JPH03238329A - 波長検出装置 - Google Patents

波長検出装置

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JPH03238329A
JPH03238329A JP2034503A JP3450390A JPH03238329A JP H03238329 A JPH03238329 A JP H03238329A JP 2034503 A JP2034503 A JP 2034503A JP 3450390 A JP3450390 A JP 3450390A JP H03238329 A JPH03238329 A JP H03238329A
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理 若林
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雅彦 小若
Yukio Kobayashi
小林 諭樹夫
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    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/02Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレーザ等の波長を検出する波長検出装置に関
し、特に半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源と
して狭帯域発振エキシマレーザを用いる場合の波長検出
に採用して好適な波長検出装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置製造用の縮小投影露光装置(以下ステッパと
いう)の光源としてエキシマレーザの利用が注目されて
いる。これはエキシマレーザの波長が短い(KrFし、
−ザの波長は約248.4n*)ことから光露光の限界
0.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ解像
度なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比較し
て焦点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)が小さ
くてすみ、露光領域を大きくできること、大きなパワー
が得られること等の多くの優れた利点が期待できるから
である。
ところで、エキシマレーザをステッパの光源として用い
る場合には、エキシマレーザの出力レーザ光を狭帯域化
する必要があり、この狭帯域化された出力レーザ光の波
長を高精度に安定化制御する必要がある。
従来、狭帯域発振エキシマレーザ等の出力光の波長線幅
を計測したり、波長を検出したりするためにモニタエタ
ロンが用いられている。モニタエタロンは部分反射ミラ
ーを所定の空隙をあけて対向配設したエアギャップエタ
ロンを用いて構成されるものてこのエアギャップエタロ
ンの透過波長は次のように表わされる。
mλ−2nd争CO8θ たたし、mは整数、dはエタロンの部分反射ミラー間の
距離、nは部分反射ミラー間の屈折率、θはエタロンの
法線と入射光の光軸とのなす角度である。
この式より、n、d、mが一定とすれば、波長が変化す
るとθか変化することが解る。モニタエタロンではこの
性質を利用して被検出光の波長を検出している。ところ
で、上述したモニタエタロンにおいて、エアギャップ内
の圧力および周囲温度か変化してしまうと波長か一定で
も上述した角θが変化してしまう。そこでモニタエタロ
ンを用いる場合、エアギャップ内の圧力および周囲温度
を一定に制御して波長検出を行なっていた。
しかし、エアギャップ内の圧力および周囲温度を高精度
に制御することは困難であり、このため充分な高精度で
絶対波長を検出することはできなかった。
そこで、被検出光とともに予め波長がわかっている基準
光(たとえばアルゴンレーザ光、鉄または水銀ランプの
発振線)をモニタエタロンに入力し、この基準光に対す
る被検出光の相対波長を検出することにより被検出光の
絶対波長を検出する装置が提案されている。
かかる装置においては、モニタエタロンの透過光を直接
CCDイメージセンサ等の光検出器の検出面上に入射し
