減でき、低消費電力化が図れ、高集積化が容易と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料で構成され
た面発光素子に関するものである。
た面発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】面発光素子の従来例の一例を図７に示
す。図において、１はｎ型GaAs材料で構成された基板で
あり、基板１上には、下部反射膜２が半導体材料で形成
されている。この例で、下部反射膜２は、ｎ型AlGaAs膜
２ａ及びｎ型AlAs膜２ｂの層を交互に３層ずつ積層して
形成されている。３はｎ型GaAs材料で構成された第２ク
ラッド層、４はアンドープGaAs材料で構成された活性
層、５はｐ型AlGaAs材料で構成された第１クラッド層、
６は上部反射膜で、ｐ型AlAs膜６ａ及びｐ型AlGaAs膜６
ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されている。さら
に、７は正孔を注入するｐ型電極、８は電子を注入する
ｎ型電極であり、ｐ型電極７には、光取り出し用の穴７
ａが形成されている。図に示す例で、電子は下部反射膜
２を介して、また、正孔は上部反射膜６を介して、活性
層４に注入されることにより、活性層４で、電子と正孔
が再結合して、光が生成されることになる。その生成さ
れた光は、下部反射膜２及び上部反射膜６により構成さ
れる共振器により反射され、穴７ａから素子の外部に放
射される。このようにして、図７に示した面発光素子
は、高出力面発光素子もしくは、面発光レーザーとして
動作することになる。
す。図において、１はｎ型GaAs材料で構成された基板で
あり、基板１上には、下部反射膜２が半導体材料で形成
されている。この例で、下部反射膜２は、ｎ型AlGaAs膜
２ａ及びｎ型AlAs膜２ｂの層を交互に３層ずつ積層して
形成されている。３はｎ型GaAs材料で構成された第２ク
ラッド層、４はアンドープGaAs材料で構成された活性
層、５はｐ型AlGaAs材料で構成された第１クラッド層、
６は上部反射膜で、ｐ型AlAs膜６ａ及びｐ型AlGaAs膜６
ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されている。さら
に、７は正孔を注入するｐ型電極、８は電子を注入する
ｎ型電極であり、ｐ型電極７には、光取り出し用の穴７
ａが形成されている。図に示す例で、電子は下部反射膜
２を介して、また、正孔は上部反射膜６を介して、活性
層４に注入されることにより、活性層４で、電子と正孔
が再結合して、光が生成されることになる。その生成さ
れた光は、下部反射膜２及び上部反射膜６により構成さ
れる共振器により反射され、穴７ａから素子の外部に放
射される。このようにして、図７に示した面発光素子
は、高出力面発光素子もしくは、面発光レーザーとして
動作することになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子及
び正孔は、それぞれ半導体材料で構成された多層構造の
下部反射膜２及び上部反射膜６を介して活性層４に注入
されるが、下部反射膜２及び上部反射膜６が有するヘテ
ロ界面のポテンシャルバリアのため、特に正孔の注入時
における素子の内部直列抵抗が非常に高くなり、効率的
に活性層４に電流注入ができず、消費電力が高くなると
いう問題点があった。本発明は、上記問題点に鑑みなさ
れたもので、その目的とするところは、正孔の注入時に
おける素子の内部直列抵抗を低減でき、低消費電力化が
図れる面発光素子の構造を提供することにある。
び正孔は、それぞれ半導体材料で構成された多層構造の
下部反射膜２及び上部反射膜６を介して活性層４に注入
されるが、下部反射膜２及び上部反射膜６が有するヘテ
ロ界面のポテンシャルバリアのため、特に正孔の注入時
における素子の内部直列抵抗が非常に高くなり、効率的
に活性層４に電流注入ができず、消費電力が高くなると
いう問題点があった。本発明は、上記問題点に鑑みなさ
れたもので、その目的とするところは、正孔の注入時に
おける素子の内部直列抵抗を低減でき、低消費電力化が
図れる面発光素子の構造を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の面発光素子は、光を放射する活性層
と、その活性層上面に形成された第１クラッド層と、前
記活性層下面に形成された第２クラッド層と、前記第１
クラッド層の上面に形成された上部反射膜と、前記第２
クラッド層の下面に形成された下部反射膜とを備えた面
発光素子において、前記活性層をアンドープ材料で構成
し、前記第１クラッド層をｐ型ドープ材料で構成し、前
記第１クラッド層上面に正孔を注入するｐ型電極を形成
したことを特徴とするものである。
め、請求項１記載の面発光素子は、光を放射する活性層
