JPH0552051B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0552051B2
JPH0552051B2 JP62046752A JP4675287A JPH0552051B2 JP H0552051 B2 JPH0552051 B2 JP H0552051B2 JP 62046752 A JP62046752 A JP 62046752A JP 4675287 A JP4675287 A JP 4675287A JP H0552051 B2 JPH0552051 B2 JP H0552051B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
optical system
laser light
imaging optical
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62046752A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63213928A (ja
Inventor
Masato Aketagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62046752A priority Critical patent/JPS63213928A/ja
Publication of JPS63213928A publication Critical patent/JPS63213928A/ja
Priority to US07/550,194 priority patent/US5095190A/en
Publication of JPH0552051B2 publication Critical patent/JPH0552051B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、レーザを光源とした露光装置、特に
レーザ光の波長を検知する波長検知手段からの出
力信号に基づいて、結像光学系の結像倍率を最適
に維持するようにした露光装置に関する。
[従来技術] 一般に、光リソグラフイで半導体デバイスの高
密度集積化、超微細化を図るには、現在の水銀の
g線(波長435nm)よりも回折効果の小さい遠
紫外線を用いる方が有利である。しかし、この遠
紫外線を投影縮小レンズを使つた半導体露光装置
で使用する場合には、この遠紫外線のレンズに対
する透過率が問題となる。つまり、波長が300n
m以下の遠紫外線を良く透過させるガラス材は現
在の段階では石英およびホタル石しかなく、この
ホタル石は加工性と均質性に欠け、レンズとして
用いるには適さないため、結局、レンズは石英の
みで構成せざるを得ない。そして、石英のみでレ
ンズを構成した場合、色収差の補正ができないた
め、光源のスペクトル幅が拡がつていると遠紫外
線を用いたにもかかわらず、解像力が向上しな
い。従つて、遠紫外線の光源はスペクトル幅の狭
い方が有利である。このような状況で、遠紫外線
で発振し、しかも大きなエネルギーの得られるエ
キシマレーザが有望視されている。
しかし、エキシマレーザのスペクトル幅は0.5n
m程度であり、このまま露光装置用光源として用
いた場合、上記理由により色収差の影響を無視で
きない。すなわちエキシマレーザを露光用の光源
とする場合、スペクトル幅の狭帯域化が前提とな
る。そこで従来は、レーザ共振器内に波長選択素
子を組み込み、エキシマレーザの自然発光スペク
トル幅中の特定波長だけを強制的にレーザ発振さ
せることによりエキシマレーザの狭帯域化を行つ
ていた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、特にこのような波長狭帯域化エ
キシマレーザを露光用の光源とした場合、波長選
択素子に機械的振動、熱的膨張収縮等が加わる
と、発振波長がずれてピント位置および倍率がず
れるために解像力および解像寸法に重大な影響を
与えるという欠点があつた。
本発明は、この従来技術の欠点に鑑み、光源が
発するレーザ光の波長が変化しても、最適の倍率
が得られるような露光装置を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段] この目的を達成するため本発明の露光装置は、
発振波長が不安定なレーザ光源と、該レーザ光源
が発するレーザ光により物体面を照明する照明光
学系と、該照明光学系により照明された物体面の
像を所定倍率で露光面に結像させる為の結像光学
系と、前記レーザ光の波長変化を検知する波長検
知手段と、該波長検知手段からの出力信号に基づ
いて、前記レーザ光の波長変化による前記結像光
学系の結像倍率の前記所定倍率からのずれを補正
するよう前記結像光学系の光軸方向に関する前記
物体面の位置を調整する制御手段とを有すること
を特徴とする。
[作用] 本発明の露光装置においては、露光に際して
は、光源の発するレーザ光、例えば狭帯域化され
たエキシマレーザ光の波長を上記波長検知手段を
介して監視しており、そして、上記制御手段は該
波長検知手段の出力に応じて必要な場合にはあら
かじめ定められたシーケンスに基づいてあらかじ
め定められた範囲の倍率に収まるように物体面の
位置を調整する。したがつて、例えば石英のみで
構成された色収差補正のないレンズ系を結像光学
系として用いた場合でも、常に倍率のずれが補正
された状態で露光を行なうことができるため、解
像力の劣化を防ぐことができる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
第1図は本発明の一実施例に係る露光装置に構
成を示す。同図において、レーザ1から出射した
レーザビームはハーフミラー2によつて2つに分
割され、一方は下り返しミラー3を介して照明光
学系5に入射し、もう一方は波長検出装置4に入