て、該光検出器の検出面上に干渉縞を彰成し、干渉縞の
検出位置に基づき上記絶対波長を検出するようにしてい
る。
なお、モニタエタロンの替りに回折格子を用いた分光器
を用いる技術もある。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、基準光源と被検出光の光源とが異なるような場
合には高精度に絶対波長を検出することができなかった
。すなわち、光源が異なると、たとえばモニタエタロン
に入力する基準光の波長が被検出光であるエキシマレー
ザ光の波長と大きく異なってしまうことがあり、高精度
に絶対波長を検出することができない。また、基準光と
エキシマレーザ光の波長が近い場合であっても、基準光
の光強度が小さかったり、波長線幅が広がったりして高
精度に絶対波長を検出することは困難となる。
そこで、波長248.4nmのKrF1キシマレーザ光
に253.7nmと波長が近く、しかも光強度が大きい
低圧水銀ランプ(この中に天然の水銀蒸気が封入されて
いる)の253.7nm発振線を基準光として使用する
ことが考えられるが、これとても波長線幅か広く、干渉
縞の検出精度が劣化して高精度に絶対波長を検出するこ
とができないこととなっていた。
この発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、
水銀等複数の同位体を含む特定の元素の蒸気からの発振
線を基準光として使用した場合に、基準光の干渉縞を高
精度に検出し、以て絶対波長を高精度に検出することが
できる波長検出装置を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段および作用〕そこで、この
発明では、複数の同位体を含む特定の元素の蒸気からの
発振線を基準光として被検出光の波長を検出する波長検
出装置において、前記蒸気を所定の温度以上に上昇させ
、この結果分離した特定の同位体の発振線を前記基準光
としている。
すなわち、かかる構成によれば、たとえば水銀を上記特
定の元素とした場合、水銀蒸気を所定の温度(水銀ラン
プの雰囲気温度として50℃程度)以上まで上昇させる
と、波長253.7nm発振線が質量数198の水銀同
位体に対応する発振線と質量数202の水銀同位体に対
応する発振線とに分離することが実験の結果明らかにな
った。これら分離した発振線はそれぞれ波長253.7
nm発振線に比較して波長線幅が非常に狭い。このため
、これら分離した発振線の干渉縞が高精度に検出される
。したがって、絶対波長を高精度に検出することができ
る。
また、この発明では、特定の元素の蒸気からの発振線を
基準光として被検出光の波長を検出する波長検出装置に
おいて、前記元素のうち特定の同位体を選択し、該同位
体の蒸気からの光を前記基準光としている。
すなわち、かかる構成によれば、たとえば水銀を上記特
定の元素とした場合、質量数198の水銀同位体または
質量数202の水銀同位体のいずれかの蒸気からの発振
線を基準光とすると、これら各発振線は波長線幅が非常
に狭い。このため、干渉縞が高精度に検出される。した
がって、絶対波長を高精度に検出することができる。
〔実施例〕
以下、この発明を添付図面に示す実施例にしたがって詳
述する。
第1図はこの発明に係る波長検出装置の一実施例を示し
たものである。この実施例では被検出光として狭帯域発
振エキシマレーザ1の出力光Laが用いられる。なお、
実施例では、狭帯域発振エキシマレーザ1としてKrF
エキシマレーザを想定している。
基準光源としては、面光源である低圧水銀ランプ22(
第2図から第4図参照)が用いられ、低圧水銀ランプ2
2で発生する光が、この低圧水銀ランプ22を中心に構
成される後述する水銀ランプ部20の射出口から射出さ
れる。この射出光が干渉フィルタFTを通過することに
より、該フィルタFTにより波長253.7nmの光の
みが透過される。この波長253.7nmの光は低圧水
銀ランプ22に封入された天然水銀蒸気(これは水銀の
各同位体を含む)のうち、質量数198の水銀同位体と
質量数202の水銀同位体に対応する光である。なお、
低圧水銀ランプ22には、予めこれら質量数198.2
02の水銀同位体のみを封入しておくような実施もまた
可能である。また、水銀ランプとして低圧のものを使用
するのは、波長253.7nm線の強度が大きいという
理由によるが、本発明としては水銀ランプとして低圧の