と、その活性層上面に形成された第１クラッド層と、前
記活性層下面に形成された第２クラッド層と、前記第１
クラッド層の上面に形成された上部反射膜と、前記第２
クラッド層の下面に形成された下部反射膜とを備えた面
発光素子において、前記活性層をアンドープ材料で構成
し、前記第１クラッド層をｐ型ドープ材料で構成し、前
記第１クラッド層上面に正孔を注入するｐ型電極を形成
したことを特徴とするものである。
【０００５】請求項２記載の面発光素子は、請求項１記
載の面発光素子で、前記第１クラッド層と前記活性層間
に、前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成さ
れたスペーサ層を形成したことを特徴とするものであ
る。
載の面発光素子で、前記第１クラッド層と前記活性層間
に、前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成さ
れたスペーサ層を形成したことを特徴とするものであ
る。
【０００６】請求項３記載の面発光素子は、請求項１ま
たは請求項２記載の面発光素子で、前記第２クラッド層
をｐ型ドープ材料で構成したことを特徴とするものであ
る。
たは請求項２記載の面発光素子で、前記第２クラッド層
をｐ型ドープ材料で構成したことを特徴とするものであ
る。
【０００７】請求項４記載の面発光素子は、請求項３記
載の面発光素子で、前記第２クラッド層と前記活性層間
に、前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成さ
れたスペーサ層を形成したことを特徴とするものであ
る。
載の面発光素子で、前記第２クラッド層と前記活性層間
に、前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成さ
れたスペーサ層を形成したことを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用】第１クラッド層上面にｐ型電極を形成し、アン
ドープ材料で構成された活性層とｐ型ドープ材料で構成
された第１クラッド層との界面に形成される高移動度２
次元正孔ガスを利用することで、正孔をｐ型半導体材料
で構成された上部反射膜を介さずに、共振器の横方向か
ら活性層内に注入することができる。
ドープ材料で構成された活性層とｐ型ドープ材料で構成
された第１クラッド層との界面に形成される高移動度２
次元正孔ガスを利用することで、正孔をｐ型半導体材料
で構成された上部反射膜を介さずに、共振器の横方向か
ら活性層内に注入することができる。
【０００９】
【実施例】まず、図６に基づいて、本願発明に係る面発
光素子の下部反射膜と上部反射膜間に形成される半導体
ヘテロ構造の３つの構成例（ａ）〜（ｃ）について説明
する。図６（ａ）に示す例は、半導体ヘテロ構造の基本
構造を示すもので、アンドープ材料としてアンドープGa
Asを用いて、活性層１０を構成し、その活性層１０の上
面に、ｐ型ドープ材料としてｐ型AlGaAsを用いて、第１
クラッド層１１を形成すると共に、活性層１０の下面
に、アンドープAlGaAsを用いて、第２クラッド層９を形
成したものである。（ａ）に示す例の場合、第２クラッ
ド層９は、ｐ型AlGaAsを用いて構成してもよい。
光素子の下部反射膜と上部反射膜間に形成される半導体
ヘテロ構造の３つの構成例（ａ）〜（ｃ）について説明
する。図６（ａ）に示す例は、半導体ヘテロ構造の基本
構造を示すもので、アンドープ材料としてアンドープGa
Asを用いて、活性層１０を構成し、その活性層１０の上
面に、ｐ型ドープ材料としてｐ型AlGaAsを用いて、第１
クラッド層１１を形成すると共に、活性層１０の下面
に、アンドープAlGaAsを用いて、第２クラッド層９を形
成したものである。（ａ）に示す例の場合、第２クラッ
ド層９は、ｐ型AlGaAsを用いて構成してもよい。
【００１０】図６（ｂ）に示す例は、（ａ）に示した半
導体ヘテロ構造に対し、アンドープGaAsで構成された活
性層１０と、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１
１間に、活性層１０の材料と異なるアンドープ材料とし
て、アンドープAlGaAsを用いてスペーサ層１２を設けた
構造、いわゆる変調ドープ構造を形成し、第２クラッド
層９を、アンドープAlGaAsを用いて構成したものであ
る。変調ドープ構造により、２次元正孔ガスを、ｐ型Al
GaAsで構成された第１クラッド層１１のアクセプタ原子
と空間的に分離し、正孔の不純物散乱による影響を抑え
ることができるので、正孔移動度を増大させ、正孔の横
方向からの注入における抵抗の低減を図ることが可能と
なる。
導体ヘテロ構造に対し、アンドープGaAsで構成された活