射する。照明光学系5に入射したレーザビームは
均一に拡大された後、物体面8を照射し、結像レ
ンズ20を通つて、像面(露光面)9に結像す
る。波長検出装置4では、例えばレーザ1がエキ
シマレーザの場合にはパルス1個またはパルス複
数個単位で、入射光の波長を測定し、その結果を
コントローラ7に伝送する。この結果に基づきコ
ントローラ7はあらかじめ定められたシーケンス
に従つて結像光学系の倍率が一定の許容範囲に入
り、しかもフオーカス位置に対し像面9が許容焦
点深度内に収まるように、微動装置6a,6bを
制御駆動させ物体面8および像面9を保持してい
るそれぞれのステージを移動させることにより物
体面8および/または像面9の位置を補正する。
第2図は、第1図の波長検出装置4の構成を示
す。この波長検出装置は絞り12、拡大光学系1
3、グレーテイング14およびレンズ15から成
る通常の分光光学系にCCDラインセンサ16を
組み合わせたもので、絞り12を通して入射した
レーザ光の波長は、CCDラインセンサ16上の
レーザ光入射位置として測定される。そして光源
エキシマレーザであれば、パルス1個またはパル
ス複数個単位で波長を検知し、第1図のコントロ
ーラ7にデータを転送する。この波長検出装置4
の分解能および再現性はおおむね0.05nmあれば
十分である。
以上のようにして、光源の発するレーザ光の波
長を検知し倍率補正およびピント補正を行ないな
がら露光を行なうことができるので、本露光装置
は結像性能が従来のものより高い。
[発明の変形例] 上述においては、波長検出装置4として第2図
のグレーテイングを用いたものを使用している
が、この代わりに第3図に示すようなフアブリベ
ローエタロンを用いたものを使用してもよい。
この場合、レーザビーム17は凹レンズ18で
拡大され、絞り19を通つた後、エタロン20に
よつて、CCD21上に干渉縞を形成する。この
とき、波長が変化すると縞の位置が変わるため、
その差異をCCDで検知することにより波長変化
を検知することができる。この例では絶対的な波
長は測定できないが相対的な波長変化は検知で
き、この結果に基づきステージ制御を行なうこと
ができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、波長検知
手段からの出力信号に基づいて、レーザ光の波長
変化による結像光学系の結像倍率の所定倍率から
のずれを補正するよう物体面の位置を調整するよ
うにしたため、レーザ光源の発振波長が変動して
も常にほぼ一定の最適な倍率で物体の像を投影で
き、したがつて発振波長が不安定な波長狭帯域変
したエキシマレーザ等を不都合なく用いて解像力
を向上させ、ひいては半導体製造装置等の製品歩
留を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の
構成図、第2図は、第1図の装置に使用される波
長検出装置の構成図、そして第3図は、第1図の
装置に使用される波長検出装置(または波長変動
検出装置)の変形例である。 1:レーザ、2:ハーフミラー、3:折り返し
ミラー、4:波長検出装置、5:照明光学系、6
a,6b:ステージ微動装置、7:コントロー
ラ、8:物体面(ステージ)、9:像面(ステー
ジ)、10:結像レンズ、11,17:レーザビ
ーム、12,19:絞り、13:拡大光学系、1
4:グレーテイング、15:集光レンズ、16:
CCDラインセンサ、18:凹レンズ、20:エ
タロン、21:CCDライン(またはエリア)セ
ンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 発振波長が不安定なレーザ光源と、該レーザ
    光源が発するレーザ光により物体面を照明する照
    明光学系と、該照明光学系により照明された物体
    面の像を所定倍率で露光面に結像させる為の結像
    光学系と、前記レーザ光の波長変化を検知する波
    長検知手段と、該波長検知手段からの出力信号に
    基づいて、前記レーザ光の波長変化による前記結
    像光学系の結像倍率の前記所定倍率からのずれを
    補正するよう前記結像光学系の光軸方向に関する
    前記物体面の位置を調整する制御手段とを有する
    ことを特徴とする露光装置。 2 前記制御手段は、前記波長検知手段からの出
    力信号に基づいて、前記レーザ光の波長変化によ
    り変位した前記結像光学系の像面に前記露光面を
    合致せしめるよう前記結像光学系の光軸方向に関
    する前記露光面の位置を調整する手段を備えるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光
    装置。
JP62046752A 1987-03-03 1987-03-03 露光装置 Granted JPS63213928A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62046752A JPS63213928A (ja) 1987-03-03 1987-03-03 露光装置
US07/550,194 US5095190A (en) 1987-03-03 1990-07-10 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62046752A JPS63213928A (ja) 1987-03-03 1987-03-03 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63213928A JPS63213928A (ja) 1988-09-06
JPH0552051B2 true JPH0552051B2 (ja) 1993-08-04

Family