ものに限定されることはない。
さて、狭帯域発振エキシマレーザ1から出力されたレー
ザ光Laの一部はビームスプリッタ3によってサンプリ
ングされ、このサンプリング光はスリガラス5に照射、
散乱されて、ビームスプリッタ4に照射される。また、
水銀ランプ部20の射出口から出力された253.7n
m線は基準光Lbとしてビームスプリッタ4の他の面に
照射される。
スリガラス5により散乱されたサンプリング光Laの一
部はビームスプリッタ4を透過してエタロン6に照射さ
れる。また、水銀ランプ部20の射出口から出力され、
フィルタFTを透過した基準光Lbの一部もビームスプ
リッタ4で反射してエタロン6に照射される。
ここにエタロン6は内側の面が部分反射ミラーとされた
2枚の透明板6a、6bから構成され、エタロン6に対
する入射光の角度に対応してそれぞれ透過波長が異なる
ものである。すなわち、エタロン6は、波長の異なる基
準光Lbおよびエキシマレーザ光Laを双方透過させる
ために反射膜を2波長コートとしている。なお、誘電体
膜による反射膜であれば、基準光Lbの波長253.7
nmとエキシマレーザ光の波長248.39nmに対す
る反射率はほとんど変わらないため、必ずしも2波長コ
ートをしなくてもよい。
このエタロン6を透過した光は集光レンズ7に入射され
る。この集光レンズ7は例えば、色収差補正が施された
色消しレンズであり、かかる色消し集光レンズ7を経る
ことにより色収差が補正される。
光検出器8は集光レンズ7の焦点上に配設されており、
これにより集光レンズ7を経た光は、光位置検出器8に
結像され、この光検出器8の検出面上に基準光の波長に
対応した第1の干渉縞8aおよび被検出光の波長に対応
した第2の干渉縞8bを1成する。光検出器8ではこの
第1および第2の干渉縞8a、8bを検出し、この検出
にもとづき基準光の波長に対する被検出光の波長の相対
波長を検出し、既知の基準光の波長と検出した相対波長
にもとづき被検出光の絶対波長を検出する。
なお、光検出器8として一次元または二次元のイメージ
センサ、ダイオードアレイまたはPSD(PO3ITI
ON 5ENSITIVE DETECTOR)等を用
イテ構成することができる。
こうして被検出光であるエキシマレーザ光の絶対波長が
光検出器8で検出されたならば、検出結果はCPUl0
に出力され、該CPUl0は狭帯域化素子ドライバ11
を介して図示しないレーザ管の共振器内に配設された狭
帯域化素子(たとえば2つのエタロン)の角度等を変化
させることによってエキシマレーザ光の発振波長を設定
波長(目標値)に固定するように制御し、波長安定化を
行う。
ところで、水銀ランプ22、つまりはその中に封入され
た水銀蒸気の温度を所定の温度(水銀ランプ22の外周
の雰囲気温度として50℃程度)以上に上昇させると、
上記253.7nm発振線に対応する第1の干渉縞が質
量数198の水銀同位体の発振線に対応する干渉縞と質
量数202の水銀同位体の発振線に対応する干渉縞とに
分離することが実験の結果明らかになった。
すなわち、第5図は、光検出器8上の位置と光強度との
関係を示すものであり、同図(a)に示すように水銀蒸
気の温度が上記所定の温度よりも小さい場合には、干渉
縞8aの光強度分布の山30は幅が広く頂点部Bはなだ
らかなカーブを描く。
このため、頂点部Bのピーク位置を光検出器8で検出し
ようとすると、ピーク位置を正確に捕え難く、検出精度
が良くない。が、水銀蒸気の温度を上記所定の温度以上
まで上昇させると、同図(b)に示すように干渉縞8a
は、質量数198の水銀同位体の波長253.6506
3nmの発振線に対応する干渉縞と質量数202の水銀
同位体の波長253.65277nmの発振線に対応す
る干渉縞とに分離され、これら分離した各干渉縞の山3
2.33は、253.7nm発振線の干渉縞8aの山3
1よりも幅が非常に狭く、かつその頂点部C,Dはきわ
めて急峻なカーブを描く。このため、頂点部CまたはD
のピーク位置を光検出器8で検出すれば、ピーク位置を
正確に捕えらことかでき、位置検出精度が大幅に向上す
る。そして、各検出ピーク位置は、その波長が253.
65063nm、253.65277nmと予めわかっ
ているので、これら検出結果に基づきエキシマレーザ光
の絶対波長を高精度に検出することができる。なお、波
長253.65063nmの発振線または波長253.