性層１０と、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１
１間に、活性層１０の材料と異なるアンドープ材料とし
て、アンドープAlGaAsを用いてスペーサ層１２を設けた
構造、いわゆる変調ドープ構造を形成し、第２クラッド
層９を、アンドープAlGaAsを用いて構成したものであ
る。変調ドープ構造により、２次元正孔ガスを、ｐ型Al
GaAsで構成された第１クラッド層１１のアクセプタ原子
と空間的に分離し、正孔の不純物散乱による影響を抑え
ることができるので、正孔移動度を増大させ、正孔の横
方向からの注入における抵抗の低減を図ることが可能と
なる。
【００１１】図６（ｃ）に示す例は、（ｂ）に示した半
導体ヘテロ構造のアンドープGaAsで構成された活性層１
０と、ｐ型AlGaAsで構成された第２クラッド層９間に、
さらに、活性層１０の材料と異なるアンドープ材料とし
て、アンドープAlGaAsを用いてスペーサ層１３を形成し
て、変調ドープ構造を、アンドープGaAsで構成された活
性層１０の両側に形成したもので、このように構成する
ことで、（ｂ）に示した半導体ヘテロ構造の例に比べ、
より一層の抵抗低減を図ることが可能となる。
導体ヘテロ構造のアンドープGaAsで構成された活性層１
０と、ｐ型AlGaAsで構成された第２クラッド層９間に、
さらに、活性層１０の材料と異なるアンドープ材料とし
て、アンドープAlGaAsを用いてスペーサ層１３を形成し
て、変調ドープ構造を、アンドープGaAsで構成された活
性層１０の両側に形成したもので、このように構成する
ことで、（ｂ）に示した半導体ヘテロ構造の例に比べ、
より一層の抵抗低減を図ることが可能となる。
【００１２】次に、図１に基づいて、図６（ａ）に示し
た半導体ヘテロ構造を用いた本願発明に係る面発光素子
の一実施例について説明するが、図６（ｂ）及び図６
（ｃ）に示した構造のものに置き換えることも可能であ
る。
た半導体ヘテロ構造を用いた本願発明に係る面発光素子
の一実施例について説明するが、図６（ｂ）及び図６
（ｃ）に示した構造のものに置き換えることも可能であ
る。
【００１３】図１で、ｎ型GaAsで構成された基板１４上
には、下部反射膜１５が半導体材料で形成されており、
本実施例では、ｎ型AlGaAs膜１５ａ及びｎ型AlAs膜１５
ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されている。９は
アンドープAlGaAsで構成された第２クラッド層、１０
は、アンドープ材料としてアンドープGaAsを用いて構成
された活性層で、１１は、ｐ型ドープ材料としてｐ型Al
GaAsを用いて構成された第１クラッド層である。さら
に、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１１上に
は、上部反射膜１６が半導体材料で形成されており、本
実施例では、アンドープAlAs膜１６ａ及びアンドープAl
GaAs膜１６ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されて
いる。他に、１７はｐ型電極、１８はｎ型電極、１９は
電子の流れ方向を制限するための高抵抗層である。
には、下部反射膜１５が半導体材料で形成されており、
本実施例では、ｎ型AlGaAs膜１５ａ及びｎ型AlAs膜１５
ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されている。９は
アンドープAlGaAsで構成された第２クラッド層、１０
は、アンドープ材料としてアンドープGaAsを用いて構成
された活性層で、１１は、ｐ型ドープ材料としてｐ型Al
GaAsを用いて構成された第１クラッド層である。さら
に、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１１上に
は、上部反射膜１６が半導体材料で形成されており、本
実施例では、アンドープAlAs膜１６ａ及びアンドープAl
GaAs膜１６ｂの層を交互に３層ずつ積層して形成されて
いる。他に、１７はｐ型電極、１８はｎ型電極、１９は
電子の流れ方向を制限するための高抵抗層である。
【００１４】上記のように構成された面発光素子で、電
子は、高抵抗層１９で絞り込まれ、下部反射膜１５及び
アンドープAlGaAsで構成された第２クラッド層９を介し
て、アンドープGaAsで構成された活性層１０内に注入さ
れる。一方、正孔は、ｐ型電極１７より、アンドープGa
Asで構成された活性層１０と、Ｐ型AlGaAsで構成された
第１クラッド層１１との界面に蓄積された２次元正孔ガ
スを通して、共振器に対し横方向から注入され、活性層
１０で電子と再結合して発光する。活性層１０で得られ
る光は、下部反射膜１５と上部反射膜１６とで構成され
る共振器で共振して、上部反射膜１６の上面から放出さ