ID=12756061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62046752A Granted JPS63213928A (ja) 1987-03-03 1987-03-03 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63213928A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2590891B2 (ja) * 1987-07-02 1997-03-12 株式会社ニコン 投影光学装置
JPH0628227B2 (ja) * 1987-10-06 1994-04-13 株式会社日立製作所 半導体露光装置
JPH01106426A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Canon Inc 露光装置
JP2894914B2 (ja) * 1993-01-27 1999-05-24 日本電気株式会社 投影露光方法および装置
KR100630703B1 (ko) 2004-10-15 2006-10-02 삼성전자주식회사 레이저빔의 파장 제어 시스템 및 그 제어방법
WO2022064594A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 ギガフォトン株式会社 電子デバイスの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214335A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法
JPS60214334A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法
JPS61181128A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214335A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法
JPS60214334A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法
JPS61181128A (ja) * 1985-02-06 1986-08-13 Canon Inc 投影露光装置及び投影露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63213928A (ja) 1988-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4931830A (en) Projection exposure apparatus
US5136413A (en) Imaging and illumination system with aspherization and aberration correction by phase steps
US5142132A (en) Adaptive optic wafer stepper illumination system
JP2791038B2 (ja) 分光器及びそれを用いた投影露光装置並びに投影露光方法
JP4580338B2 (ja) リソグラフィ装置、エキシマ・レーザ、およびデバイス製造方法
US5969799A (en) Exposure apparatus with a pulsed laser
EP1347501A1 (en) Wavefront aberration measuring instrument, wavefront aberration measuring method, exposure apparatus, and method for manufacturing microdevice
US4922290A (en) Semiconductor exposing system having apparatus for correcting change in wavelength of light source
US5597670A (en) Exposure method and apparatus
US4952945A (en) Exposure apparatus using excimer laser source
US4968868A (en) Projection exposure system
JP2003090978A (ja) 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US5095190A (en) Exposure apparatus
JPH0552051B2 (ja)
JPH0430411A (ja) 投影露光装置
US5247153A (en) Method and apparatus for in-situ deformation of a surface, especially a non-planar optical surface
JP3278892B2 (ja) 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JPH09153444A (ja) X線投影露光装置
US6456361B1 (en) Method and instrument for measuring vacuum ultraviolet light beam, method of producing device and optical exposure apparatus
JP3102087B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法
JP2590891B2 (ja) 投影光学装置
JP3316694B2 (ja) 投影露光装置及び転写方法
JPH01309323A (ja) 投影光学装置
JPH05335208A (ja) 投影露光装置
JPH11162824A (ja) 露光装置