65277nmの発振線のいずれか一方に対応する干渉
縞の検出位置に基づき絶対波長を検出する実施も可能で
あり、また両方の発振線に対応する2つの干渉縞の検出
位置に基づき絶対波長を検出する実施も可能である。2
つの絶対波長を検出する場合は、いずれか1つの干渉縞
を基準に絶対波長を検出する場合よりも検出精度がより
向上するのは測定工学上明らかである。
第2図から第4図は、上述するように水銀蒸気の温度を
上昇させて干渉縞を分離するための水銀ランプ部20の
構成を概念的に示すものである。
なお、これら図面において互いに共通する機能を果す部
分については説明の便宜上同一の符号を付する。
第2図に示す水銀ランプ部20では、水銀ランプ22の
雰囲気温度を所定の温度以上にするためにランプ22に
直接温風を吹き付けるようにしている。すなわち、水銀
ランプ22は、コード22aを介してその電源に接続さ
れるとともに、水銀ランプ22の周囲にはランプ22で
発生する光を外部に射出する射出口21aを残してラン
プ22を覆うハウジング21が覆設されている。ハウジ
ング21の各壁面のうち射出口21aが形成された壁面
に対向する壁面には温風送風用のファン23が配設され
るとともに、ファン23の背後にはヒータ24が配設さ
れている。したがって、ヒタ24が起動されるとともに
、ファン23が回転作動されると、ヒータ24で発生し
た熱がファン23により矢印に示すように温風としてラ
ンプ22に吹き付けられることになる。
また、第3図に示す水銀ランプ部20では、水銀ランプ
22の雰囲気温度を所定の温度以上にするために、ラン
プ22で発生する熱が大気中に放散しないように該ラン
プ22で発生する光の射出口25aを除いてランプ22
を囲むハウジング25(材質としてはたとえばアルミニ
ウムが使用される)を設けるようにしている。なお、同
図(b)は同図(a)の矢視A方向を示している。
さらに、また第4図に示す水銀ランプ部20では、第2
図と同様に射出口26aと送風ファン23とを有したハ
ウジング26によって水銀ランプ22を覆うとともに、
水銀ランプ22の雰囲気温度を検出する温度センサ27
と、該温度センサ27の出力をフィードバック信号とし
、上記雰囲気温度が設定温度(たとえば50℃)になる
ようにヒータ回路29に供給する電流を制御するコント
ローラ28とを具えるようにしている。したがってコン
トローラ28が起動されると、該コントロラ28は上記
設定温度と温度センサ27の出力との偏差が零になるよ
うにヒータ回路29の供給電流を制御し、水銀ランプ2
2の雰囲気温度を上記設定温度にする。
以下、第1図および第2図から第4図に示した実施例に
おける基準光および被検出光の検出動作並びにエキシマ
レーザ光の波長制御の態様を第6図に示すフローチャー
トを参照して説明する。
いま、水銀ランプ部20として第2図に示す構成のもの
を想定するに、第6図(a)に示すように、まず低圧水
銀ランプ22の電源がオンされて、水銀ランプ20が発
光する(ステップ101)。
つぎにヒータ24(同時にファン23も)の電源がオン
されて、温風がランプ22に吹き付けられる(ステップ
102)。
つぎのステップ103では基準光Lbの干渉縞8aか分
離した(第5図(b)参照)か否か(第5図(a)参照
)を常時判定している。この干渉縞8aが分離したか否
かの判定は、たとえば第5図において山32.33およ
び谷34の光強度の値を光検出器8でそれぞれ検出し、
山32の検出値と谷34の検出値との差が所定の閾値以
上になったか否か、あるいは山33の検出値と谷34の
検出値との差が所定の閾値以上になったか否かにより行
う。
やがて、ランプ22の封入蒸気の温度が所定の温度に達
し、干渉縞8aが分離すると(ステップ103の判断結
果YES) 、手順はつぎのステップ104に移行され
る。ステップ104では、光検出器8上に形成された上
記分離干渉縞のそれぞれの位置を検出し、該検出位置を
記憶させておくとともに、エキシマレーザの発振の準備
が終了したことを示す信号を出力する(ステップ104
)。
すると、手順は第6図(d)のステップ401に移行さ
れて、ステップ104の出力信号に応じてエキシマレー
ザ1の電源が起動するなどして、レーザ光Laが発振、
出力される(ステップ401)。そして、光検出器8上
に形成された被検出光の干渉縞8bの位置を検出する(
ステップ402)。つぎにこのステップ402で求めた
干渉縞8bの位置と先のステップ104で求めて記憶し