れる。このようにして、図１に示す実施例の面発光素子
は、面発光ＬＥＤもしくは、面発光レーザダイオードと
して動作するようになる。また、本実施例では、電子の
流れ方向を制限するために高抵抗層１９を設けている
が、高抵抗層１９の代わりに、ｐ型AlGaAs層を用いてｐ
ｎ接合により電子の流れを閉じ込めるように構成しても
よい。
子は、高抵抗層１９で絞り込まれ、下部反射膜１５及び
アンドープAlGaAsで構成された第２クラッド層９を介し
て、アンドープGaAsで構成された活性層１０内に注入さ
れる。一方、正孔は、ｐ型電極１７より、アンドープGa
Asで構成された活性層１０と、Ｐ型AlGaAsで構成された
第１クラッド層１１との界面に蓄積された２次元正孔ガ
スを通して、共振器に対し横方向から注入され、活性層
１０で電子と再結合して発光する。活性層１０で得られ
る光は、下部反射膜１５と上部反射膜１６とで構成され
る共振器で共振して、上部反射膜１６の上面から放出さ
れる。このようにして、図１に示す実施例の面発光素子
は、面発光ＬＥＤもしくは、面発光レーザダイオードと
して動作するようになる。また、本実施例では、電子の
流れ方向を制限するために高抵抗層１９を設けている
が、高抵抗層１９の代わりに、ｐ型AlGaAs層を用いてｐ
ｎ接合により電子の流れを閉じ込めるように構成しても
よい。
【００１５】次に、図２に本願発明の異なる実施例を示
す。図１に示した実施例が、ｐ型AlGaAsで構成された第
１クラッド層１１の上面に形成する上部反射膜を、半導
体材料で形成していたのに対し、図２に示す例は、上部
反射膜を誘電体材料で形成したものである。図１に示し
た実施例と同等構成については、詳細説明を省略する。
図において、２０は上部反射膜で、ポリシリコン層２０
ａを最下層として、ポリシリコン層２０ａとSiO2膜２０
ｂを交互に３層ずつ積層した構造を有している。上部反
射膜２０を誘電体材料で構成する場合、素子製造工程に
おいて、ｎ型GaAsで構成された基板１４上に、ｐ型AlGa
Asで構成される第１クラッド層１１までを順次成長さ
せ、ｐ型電極１７を形成した後、スパッタ等により、上
部反射膜２０を形成することができ、図１に示した実施
例で、上部反射膜を形成する上で必要となる半導体材料
の選択エッチングといった加工技術の制限をなくすこと
ができる。尚、本実施例では、誘電体材料として、ポリ
シリコン及びSiO2を用いて説明したが、特に、これらの
材料に限定されるものではない。
す。図１に示した実施例が、ｐ型AlGaAsで構成された第
１クラッド層１１の上面に形成する上部反射膜を、半導
体材料で形成していたのに対し、図２に示す例は、上部
反射膜を誘電体材料で形成したものである。図１に示し
た実施例と同等構成については、詳細説明を省略する。
図において、２０は上部反射膜で、ポリシリコン層２０
ａを最下層として、ポリシリコン層２０ａとSiO2膜２０
ｂを交互に３層ずつ積層した構造を有している。上部反
射膜２０を誘電体材料で構成する場合、素子製造工程に
おいて、ｎ型GaAsで構成された基板１４上に、ｐ型AlGa
Asで構成される第１クラッド層１１までを順次成長さ
せ、ｐ型電極１７を形成した後、スパッタ等により、上
部反射膜２０を形成することができ、図１に示した実施
例で、上部反射膜を形成する上で必要となる半導体材料
の選択エッチングといった加工技術の制限をなくすこと
ができる。尚、本実施例では、誘電体材料として、ポリ
シリコン及びSiO2を用いて説明したが、特に、これらの
材料に限定されるものではない。
【００１６】図３に、さらに異なる実施例を示す。図１
に示した実施例が、光出力を上部反射膜の上面から取り
出していたのに対し、本実施例は、素子裏面（基板１４
の底面）から光出力が得られるように構成されたもので
ある。この場合、光が基板１４を透過するように、活性
層１０を構成する材料には、基板１を構成する材料より
も禁制帯幅の小さい材料を用いる必要がある。本実施例
の場合、基板１をｎ型GaAsで構成すると共に、活性層１
０をアンドープInGaAsで構成している。さらに、ｐ型Al
GaAsで構成される第１クラッド層１１上面に形成する上
部反射膜２１を、金属反射膜で構成すると共に、ｎ型Ga
Asで構成される基板１の底面に形成するｎ型電極１８
に、光取り出し用の窓１８ａを形成したものである。こ
の実施例の利点は、上部反射膜２１が金属反射膜のみで
あるため、誘電体材料で上部反射膜を形成するのに比べ
て製造が容易であるという点である。また、光は基板１
を透過するので、光出力を基板を除去することなく、素
子裏面から取り出せる点である。
に示した実施例が、光出力を上部反射膜の上面から取り
出していたのに対し、本実施例は、素子裏面（基板１４
の底面）から光出力が得られるように構成されたもので
ある。この場合、光が基板１４を透過するように、活性
層１０を構成する材料には、基板１を構成する材料より