ておいた分離干渉縞の位置とを比較することにより被検
出光の絶対波長を検出する(ステップ403)。
こうして被検出光(エキシマレーザ光)の絶対波長が検
出されると、設定波長(目標値)と検出絶対波長との差
Δλが計算され(ステップ403)CPUIOは計算値
Δλに応じて狭帯域化素子ドライバ11を介して図示し
ない共振器内のエタロンの角度等を変化させる。この結
果、上記エタロンを透過するエキシマレーザ光の波長が
Δλだけシフトされて、設定波長(目標値)に固定され
る(ステップ405)。
この第6図(a)のフローチャートでは、基準光の干渉
縞が分離したことを光検出器8の出力に基づき検出し、
その後、エキシマレーザ光を発振させるようにしている
が、水銀ランプ22の雰囲気温度が所定の温度以上にな
ったかを検出することにより、基準光の干渉縞が分離し
たことを検出する実施もまた可能である。すなわち同図
(b)に示すフローチャートでは、ステップ101.1
02Z同様な水銀ランプ22、ヒータ23の起動処理が
ステップ201.202て実行され、水銀ランプ22の
雰囲気温度が所定の温度(たとえば50℃程度)以上に
なったことか否かが判定される(ステップ203)。判
断結果がYESであると、基準光の干渉縞が分離したも
のとし、ステップ104と同様に発振率1iiiiOK
を示す信号が出力されて(ステップ204) 、以後上
記ステップ401〜405のエキシマレーザ光の発振・
波長制御の処理が実行される。なお、所要の温度センサ
をハウジング21の内部の所定箇所に配設しておき、上
記水銀ランプ22の雰囲気温度の検出を行うようにすれ
ばよい。
また、時間管理によって基準光の干渉縞が分離したこと
を検出する実施もまた可能である。すなわち同図(C)
に示すようにステップ101.102と同様な水銀ラン
プ22、ヒータ23の起動処理がステップ301て実行
され、上記起動と同時に図示していないタイマがスター
トされる。そして、タイマの計時値Tが所定の設定時間
K(例えば5分程度)より大きいか否かを調べる(ステ
ップ302)。T>Kとなると(ステップ302の判断
結果YES) 、基準光の干渉縞が分離したものとし、
ステップ104と同様に発振率(iiiOKを示す信号
が出力されて(ステップ303)、以後上記ステップ4
01〜405のエキシマレーザ光の発振・波長制御の処
理が実行される。
水銀ランプ部20を第3図に示す構成にした場合にも、
これら第6図の各フローチャートを適用することが可能
である。ただし、この場合にはステップ102.202
およびステップ301におけるヒータ24の起動処理が
省略されることになる。さらに水銀ランプ部20を第4
図に示す構成にした場合にも、これら第6図の各フロー
チャトを適用することができる。ただし、この場合には
ステップ102.202およびステップ301において
ヒータ24の起動処理の替りにコントロラ28、ヒータ
回路29を起動する処理を実行すればよい。
このように第6図に示すフローチャートでは、基準光(
水銀ランプ22の253.65063nm発振線または
253.65277nm発振線)と被検出光(KrF狭
帯域エキシマレーザの波長248.4nm)との波長が
近く、両者の干渉縞を同時に検出することは困難となる
ので、基準光の干渉縞(分離された干渉縞)を検出して
から、エキシマレーザ光を発振させ、その干渉縞を検出
するようにしているが、両者を別々に検出するのではな
く、場合によっては同時に検出する実施もまた可能であ
る。
上述した実施例では水銀ランプ22の温度を上昇させて
、干渉縞8aを質量数198の水銀同位体に対応する干
渉縞と質量数202の水銀同位体に対応する干渉縞とに
分離するようにしているが、要は波長線幅の狭い第5図
(b)に示す山32または山33を得ることができれば
よいので、水銀ランプ22の水銀蒸気として質量数19
8の水銀同位体または質量数202の水銀同位体のいず
れか一方のみを封入しておくような実施も可能である。
この場合は、水銀ランプ22の温度を上昇させるための
構成(第2図から第4図)を要することなく、第5図(
b)に示す山32または山33に対応する山が形成され
る。したがって、これらいずれかの山のピーク位置を精
度良く検出することかでき、上述した実施例と同様にエ
キシマレーザ光の絶対波長を高精度に検出することがで
きる。
なお、この実施例では、干渉縞の位置を検出するように
しているが、干渉縞の直径または半径を検出して被検出
光の絶対波長を求めるようにしてもよい。
ところで、上記実施例では集光レンズ7として色収差補
正が施された色消しレンズを用い、基準光と被検出光の
結像位置を一致させるようにしたが、集光レンズ7また
は光検出器8を光軸方向に移動可能な構成とし、これに
よって結像位置の違いを吸収するようにしてもよい。
また、実施例では基準光と被検出光の波長が近いので、
集光レンズ7として色収差補正なしのレンズを使用する
実施もまた可能であり、所定レベル以上の検出精度が確
保されることになる。
また、実施例では被検出光としてKrFエキシマレーザ
光を想定しているが、ArFエキシマレーザ光を被検出
光とする実施ももちろん可能である。この場合は集光レ
ンズ7として波長193nm(ArFエキシマレーザ光
)と波長253.65063nm (または253.6
5277nm)に対して色収差補正した集光レンズを用
いるとともに、モニタエタロン6に関して波長193n
m線並びに波長253.65063nm (または25
3.65277nm線)の両方を反射するコーティング
処理を施すようにすれば、高精度に絶対波長を検出する
ことができるようになる。
なお、実施例では、水銀蒸気を所定の温度以上に上昇さ
せると、253.7nm発振線が波長線幅の狭い質量数
198の水銀同位体の253.65063nm発振線と
質量数202の水銀同位体の253.6°5277nm
発振線とに分離する場合について説明したが、本発明と
してはこれに限定されることなく波長線幅の狭い発振線
に分離することができるのであれば、同位体の種類゛は
任意である。
さらに実施例では、波長線幅の狭い特定の同位体の発振
線が得られる元素として水銀を想定しているが、本発明
としては水銀に限定されることなく同等の性質を有した
元素であればよい。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、水銀等複数の同
位体を含む特定の元素の蒸気からの発振線を基準光とし
て使用した場合において、波長線幅の狭い発振線を得て
、これを基準光として用いるようにしたので、基準光の
干渉縞を高精度に検出することができ、以て絶対波長を
高精度に検出することができる。
そして、本発明の波長検出装置を狭帯域発振エキシマレ
ーザに搭載することによってエキシマレーザ光の波長を
高精度に安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の波長検出装置を狭帯域エキシマレ
ーザの出力レーザ光の波長検出に適用した一実施例を示
す図、第2図から第4図は、第1図に示す水銀ランプ部
の構成を概念的に示す図、第5図(a)は、従来技術に
おいて水銀ランプから発生される基準光によって第1図
に示す光検出器上に形成される干渉縞を示す図で、光検
出器上の位置と光強度の関係を示す図、同図(b)は、
実施例において水銀ランプから発生される基準光によっ
て第1図に示す光検出器上に形成される干渉縞を示す図
で、光検出器上の位置と光強度の関係を示す図、第6図
(a)、(b)および(c)は、それぞれ基準光の干渉
縞の検出処理手順の一例を示すフローチャートで、同図
(d)は、被検出光であるエキシマレーザ光の干渉縞の
検出処理およびエキシマレーザ光の発振・波長制御処理
の手順の一例を示すフローチャートである。 1・・・狭帯域発振エキシマレーザ、6・・・エタロン
、8・・・光検出器、20・・・低圧水銀ランプ部、2
1.25.26・・・ハウジング、22・・・低圧水銀
ランプ、23・・・送風ファン、24・・・ヒータ、2
7・・・温度センサ、28・・・コントローラ、29・
・・ヒータ回路、FT・・・フィルタ。 第1L (a) 第2図 第3 図 (b) 第4 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の同位体を含む特定の元素の蒸気からの発振
    線を基準光として被検出光の波長を検出する波長検出装
    置において、 前記蒸気を所定の温度以上に上昇させ、この結果分離し
    た特定の同位体の発振線を前記基準光としたことを特徴
    とする波長検出装置。
  2. (2)特定の元素の蒸気からの発振線を基準光として被
    検出光の波長を検出する波長検出装置において、 前記元素のうち特定の同位体を選択し、該同位体の蒸気
    からの光を前記基準光としたことを特徴とする波長検出
    装置。
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