も禁制帯幅の小さい材料を用いる必要がある。本実施例
の場合、基板１をｎ型GaAsで構成すると共に、活性層１
０をアンドープInGaAsで構成している。さらに、ｐ型Al
GaAsで構成される第１クラッド層１１上面に形成する上
部反射膜２１を、金属反射膜で構成すると共に、ｎ型Ga
Asで構成される基板１の底面に形成するｎ型電極１８
に、光取り出し用の窓１８ａを形成したものである。こ
の実施例の利点は、上部反射膜２１が金属反射膜のみで
あるため、誘電体材料で上部反射膜を形成するのに比べ
て製造が容易であるという点である。また、光は基板１
を透過するので、光出力を基板を除去することなく、素
子裏面から取り出せる点である。
【００１７】図４にさらに異なる実施例を示す。本実施
例が、図１に示した実施例と異なる点は、上部反射膜の
上面にｎ型電極を形成して、光出力を基板の底面から取
り出すように構成した点である。本実施例では、基板２
２の材料をアンドープGaAsとし、アンドープAlAs膜２３
ａ、アンドープAlGaAs膜２３ｂを交互に３層ずつ積層し
て、下部反射膜２３を構成している。本実施例の場合、
基板２２及び下部反射膜２３は電流経路とならないの
で、アンドープ材料を用いているが、これらの材料に限
定されるものではない。その他、９はアンドープAlGaAs
で構成された第２クラッド層、１０はアンドープInGaAs
で構成された活性層、１１はｐ型AlGaAsで構成された第
１クラッド層である。第１クラッド層１１の上部には、
ｎ型AlAs膜２４ａ及びｎ型AlGaAs膜２４ｂで構成された
上部反射膜２４が形成されている。さらに、上部反射膜
２４の上部には、ｎ型電極２５が形成されている。本実
施例の場合、電子は、ｎ型電極２５から上部反射膜２
４、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１１を通り
抜け、活性層１０に注入されるので、電子の流れを絞り
込む高抵抗層が不要となる。
例が、図１に示した実施例と異なる点は、上部反射膜の
上面にｎ型電極を形成して、光出力を基板の底面から取
り出すように構成した点である。本実施例では、基板２
２の材料をアンドープGaAsとし、アンドープAlAs膜２３
ａ、アンドープAlGaAs膜２３ｂを交互に３層ずつ積層し
て、下部反射膜２３を構成している。本実施例の場合、
基板２２及び下部反射膜２３は電流経路とならないの
で、アンドープ材料を用いているが、これらの材料に限
定されるものではない。その他、９はアンドープAlGaAs
で構成された第２クラッド層、１０はアンドープInGaAs
で構成された活性層、１１はｐ型AlGaAsで構成された第
１クラッド層である。第１クラッド層１１の上部には、
ｎ型AlAs膜２４ａ及びｎ型AlGaAs膜２４ｂで構成された
上部反射膜２４が形成されている。さらに、上部反射膜
２４の上部には、ｎ型電極２５が形成されている。本実
施例の場合、電子は、ｎ型電極２５から上部反射膜２
４、ｐ型AlGaAsで構成された第１クラッド層１１を通り
抜け、活性層１０に注入されるので、電子の流れを絞り
込む高抵抗層が不要となる。
【００１８】図５にさらに異なる実施例を示す。本実施
例は、図４に示した実施例に対し、活性層１０をアンド
ープGaAsで形成すると共に、ｎ型電極２６に光取り出し
用の窓２６ａを形成して、光出力を上部反射膜２４の上
面から取り出せるようにしたものである。
例は、図４に示した実施例に対し、活性層１０をアンド
ープGaAsで形成すると共に、ｎ型電極２６に光取り出し
用の窓２６ａを形成して、光出力を上部反射膜２４の上
面から取り出せるようにしたものである。
【００１９】尚、以上に示した実施例では、AlGaAs、Ga
As、AlAs、InGaAs等の半導体材料を用いた例について説
明したが、特にこれらの材料に限定されるものではな
い。
As、AlAs、InGaAs等の半導体材料を用いた例について説
明したが、特にこれらの材料に限定されるものではな
い。
【００２０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の面発光素
子によれば、素子内部の高い直列抵抗を低減させること
が可能となり、低消費電力化を図ることができる。ま
た、低消費電力化することにより、面発光素子の高集積
化が容易となるため、面発光素子の高出力化や光情報処
理用の光素子として応用することが可能となる。
子によれば、素子内部の高い直列抵抗を低減させること
が可能となり、低消費電力化を図ることができる。ま
た、低消費電力化することにより、面発光素子の高集積
化が容易となるため、面発光素子の高出力化や光情報処
理用の光素子として応用することが可能となる。
【図１】本発明に係る面発光素子の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る面発光素子の異なる実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明に係る面発光素子のさらに異なる実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明に係る面発光素子のさらに異なる実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明に係る面発光素子のさらに異なる実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明に係る面発光素子の半導体ヘテロ構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】従来の面発光素子の一例を示す断面図である。
１ 基板 ２ 下部反射膜 ３ 第２クラッド層 ４ 活性層 ５ 第１クラッド層 ６ 上部反射膜 ７ ｐ型電極 ８ ｎ型電極 ９ 第２クラッド層 １０ 活性層 １１ 第１クラッド層 １２ スペーサ層 １３ スペーサ層 １４ 基板 １５ 下部反射膜 １６ 上部反射膜 １７ ｐ型電極 １８ ｎ型電極 １９ 高抵抗層 ２０ 上部反射膜 ２１ 上部反射膜 ２２ 基板 ２３ 下部反射膜 ２４ 上部反射膜 ２５ ｎ型電極 ２６ ｎ型電極
Claims (4)
- 【請求項１】 光を放射する活性層と、その活性層上面
に形成された第１クラッド層と、前記活性層下面に形成
された第２クラッド層と、前記第１クラッド層の上面に
形成された上部反射膜と、前記第２クラッド層の下面に
形成された下部反射膜とを備えた面発光素子において、
前記活性層をアンドープ材料で構成し、前記第１クラッ
ド層をｐ型ドープ材料で構成し、前記第１クラッド層上
面に正孔を注入するｐ型電極を形成したことを特徴とす
る面発光素子。 - 【請求項２】 前記第１クラッド層と前記活性層間に、
前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成された
スペーサ層を形成したことを特徴とする請求項１記載の
面発光素子。 - 【請求項３】 前記第２クラッド層をｐ型ドープ材料で
構成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載
の面発光素子。 - 【請求項４】 前記第２クラッド層と前記活性層間に、
前記活性層の材料と異なるアンドープ材料で構成された
スペーサ層を形成したことを特徴とする請求項３記載の
面発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26684993A JPH07122818A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 面発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26684993A JPH07122818A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 面発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122818A true JPH07122818A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17436523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26684993A Withdrawn JPH07122818A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 面発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122818A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2011233927A (ja) * | 2011-08-02 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄ装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP26684993A patent/JPH07122818A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2011233927A (ja) * | 2011-08-02 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄ装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |